JPH0478041B2 - - Google Patents
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- JPH0478041B2 JPH0478041B2 JP57213403A JP21340382A JPH0478041B2 JP H0478041 B2 JPH0478041 B2 JP H0478041B2 JP 57213403 A JP57213403 A JP 57213403A JP 21340382 A JP21340382 A JP 21340382A JP H0478041 B2 JPH0478041 B2 JP H0478041B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- filter
- attenuation
- hole
- dielectric
- band
- Prior art date
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P1/00—Auxiliary devices
- H01P1/20—Frequency-selective devices, e.g. filters
- H01P1/201—Filters for transverse electromagnetic waves
- H01P1/205—Comb or interdigital filters; Cascaded coaxial cavities
- H01P1/2056—Comb filters or interdigital filters with metallised resonator holes in a dielectric block
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
(1) 発明の技術分野
本発明はVHF帯及びUHF帯の無線装置に用い
られる誘電体フイルタに関するものである。
られる誘電体フイルタに関するものである。
(2) 技術の背景
一般に、移動無線と呼ばれる携帯無線や車載無
線装置に用いられるフイルタは小型、軽量かつ温
度変化に対する影響の少いものが要求される。こ
のため、最近、これらの装置には、ヘリカルフイ
ルタ等に比べて小型、軽量かつ温度変化の少い誘
電体フイルタが多用されている。
線装置に用いられるフイルタは小型、軽量かつ温
度変化に対する影響の少いものが要求される。こ
のため、最近、これらの装置には、ヘリカルフイ
ルタ等に比べて小型、軽量かつ温度変化の少い誘
電体フイルタが多用されている。
この種の誘電体フイルタは、一般に、底面及び
側面をメタライズして外部導体膜を設けた直方体
状の誘電体ブロツクに、上下方向に軸線を有し内
面をメタライズして内部導体膜を有する複数個の
貫通孔を設け、更に両端に位置する貫通孔の外側
に外部回路と接続するための結合部を設けて、バ
ンド・パス・フイルタ（以下、BPFと呼ぶ）と
して構成されている。また、この種の誘電体フイ
ルタは、貫通孔の個数を増加、すなわち共振子の
段数を増加すれば減衰帯域の減衰料を増大するこ
とができるが、その反面誘電体ブロツクが大形化
される。また、一般にフイルタに要求される減衰
量は非対称な場合が多い。すなわち通過帯域に対
し高帯域又は低帯域のいずれか一方、例えば高帯
域における特定の限定帯域を所定減衰量以上に減
衰する必要があり、低帯域はそれほど減衰する必
要がない場合がある。勿論、この逆の場合もあ
る。このような場合、単に貫通孔の数を増加する
のみで上記の必要条件を満たすのでなく、貫通孔
の個数を必要最小限にとどめ、しかも上記のよう
な要求を満たすことができ得る誘電体フイルタが
望まれる。
側面をメタライズして外部導体膜を設けた直方体
状の誘電体ブロツクに、上下方向に軸線を有し内
面をメタライズして内部導体膜を有する複数個の
貫通孔を設け、更に両端に位置する貫通孔の外側
に外部回路と接続するための結合部を設けて、バ
ンド・パス・フイルタ（以下、BPFと呼ぶ）と
して構成されている。また、この種の誘電体フイ
ルタは、貫通孔の個数を増加、すなわち共振子の
段数を増加すれば減衰帯域の減衰料を増大するこ
とができるが、その反面誘電体ブロツクが大形化
される。また、一般にフイルタに要求される減衰
量は非対称な場合が多い。すなわち通過帯域に対
し高帯域又は低帯域のいずれか一方、例えば高帯
域における特定の限定帯域を所定減衰量以上に減
衰する必要があり、低帯域はそれほど減衰する必
要がない場合がある。勿論、この逆の場合もあ
る。このような場合、単に貫通孔の数を増加する
のみで上記の必要条件を満たすのでなく、貫通孔
の個数を必要最小限にとどめ、しかも上記のよう
な要求を満たすことができ得る誘電体フイルタが
望まれる。
(3) 従来技術の問題点
第１図と第２図は従来の誘電体フイルタを説明
するための図であり、第１図は一部切欠き斜視
図、第２図は第１図のＡ−A′線における断面図
を示す。両図において、符号１０は誘電体フイル
タ全体を示し、１１は誘電体ブロツク、１２は筐
体をそれぞれ示す。誘電体ブロツク１１には、複
数個の貫通孔１３が設けられ、これらの貫通孔１
３の内面に厚膜焼成等の手法によりメタライズし
て内部導体膜１３ａ（図中、クロスハツチングで
示す）が形成され、また、誘電体ブロツク１１の
底面及び側面も同様にメタライズして外部導体１
１ａが形成されている。この誘電体ブロツク１１
が、入出力コネクタ１４，１５及び周波数調整ね
じ１６を有する筐体１２に収容されて、誘電体フ
イルタ１０が形成されている。また、この場合
は、貫通孔１３が４個設けられているので４段構
成のフイルタが形成されている。そして、誘電体
１１に設けられた貫通孔１３は、一端（この場
合、上端）が開放され、他端が外部導体膜１１ａ
に短絡されているので、孔の深さ（又は、孔の高
さ）を1/4波長（λ／４）近傍とする周波数で共
振する共振素子として形成される。これに結合部
として適当な励振体１７を用い、入出力コネクタ
１４，１５を介して外部回路と接続すると、
BPF型の誘電体フイルタとして動作する。図中、
励振体１７はブロツク１１の両端部に設けられメ
タライズされていない穴１８に嵌入された金属棒
で形成され、該金属棒１７と導体膜１３ａを有す
る貫通孔１３とが結合される。
するための図であり、第１図は一部切欠き斜視
図、第２図は第１図のＡ−A′線における断面図
を示す。両図において、符号１０は誘電体フイル
タ全体を示し、１１は誘電体ブロツク、１２は筐
体をそれぞれ示す。誘電体ブロツク１１には、複
数個の貫通孔１３が設けられ、これらの貫通孔１
３の内面に厚膜焼成等の手法によりメタライズし
て内部導体膜１３ａ（図中、クロスハツチングで
示す）が形成され、また、誘電体ブロツク１１の
底面及び側面も同様にメタライズして外部導体１
１ａが形成されている。この誘電体ブロツク１１
が、入出力コネクタ１４，１５及び周波数調整ね
じ１６を有する筐体１２に収容されて、誘電体フ
イルタ１０が形成されている。また、この場合
は、貫通孔１３が４個設けられているので４段構
成のフイルタが形成されている。そして、誘電体
１１に設けられた貫通孔１３は、一端（この場
合、上端）が開放され、他端が外部導体膜１１ａ
に短絡されているので、孔の深さ（又は、孔の高
さ）を1/4波長（λ／４）近傍とする周波数で共
振する共振素子として形成される。これに結合部
として適当な励振体１７を用い、入出力コネクタ
１４，１５を介して外部回路と接続すると、
BPF型の誘電体フイルタとして動作する。図中、
励振体１７はブロツク１１の両端部に設けられメ
タライズされていない穴１８に嵌入された金属棒
で形成され、該金属棒１７と導体膜１３ａを有す
る貫通孔１３とが結合される。
このような誘電体フイルタの通過帯域外減衰特
性（減衰帯域の減衰特性）は、減衰帯域における
特定の複数の周波数帯域に対して必要とする減衰
量によつて決定される。すなわち、この特定周波
数帯域の必要減衰量が得られる減衰特性によつて
フイルタの段数が決定されてしまう。しかし、こ
の特定周波数帯域の必要減衰量を除けばフイルタ
の段数が少くてすむ場合が多い。このことを第３
図を参照して、さらに説明する。
性（減衰帯域の減衰特性）は、減衰帯域における
特定の複数の周波数帯域に対して必要とする減衰
量によつて決定される。すなわち、この特定周波
数帯域の必要減衰量が得られる減衰特性によつて
フイルタの段数が決定されてしまう。しかし、こ
の特定周波数帯域の必要減衰量を除けばフイルタ
の段数が少くてすむ場合が多い。このことを第３
図を参照して、さらに説明する。
第３図は従来の誘電体フイルタの減衰特性曲線
を一例として示す図である。同図において、縦軸
は減衰量（dB）、横軸は周波数ｆ（ＭHz）を示し、
実線で示す曲線Ｄは５段構成のフイルタ、そして
点線で示す曲線Ｅは６段構成のフイルタの減衰特
性曲線を示す。例えば、フイルタの3dB帯域が
25MHzで、中心周波数f0から高帯域側へ35〜45M
Hz離れた特定帯域１９の減衰量が50dB以上必要
であるフイルタを設計する場合、５段構成のフイ
ルタでは、曲線Ｄが示すように、f0から38.1MHz
以上離れないと、50dB以上の減衰量はとれない。
そして、６段構成のフイルタの場合は、曲線Ｅが
示すように、f0から35MHz離れた所で56dB以上
の減衰量が得られる。従つて、低帯域側の減衰量
が曲線Ｄ（５段構成）又はそれ以下で充分である
場合でも、この場合のフイルタは曲線に基づいて
６段構成に形成する必要がある。また、この場
合、フイルタの無負荷Q0＝1000（ｆ＝800MHz）
とすると、中心周波数f0における通過損失は、６
段構成の場合で約1.1dBであり、５段構成の場合
には0.9dBとなり、0.2dBの差が生ずる。すなわ
ち、段数が少いほど通過帯域での通過特性は良好
となる。このように、従来の誘電体フイルタで
は、例えば上記のような条件の場合でも６段構成
に形成する必要があり、この結果、フイルタが大
型化され、通過帯域内の通過損失が増大されると
いう好ましくない問題を含んでいる。
を一例として示す図である。同図において、縦軸
は減衰量（dB）、横軸は周波数ｆ（ＭHz）を示し、
実線で示す曲線Ｄは５段構成のフイルタ、そして
点線で示す曲線Ｅは６段構成のフイルタの減衰特
性曲線を示す。例えば、フイルタの3dB帯域が
25MHzで、中心周波数f0から高帯域側へ35〜45M
Hz離れた特定帯域１９の減衰量が50dB以上必要
であるフイルタを設計する場合、５段構成のフイ
ルタでは、曲線Ｄが示すように、f0から38.1MHz
以上離れないと、50dB以上の減衰量はとれない。
そして、６段構成のフイルタの場合は、曲線Ｅが
示すように、f0から35MHz離れた所で56dB以上
の減衰量が得られる。従つて、低帯域側の減衰量
が曲線Ｄ（５段構成）又はそれ以下で充分である
場合でも、この場合のフイルタは曲線に基づいて
６段構成に形成する必要がある。また、この場
合、フイルタの無負荷Q0＝1000（ｆ＝800MHz）
とすると、中心周波数f0における通過損失は、６
段構成の場合で約1.1dBであり、５段構成の場合
には0.9dBとなり、0.2dBの差が生ずる。すなわ
ち、段数が少いほど通過帯域での通過特性は良好
となる。このように、従来の誘電体フイルタで
は、例えば上記のような条件の場合でも６段構成
に形成する必要があり、この結果、フイルタが大
型化され、通過帯域内の通過損失が増大されると
いう好ましくない問題を含んでいる。
(4) 発明の目的
従つて、本発明は、上記従来の問題点に鑑み、
通過帯域外の特定帯域の減衰量を所定値以上に減
衰する必要がある場合、フイルタの段数を実質的
に最小限に抑えてフイルタの小型、軽量化を図
り、通過帯域内の通過特性も良好に維持し得る誘
電体フイルタを提供することを目的とするもので
ある。
通過帯域外の特定帯域の減衰量を所定値以上に減
衰する必要がある場合、フイルタの段数を実質的
に最小限に抑えてフイルタの小型、軽量化を図
り、通過帯域内の通過特性も良好に維持し得る誘
電体フイルタを提供することを目的とするもので
ある。
(5) 発明の構成
一個の誘電体ブロツクに複数個の貫通孔を所定
間隔をもつて形成し、該孔のうち所定の通過周波
数をその共振周波数とする共振子を形成する孔の
内面と、該孔の開口を含む一表面を除く前記誘電
体ブロツクの他の全ての表面とをメタライズし、
該誘電体ブロツクの両端部に、前記孔群の両端孔
とそれぞれ結合し、かつ外部回路と接続するため
の結合部を設けて成る1/4波長共振形同軸誘電体
フイルタにおいて、前記係合部の少くとも一方の
外側部に内面をメタライズした孔をさらに設け、
該孔に上記共振素子とは異なる共振周波数で、当
該フイルタの通過帯域外に減衰極を有する特定帯
域阻止用共振子を形成し、前記結合部と該特定帯
域阻止用共振子とを結合させたことを特徴とする
誘電体フイルタ。
間隔をもつて形成し、該孔のうち所定の通過周波
数をその共振周波数とする共振子を形成する孔の
内面と、該孔の開口を含む一表面を除く前記誘電
体ブロツクの他の全ての表面とをメタライズし、
該誘電体ブロツクの両端部に、前記孔群の両端孔
とそれぞれ結合し、かつ外部回路と接続するため
の結合部を設けて成る1/4波長共振形同軸誘電体
フイルタにおいて、前記係合部の少くとも一方の
外側部に内面をメタライズした孔をさらに設け、
該孔に上記共振素子とは異なる共振周波数で、当
該フイルタの通過帯域外に減衰極を有する特定帯
域阻止用共振子を形成し、前記結合部と該特定帯
域阻止用共振子とを結合させたことを特徴とする
誘電体フイルタ。
(6) 発明の実施例
以下、本発明の実施例を図面に基づいて詳細に
説明する。
説明する。
第４図から第６図は本発明の実施例を説明する
ための図である。
ための図である。
第４図は本発明による誘電体フイルタの実施例
の要部を示す図である。同図において、符号３１
は誘電体ブロツク、３１ａはブロツク３１の底面
と側面にメタライズされた外部導体膜、３２，３
３，３４は共振子を形成するための貫通孔、３２
ａ，３３ａ，３４ａは貫通孔のそれぞれの内面に
メタライズされた内部導体膜、３５，３６は結合
部を形成するコンデンサをそれぞれ示している。
さらに、符号３７，３８は通過帯域外の特定帯域
阻止用共振子を形成するための貫通孔をそれぞれ
示す。
の要部を示す図である。同図において、符号３１
は誘電体ブロツク、３１ａはブロツク３１の底面
と側面にメタライズされた外部導体膜、３２，３
３，３４は共振子を形成するための貫通孔、３２
ａ，３３ａ，３４ａは貫通孔のそれぞれの内面に
メタライズされた内部導体膜、３５，３６は結合
部を形成するコンデンサをそれぞれ示している。
さらに、符号３７，３８は通過帯域外の特定帯域
阻止用共振子を形成するための貫通孔をそれぞれ
示す。
本実施例は、このように、共振子３２，３４の
外側に隣接して内部をメタライズされた貫通孔３
７，３８を設けて、これらを特定帯域阻止用共振
子すなわちバンド・リジエクシヨンフイルタ（以
下、BRFと呼ぶ）に形成し、貫通孔３２，３３，
３４が形成するBPFと組合せて、同一誘電体ブ
ロツク３１内に３段構成のBPFと２段構成の
BRFとを設けたものである。貫通孔３７，３８
は、その内面にメタライズされ内部導体膜３７
ａ，３８ａが形成されているが、これらの導体膜
が1/4波長より若干長めに設定された共振素子に
形成されている。これらの共振子（貫通孔３７，
３８）は誘導性素子として動作し、入出力の結合
部（コンデンサ）３５，３６と結合して直列共振
し、BRFとして動作する。
外側に隣接して内部をメタライズされた貫通孔３
７，３８を設けて、これらを特定帯域阻止用共振
子すなわちバンド・リジエクシヨンフイルタ（以
下、BRFと呼ぶ）に形成し、貫通孔３２，３３，
３４が形成するBPFと組合せて、同一誘電体ブ
ロツク３１内に３段構成のBPFと２段構成の
BRFとを設けたものである。貫通孔３７，３８
は、その内面にメタライズされ内部導体膜３７
ａ，３８ａが形成されているが、これらの導体膜
が1/4波長より若干長めに設定された共振素子に
形成されている。これらの共振子（貫通孔３７，
３８）は誘導性素子として動作し、入出力の結合
部（コンデンサ）３５，３６と結合して直列共振
し、BRFとして動作する。
尚、これら導体膜３７ａ，３８ａの深さ（又は
高さ）は阻止すべき周波数の1/4波長より若干長
めに設定される。このように形成された誘電体ブ
ロツクは、第２図に示した従来例と同様に、筐体
に収容し誘電体フイルタとして組立てられる。一
体形の誘電体フイルタにおいて、この様な方法に
よりBRFを構成することにより、構成が簡単で
Ｑの高いBRFが付加できる。尚、第４図におい
て、共振子３７と３８は必要に応じていずれか１
個だけ設けてもよく、この場合は減衰量が半減す
るだけである。
高さ）は阻止すべき周波数の1/4波長より若干長
めに設定される。このように形成された誘電体ブ
ロツクは、第２図に示した従来例と同様に、筐体
に収容し誘電体フイルタとして組立てられる。一
体形の誘電体フイルタにおいて、この様な方法に
よりBRFを構成することにより、構成が簡単で
Ｑの高いBRFが付加できる。尚、第４図におい
て、共振子３７と３８は必要に応じていずれか１
個だけ設けてもよく、この場合は減衰量が半減す
るだけである。
次に第５図を参照して、第４図に示した実施例
の減衰特性について説明する。
の減衰特性について説明する。
第５図は、本発明の実施例の減衰特性曲線を示
す図で前述の従来例の減衰特性曲線（第３図）と
対比して示した図である。従つて、曲線ＤとＥは
それぞれ５段構成と６段構成の従来フイルタにお
ける減衰特性曲線を示す。そして、符号４０は中
心周波数f0から低帯域側へ35〜45MHz離れた特定
帯域を示し減衰量が50dBの位置を示す。さて、
実施例（第４図）の場合は、BRFが３段構成で
あるためこれのみの減衰特性は１点鎖線で示す曲
線Ｆの如くなる。しかし共振素子３７，３８が特
定帯域３５の周波数と共振するように構成されて
いるため、特定帯域３５部分の減衰特性は２点鎖
線で示す曲線Ｈの如くになり50dB以上の減衰量
が得られる。従つて、この実施例の減衰特性曲線
の低帯域側は、曲線ＦのF″部分が曲線Ｈに変化
された曲線で示され、そして高帯域側は曲線Ｆで
示されることになる。このように、高帯域側は曲
線Ｆが示す減衰特性で充分であり、低帯域側の特
定帯域３５のみ50dB以上減衰させる必要がある
場合、従来例では前述の如く６段構成のフイルタ
が必要であつたが、この実施例では、第４図から
明らかなように、BPFが３段構成でBRFが２段
構成の実質的に５段構成のフイルタで所望の減衰
特性が得られることになる。すなわち、本発明に
依れば、従来例に比べて少くとも１段少いフイル
タを構成することが可能となり、この結果、小
型、軽量で通過帯域の通過特性を良好に維持し得
る誘電体フイルタを実現することができる。
す図で前述の従来例の減衰特性曲線（第３図）と
対比して示した図である。従つて、曲線ＤとＥは
それぞれ５段構成と６段構成の従来フイルタにお
ける減衰特性曲線を示す。そして、符号４０は中
心周波数f0から低帯域側へ35〜45MHz離れた特定
帯域を示し減衰量が50dBの位置を示す。さて、
実施例（第４図）の場合は、BRFが３段構成で
あるためこれのみの減衰特性は１点鎖線で示す曲
線Ｆの如くなる。しかし共振素子３７，３８が特
定帯域３５の周波数と共振するように構成されて
いるため、特定帯域３５部分の減衰特性は２点鎖
線で示す曲線Ｈの如くになり50dB以上の減衰量
が得られる。従つて、この実施例の減衰特性曲線
の低帯域側は、曲線ＦのF″部分が曲線Ｈに変化
された曲線で示され、そして高帯域側は曲線Ｆで
示されることになる。このように、高帯域側は曲
線Ｆが示す減衰特性で充分であり、低帯域側の特
定帯域３５のみ50dB以上減衰させる必要がある
場合、従来例では前述の如く６段構成のフイルタ
が必要であつたが、この実施例では、第４図から
明らかなように、BPFが３段構成でBRFが２段
構成の実質的に５段構成のフイルタで所望の減衰
特性が得られることになる。すなわち、本発明に
依れば、従来例に比べて少くとも１段少いフイル
タを構成することが可能となり、この結果、小
型、軽量で通過帯域の通過特性を良好に維持し得
る誘電体フイルタを実現することができる。
また、本発明によれば、BRFを形成する共振
子３７，３８がBPFの共振子３２，３３，３４
よりも短かく形成することも可能である。この場
合、実施例とは逆に共振素子は高帯域側の特定帯
域の周波数に共振してこの周波数を阻止（減衰）
するので、その減衰特性曲線は第６図に示す如く
になる。すなわち、この場合は、中心周波数f0か
ら高帯域側へ35〜45MHz離れた特定帯域19に共振
しかつ、該帯域の減衰量を50dB以上に減衰でき
るようにBRFの共振素子が形成されることにな
る。従つて、この減衰特性曲線の高帯域側は曲線
ＦのF′部分が曲線Ｇに変化された曲線で示され、
そして低帯域側は曲線Ｆで示されることになる。
子３７，３８がBPFの共振子３２，３３，３４
よりも短かく形成することも可能である。この場
合、実施例とは逆に共振素子は高帯域側の特定帯
域の周波数に共振してこの周波数を阻止（減衰）
するので、その減衰特性曲線は第６図に示す如く
になる。すなわち、この場合は、中心周波数f0か
ら高帯域側へ35〜45MHz離れた特定帯域19に共振
しかつ、該帯域の減衰量を50dB以上に減衰でき
るようにBRFの共振素子が形成されることにな
る。従つて、この減衰特性曲線の高帯域側は曲線
ＦのF′部分が曲線Ｇに変化された曲線で示され、
そして低帯域側は曲線Ｆで示されることになる。
(7) 発明の効果
以上、詳細に説明したように、本発明の誘電体
フイルタは、通過帯域外に減衰極を有する特定帯
域阻止用フイルタ（BRF）を設けることにより、
簡易構成で小型、軽量化が可能で、かつ通過帯域
内の通過特性をも良好に維持し得るというた結果
大なるものがある。
フイルタは、通過帯域外に減衰極を有する特定帯
域阻止用フイルタ（BRF）を設けることにより、
簡易構成で小型、軽量化が可能で、かつ通過帯域
内の通過特性をも良好に維持し得るというた結果
大なるものがある。
第１図は従来の誘電体ブロツクの一部切欠き斜
視図、第２図は第１図のＡ−A′線における断面
図、第３図は従来の誘電体フイルタの減衰特性曲
線を示す図、第４図は本発明による誘電体フイル
タの実施例の要部を示す図、第５図は第４図に示
した実施例の減衰特性曲線を示す図、第６図は本
発明の他の実施例の減衰特性曲線を示す図であ
る。 ３１……誘電体ブロツク、３１ａ……外部導体
膜、３２，３３，３４……BPFの貫通孔（共振
子）、３２ａ，３３ａ，３４ａ……BPFの内部導
体膜、３５，３６……コンデンサ、３７，３８…
…BRFの貫通孔（共振子）、３７ａ，３８ａ……
BRFの内部導体膜。
視図、第２図は第１図のＡ−A′線における断面
図、第３図は従来の誘電体フイルタの減衰特性曲
線を示す図、第４図は本発明による誘電体フイル
タの実施例の要部を示す図、第５図は第４図に示
した実施例の減衰特性曲線を示す図、第６図は本
発明の他の実施例の減衰特性曲線を示す図であ
る。 ３１……誘電体ブロツク、３１ａ……外部導体
膜、３２，３３，３４……BPFの貫通孔（共振
子）、３２ａ，３３ａ，３４ａ……BPFの内部導
体膜、３５，３６……コンデンサ、３７，３８…
…BRFの貫通孔（共振子）、３７ａ，３８ａ……
BRFの内部導体膜。
Claims (1)
- １ 一個の誘電体ブロツクに複数個の貫通孔を所
定間隔をもつて形成し、該孔のうち所定の通過周
波数をその共振周波数とする共振子を形成する孔
の内面と、該孔の開口を含む一表面を除く前記誘
電体ブロツクの他の全ての表面とをメタライズ
し、該誘電体ブロツクの両端部に、前記孔群の両
端孔とそれぞれ結合し、かつ外部回路と接続する
ための結合部を設けて成る1/4波長共振形同軸誘
電体フイルタにおいて、前記結合部の少くとも一
方の外側部に内面をメタライズした孔をさらに設
け、該孔に上記共振素子とは異なる共振周波数
で、当該フイルタの通過帯域外に減衰極を有する
特定帯域阻止用共振子を形成し、前記結合部と該
特定帯域阻止用共振子とを結合させたことを特徴
とする誘電体フイルタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21340382A JPS59104801A (ja) | 1982-12-07 | 1982-12-07 | 誘電体フイルタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21340382A JPS59104801A (ja) | 1982-12-07 | 1982-12-07 | 誘電体フイルタ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59104801A JPS59104801A (ja) | 1984-06-16 |
| JPH0478041B2 true JPH0478041B2 (ja) | 1992-12-10 |
Family
ID=16638638
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21340382A Granted JPS59104801A (ja) | 1982-12-07 | 1982-12-07 | 誘電体フイルタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59104801A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6271901U (ja) * | 1985-10-22 | 1987-05-08 | ||
| JPS62120701A (ja) * | 1985-11-20 | 1987-06-02 | Tdk Corp | 誘電体フイルタ |
| JPS6364404A (ja) * | 1986-09-04 | 1988-03-22 | Murata Mfg Co Ltd | 誘電体フイルタ |
| JP3175602B2 (ja) * | 1996-09-19 | 2001-06-11 | 株式会社村田製作所 | 誘電体フィルタ、送受共用器およびマルチプレクサ |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5420638A (en) * | 1977-07-16 | 1979-02-16 | Nec Corp | Polarized filter |
| JPS57133101U (ja) * | 1981-02-16 | 1982-08-19 | ||
| JPS6216002Y2 (ja) * | 1981-03-09 | 1987-04-23 |
-
1982
- 1982-12-07 JP JP21340382A patent/JPS59104801A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59104801A (ja) | 1984-06-16 |
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