JPH047884A - 半導体波長制御素子及び半導体レーザ - Google Patents
半導体波長制御素子及び半導体レーザInfo
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- JPH047884A JPH047884A JP10926790A JP10926790A JPH047884A JP H047884 A JPH047884 A JP H047884A JP 10926790 A JP10926790 A JP 10926790A JP 10926790 A JP10926790 A JP 10926790A JP H047884 A JPH047884 A JP H047884A
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- guide
- light
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/12—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region the resonator having a periodic structure, e.g. in distributed feedback [DFB] lasers
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- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、ガイド層を複数個有し、そのガイド層での光
の閉じ込め率を高めた半導体波長制御素子、及びその素
子が一体に結合されたＤＢＲレーザ等の半導体レーザに
関する。
の閉じ込め率を高めた半導体波長制御素子、及びその素
子が一体に結合されたＤＢＲレーザ等の半導体レーザに
関する。
光通信、光情報処理において、波長多重化信号から任意
の信号光を選択する光フィルタが必要とされる。透過型
の光フイルタ素子としては光増幅領域と波長制御領域と
を備えた半導体レーザを発振しきい値以下のバイアス電
流で用いたものがある。この構造は増幅領域で利得を与
え、波長制御領域で透過光の波長選択を行うもので、そ
の選択される波長は導波路の等価屈折率と回折格子のピ
ッチできまるブラッグ波長と一致する。ここで、波長制
御領域にキャリアを注入することで、プラズマ効果を生
じさせ等価屈折率を変化させることが可能となり、それ
によりブラッグ波長が変えられるために選択波長をチュ
ーニングできる。
の信号光を選択する光フィルタが必要とされる。透過型
の光フイルタ素子としては光増幅領域と波長制御領域と
を備えた半導体レーザを発振しきい値以下のバイアス電
流で用いたものがある。この構造は増幅領域で利得を与
え、波長制御領域で透過光の波長選択を行うもので、そ
の選択される波長は導波路の等価屈折率と回折格子のピ
ッチできまるブラッグ波長と一致する。ここで、波長制
御領域にキャリアを注入することで、プラズマ効果を生
じさせ等価屈折率を変化させることが可能となり、それ
によりブラッグ波長が変えられるために選択波長をチュ
ーニングできる。
ブラッグ波長λｇはブラッグの式より
λｇ＝２ｄｎａｒ／ｍ
で表わされる。ｍは次数、ｄは回折格子のピンチ、ｎ
ｍｅは等価屈折率を意味する。波長のチャンネル幅は波
長制御領域の屈折率変化量によって決まるため、屈折率
の変化が大きくなる構造が望まれる。
ｍｅは等価屈折率を意味する。波長のチャンネル幅は波
長制御領域の屈折率変化量によって決まるため、屈折率
の変化が大きくなる構造が望まれる。
また、活性層をもった領域をしきい値以上の駆動電流で
使用すれば、発光領域と波長側’ＩＢ ｆｉｉ域をもっ
た分布ブラッグ反射型（Ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｅｄ Ｂ
ｒａｇｇＲｅｆｌｅｃｔｏｒ： 以下、ＤＢＲと言う
。）半導体レーザとなる。従来例として示す３電極型Ｄ
ＢＲレーザ（第６図参照）は位相を連続したままで波長
シフトが可能であり、次期光通信の主流と思われるヘテ
ロダイン方式のコヒーレント光源として有効である。そ
の使用目的として、信号光としての波長変調光源や、受
信部側でビート信号を得るために信号光に同調できる局
発光としての光源が挙げられる。波長シフト量が大きい
方が有用であり、やはり波長制御領域の屈折率変化が大
きい構造が期待される。
使用すれば、発光領域と波長側’ＩＢ ｆｉｉ域をもっ
た分布ブラッグ反射型（Ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｅｄ Ｂ
ｒａｇｇＲｅｆｌｅｃｔｏｒ： 以下、ＤＢＲと言う
。）半導体レーザとなる。従来例として示す３電極型Ｄ
ＢＲレーザ（第６図参照）は位相を連続したままで波長
シフトが可能であり、次期光通信の主流と思われるヘテ
ロダイン方式のコヒーレント光源として有効である。そ
の使用目的として、信号光としての波長変調光源や、受
信部側でビート信号を得るために信号光に同調できる局
発光としての光源が挙げられる。波長シフト量が大きい
方が有用であり、やはり波長制御領域の屈折率変化が大
きい構造が期待される。
以上のように、ブラッグ波長の選択は導波路の等偏屈折
率に依存するが、この導波路の等偏屈折率はキャリア閉
じ込めを行うダブルへテロ頭載により構成されたガイド
層のプラズマ効果による屈折率変動の影響を強く受ける
。等偏屈折率の変化を大きくさせるにはガイド層の屈折
率変化を有効に取り入れることが重要であり、すなわち
ガイド層での光の閉じ込め率を上げれば良いことになる
。
率に依存するが、この導波路の等偏屈折率はキャリア閉
じ込めを行うダブルへテロ頭載により構成されたガイド
層のプラズマ効果による屈折率変動の影響を強く受ける
。等偏屈折率の変化を大きくさせるにはガイド層の屈折
率変化を有効に取り入れることが重要であり、すなわち
ガイド層での光の閉じ込め率を上げれば良いことになる
。
従来の構造ではガイド層を１層としているため光の閉じ
込め率、すなわち、光の閉じ込め係数ξを上げるために
はガイド層を厚くしなければならない。しかし、発光領
域との光結合を考えると十分厚くすることができないた
め、ガイド層での高い光の閉じこめができなかった。
込め率、すなわち、光の閉じ込め係数ξを上げるために
はガイド層を厚くしなければならない。しかし、発光領
域との光結合を考えると十分厚くすることができないた
め、ガイド層での高い光の閉じこめができなかった。
このガイド層を一層とした場合の屈折率分布と光の強度
分布との関係をそれぞれ第７図に示す。
分布との関係をそれぞれ第７図に示す。
第７図の（ａ）において縦軸は厚さ方向、横軸は屈折率
を示し、第７図の伽）において縦軸は厚さ方向、横軸は
光の強度を意味する。斜線の部分がガイド層を表し、そ
の部分の光の強度分布が光の閉じ込め係数ξに関係する
。すなわち、光の閉じ込め係数ξを大きくするにはその
ガイド層を厚くしなければならない。
を示し、第７図の伽）において縦軸は厚さ方向、横軸は
光の強度を意味する。斜線の部分がガイド層を表し、そ
の部分の光の強度分布が光の閉じ込め係数ξに関係する
。すなわち、光の閉じ込め係数ξを大きくするにはその
ガイド層を厚くしなければならない。
しかし、第３図のように活性層とガイド層とが平行にな
った場合の光の受渡し、あるいは ＢｕｔｔＪｏｉｎｔ
構造のように活性層とガイド層とが直結した構造の場合
の光の移動において高い光結合を得るためには活性層と
ガイド層の伝搬定数が等しくなることが重要である。す
なわち、伝搬定数の決定上、活性層部分の構造で制約を
受けるためガイド層厚は限られてしまい高い光閉じ込め
ができなくなる。
った場合の光の受渡し、あるいは ＢｕｔｔＪｏｉｎｔ
構造のように活性層とガイド層とが直結した構造の場合
の光の移動において高い光結合を得るためには活性層と
ガイド層の伝搬定数が等しくなることが重要である。す
なわち、伝搬定数の決定上、活性層部分の構造で制約を
受けるためガイド層厚は限られてしまい高い光閉じ込め
ができなくなる。
本発明の目的は、ガイド層での光の閉じ込め率の高い半
導体波長制御素子及び、その素子が一体に結合されたＤ
ＢＲレーザ等の半導体レーザを従供することにある。
導体波長制御素子及び、その素子が一体に結合されたＤ
ＢＲレーザ等の半導体レーザを従供することにある。
１つのガイド層の上に光結合が可能な厚さでバリア層を
介在してガイド層を重ねること、つまりガイド層を増や
すことで一層の場合以上の光の閉じ込めが可能となる。
介在してガイド層を重ねること、つまりガイド層を増や
すことで一層の場合以上の光の閉じ込めが可能となる。
また、半導体レーザに応用した場合、複数個のガイド層
を有する半導体波長制御素子を実用化するため、活性層
とガイド層における光の伝搬定数と光の強度分布がそれ
ぞれ等しく、かつ、中心軸を合わせた構成にしである。
を有する半導体波長制御素子を実用化するため、活性層
とガイド層における光の伝搬定数と光の強度分布がそれ
ぞれ等しく、かつ、中心軸を合わせた構成にしである。
このように構成された本発明の素子では、第４図に示す
ようにガイド層領域での高い光閉じ込めが可能である。
ようにガイド層領域での高い光閉じ込めが可能である。
第４図はガイド層を二層とした場合の屈折率分布と光の
強度分布との関係を示す。
強度分布との関係を示す。
第４図の（ａ）において縦軸は厚さ方向、横軸は屈折率
を示し、第４図の（ｂ）において縦軸は厚さ方向、横軸
は光の強度を意味する。斜線の部分がそれぞれガイド層
を表し、その部分の光の強度分布が光の閉じ込め係数ξ
に関係する。すなわち、ガイド層を二層にすることで大
きい光の閉じ込め係数が得られることがわかる。
を示し、第４図の（ｂ）において縦軸は厚さ方向、横軸
は光の強度を意味する。斜線の部分がそれぞれガイド層
を表し、その部分の光の強度分布が光の閉じ込め係数ξ
に関係する。すなわち、ガイド層を二層にすることで大
きい光の閉じ込め係数が得られることがわかる。
さらに、実用上、半導体レーザでは、発光領域との高い
光結合を得られる構造（第５図参照）を発明した。第５
図の構造は、活性層６と第２のガイド層７の光の伝搬定
数と光の強度分布が等しく、かつ、中心軸を合わせた構
成にしである。そのため、発光領域における活性層６と
第１のガイド層４による光のモードと、波長制御領域に
おける第２のガイド層７と第１のガイド層４による光の
モ−ドが、その両者とも光の強度分布及び伝搬定数が等
しくなり、境界部における１００％の光結合係数Ｃｏが
得られることになる。
光結合を得られる構造（第５図参照）を発明した。第５
図の構造は、活性層６と第２のガイド層７の光の伝搬定
数と光の強度分布が等しく、かつ、中心軸を合わせた構
成にしである。そのため、発光領域における活性層６と
第１のガイド層４による光のモードと、波長制御領域に
おける第２のガイド層７と第１のガイド層４による光の
モ−ドが、その両者とも光の強度分布及び伝搬定数が等
しくなり、境界部における１００％の光結合係数Ｃｏが
得られることになる。
よって、発光Ｎ域と波長制御Ｉ領領域の光の伝搬損失が
なく、かつ、ガイド層での光の閉じ込め率が高く波長側
ｆＩｌ 領域における大きな屈折率変化が可能となる。
なく、かつ、ガイド層での光の閉じ込め率が高く波長側
ｆＩｌ 領域における大きな屈折率変化が可能となる。
また、２層のガイド層等の光の導波路では垂直横モード
に関して基本（０次）モードだけでな（１次モードの存
在も可能である（第５図参照）。
に関して基本（０次）モードだけでな（１次モードの存
在も可能である（第５図参照）。
しかし、０次モードと１次モードの光では伝搬定数が異
なるため、それぞれ異なったピッチの回折格子でブラッ
グ反射することになる。言いかえれば、回折格子のピッ
チの取り方で０次モードか１次モードで伝搬する光を選
択できることになる。
なるため、それぞれ異なったピッチの回折格子でブラッ
グ反射することになる。言いかえれば、回折格子のピッ
チの取り方で０次モードか１次モードで伝搬する光を選
択できることになる。
本発明の半導体波長制御素子の構造を第１図に示す。ま
た、半導体波長制御素子が一体に結合された波長可変Ｄ
ＢＲレーザの構造を第２図に示す。
た、半導体波長制御素子が一体に結合された波長可変Ｄ
ＢＲレーザの構造を第２図に示す。
ここでは、第２図に示す波長可変ＤＢＲレーザの作製の
工程について第３図を用いて述べる。
工程について第３図を用いて述べる。
以下、複数のガイド層をそれぞれ第１のガイド層４、第
２のガイド層７とする。
２のガイド層７とする。
ｉ）キャリア濃度ｌＸｌ０”ｃｍ−”のＳｎドープｎ形
１ｎＰの基板１上にキャリア濃度５×１０”ｃｍ−’の
Ｓｎドープｎ形１ｎＰのバッフ７層２を成長させる。そ
の後、Ｄ Ｂ ＲＨ域となる部分にレジスト干渉露光法
により形成した回折格子形成用エツチングマスクを用い
てエツチングし回折格子３を形成する。
１ｎＰの基板１上にキャリア濃度５×１０”ｃｍ−’の
Ｓｎドープｎ形１ｎＰのバッフ７層２を成長させる。そ
の後、Ｄ Ｂ ＲＨ域となる部分にレジスト干渉露光法
により形成した回折格子形成用エツチングマスクを用い
てエツチングし回折格子３を形成する。
ｉｉ）マスクを除去した後、その上にＴｎＰと格子整合
しキャリア濃度ｌＸｌ０”ｃｍ−Ｓｎドープｎ形とした
バンドギャップ波長１．３μｍの■ｎＧａＡｓＰの第１
のガイドＮ４を成長し、さらにキャリア濃度ｌＸｌ０”
ｃｍ−となるＳｎドープｎ形１ｎＰのバリア層５を成長
する。次にＩｎＰと格子整合しバンドギヤシブ波長１．
５５μｍ（７）ＩｎＣ；ａＡｓＰの活性層６を成長しさ
らにキャリア濃度７Ｘ１０”ｃｍ−’となるＺｎドープ
ｐ形１ｎＰのクラッド層８を成長する。ここで、液相成
長の場合には１．５５μｍ帯の活性層６の上に１．３μ
ｍ帯のＩ ｎＧａＡｓ Ｐアンチメルトバック層を設け
るが図では省略しである。
しキャリア濃度ｌＸｌ０”ｃｍ−Ｓｎドープｎ形とした
バンドギャップ波長１．３μｍの■ｎＧａＡｓＰの第１
のガイドＮ４を成長し、さらにキャリア濃度ｌＸｌ０”
ｃｍ−となるＳｎドープｎ形１ｎＰのバリア層５を成長
する。次にＩｎＰと格子整合しバンドギヤシブ波長１．
５５μｍ（７）ＩｎＣ；ａＡｓＰの活性層６を成長しさ
らにキャリア濃度７Ｘ１０”ｃｍ−’となるＺｎドープ
ｐ形１ｎＰのクラッド層８を成長する。ここで、液相成
長の場合には１．５５μｍ帯の活性層６の上に１．３μ
ｍ帯のＩ ｎＧａＡｓ Ｐアンチメルトバック層を設け
るが図では省略しである。
１ｉｉ）発光領域となる部分をＳｉＮｘ膜１４でマスク
し、他の部分のクラッド層８と活性層６を選択エツチン
グにより除去する。
し、他の部分のクラッド層８と活性層６を選択エツチン
グにより除去する。
ｉｖ ）エツチングにより除去された部分に第１のガイ
ド層４と同じ組成でキャリア濃度Ｉ Ｘ １０ ” ｃ
ｍ−Ｚｎドープｐ形１ ｎＧａＡｓ Ｐの第２のガイド
層７を成長し、次にキャリア濃度７ Ｘ １０ ｌ７ｃ
ｍ”３Ｚｎドープｐ形１ｎＰのキャップ層１５を成長す
る。ただし、活性層６と第２のガイド層７との光結合の
条件を満たした設計にする。
ド層４と同じ組成でキャリア濃度Ｉ Ｘ １０ ” ｃ
ｍ−Ｚｎドープｐ形１ ｎＧａＡｓ Ｐの第２のガイド
層７を成長し、次にキャリア濃度７ Ｘ １０ ｌ７ｃ
ｍ”３Ｚｎドープｐ形１ｎＰのキャップ層１５を成長す
る。ただし、活性層６と第２のガイド層７との光結合の
条件を満たした設計にする。
■）全てのマスクを除去した上にクラッド層８を厚く成
長し直す。
長し直す。
以上により作製した半導体ウェハをメサ加工し埋め込み
成長を行うことで半導体レーザの構造とし、発光領域１
１、位相制御領域１２、ＤＢＲ領域１３のｐ形電極９を
分離して形成し、裏面の基板側にｎ形の電極１０を形成
してへき関することで第２図に示す波長可変ＤＢＲレー
ザが作製される。
成長を行うことで半導体レーザの構造とし、発光領域１
１、位相制御領域１２、ＤＢＲ領域１３のｐ形電極９を
分離して形成し、裏面の基板側にｎ形の電極１０を形成
してへき関することで第２図に示す波長可変ＤＢＲレー
ザが作製される。
本実施例ではｎ形基板半導体レーザとしたがｐ形基板を
用いた半導体レーザに適用できることは明白であり、活
性層６として他のバンドギャップ波長を用いたものや多
層構造としても可能である。
用いた半導体レーザに適用できることは明白であり、活
性層６として他のバンドギャップ波長を用いたものや多
層構造としても可能である。
また、第１のガイド層４と第２のガイド層７とはそれぞ
れ光結合を生じさせるが、第１のガイド層４、第２のガ
イド層７のそれぞれの領域の光閉じこめ率が高（なるな
らば、異なる組成で多重に構成しても構わない、但し、
各ガイド層のバンドギャップ波長が発光領域で発生した
波長より長いと吸収損失が大きくなるので、発光波長よ
り短くしければならない。また、第１のガイド層４、第
２のガイド層７のそれぞれを隔てるバリア層５は光の閉
じ込めやキャリアの閉じ込めを考慮してガイド層より屈
折率は低くバンドギャップは大きくする必要がある。
れ光結合を生じさせるが、第１のガイド層４、第２のガ
イド層７のそれぞれの領域の光閉じこめ率が高（なるな
らば、異なる組成で多重に構成しても構わない、但し、
各ガイド層のバンドギャップ波長が発光領域で発生した
波長より長いと吸収損失が大きくなるので、発光波長よ
り短くしければならない。また、第１のガイド層４、第
２のガイド層７のそれぞれを隔てるバリア層５は光の閉
じ込めやキャリアの閉じ込めを考慮してガイド層より屈
折率は低くバンドギャップは大きくする必要がある。
また、第１のガイド層４と第２のガイド層７の組成が異
なる場合にはバリア層５を省くことも考えられる、さら
に、回折格子は任意のガイド層に設けられれば良いが、
複数のガイド層上に設けるならばブラッグ反射が有効に
生じるように構成しなければならないのは当然である。
なる場合にはバリア層５を省くことも考えられる、さら
に、回折格子は任意のガイド層に設けられれば良いが、
複数のガイド層上に設けるならばブラッグ反射が有効に
生じるように構成しなければならないのは当然である。
以上はＩｎＰ系以外の半導体結晶を用いた半導体波長制
御素子や波長可変ＤＢＲレーザにも適用できる。
御素子や波長可変ＤＢＲレーザにも適用できる。
ガイド層を複数個備えた構成となっているので、ガイド
層の厚さを大きくすることなく、光の閉じ込め係数ξを
大きくすることが可能となった。
層の厚さを大きくすることなく、光の閉じ込め係数ξを
大きくすることが可能となった。
そして、その結果、屈折率の変化量を向上させることが
可能となった。
可能となった。
具体的に述べれば、以下のとおりである。
従来技術においては、１．５５μｍの波長に関してクラ
ッド層の屈折率３．１７、ガイド層（単層）を屈折率３
．３８７厚さ０．２μｍとした場合の等価屈折率は３．
２１０となる。このときプラズマ効果でガイド層の屈折
率が一１％変化すると等価屈折率の変化量△ｎは−０，
００１１となりブラッグ波長の変化量Δλは一５ｎｍと
なる。次に本発明においては、屈折率３．１７厚さ０．
１μｍのバリア層を挟んで厚さ０゜２μ蒙のガイド層を
２層とした場合では等価屈折率の変化量Δｎは−０，０
０１８となりブラッグ波長の変化量Δλは−８，６層ｍ
となる。このように、１層の場合より約７０％大きな波
長変化が可能となる。
ッド層の屈折率３．１７、ガイド層（単層）を屈折率３
．３８７厚さ０．２μｍとした場合の等価屈折率は３．
２１０となる。このときプラズマ効果でガイド層の屈折
率が一１％変化すると等価屈折率の変化量△ｎは−０，
００１１となりブラッグ波長の変化量Δλは一５ｎｍと
なる。次に本発明においては、屈折率３．１７厚さ０．
１μｍのバリア層を挟んで厚さ０゜２μ蒙のガイド層を
２層とした場合では等価屈折率の変化量Δｎは−０，０
０１８となりブラッグ波長の変化量Δλは−８，６層ｍ
となる。このように、１層の場合より約７０％大きな波
長変化が可能となる。
また、本発明の構成では、ガイド層を二層としたので、
ガイド層を厚くした場合に発生する各領域の境界におけ
る光結合の低下も起こらない。
ガイド層を厚くした場合に発生する各領域の境界におけ
る光結合の低下も起こらない。
第１図は本発明の構成を示した図、第２図は本発明の構
成を示した図、 第３図は本発明の構造を作製する手順を示した図、第４
図はガイド層を二層とした場合の屈折率分布と光の強度
分布との関係を説明した図、第５図は本発明の詳細な説
明するための図である。 第６図は従来技術の構成を示した図、 第７図は従来技術でガイド層を一層とした場合の屈折率
分布と光の強度分布との関係を説明した図である。 １ ・ ３ ・ ５ ・ ７ ・ ９ ・ １２・ ・バッファ層、 ４・・・第１のガイド層 ６・・・活性層、 ド層、８クラッド層、 ・電極、１１・・・発光頭株 １３・・・ＤＢＲ領域、１４ ・キャップ層。 ・基板、２・ ・回折格子、 ・バリア層、 ・第２のガイ ・電極、１０・ ・位相制御領域、 ・ＳｉＮｘ膜、１５・ 図面の浄書 第１図 特許出願人 アンリツ株式会社 代理人 弁理士 小 池 龍太部 第２図 第４ 図 第３図 第５ 図 発ス二′〒０土シく 液長制御１１俵 伝撤′Ｌ朕 βＯ゛ βＣ′ βａ”βど≠βｑ 第６図 存９有 手続（甫正書（方式） ％式％ 発明の名称 半導体波長制御素子及び半導体レーザ 補正をする者
成を示した図、 第３図は本発明の構造を作製する手順を示した図、第４
図はガイド層を二層とした場合の屈折率分布と光の強度
分布との関係を説明した図、第５図は本発明の詳細な説
明するための図である。 第６図は従来技術の構成を示した図、 第７図は従来技術でガイド層を一層とした場合の屈折率
分布と光の強度分布との関係を説明した図である。 １ ・ ３ ・ ５ ・ ７ ・ ９ ・ １２・ ・バッファ層、 ４・・・第１のガイド層 ６・・・活性層、 ド層、８クラッド層、 ・電極、１１・・・発光頭株 １３・・・ＤＢＲ領域、１４ ・キャップ層。 ・基板、２・ ・回折格子、 ・バリア層、 ・第２のガイ ・電極、１０・ ・位相制御領域、 ・ＳｉＮｘ膜、１５・ 図面の浄書 第１図 特許出願人 アンリツ株式会社 代理人 弁理士 小 池 龍太部 第２図 第４ 図 第３図 第５ 図 発ス二′〒０土シく 液長制御１１俵 伝撤′Ｌ朕 βＯ゛ βＣ′ βａ”βど≠βｑ 第６図 存９有 手続（甫正書（方式） ％式％ 発明の名称 半導体波長制御素子及び半導体レーザ 補正をする者
Claims (2)
- （１）半導体基板に形成され、バリア層を介在させてほ
ぼ平行に隔離されて延在し、相互に光結合された複数個
のガイド層と、前記ガイド層の少なくとも１つに備えら
れた回折格子と、前記ガイド層におけるキャリア濃度を
制御するための制御電極とを備えたこと特徴とする半導
体波長制御素子。 - （２）前記半導体波長制御素子が一体に結合された半導
体レーザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10926790A JPH047884A (ja) | 1990-04-25 | 1990-04-25 | 半導体波長制御素子及び半導体レーザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10926790A JPH047884A (ja) | 1990-04-25 | 1990-04-25 | 半導体波長制御素子及び半導体レーザ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH047884A true JPH047884A (ja) | 1992-01-13 |
Family
ID=14505836
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10926790A Pending JPH047884A (ja) | 1990-04-25 | 1990-04-25 | 半導体波長制御素子及び半導体レーザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH047884A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6308004B2 (en) | 1993-12-18 | 2001-10-23 | Sony Corp | System for storing and reproducing multiplexed data |
-
1990
- 1990-04-25 JP JP10926790A patent/JPH047884A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6308004B2 (en) | 1993-12-18 | 2001-10-23 | Sony Corp | System for storing and reproducing multiplexed data |
| US6504994B2 (en) | 1993-12-18 | 2003-01-07 | Sony Corporation | Data reproduction apparatus and data storage medium |
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