JPH0555689A - 波長制御機能付分布反射型半導体レーザ - Google Patents
波長制御機能付分布反射型半導体レーザInfo
- Publication number
- JPH0555689A JPH0555689A JP21236391A JP21236391A JPH0555689A JP H0555689 A JPH0555689 A JP H0555689A JP 21236391 A JP21236391 A JP 21236391A JP 21236391 A JP21236391 A JP 21236391A JP H0555689 A JPH0555689 A JP H0555689A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 分布反射型半導体レーザの波長可変幅を拡大
する。 【構成】 活性層領域と非活性層領域とが光学的に結合
し、集積化されている分布反射型半導体レーザにおい
て、非活性層領域を格子定数が基板よりも大きい材料の
井戸層がそれよりもバンドギャップが大きく、かつ基板
と格子定数が実質的に等しい材料の障壁層に挟まれた構
造を複数層積層した多重量子井戸構造、すなわち歪多重
量子井戸構造にした。
する。 【構成】 活性層領域と非活性層領域とが光学的に結合
し、集積化されている分布反射型半導体レーザにおい
て、非活性層領域を格子定数が基板よりも大きい材料の
井戸層がそれよりもバンドギャップが大きく、かつ基板
と格子定数が実質的に等しい材料の障壁層に挟まれた構
造を複数層積層した多重量子井戸構造、すなわち歪多重
量子井戸構造にした。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光伝送用光源として重
要である、発振波長を変えることができる波長制御機能
付分布反射型半導体レーザに関するものである。
要である、発振波長を変えることができる波長制御機能
付分布反射型半導体レーザに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】発振波長を変化させることができ、スペ
クトル線幅の狭い半導体レーザはコヒーレント通信用光
源として活発に研究が進められてきている。中でも、分
布反射型半導体レーザ（Ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｅｄ Ｂｒ
ａｇｇ ＲｅｆｌｅｃｔｅｒＬａｓｅｒ：以下ＤＢＲレ
ーザと称す）は、回折格子を持つ導波路よりなる波長制
御領域と回折格子を持たない導波路よりなる位相調整領
域とに電流を注入することにより発振波長を変化させる
ことができ、最も多く研究がなされている。活性層領域
と非活性層領域とを突き合わせ結合にすることにより実
現したＤＢＲレーザの例を図５に示す（例えば東盛らに
よる電子工学論文（Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｌｅｔｔ
ｅｒｓ）２４巻２４号、１４８１〜１４８２頁、１９８
８年参照）。図５において、１はｎ型Ｐ基板、２はＧａ
ＩｎＡｓＰ活性層、３はＧａＩｎＡｓＰガイド層、４は
回折格子、５はｐ型ＩｎＰクラッド層、６はＧａＩｎＡ
ｓＰキャップ層、７および８はｐ型電極、９はｎ型電極
を示す。２０は活性領域、２１は非活性領域である。こ
の例では、活性層領域と非活性層領域間を突き合わせ結
合にしたことにより、光の結合損失を軽減し、出力特性
の改善が行われている。
クトル線幅の狭い半導体レーザはコヒーレント通信用光
源として活発に研究が進められてきている。中でも、分
布反射型半導体レーザ（Ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｅｄ Ｂｒ
ａｇｇ ＲｅｆｌｅｃｔｅｒＬａｓｅｒ：以下ＤＢＲレ
ーザと称す）は、回折格子を持つ導波路よりなる波長制
御領域と回折格子を持たない導波路よりなる位相調整領
域とに電流を注入することにより発振波長を変化させる
ことができ、最も多く研究がなされている。活性層領域
と非活性層領域とを突き合わせ結合にすることにより実
現したＤＢＲレーザの例を図５に示す（例えば東盛らに
よる電子工学論文（Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｌｅｔｔ
ｅｒｓ）２４巻２４号、１４８１〜１４８２頁、１９８
８年参照）。図５において、１はｎ型Ｐ基板、２はＧａ
ＩｎＡｓＰ活性層、３はＧａＩｎＡｓＰガイド層、４は
回折格子、５はｐ型ＩｎＰクラッド層、６はＧａＩｎＡ
ｓＰキャップ層、７および８はｐ型電極、９はｎ型電極
を示す。２０は活性領域、２１は非活性領域である。こ
の例では、活性層領域と非活性層領域間を突き合わせ結
合にしたことにより、光の結合損失を軽減し、出力特性
の改善が行われている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】コヒーレント通信にお
いては、可変波長幅が広い光源が必要である。しかしな
がら、従来のＤＢＲレーザでは、非活性層領域にＧａＩ
ｎＡｓＰガイド層が用いられていたので、波長制御領域
に電流を流してＧａＩｎＡｓＰガイド層の屈折率を変化
させ、発振波長を変化させようとしても、ＧａＩｎＡｓ
Ｐガイド層の屈折率変化が小さかったため、可変波長範
囲が狭いという欠点があった。
いては、可変波長幅が広い光源が必要である。しかしな
がら、従来のＤＢＲレーザでは、非活性層領域にＧａＩ
ｎＡｓＰガイド層が用いられていたので、波長制御領域
に電流を流してＧａＩｎＡｓＰガイド層の屈折率を変化
させ、発振波長を変化させようとしても、ＧａＩｎＡｓ
Ｐガイド層の屈折率変化が小さかったため、可変波長範
囲が狭いという欠点があった。
【０００４】本発明は以上の点に鑑みてなされたもので
あり、その目的とするところは、波長可変幅が広いＤＢ
Ｒレーザを提供することにある。
あり、その目的とするところは、波長可変幅が広いＤＢ
Ｒレーザを提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明による分布反射型半導体レーザは、半導体基
板上の所定領域に形成された活性導波路層と、前記活性
導波路層と光学的に結合された非活性導波路層とを有
し、前記非活性導波路層表面の少なくとも一部に回折格
子が設けられている波長可変な分布反射型半導体レーザ
において、前記非活性導波路層が、基板材料よりも格子
定数の大きい材料からなる量子井戸層と前記量子井戸層
よりもバンドギャップが大きく、しかも基板と格子定数
が実質的に等しい材料からなる障壁層とをそれぞれ複数
層交互に積層した多重量子井戸構造であることを特徴と
する。
に、本発明による分布反射型半導体レーザは、半導体基
板上の所定領域に形成された活性導波路層と、前記活性
導波路層と光学的に結合された非活性導波路層とを有
し、前記非活性導波路層表面の少なくとも一部に回折格
子が設けられている波長可変な分布反射型半導体レーザ
において、前記非活性導波路層が、基板材料よりも格子
定数の大きい材料からなる量子井戸層と前記量子井戸層
よりもバンドギャップが大きく、しかも基板と格子定数
が実質的に等しい材料からなる障壁層とをそれぞれ複数
層交互に積層した多重量子井戸構造であることを特徴と
する。
【０００６】
【作用】本発明では、活性層領域と非活性層領域とが光
学的に結合し、集積化されているＤＢＲレーザにおい
て、非活性層領域を、格子定数が基板よりも大きい材料
の井戸層がそれよりもバンドギャップが大きく、かつ基
板と格子定数が実質的に等しい材料の障壁層に挟まれた
構造を複数層積層した多重量子井戸構造（以下、歪多重
量子井戸構造と称す）にした。歪多重量子移動構造にお
いては、井戸層が歪を持っているために重い正孔の有効
質量が減少し、プラズマ効果による屈折率変化量が増大
する。したがって、本発明によるＤＢＲレーザにおいて
は、非活性層を歪多重量子井戸にしたことにより、プラ
ズマ効果による屈折率変化量が増大し、可変波長幅の増
大を図ることができる。
学的に結合し、集積化されているＤＢＲレーザにおい
て、非活性層領域を、格子定数が基板よりも大きい材料
の井戸層がそれよりもバンドギャップが大きく、かつ基
板と格子定数が実質的に等しい材料の障壁層に挟まれた
構造を複数層積層した多重量子井戸構造（以下、歪多重
量子井戸構造と称す）にした。歪多重量子移動構造にお
いては、井戸層が歪を持っているために重い正孔の有効
質量が減少し、プラズマ効果による屈折率変化量が増大
する。したがって、本発明によるＤＢＲレーザにおいて
は、非活性層を歪多重量子井戸にしたことにより、プラ
ズマ効果による屈折率変化量が増大し、可変波長幅の増
大を図ることができる。
【０００７】
【実施例】以下、図面を参照して本発明の実施例を詳細
に説明する。
に説明する。
【０００８】実施例Ｉ 図１は本発明によるＤＢＲレーザの第１の実施例を説明
する模式的断面図である。
する模式的断面図である。
【０００９】図１において、１はｎ型ＩｎＰ基板、２は
バンドギャップ波長１．５５μｍのＧａＩｎＡｓＰ活性
層、１０は歪多重量子井戸構造ガイド層、４は回折格
子、５はｐ型ＩｎＰクラッド層、６はｎ型ＧａＩｎＡｓ
Ｐキャップ層、７および８はｐ型電極、９はｎ型電極を
示す。
バンドギャップ波長１．５５μｍのＧａＩｎＡｓＰ活性
層、１０は歪多重量子井戸構造ガイド層、４は回折格
子、５はｐ型ＩｎＰクラッド層、６はｎ型ＧａＩｎＡｓ
Ｐキャップ層、７および８はｐ型電極、９はｎ型電極を
示す。
【００１０】また、図２は図１における歪多重量子井戸
構造ガイド層１０を拡大して描いたものである。
構造ガイド層１０を拡大して描いたものである。
【００１１】図２において、１１はＧａ0.17Ｉｎ0.83Ａ
ｓ0.6 Ｐ0.4 井戸層、１２はＧａ0.17Ｉｎ0.83Ａｓ0.37
Ｐ0.63障壁層、１３はＧａ0.17Ｉｎ0.83Ａｓ0.37Ｐ0.63
光閉じ込め層を示す。各層の厚さは、一例として、井戸
層１１が３０Å、障壁層１２が１００Å、光閉じ込め層
１３が約１０００Åである。井戸層１１の格子定数だけ
が基板の格子定数より大きいため、井戸層は圧縮歪を持
っている。歪多重量子井戸構造ガイド層の光学的バンド
ギャップ波長は１．３μｍである。
ｓ0.6 Ｐ0.4 井戸層、１２はＧａ0.17Ｉｎ0.83Ａｓ0.37
Ｐ0.63障壁層、１３はＧａ0.17Ｉｎ0.83Ａｓ0.37Ｐ0.63
光閉じ込め層を示す。各層の厚さは、一例として、井戸
層１１が３０Å、障壁層１２が１００Å、光閉じ込め層
１３が約１０００Åである。井戸層１１の格子定数だけ
が基板の格子定数より大きいため、井戸層は圧縮歪を持
っている。歪多重量子井戸構造ガイド層の光学的バンド
ギャップ波長は１．３μｍである。
【００１２】次に、図１に示した本発明によるＤＢＲレ
ーザの作製方法を簡単に説明する。ｎ型ＩｎＰ基板１上
全面にＧａＩｎＡｓＰ活性層２を有機金属気相エピタキ
シャル成長法等を用いて積層した後、ＳｉＯ2 もしくは
ＳｉＮX マスクを用いて不要な部分のＧａＩｎＡｓＰ活
性層を除去し、その除去した部分に歪多重量子井戸構造
ガイド層１０を積層する。ＳｉＯ2 もしくはＳｉＮX マ
スクを除去した後、レジストパターニングおよびエッチ
ングによってガイド層１０の表面に凹凸を形成して回折
格子４を形成し、ついでｐ型ＩｎＰクラッド層を積層す
る。次いで、横モードを制御するためにドライエッチン
グ等を用いて、例えば幅１．５μｍの狭ストライプ状に
加工し、さらにｐ型ＩｎＰクラッド層を堆積して活性層
２およびガイド層１０を埋め込む。その後、ｐ型電極
７，８とｎ型電極９を蒸着し、電極７と電極８の間の分
離を行うためにＧａＩｎＡｓＰキャップ層６と必要に応
じてｐ型ＩｎＰクラッド層の一部を化学エッチング等に
より除去する。
ーザの作製方法を簡単に説明する。ｎ型ＩｎＰ基板１上
全面にＧａＩｎＡｓＰ活性層２を有機金属気相エピタキ
シャル成長法等を用いて積層した後、ＳｉＯ2 もしくは
ＳｉＮX マスクを用いて不要な部分のＧａＩｎＡｓＰ活
性層を除去し、その除去した部分に歪多重量子井戸構造
ガイド層１０を積層する。ＳｉＯ2 もしくはＳｉＮX マ
スクを除去した後、レジストパターニングおよびエッチ
ングによってガイド層１０の表面に凹凸を形成して回折
格子４を形成し、ついでｐ型ＩｎＰクラッド層を積層す
る。次いで、横モードを制御するためにドライエッチン
グ等を用いて、例えば幅１．５μｍの狭ストライプ状に
加工し、さらにｐ型ＩｎＰクラッド層を堆積して活性層
２およびガイド層１０を埋め込む。その後、ｐ型電極
７，８とｎ型電極９を蒸着し、電極７と電極８の間の分
離を行うためにＧａＩｎＡｓＰキャップ層６と必要に応
じてｐ型ＩｎＰクラッド層の一部を化学エッチング等に
より除去する。
【００１３】このような構成のＤＢＲレーザでは、電極
７と９の間に電流Ｉ1 を流すことによってレーザ発振
し、電極８と９の間に電流Ｉ2 を流すことによって発振
波長が変化する。電流Ｉ2 に対する発振波長の変化を従
来のＤＢＲレーザと本発明によるＤＢＲレーザとについ
て図３に示す。図３において、点線Ｓ１は従来のＤＢＲ
レーザの特性を示し、実線Ｓ２は本発明によるＤＢＲレ
ーザの特性を示す。図３から分かるように、本発明によ
るＤＢＲレーザの方が従来のＤＢＲレーザよりも大きく
発振波長が変化している。
７と９の間に電流Ｉ1 を流すことによってレーザ発振
し、電極８と９の間に電流Ｉ2 を流すことによって発振
波長が変化する。電流Ｉ2 に対する発振波長の変化を従
来のＤＢＲレーザと本発明によるＤＢＲレーザとについ
て図３に示す。図３において、点線Ｓ１は従来のＤＢＲ
レーザの特性を示し、実線Ｓ２は本発明によるＤＢＲレ
ーザの特性を示す。図３から分かるように、本発明によ
るＤＢＲレーザの方が従来のＤＢＲレーザよりも大きく
発振波長が変化している。
【００１４】実施例ＩＩ 上述の実施例Ｉでは、活性導波路層と非活性導波路層と
が突き合わせ結合になっている構造のＤＢＲレーザにつ
いて説明したが、他の構造のＤＢＲレーザにおいても本
発明は適用できる。例えば、図４に示す構造のＤＢＲレ
ーザにおいても非活性導波路層に歪多重量子井戸構造を
用いることによって波長掃引幅を拡大することができ
る。
が突き合わせ結合になっている構造のＤＢＲレーザにつ
いて説明したが、他の構造のＤＢＲレーザにおいても本
発明は適用できる。例えば、図４に示す構造のＤＢＲレ
ーザにおいても非活性導波路層に歪多重量子井戸構造を
用いることによって波長掃引幅を拡大することができ
る。
【００１５】図４において、１はｎ型ＩｎＰ基板、２は
バンドギャップ波長１．５５μｍのＧａＩｎＡｓＰ活性
層、１０は歪多重量子井戸構造ガイド層、４は回折格
子、５はｐ型ＩｎＰクラッド層、６はｎ型ＧａＩｎＡｓ
Ｐキャップ層、７，８はｐ型電極、９はｎ型電極を示
す。２０は活性領域、２１は非活性領域である。
バンドギャップ波長１．５５μｍのＧａＩｎＡｓＰ活性
層、１０は歪多重量子井戸構造ガイド層、４は回折格
子、５はｐ型ＩｎＰクラッド層、６はｎ型ＧａＩｎＡｓ
Ｐキャップ層、７，８はｐ型電極、９はｎ型電極を示
す。２０は活性領域、２１は非活性領域である。
【００１６】図１に示したＤＢＲレーザと図４に示した
ＤＢＲレーザとの異なる点は、図１のＤＢＲレーザでは
活性導波路層２と非活性導波路層１０とが突き合わせ結
合になっているのに対して、図４のＤＢＲレーザでは活
性層２が非活性導波路層上の一部に積層された構造にな
っているところである。この図４に示したＤＢＲレーザ
においては、活性層領域２０と非活性層領域２１との間
の光学的な結合効率が低くなるため、図１に示したＤＢ
Ｒレーザに比べて出力特性が劣るのであるが、非活性導
波路層と活性導波路層とを連続した一連の工程で積層す
ることができるため、作製が容易であるという利点があ
る。また、波長掃引特性に関しては、図１のＤＢＲレー
ザと図２のＤＢＲレーザとでは同等の特性を示し、本発
明の適用により実施例Ｉと同様の作用が得られる。
ＤＢＲレーザとの異なる点は、図１のＤＢＲレーザでは
活性導波路層２と非活性導波路層１０とが突き合わせ結
合になっているのに対して、図４のＤＢＲレーザでは活
性層２が非活性導波路層上の一部に積層された構造にな
っているところである。この図４に示したＤＢＲレーザ
においては、活性層領域２０と非活性層領域２１との間
の光学的な結合効率が低くなるため、図１に示したＤＢ
Ｒレーザに比べて出力特性が劣るのであるが、非活性導
波路層と活性導波路層とを連続した一連の工程で積層す
ることができるため、作製が容易であるという利点があ
る。また、波長掃引特性に関しては、図１のＤＢＲレー
ザと図２のＤＢＲレーザとでは同等の特性を示し、本発
明の適用により実施例Ｉと同様の作用が得られる。
【００１７】上述の実施例では、活性層領域の両側に回
折格子を備えた非活性層領域があるＤＢＲレーザについ
て説明したが、活性層領域の片側にしか非活性層領域が
ないＤＢＲレーザや、非活性領域の一部に回折格子のな
い領域を設けたＤＢＲレーザについても本発明は適用可
能である。
折格子を備えた非活性層領域があるＤＢＲレーザについ
て説明したが、活性層領域の片側にしか非活性層領域が
ないＤＢＲレーザや、非活性領域の一部に回折格子のな
い領域を設けたＤＢＲレーザについても本発明は適用可
能である。
【００１８】また、活性導波路層に多重量子井戸構造や
歪多重量子井戸構造を備えたＤＢＲレーザについても、
本発明が適用可能であることは言うまでもない。
歪多重量子井戸構造を備えたＤＢＲレーザについても、
本発明が適用可能であることは言うまでもない。
【００１９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
分布反射型半導体レーザにおいて、非活性層に歪多重量
子井戸構造を用いることによって、波長可変幅が広がる
という優れた効果がある。
分布反射型半導体レーザにおいて、非活性層に歪多重量
子井戸構造を用いることによって、波長可変幅が広がる
という優れた効果がある。
【図１】本発明による分布反射型半導体レーザの第１の
実施例を示す模式的断面図である。
実施例を示す模式的断面図である。
【図２】図１の歪量子井戸構造を詳細に説明するための
拡大図である。
拡大図である。
【図３】図１の分布反射型半導体レーザと従来の分布反
射型半導体レーザの発振波長の変化量を比較して示すグ
ラフである。
射型半導体レーザの発振波長の変化量を比較して示すグ
ラフである。
【図４】本発明による分布反射型半導体レーザの第２の
実施例を示す模式的断面図である。
実施例を示す模式的断面図である。
【図５】従来の分布反射型半導体レーザを示す模式的断
面図である。
面図である。
１ ｎ型ＩｎＰ基板 ２ ＧａＩｎＡｓＰ活性層 ３ ＧａＩｎＡｓＰガイド層 ４ 回折格子 ５ ｐ型ＩｎＰクラッド層 ６ ｎ型ＧａＩｎＡｓＰキャップ層 ７，８ ｐ型電極 ９ ｎ型電極 １０ 歪多重量子井戸構造ガイド層 １１ ＧａＩｎＡｓＰ井戸層 １２ ＧａＩｎＡｓＰ障壁層 １３ ＧａＩｎＡｓＰ光閉じ込め層 ２０ 活性領域 ２１ 非活性領域
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体基板上の所定領域に形成された活
性導波路層と、前記活性導波路層と光学的に結合された
非活性導波路層とを有し、前記非活性導波路層表面の少
なくとも一部に回折格子が設けられている波長可変な分
布反射型半導体レーザにおいて、 前記非活性導波路層が、基板材料よりも格子定数の大き
い材料からなる量子井戸層と前記量子井戸層よりもバン
ドギャップが大きく、しかも基板と格子定数が実質的に
等しい材料からなる障壁層とをそれぞれ複数層交互に積
層した多重量子井戸構造であることを特徴とする波長制
御機能付分布反射型半導体レーザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21236391A JPH0555689A (ja) | 1991-08-23 | 1991-08-23 | 波長制御機能付分布反射型半導体レーザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21236391A JPH0555689A (ja) | 1991-08-23 | 1991-08-23 | 波長制御機能付分布反射型半導体レーザ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0555689A true JPH0555689A (ja) | 1993-03-05 |
Family
ID=16621315
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21236391A Pending JPH0555689A (ja) | 1991-08-23 | 1991-08-23 | 波長制御機能付分布反射型半導体レーザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0555689A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0720412A (ja) * | 1993-06-30 | 1995-01-24 | Nec Corp | 偏波スイッチ |
| JP2003536264A (ja) * | 2000-06-02 | 2003-12-02 | アジリティー コミュニケイションズ インコーポレイテッド | 高出力で、製造可能な抽出格子分散型ブラッグ反射器レーザー |
| WO2003010862A3 (en) * | 2001-07-25 | 2004-02-05 | Altitun Ab | Tunable semiconductor laser with integrated wideband reflector |
| KR100464358B1 (ko) * | 2002-03-11 | 2005-01-03 | 삼성전자주식회사 | 분배 브락 반사경을 갖는 반도체 레이저의 제조 방법 |
| EP1729381A4 (en) * | 2004-03-23 | 2009-08-05 | Nippon Telegraph & Telephone | LIGHT SOURCE WITH VARIABLE WAVELENGTH OF DBR TYPE |
| JPWO2021124394A1 (ja) * | 2019-12-16 | 2021-06-24 |
-
1991
- 1991-08-23 JP JP21236391A patent/JPH0555689A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0720412A (ja) * | 1993-06-30 | 1995-01-24 | Nec Corp | 偏波スイッチ |
| JP2003536264A (ja) * | 2000-06-02 | 2003-12-02 | アジリティー コミュニケイションズ インコーポレイテッド | 高出力で、製造可能な抽出格子分散型ブラッグ反射器レーザー |
| WO2003010862A3 (en) * | 2001-07-25 | 2004-02-05 | Altitun Ab | Tunable semiconductor laser with integrated wideband reflector |
| US6822980B2 (en) | 2001-07-25 | 2004-11-23 | Adc Telecommunications, Inc. | Tunable semiconductor laser with integrated wideband reflector |
| KR100464358B1 (ko) * | 2002-03-11 | 2005-01-03 | 삼성전자주식회사 | 분배 브락 반사경을 갖는 반도체 레이저의 제조 방법 |
| EP1729381A4 (en) * | 2004-03-23 | 2009-08-05 | Nippon Telegraph & Telephone | LIGHT SOURCE WITH VARIABLE WAVELENGTH OF DBR TYPE |
| JPWO2021124394A1 (ja) * | 2019-12-16 | 2021-06-24 | ||
| WO2021124394A1 (ja) * | 2019-12-16 | 2021-06-24 | 日本電信電話株式会社 | 波長可変光源 |
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