JPH0479025A - 金属薄膜型磁気記録ディスクの製造方法 - Google Patents
金属薄膜型磁気記録ディスクの製造方法Info
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- JPH0479025A JPH0479025A JP19260790A JP19260790A JPH0479025A JP H0479025 A JPH0479025 A JP H0479025A JP 19260790 A JP19260790 A JP 19260790A JP 19260790 A JP19260790 A JP 19260790A JP H0479025 A JPH0479025 A JP H0479025A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、ガラス基板を使用した金属薄膜型面内記録用
磁気ディスクの製造方法に関する。
磁気ディスクの製造方法に関する。
金属薄膜型面内記録用磁気ディスクは、非磁性基板に、
スパッタ蒸着等の成膜法により、記録層である強磁性金
属（Ｃｏ Ｃｒ系、ＣｏＣｒＮｉ系、ＣｏＣｒＮｉＴａ
系等）の薄膜（磁性膜）を、その磁性膜に面内異方性を
付与するための下地膜（ＣｒもしくはＣｒ合金の薄膜）
を介して成膜した層構造をする。その磁性膜の表面には
、記録再生用磁気ヘッドの接触を滑らかにし、磁性膜お
よび磁気ヘッドを摩耗損傷から保護するために炭素質膜
（ダイヤモンド・ライク・カーボン、アモルファス・カ
ーボン等）に代表される固体保護膜を積層成膜するのが
一般であり、更にその固体保護膜面に液体潤滑剤を塗布
することも多い。
スパッタ蒸着等の成膜法により、記録層である強磁性金
属（Ｃｏ Ｃｒ系、ＣｏＣｒＮｉ系、ＣｏＣｒＮｉＴａ
系等）の薄膜（磁性膜）を、その磁性膜に面内異方性を
付与するための下地膜（ＣｒもしくはＣｒ合金の薄膜）
を介して成膜した層構造をする。その磁性膜の表面には
、記録再生用磁気ヘッドの接触を滑らかにし、磁性膜お
よび磁気ヘッドを摩耗損傷から保護するために炭素質膜
（ダイヤモンド・ライク・カーボン、アモルファス・カ
ーボン等）に代表される固体保護膜を積層成膜するのが
一般であり、更にその固体保護膜面に液体潤滑剤を塗布
することも多い。
磁気記録ディスクの磁性膜は高い保磁力（Ｈｃ）を必要
とすることは言うまでもなく、また分解能の向上・再生
出力の安定化等の点から膜厚が薄く、均質性を有するこ
とが要求される。更にディスク表面に対する磁気ヘッド
のフローティングを安定にし、低フライングハイドを可
能とするためにディスク表面はうねりが少なく平面性・
平行性にすぐれたものであることが望まれる。均質で膜
厚の薄い磁性膜の形成を可能とし、かつディスク表面に
良好な平面性・平行性をもたせるには、使用される非磁
性基板が、硬質で、かつ十分な平面性・平行性を有する
ものでなければならない。
とすることは言うまでもなく、また分解能の向上・再生
出力の安定化等の点から膜厚が薄く、均質性を有するこ
とが要求される。更にディスク表面に対する磁気ヘッド
のフローティングを安定にし、低フライングハイドを可
能とするためにディスク表面はうねりが少なく平面性・
平行性にすぐれたものであることが望まれる。均質で膜
厚の薄い磁性膜の形成を可能とし、かつディスク表面に
良好な平面性・平行性をもたせるには、使用される非磁
性基板が、硬質で、かつ十分な平面性・平行性を有する
ものでなければならない。
その非磁性基板として従来より、アルミニウム合金板の
表面に硬質のＮ１−Ｐ合金膜を形成し、ポリッシュ（精
密研摩）加工を施したものが専ら使用されている。その
Ｎ１−Ｐ合金膜面に、スパッタ成膜を行うに先立って、
テキスチャ加工（ケミカルテキスチャ、プラズマテキス
チャ、メカニカルテキスチャ等）が施されることも多い
。テキスチャ加工によりＮ１−Ｐ合金膜面に一定の凹凸
を付けておき、その凹凸の転写効果としてディスク表面
に適度の凹凸を生じさせると、ディスク表面に対する磁
気ヘッドの吸着現象（表面粗さの極めて小さいディスク
表面に、液体潤滑剤、空気中の水分の付着等に由来する
液体が存在すると、そのディスク表面に磁気ヘッドが吸
着し易く、安定なディスクドライブが妨げられる）を防
止する効果が得られる。
表面に硬質のＮ１−Ｐ合金膜を形成し、ポリッシュ（精
密研摩）加工を施したものが専ら使用されている。その
Ｎ１−Ｐ合金膜面に、スパッタ成膜を行うに先立って、
テキスチャ加工（ケミカルテキスチャ、プラズマテキス
チャ、メカニカルテキスチャ等）が施されることも多い
。テキスチャ加工によりＮ１−Ｐ合金膜面に一定の凹凸
を付けておき、その凹凸の転写効果としてディスク表面
に適度の凹凸を生じさせると、ディスク表面に対する磁
気ヘッドの吸着現象（表面粗さの極めて小さいディスク
表面に、液体潤滑剤、空気中の水分の付着等に由来する
液体が存在すると、そのディスク表面に磁気ヘッドが吸
着し易く、安定なディスクドライブが妨げられる）を防
止する効果が得られる。
また、メカニカルテキスチャ加工により、基板表面に円
周方向の条痕を付与しておくと、磁性膜乙こ周方向の磁
気異方性が誘起されることにより保磁力（Ｈｃ）が高め
られることも知られている。
周方向の条痕を付与しておくと、磁性膜乙こ周方向の磁
気異方性が誘起されることにより保磁力（Ｈｃ）が高め
られることも知られている。
近時、非磁性基板として、ガラス板を使用する試みがな
されている。これはガラス板が極めて高い硬度を有し、
かつ板面の平行性・平面性にすぐれている点に着目した
ものである。
されている。これはガラス板が極めて高い硬度を有し、
かつ板面の平行性・平面性にすぐれている点に着目した
ものである。
ガラスを基板とすることにより、ディスク表面に改良さ
れた平面性・平行性をもたせることができ、また膜厚が
薄く均質性に冨む磁性膜の形成も容易となる等の効果が
得られる。しかし、その磁気ディスクの磁化特性を、ア
ルミニウム合金基板を使用したものと比較すると保磁力
（Ｈｃ）の改善効果は十分でなく、またガラス基板に円
周方向のメカニカルテキスチャを施しても、アルミニウ
ム合金基板の場合と異なって、磁性膜に周方向の磁気異
方性を誘起させることができないという欠点がある。
れた平面性・平行性をもたせることができ、また膜厚が
薄く均質性に冨む磁性膜の形成も容易となる等の効果が
得られる。しかし、その磁気ディスクの磁化特性を、ア
ルミニウム合金基板を使用したものと比較すると保磁力
（Ｈｃ）の改善効果は十分でなく、またガラス基板に円
周方向のメカニカルテキスチャを施しても、アルミニウ
ム合金基板の場合と異なって、磁性膜に周方向の磁気異
方性を誘起させることができないという欠点がある。
本発明は、上記に鑑みてなされたものであり、ガラス基
板を使用して改良された磁化特性を有する金属薄膜形面
内記録用磁気ディスクの製造方法を提供”する。
板を使用して改良された磁化特性を有する金属薄膜形面
内記録用磁気ディスクの製造方法を提供”する。
〔課題を解決するための手段および作用〕本発明は、ガ
ラス板を基板とし、スパッタ蒸着法により、金属系磁性
膜が、該磁性膜に面内異方性を付与するためのＣｒ等か
らなる下地膜の上に積層された金属薄膜型磁気記録ディ
スクを製造する方法において、 ガラス基板に、第１層として金属膜を形成したのち、該
基板に負電位のバイアスを印加して下地膜および磁性膜
を積層成膜することを特徴としている。
ラス板を基板とし、スパッタ蒸着法により、金属系磁性
膜が、該磁性膜に面内異方性を付与するためのＣｒ等か
らなる下地膜の上に積層された金属薄膜型磁気記録ディ
スクを製造する方法において、 ガラス基板に、第１層として金属膜を形成したのち、該
基板に負電位のバイアスを印加して下地膜および磁性膜
を積層成膜することを特徴としている。
以下、本発明について詳しく説明する。
本発明においては、ガラス基板にスパッタ蒸着による下
地膜（クロムまたはクロム合金）および磁性膜等の積層
成膜を行うに先立って、その板面に第１層として金属膜
が形成される。基板表面に第１層として金属膜を形成す
るのは、下地膜・磁性膜等のスパッタ成膜を、基板にバ
イアス電圧が印加された状態で行うためである。ガラス
基板は絶縁体であるので、その表面に金属膜を形成し導
電性をもたせてバイアス電圧を印加するのである。
地膜（クロムまたはクロム合金）および磁性膜等の積層
成膜を行うに先立って、その板面に第１層として金属膜
が形成される。基板表面に第１層として金属膜を形成す
るのは、下地膜・磁性膜等のスパッタ成膜を、基板にバ
イアス電圧が印加された状態で行うためである。ガラス
基板は絶縁体であるので、その表面に金属膜を形成し導
電性をもたせてバイアス電圧を印加するのである。
第１層金属膜を形成したガラス基板をスパック成膜チャ
ンバ内の基板ホルダ（陽極）に乗せ、陰極のターゲット
（負の高電圧印加）の表面に、Ａｒ、Ｈｅ等の不活性ガ
ス（スパッタガス）のイオンを衝突させて生じるスパッ
タ蒸発粒子を基板表面に沈積させるスパッタ成膜操作に
おいて、基板に負電位のバイアスを印加すると、基板の
膜面上に不活性ガスイオンの衝突によるスパッタ（逆ス
パツタ）が生じ、またターゲットから基板に向かって飛
翔するスパッタ蒸発粒子の一部（陽イオン）は加速化さ
れて基板表面に衝突沈積する。
ンバ内の基板ホルダ（陽極）に乗せ、陰極のターゲット
（負の高電圧印加）の表面に、Ａｒ、Ｈｅ等の不活性ガ
ス（スパッタガス）のイオンを衝突させて生じるスパッ
タ蒸発粒子を基板表面に沈積させるスパッタ成膜操作に
おいて、基板に負電位のバイアスを印加すると、基板の
膜面上に不活性ガスイオンの衝突によるスパッタ（逆ス
パツタ）が生じ、またターゲットから基板に向かって飛
翔するスパッタ蒸発粒子の一部（陽イオン）は加速化さ
れて基板表面に衝突沈積する。
基板の膜面に生じる前記逆スパツタ現象は、その膜面に
吸着しているスパッタガスを除去するクリーニング効果
により、蒸着膜内へのガスの混入・汚染を防止する。そ
の膜質の向上により磁性膜の保磁力が高められる。また
、スパッタ蒸発粒子が加速化され運動エネルギを増大し
た状態で基板に衝突することにより蒸着膜の密着性が向
上する。
吸着しているスパッタガスを除去するクリーニング効果
により、蒸着膜内へのガスの混入・汚染を防止する。そ
の膜質の向上により磁性膜の保磁力が高められる。また
、スパッタ蒸発粒子が加速化され運動エネルギを増大し
た状態で基板に衝突することにより蒸着膜の密着性が向
上する。
また、上記の基板膜面に生じる逆スパツタや、基板表面
に対する加速化されたスパッタ蒸発粒子の衝突等によっ
て基板の湯境が上昇する。その基板の昇温に伴って蒸着
膜の再結晶粗大化、合金元素の固溶析出、結晶配向性の
向上等を生し、これらの効果として磁性膜の保磁力が高
められる。
に対する加速化されたスパッタ蒸発粒子の衝突等によっ
て基板の湯境が上昇する。その基板の昇温に伴って蒸着
膜の再結晶粗大化、合金元素の固溶析出、結晶配向性の
向上等を生し、これらの効果として磁性膜の保磁力が高
められる。
更に、基板の昇温効果として、磁性膜に円周方向の磁気
異方性を誘起することが可能となる。すなわち、ガラス
基板にバイアス電圧を印加しないでスパッタ成膜を行う
場合、前記のようにその基板表面に周方向のメカニカル
テキスチャ加工を施しておいても、磁性膜に周方向の磁
気異方性を誘起させることができないが、バイアス電圧
を印加してスパッタ成膜を行う本発明においては、基板
の昇温効果により周方向の異方性が誘起される。
異方性を誘起することが可能となる。すなわち、ガラス
基板にバイアス電圧を印加しないでスパッタ成膜を行う
場合、前記のようにその基板表面に周方向のメカニカル
テキスチャ加工を施しておいても、磁性膜に周方向の磁
気異方性を誘起させることができないが、バイアス電圧
を印加してスパッタ成膜を行う本発明においては、基板
の昇温効果により周方向の異方性が誘起される。
この異方性の発現により磁性膜の保磁力は更に向上する
。
。
本発明においてガラス基板に第１層として金属膜を形成
するのは前記のように基板のバイアス印加を可能とする
導電性をもたせるためであり、その金属膜の材質の選択
は任意であるが、その例として、Ｎ１−Ｐ（Ｐ含有量約
７〜１３％）、Ｃｒ （もしくはＣｒ合金）あるいはＷ
等が挙げられる。Ｎｊ−Ｐ合金は、アモルファスであり
結晶粒界を有しないので、ガラス基板にテキスチャ加工
を施した場合のテキスチャ模様の転写性が高（、またＣ
ｒ（合金）やＷ等は、結晶質の膜であるので、テキスチ
ャ模様を転写しつつ表面粗さを若干粗くしたい場合に有
効である。
するのは前記のように基板のバイアス印加を可能とする
導電性をもたせるためであり、その金属膜の材質の選択
は任意であるが、その例として、Ｎ１−Ｐ（Ｐ含有量約
７〜１３％）、Ｃｒ （もしくはＣｒ合金）あるいはＷ
等が挙げられる。Ｎｊ−Ｐ合金は、アモルファスであり
結晶粒界を有しないので、ガラス基板にテキスチャ加工
を施した場合のテキスチャ模様の転写性が高（、またＣ
ｒ（合金）やＷ等は、結晶質の膜であるので、テキスチ
ャ模様を転写しつつ表面粗さを若干粗くしたい場合に有
効である。
第１層金属膜の成膜は例えばスパッタ蒸着等により行う
ことができる。なお、第１層の金属膜は、磁性膜の下地
層となるＣｒ（合金）と同一組成のものであってもよく
、その場合はスパッタ蒸着による第１層としてのＣｒ（
合金）膜を形成したのち、バイアス電圧を印加し、同じ
ターゲットのスパツタリングを続行して下地膜としての
Ｃｒ（合金）膜を形成することができる。
ことができる。なお、第１層の金属膜は、磁性膜の下地
層となるＣｒ（合金）と同一組成のものであってもよく
、その場合はスパッタ蒸着による第１層としてのＣｒ（
合金）膜を形成したのち、バイアス電圧を印加し、同じ
ターゲットのスパツタリングを続行して下地膜としての
Ｃｒ（合金）膜を形成することができる。
第１層金属膜の膜厚は特に限定されないが、安定なバイ
アス印加効果を確保するために約５００Å以上の膜厚で
あるのが好ましい。しかし、その膜厚を余り厚くすると
、基板のガラス表面の転写性が低下し、それに伴いディ
スク表面の平面性・平行性が低下するので、約３０００
人を上限とするのが適当である。
アス印加効果を確保するために約５００Å以上の膜厚で
あるのが好ましい。しかし、その膜厚を余り厚くすると
、基板のガラス表面の転写性が低下し、それに伴いディ
スク表面の平面性・平行性が低下するので、約３０００
人を上限とするのが適当である。
ガラス基板に第１層金属膜を形成した後、その膜面上に
、磁性層を面内異方性とするための下地膜、およびＣｏ
系合金磁性膜等のスパッタ成膜を、その基板に負電位の
バイアスが印加された状態で行う。第１図は、そのスパ
ッタ成膜を、直流マグネトロンスパッタ装置において行
う例を示している。 （１）（１）はターゲットであり
、各ターゲット（１）（１）はバッキングプレー） （
２）（２）に取付けられて向い合っている。（３）（３
）は円環形状を有する陽極あり、陽極（３）とハソキン
グプレート（２）上のターゲット（１）との間に接続さ
れたスパッタ放電用電源（４）によりターゲット（１）
に負の高電圧が印加される。（５）は基板であり、左右
のターゲット（１）と（１）との中間に位置して、陽極
を兼ねる基板ホルダ（６）に取付けられている。（７）
はバイアス電源であり、バイアス電源（７）は、基板ホ
ルダ（６）に接続され基板（５）に負電位のバイアスを
印加する。バイアス電源（７）の正電位側は接地されて
いる。
、磁性層を面内異方性とするための下地膜、およびＣｏ
系合金磁性膜等のスパッタ成膜を、その基板に負電位の
バイアスが印加された状態で行う。第１図は、そのスパ
ッタ成膜を、直流マグネトロンスパッタ装置において行
う例を示している。 （１）（１）はターゲットであり
、各ターゲット（１）（１）はバッキングプレー） （
２）（２）に取付けられて向い合っている。（３）（３
）は円環形状を有する陽極あり、陽極（３）とハソキン
グプレート（２）上のターゲット（１）との間に接続さ
れたスパッタ放電用電源（４）によりターゲット（１）
に負の高電圧が印加される。（５）は基板であり、左右
のターゲット（１）と（１）との中間に位置して、陽極
を兼ねる基板ホルダ（６）に取付けられている。（７）
はバイアス電源であり、バイアス電源（７）は、基板ホ
ルダ（６）に接続され基板（５）に負電位のバイアスを
印加する。バイアス電源（７）の正電位側は接地されて
いる。
ガラス基板（５）に負のバイアス電圧を印加して、基板
表面にスパッタ蒸着を行わせる成膜過程においては、ガ
ラス基板を単に接地してスパッタ蒸着を行わせる場合と
異なり、前記のように基板（５）の膜面上の逆スパツタ
や、基板に向かうスパッタ蒸発粒子の加速化等の現象を
伴って基板表面における成膜が進行する。
表面にスパッタ蒸着を行わせる成膜過程においては、ガ
ラス基板を単に接地してスパッタ蒸着を行わせる場合と
異なり、前記のように基板（５）の膜面上の逆スパツタ
や、基板に向かうスパッタ蒸発粒子の加速化等の現象を
伴って基板表面における成膜が進行する。
図はマグネトロンスパッタによる成膜の例を示している
が、スパッタガスはこれに限定されず、２極（３極）直
流スパッタ、高周波スパッタ等を用いてもよい。
が、スパッタガスはこれに限定されず、２極（３極）直
流スパッタ、高周波スパッタ等を用いてもよい。
基板に印加されるバイアスの適当な電位は、成膜条件（
スパッタ放電印加電圧、スパッタガス等）により異なる
が、通常の成膜条件では、約１００〜−４００Ｖ程度と
してよい。
スパッタ放電印加電圧、スパッタガス等）により異なる
が、通常の成膜条件では、約１００〜−４００Ｖ程度と
してよい。
また、バイアス電圧を印加して行われるスパッタ成膜過
程における基板の好ましい温度は、厳密には、必要とす
る電磁特性や成膜条件等によりことなるが、通常の成膜
条件では、約１５０〜２８０°Ｃであってよい。
程における基板の好ましい温度は、厳密には、必要とす
る電磁特性や成膜条件等によりことなるが、通常の成膜
条件では、約１５０〜２８０°Ｃであってよい。
本発明による基板表面のスパッタ蒸着成膜は、上記のよ
うに基板を導電性にするための金属膜が第１層として形
成されること、およびその基板表面に対するスパッタ蒸
着成膜が負電位のバイアス印加のもとに行われることを
除けば、特別の制限や条件の付加を必要とせず、通常の
条件に従って行えばよい。第１層金属膜の上に積層され
る膜材質や膜厚等についても通常のそれと異なるもので
ある必要はむろんなく、下地膜は、Ｃｒ、またはＣｒ合
金（例えばＣｒ−３ｉ 、 Ｃｒ−Ｎ、 Ｃｒ−Ａ ｇ
）からなる膜厚的５００〜３０００人程度の膜であっ
てよく、磁性膜はＣｏ、ＣｏＣｒ、ＣｏＮｉＣｒＣｏＮ
ｉＣｒＴａ等の強磁性金属からなる膜厚約５００〜２０
００人程度の膜としてよい。磁性膜の表面には、所望に
より炭素質膜等の固体保護膜が適宜膜厚（約１５０〜６
００人）をなして積層形成される。
うに基板を導電性にするための金属膜が第１層として形
成されること、およびその基板表面に対するスパッタ蒸
着成膜が負電位のバイアス印加のもとに行われることを
除けば、特別の制限や条件の付加を必要とせず、通常の
条件に従って行えばよい。第１層金属膜の上に積層され
る膜材質や膜厚等についても通常のそれと異なるもので
ある必要はむろんなく、下地膜は、Ｃｒ、またはＣｒ合
金（例えばＣｒ−３ｉ 、 Ｃｒ−Ｎ、 Ｃｒ−Ａ ｇ
）からなる膜厚的５００〜３０００人程度の膜であっ
てよく、磁性膜はＣｏ、ＣｏＣｒ、ＣｏＮｉＣｒＣｏＮ
ｉＣｒＴａ等の強磁性金属からなる膜厚約５００〜２０
００人程度の膜としてよい。磁性膜の表面には、所望に
より炭素質膜等の固体保護膜が適宜膜厚（約１５０〜６
００人）をなして積層形成される。
なお、使用されるガラス基板は、所望により第１層金属
膜の成膜に先立って、テキスチャ加工が施され、テキス
チャ加工によりディスク表面に対する磁気ヘッドの吸着
防止効果が得られることは従来のアルミ合金基板を使用
する場合と同様であり、またメカニカルテキスチャ加工
により周方向の磁気異方性を誘起することが可能である
こと等は前記したとおりである。
膜の成膜に先立って、テキスチャ加工が施され、テキス
チャ加工によりディスク表面に対する磁気ヘッドの吸着
防止効果が得られることは従来のアルミ合金基板を使用
する場合と同様であり、またメカニカルテキスチャ加工
により周方向の磁気異方性を誘起することが可能である
こと等は前記したとおりである。
ガラス基板の表面に周方向のメカニカルテキスチャ加工
を施したものと、テキスチャ加工を省略したものとを用
意し、その表面に第１層としてＮ１−Ｐ合金膜、または
Ｃｒ膜を形成し、第１図に示す直流マグネトロンスパッ
タにより、下地膜としてＣｒ膜（膜厚： １ｓｏｏ人）
、磁性膜としてＣｏＣｒＴａ合金膜（膜厚ニア００人）
、および固体保護膜としてダイヤモンド・ライク・カー
ボン膜（膜厚：２００人）を積層形成して供試ディスク
（３，５″型）を得た。
を施したものと、テキスチャ加工を省略したものとを用
意し、その表面に第１層としてＮ１−Ｐ合金膜、または
Ｃｒ膜を形成し、第１図に示す直流マグネトロンスパッ
タにより、下地膜としてＣｒ膜（膜厚： １ｓｏｏ人）
、磁性膜としてＣｏＣｒＴａ合金膜（膜厚ニア００人）
、および固体保護膜としてダイヤモンド・ライク・カー
ボン膜（膜厚：２００人）を積層形成して供試ディスク
（３，５″型）を得た。
（ｉ）ガラス基板
珪酸ガラス板、平面度：５μｍ２表面あらさＲａ：８人
。
。
（ｉｉ）テキスチャ加エ
ランディングゾーンのみに実施。テキスチャ領域の表面
あらさ： Ｒａ １９人、 Ｒｍａｘ ９００人、
Ｒｐ３００人。
あらさ： Ｒａ １９人、 Ｒｍａｘ ９００人、
Ｒｐ３００人。
（ｉｊ）第１Ｎ金属膜
Ｎ１−Ｐ膜：無電解めっき。膜厚１０００人。
Ｃｒ 膜：下地膜（Ｃｒ膜）と同じターゲットを使用
し、スパッタ蒸着により成膜。膜 厚１０００人。
し、スパッタ蒸着により成膜。膜 厚１０００人。
（ｉｖ ）下地膜、磁性膜および固体保護膜のスパッタ
成膜 ・スパッタ雰囲気：０．７ Ｘｌ０−”Ｔｏｒｒ、 Ａ
ｒ・スパッタ投入型カニＩＫｗ、電圧：３００Ｖ・バ
イアス電圧ニー２５０Ｖ。
成膜 ・スパッタ雰囲気：０．７ Ｘｌ０−”Ｔｏｒｒ、 Ａ
ｒ・スパッタ投入型カニＩＫｗ、電圧：３００Ｖ・バ
イアス電圧ニー２５０Ｖ。
比較例として、第１層金属膜を省略しスパッタ成膜をバ
イアス無印加で行った点を除き、上記と同じ条件で供試
ディスクを得た。
イアス無印加で行った点を除き、上記と同じ条件で供試
ディスクを得た。
各供試ディスクの保磁力測定結果を第１表に示す。なお
、各供試ディスクの残留磁束密度（ＢＴ）と膜厚（δ）
の積（Ｂｒ・δ）は、いずれも４００Ｇμである。
、各供試ディスクの残留磁束密度（ＢＴ）と膜厚（δ）
の積（Ｂｒ・δ）は、いずれも４００Ｇμである。
発明例の磁気ディスクＮｏ、 １〜４は、比較例Ｎα５
およびＮｏ、６（スパッタ成膜時のバイアス印加なし）
に比べて、著しく高い保磁力を有している。
およびＮｏ、６（スパッタ成膜時のバイアス印加なし）
に比べて、著しく高い保磁力を有している。
また、発明例において、基板にテキスチャ加工を方缶し
たちの（Ｎα２．Ｎｏ、４）と、テキスチャ加工を省略
したもの（Ｎｏ、 １ 、 Ｎｏ、 ３ ）を比較する
と、前者の保磁力が明らかに高い。これはテキスチャ加
工による周方向の磁気異方性が誘起されたことによる効
果を示している。
たちの（Ｎα２．Ｎｏ、４）と、テキスチャ加工を省略
したもの（Ｎｏ、 １ 、 Ｎｏ、 ３ ）を比較する
と、前者の保磁力が明らかに高い。これはテキスチャ加
工による周方向の磁気異方性が誘起されたことによる効
果を示している。
本発明方法によれば、ガラスを基板として、改良された
保磁力を有する磁気記録ディスクを製造することができ
る。その基板にメカニカルテキスチャ加工を施すことに
より周方向の磁気異方性を誘起させ更に高い保磁力を得
ることもできる。この保磁力の改善により、記録密度の
向上、ディスクの小型化・高品質化が可能である。
保磁力を有する磁気記録ディスクを製造することができ
る。その基板にメカニカルテキスチャ加工を施すことに
より周方向の磁気異方性を誘起させ更に高い保磁力を得
ることもできる。この保磁力の改善により、記録密度の
向上、ディスクの小型化・高品質化が可能である。
第１図は本発明方法におけるスパッタ蒸着成膜法の例を
模式的に示す図である。 １：ターゲット、４ニスバッタ放電々源、５：基板、６
：基板ホルダ、７：バイアス電源。
模式的に示す図である。 １：ターゲット、４ニスバッタ放電々源、５：基板、６
：基板ホルダ、７：バイアス電源。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、ガラス板を基板とし、スパッタ蒸着法により、磁性
膜に面内異方性を付与するためのＣｒ等からなる下地膜
の上に金属系磁性膜が積層された金属薄膜型磁気記録デ
ィスクを製造する方法において、 ガラス基板に、第１層として金属膜を形成したのち、該
基板に負電位のバイアスを印加して下地膜および磁性膜
を積層成膜することを特徴とする金属薄膜型磁気記録デ
ィスクの製造方法。 ２、板面にメカニカルテキスチャ加工により円周方向の
条痕を付したガラス基板を使用することを特徴とする請
求項１に記載の金属薄膜型磁気記録ディスクの製造方法
。 ３、ガラス基板の表面のメカニカルテキスチャ加工が、
ランデイングゾーンにのみ施されていることを特徴とす
る請求項２に記載の金属薄膜型磁気記録ディスクの製造
方法。 ４、第１層の金属膜の膜厚が５００〜３０００Åである
ことを特徴とする請求項１〜３のいずれか１つに記載の
金属薄膜型磁気記録ディスクの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19260790A JPH0479025A (ja) | 1990-07-19 | 1990-07-19 | 金属薄膜型磁気記録ディスクの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19260790A JPH0479025A (ja) | 1990-07-19 | 1990-07-19 | 金属薄膜型磁気記録ディスクの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0479025A true JPH0479025A (ja) | 1992-03-12 |
Family
ID=16294077
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19260790A Pending JPH0479025A (ja) | 1990-07-19 | 1990-07-19 | 金属薄膜型磁気記録ディスクの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0479025A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2010074250A1 (ja) * | 2008-12-26 | 2010-07-01 | キヤノンアネルバ株式会社 | スパッタ装置及び磁気記憶媒体の製造方法 |
-
1990
- 1990-07-19 JP JP19260790A patent/JPH0479025A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2010074250A1 (ja) * | 2008-12-26 | 2010-07-01 | キヤノンアネルバ株式会社 | スパッタ装置及び磁気記憶媒体の製造方法 |
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