JPH0479996B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0479996B2 JPH0479996B2 JP58237669A JP23766983A JPH0479996B2 JP H0479996 B2 JPH0479996 B2 JP H0479996B2 JP 58237669 A JP58237669 A JP 58237669A JP 23766983 A JP23766983 A JP 23766983A JP H0479996 B2 JPH0479996 B2 JP H0479996B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- crystal
- rays
- single crystal
- ray
- diffraction
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 52
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 4
- 230000007547 defect Effects 0.000 claims description 3
- 238000003909 pattern recognition Methods 0.000 claims 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 10
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 4
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- 238000005162 X-ray Laue diffraction Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000011895 specific detection Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
- C30B15/20—Controlling or regulating
- C30B15/22—Stabilisation or shape controlling of the molten zone near the pulled crystal; Controlling the section of the crystal
- C30B15/26—Stabilisation or shape controlling of the molten zone near the pulled crystal; Controlling the section of the crystal using television detectors; using photo or X-ray detectors
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N23/00—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00
- G01N23/20—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by using diffraction of the radiation by the materials, e.g. for investigating crystal structure; by using scattering of the radiation by the materials, e.g. for investigating non-crystalline materials; by using reflection of the radiation by the materials
- G01N23/207—Diffractometry using detectors, e.g. using a probe in a central position and one or more displaceable detectors in circumferential positions
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、単結晶製造法、特に溶融状態から
の引上法あるいは、浮遊溶融帯積製法等による結
晶成長において結晶成長の制御が容易な単結晶の
製造方法に関する。
の引上法あるいは、浮遊溶融帯積製法等による結
晶成長において結晶成長の制御が容易な単結晶の
製造方法に関する。
半導体用あるいは光学用単結晶の結晶成長をＸ
線を用いて監視しながら結晶成長を制御する方法
が発表されており、例えば特公昭58−34440号の
方法では、第１図の平面図に示す如く、その方法
は、Ｘ線源１からスリツト２を通して引上軸のま
わりで一定速度で回転する成長結晶３に特性Ｘ線
６を照射し、その表面からの回折Ｘ線７をカウン
ター（プロポーシヨナルカウンターまたはシンチ
レーシヨンカウンター）８で検出することによつ
て単結晶の成長状態を監視し、回転速度の制御や
成長方位の較正あるいは欠陥などの結晶状態を観
察するものである。ここに４は炉材（例えば石英
るつぼ）、５は加熱器によつて溶融状態にされた
結晶原料である。
線を用いて監視しながら結晶成長を制御する方法
が発表されており、例えば特公昭58−34440号の
方法では、第１図の平面図に示す如く、その方法
は、Ｘ線源１からスリツト２を通して引上軸のま
わりで一定速度で回転する成長結晶３に特性Ｘ線
６を照射し、その表面からの回折Ｘ線７をカウン
ター（プロポーシヨナルカウンターまたはシンチ
レーシヨンカウンター）８で検出することによつ
て単結晶の成長状態を監視し、回転速度の制御や
成長方位の較正あるいは欠陥などの結晶状態を観
察するものである。ここに４は炉材（例えば石英
るつぼ）、５は加熱器によつて溶融状態にされた
結晶原料である。
しかしながら、この方法では、Ｘ線源、結晶お
よびカウンターの位置設定が非常に微妙であり、
回折Ｘ線をカウンターに検出するのが難しく、そ
のため正確な結晶状態の把握が困難である。すな
わち、特性Ｘ線を使用しているので、回折Ｘ線は
特定の反射角度2θにしか検出されず、さらに結晶
が回転しているので反射は断続的であり、またカ
ウンターはＸ線の入射窓が小さく広い範囲の検出
ができないためである。
よびカウンターの位置設定が非常に微妙であり、
回折Ｘ線をカウンターに検出するのが難しく、そ
のため正確な結晶状態の把握が困難である。すな
わち、特性Ｘ線を使用しているので、回折Ｘ線は
特定の反射角度2θにしか検出されず、さらに結晶
が回転しているので反射は断続的であり、またカ
ウンターはＸ線の入射窓が小さく広い範囲の検出
ができないためである。
本発明の方法においては、第２図の平面図に示
す如く、Ｘ線源１からスリツト２を通した入射Ｘ
線ビーム９を回転する結晶３の表面に照射し白色
Ｘ線及び特性Ｘ線の回折Ｘ線１０をイメージアン
プリフアイア１１上にパターンとしてとらえるも
のである。ここに４及び５は第１図の場合と同じ
く夫々炉材および溶融状態の結晶原料を示す。な
お、Ｘ線検出装置は上記のイメージアンプリフア
イアでなくても、二次元的な白色Ｘ線および特性
Ｘ線の回折パターンを利用して結晶状態を観察で
きるものであればよく、例えば、回折パターンを
検出できるように二次元的に配置されたNaIシン
チレーシヨナルカウンターやSSDまたは写真ある
いは結晶状態の変化による回折パターンの強度変
化をシンチレーシヨナルカウンターやSSDで検出
するようにしたものでもよい。
す如く、Ｘ線源１からスリツト２を通した入射Ｘ
線ビーム９を回転する結晶３の表面に照射し白色
Ｘ線及び特性Ｘ線の回折Ｘ線１０をイメージアン
プリフアイア１１上にパターンとしてとらえるも
のである。ここに４及び５は第１図の場合と同じ
く夫々炉材および溶融状態の結晶原料を示す。な
お、Ｘ線検出装置は上記のイメージアンプリフア
イアでなくても、二次元的な白色Ｘ線および特性
Ｘ線の回折パターンを利用して結晶状態を観察で
きるものであればよく、例えば、回折パターンを
検出できるように二次元的に配置されたNaIシン
チレーシヨナルカウンターやSSDまたは写真ある
いは結晶状態の変化による回折パターンの強度変
化をシンチレーシヨナルカウンターやSSDで検出
するようにしたものでもよい。
したがつて、本発明の方法によれば、
(1) イメージアンプリフアイアはＸ線を広い範囲
で検出できるので、イメージアンプリフアイア
の位置を正確に特性Ｘ線の反射方向に合わせる
必要がなく、結晶とイメージアンプリフアイア
の位置設定が容易である。
で検出できるので、イメージアンプリフアイア
の位置を正確に特性Ｘ線の反射方向に合わせる
必要がなく、結晶とイメージアンプリフアイア
の位置設定が容易である。
(2) 種々の回折Ｘ線の生じる位置、強度が広い空
間にわたつて、二次元的に観察でき、回折パタ
ーンを認識できる（イメージアンプリフアイア
はＸ線を広い空間にわたつて瞬時に検出でき
る）。
間にわたつて、二次元的に観察でき、回折パタ
ーンを認識できる（イメージアンプリフアイア
はＸ線を広い空間にわたつて瞬時に検出でき
る）。
(3) イメージアンプリフアイアは白色Ｘ線の回折
パターンも検出できるのでパターンの動きによ
つて結晶成長による結晶直径の変化が容易に観
察できる。
パターンも検出できるのでパターンの動きによ
つて結晶成長による結晶直径の変化が容易に観
察できる。
等の利点が得られる。
次に実施例によつて、さらに本発明の方法を説
明する。
明する。
実施例
(1) 通常の単結晶育成炉に対して、タングステン
ターゲツトを有するＸ線発生源およびＸ線イメ
ージインテンシフアイアを第２図のように配置
し、育成中のInP単結晶からの低角度（2θ10
〜20゜）附近のラウエ斑点をイメージアンプリ
フアイアでとらえられるように位置調整を行つ
た。Ｓ−Ｎ比を向上するため、Ｘ線の直接光が
入らないように鉛板によりシールドを施したイ
メージアンプリフアイア上に観測されるスポツ
トは、結晶の回転に伴い特性Ｘ線によるものは
周期的に点滅し、白色Ｘ線によるものは中心部
に移動するのが見られる。これらのパターンを
認識することにより、単結晶状態と単結晶状態
が崩れて例えば双晶が発生した状態とを区別す
ることができる。
ターゲツトを有するＸ線発生源およびＸ線イメ
ージインテンシフアイアを第２図のように配置
し、育成中のInP単結晶からの低角度（2θ10
〜20゜）附近のラウエ斑点をイメージアンプリ
フアイアでとらえられるように位置調整を行つ
た。Ｓ−Ｎ比を向上するため、Ｘ線の直接光が
入らないように鉛板によりシールドを施したイ
メージアンプリフアイア上に観測されるスポツ
トは、結晶の回転に伴い特性Ｘ線によるものは
周期的に点滅し、白色Ｘ線によるものは中心部
に移動するのが見られる。これらのパターンを
認識することにより、単結晶状態と単結晶状態
が崩れて例えば双晶が発生した状態とを区別す
ることができる。
以上により双晶発生時点で結晶を取出すことな
く、溶融した結晶原料中に下降して再育成し、単
結晶育成を効率的に実施することができた。
く、溶融した結晶原料中に下降して再育成し、単
結晶育成を効率的に実施することができた。
(2) 100KV.タングステンターゲツトＸ線を＜100
＞方向引上、径２インチ（50.8mm）の成長途中
の回転するInP単結晶に照射し、結晶表面から
の回折パターンをイメージアンプリフアイアで
検出すると、白色Ｘ線による上下対称な放射状
の回折パターンと特性Ｘ線によるスポツトが第
３図に示すように観察された。ここで、シンチ
レーシヨナルカウンターの検出範囲Ａを図のよ
うな長方形にとり、１本の回折ラインの積分強
度を測定した。この結晶に双晶が発生すると第
４図のような上下が非対称の回折パターンがあ
らわれ、積分強度は第５図のように双晶発生点
Ｔを境に単結晶の時Ｃと双晶の時Ｄとが変化し
た。また微分強度は第６図のように双晶発生点
Ｔで減少した。なお、第３図，第４図において
B1及びB2の部分は夫々InP単結晶及びInP双晶
の影を示している。
＞方向引上、径２インチ（50.8mm）の成長途中
の回転するInP単結晶に照射し、結晶表面から
の回折パターンをイメージアンプリフアイアで
検出すると、白色Ｘ線による上下対称な放射状
の回折パターンと特性Ｘ線によるスポツトが第
３図に示すように観察された。ここで、シンチ
レーシヨナルカウンターの検出範囲Ａを図のよ
うな長方形にとり、１本の回折ラインの積分強
度を測定した。この結晶に双晶が発生すると第
４図のような上下が非対称の回折パターンがあ
らわれ、積分強度は第５図のように双晶発生点
Ｔを境に単結晶の時Ｃと双晶の時Ｄとが変化し
た。また微分強度は第６図のように双晶発生点
Ｔで減少した。なお、第３図，第４図において
B1及びB2の部分は夫々InP単結晶及びInP双晶
の影を示している。
以上のように、育成中の結晶に欠陥が発生する
と白色及び特性Ｘ線の積分強度が変化するので、
NaIシンチレーシヨナルカウンターを用いても結
晶状態を観察できることがわかつた。
と白色及び特性Ｘ線の積分強度が変化するので、
NaIシンチレーシヨナルカウンターを用いても結
晶状態を観察できることがわかつた。
以上述べたように、この発明によればSi，
InP，GaP等の半導体結晶や酸化物単結晶の育成
に際し、Ｘ線回折による回折パターンの認識によ
り結晶の観察が極めて容易となり単結晶の育成を
効率よく実施できる単結晶の製造方法を提供する
ことができる。
InP，GaP等の半導体結晶や酸化物単結晶の育成
に際し、Ｘ線回折による回折パターンの認識によ
り結晶の観察が極めて容易となり単結晶の育成を
効率よく実施できる単結晶の製造方法を提供する
ことができる。
第１図は従来のＸ線回折による単結晶観察装置
の配置を示す平面図、第２図は本発明による配置
の平面図、第３図は本発明による方法で観察され
る単結晶の回折パターンで、第４図は同上の双晶
発生の場合の回折パターンである。第５図はシン
チレーシヨナルカウンターによる特定検出範囲に
おける回折ラインの積分強度を示す図、第６図は
同様に微分強度を示すものである。 図面の数字及び符号は下記を示すものである。
１…Ｘ線源、２…スリツト、３…回転する成長結
晶、４…炉材、５…溶融状態の結晶原料、６…特
性Ｘ線、７…回折Ｘ線、８…カウンター、９…入
射Ｘ線、１０…回折Ｘ線群、１１…イメージアン
プリフアイア、Ａ…シンチレーシヨナルカウンタ
ーの検出範囲、B1…InP単結晶の影、B2…InP双
晶の影、Ｔ…双晶発生点。
の配置を示す平面図、第２図は本発明による配置
の平面図、第３図は本発明による方法で観察され
る単結晶の回折パターンで、第４図は同上の双晶
発生の場合の回折パターンである。第５図はシン
チレーシヨナルカウンターによる特定検出範囲に
おける回折ラインの積分強度を示す図、第６図は
同様に微分強度を示すものである。 図面の数字及び符号は下記を示すものである。
１…Ｘ線源、２…スリツト、３…回転する成長結
晶、４…炉材、５…溶融状態の結晶原料、６…特
性Ｘ線、７…回折Ｘ線、８…カウンター、９…入
射Ｘ線、１０…回折Ｘ線群、１１…イメージアン
プリフアイア、Ａ…シンチレーシヨナルカウンタ
ーの検出範囲、B1…InP単結晶の影、B2…InP双
晶の影、Ｔ…双晶発生点。
Claims (1)
- １ 成長途中の回転する単結晶にＸ線を照射し、
結晶表面で散乱された白色及び特性Ｘ線の回折を
二次元的に検出できる装置でパターン認識するこ
とにより、単結晶の欠陥などの成長状態を監視
し、もつて結晶育成中の育成条件の最適化をはか
ることを特徴とする、単結晶の製造方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58237669A JPS60131900A (ja) | 1983-12-16 | 1983-12-16 | 単結晶の製造方法 |
| US06/679,895 US4634490A (en) | 1983-12-16 | 1984-12-10 | Method of monitoring single crystal during growth |
| EP84115476A EP0146132B1 (en) | 1983-12-16 | 1984-12-14 | Method of monitoring single crystal during growth |
| DE8484115476T DE3477023D1 (en) | 1983-12-16 | 1984-12-14 | Method of monitoring single crystal during growth |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58237669A JPS60131900A (ja) | 1983-12-16 | 1983-12-16 | 単結晶の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60131900A JPS60131900A (ja) | 1985-07-13 |
| JPH0479996B2 true JPH0479996B2 (ja) | 1992-12-17 |
Family
ID=17018746
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58237669A Granted JPS60131900A (ja) | 1983-12-16 | 1983-12-16 | 単結晶の製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4634490A (ja) |
| EP (1) | EP0146132B1 (ja) |
| JP (1) | JPS60131900A (ja) |
| DE (1) | DE3477023D1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2011062217A1 (ja) | 2009-11-20 | 2011-05-26 | 戸田工業株式会社 | 磁性酸化鉄微粒子粉末、磁性粒子含有水分散体およびその製造方法 |
Families Citing this family (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB8607482D0 (en) * | 1986-03-26 | 1986-04-30 | Howe S | Orientation of crystals |
| JPH0318747A (ja) * | 1989-06-16 | 1991-01-28 | Nippon Philips Kk | 格子定数比測定方法及び測定装置 |
| US5456205A (en) * | 1993-06-01 | 1995-10-10 | Midwest Research Institute | System for monitoring the growth of crystalline films on stationary substrates |
| US5589690A (en) * | 1995-03-21 | 1996-12-31 | National Institute Of Standards And Technology | Apparatus and method for monitoring casting process |
| DE19548845B4 (de) * | 1995-12-27 | 2008-04-10 | Crystal Growing Systems Gmbh | Vorrichtung und Verfahren zum Ziehen von Einkristallen nach dem Czochralski-Verfahren |
| US5724401A (en) * | 1996-01-24 | 1998-03-03 | The Penn State Research Foundation | Large angle solid state position sensitive x-ray detector system |
| US6055293A (en) * | 1998-06-30 | 2000-04-25 | Seh America, Inc. | Method for identifying desired features in a crystal |
| JP4071476B2 (ja) * | 2001-03-21 | 2008-04-02 | 株式会社東芝 | 半導体ウェーハ及び半導体ウェーハの製造方法 |
| JP4799465B2 (ja) * | 2001-03-21 | 2011-10-26 | 株式会社東芝 | 半導体ウェーハ、半導体装置の製造装置、半導体装置の製造方法、及び半導体ウェーハの製造方法 |
| US6836532B2 (en) * | 2001-06-29 | 2004-12-28 | Bruker Axs, Inc. | Diffraction system for biological crystal screening |
| US6760403B2 (en) | 2001-10-25 | 2004-07-06 | Seh America, Inc. | Method and apparatus for orienting a crystalline body during radiation diffractometry |
| JP4020313B2 (ja) * | 2003-03-28 | 2007-12-12 | ステラケミファ株式会社 | フッ化物中の不純物及び色中心分析方法及び単結晶育成用材料の製造方法 |
| DE10317677A1 (de) * | 2003-04-17 | 2004-11-18 | Bruker Axs Gmbh | Primärstrahlfänger |
| US7027557B2 (en) * | 2004-05-13 | 2006-04-11 | Jorge Llacer | Method for assisted beam selection in radiation therapy planning |
| EP2622114A1 (en) * | 2010-10-01 | 2013-08-07 | Evergreen Solar, Inc. | Sheet wafer defect mitigation |
| JP7712518B2 (ja) * | 2020-05-22 | 2025-07-24 | フラウンホーファー ユーエスエイ インコーポレイテッド | 機械学習を用いたダイヤモンドの合成システムおよび方法 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3105901A (en) * | 1959-03-30 | 1963-10-01 | Philips Corp | X-ray diffraction device with 360 rotatable specimen holder |
| NL6512921A (ja) * | 1965-10-06 | 1967-04-07 | ||
| JPS59174598A (ja) * | 1983-03-18 | 1984-10-03 | Hitachi Cable Ltd | ３−５族化合物半導体単結晶の製造法 |
-
1983
- 1983-12-16 JP JP58237669A patent/JPS60131900A/ja active Granted
-
1984
- 1984-12-10 US US06/679,895 patent/US4634490A/en not_active Expired - Lifetime
- 1984-12-14 EP EP84115476A patent/EP0146132B1/en not_active Expired
- 1984-12-14 DE DE8484115476T patent/DE3477023D1/de not_active Expired
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2011062217A1 (ja) | 2009-11-20 | 2011-05-26 | 戸田工業株式会社 | 磁性酸化鉄微粒子粉末、磁性粒子含有水分散体およびその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0146132A2 (en) | 1985-06-26 |
| EP0146132A3 (en) | 1986-06-11 |
| DE3477023D1 (en) | 1989-04-13 |
| JPS60131900A (ja) | 1985-07-13 |
| EP0146132B1 (en) | 1989-03-08 |
| US4634490A (en) | 1987-01-06 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0479996B2 (ja) | ||
| Patel | X‐ray anomalous transmission and topography of oxygen precipitation in silicon | |
| DE102004025150B4 (de) | Lagebestimmung eines Halbleitersubstrats auf einer Rotationsvorrichtung | |
| US6072854A (en) | Method and apparatus for X-ray topography of single crystal ingot | |
| WO2002001170A1 (fr) | Procede et appareil de mesure de la temperature | |
| CN107250038A (zh) | 多晶硅棒及其制造方法和fz硅单晶 | |
| US5238525A (en) | Analysis of Rheed data from rotating substrates | |
| JP3433634B2 (ja) | 半導体単結晶中の結晶欠陥観察用試料作製方法および結晶欠陥観察方法 | |
| JP4246561B2 (ja) | 単結晶直径の制御方法 | |
| JP3611364B2 (ja) | 単結晶の直径制御方法 | |
| JPH112614A (ja) | 単結晶軸方位ｘ線測定方法及び装置 | |
| JPS59232989A (ja) | 化合物半導体単結晶の製造装置 | |
| JP2000035409A (ja) | Ｘ線装置及びｘ線測定方法 | |
| JPS61151089A (ja) | 単結晶の製造方法 | |
| JPH03112885A (ja) | 単結晶引き上げ時の結晶ダイの検知方法 | |
| JP3213720B2 (ja) | 結晶成長装置及びこれを使用した結晶成長方法 | |
| CN109252215A (zh) | 多晶硅棒和多晶硅棒的制造方法 | |
| JP2723734B2 (ja) | コリメーター用単結晶 | |
| JPH04301800A (ja) | Ｘ線回折顕微装置 | |
| JPH095251A (ja) | 欠陥検査装置 | |
| JP2732311B2 (ja) | Ｘ線トポグラフィ装置 | |
| JPH09246337A (ja) | 結晶欠陥検出方法及び結晶欠陥検出装置 | |
| JPS61158888A (ja) | 単結晶の製造方法 | |
| JPS6077192A (ja) | 単結晶の欠陥検出装置 | |
| JPS5834440B2 (ja) | タンケツシヨウノセイゾウホウホウ |