JPH0480054A - イオン流制御記録装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、プリンタやファクシミリ等に使用されるイ
オン流制御記録装置に関する。

〔従来の技術〕

従来、この種のイオン流制御記録装置としては、特開昭
５９−１９０８５４号公報に示すようなものがある。こ
れは、第１２図に示すように、静電潜像受容体１００の
近傍に配設されるイオン発生器１０１と、このイオン発
生器１０１に隣接して設けられるイオン流制御スリット
１０２の一側に配設される複数の制御電極１０３．１０
３・・・と、各制御電極１０３．１０３・・・に画像情
報に応じた電圧を印加する制御回路１０４とて構成され
ている。

上記イオン発生器１０１は、放電ワイヤ１０５及びこれ
を取り囲むシールド１０６がらなり、放電ワイヤ１０５
に高電圧を印加することによってコロナ放電を生起させ
、このコロナ放電によってイオンを発生させるものであ
る。そして、このコロナ放電によって発生したイオンを
、ンールドｌ０６の上部に開口されたノズル１０７から
導入される圧縮空気によって、シールＦ’　１０６の下
部に開口されたイオン流制御スリット１０２から、イオ
ンの噴流として排８する。

その際、上記イオン流制御スリット１０２には、制御電
極１０３．１０３・か図面に垂直な方向に沿って所定数
の画素密度で多数配列されており、これらの制御電極１
０３．１０３・・・に制御回路１０４によって画像情報
に応じた電圧を印加する。

そして、上記制御電極１０３とシールド１０６との間に
選択的に形成される電界によって、イオン流の通過を画
像情報に応して阻止又は許容することにより、静電潜像
受容体１００の表面に画像情報に応した静電潜像をイオ
ン流によって形成するように構成されている。

しかし、上記技術の場合には、次のような問題点を有し
ている。すなわち、上記イオン流制御記録装置は、イオ
ン流制御スｌット１０２に所定数の画素密度で多数配列
された制御電極１０３．１０３・・・に、制御回路１０
４によって画像情報に応した電圧を印加することにより
、制御電極１０３とノールト１０６との間に選択的に形
成される電界によって、イオン流の通過を画像情報に応
して阻止又は許容することにより、静電潜像の記録を行
うようになっている。

さらに説明すると、電圧か印加された制御電極１０３か
らは、第１３図に示すように、アースに接続されたシー
ルド１０６に向かう電界に沿って電気力線か発生し、イ
オン流の通過を阻止するとともに、電圧が印加されない
制御電極１０３とシールド１０６との間には電界か形成
されないため、イオン流の通過を許容することによって
、静電潜像の形成を行うように構成されている。

ところで、上記の如く電圧か印加された制御電極１０３
からは、シールド１０６へ向かう電気力線が発生するば
かりでなく、隣接する電圧か印加されない制御電極１０
３すなわち潜像の記録を行う制御電極１０３に向かう電
気力線も発生するため、第１３図に示すように、イオン
流を取り比すべき制御電極１０３上におけるイオン流の
通過領域が狭くなり、イオン流を十分取り出すことがで
きない。そのため、静電潜像受容体１００上の静電潜像
において、連続ビット記録の場合に対し、１ビツト記録
の場合の帯電電荷密度が低くなり、十分に現像されない
という問題点があった。

そこで、上記の問題点を解決するために、特開昭６２−
２９２４４９号公報に示すようなものか既に提案されて
いる。これは、第１４図に示すように、イオン流の通過
を阻止又は許容するための電界を形成する電極アレイ１
１０を、主電極１１１．１１１・・・とガート電極１１
２．１１２・・・とを交互に配列して構成し、主電極Ｉ
ＩＩ、Ｉｌｌ・・・に画像情報に応じて所定の電圧を印
加するゲート回路１１３．１１３・・・を接続するとと
もに、主電極１１１．１１１・・・がイオン流を取り出
す電位に切り換えられたときに、その両側に隣接するガ
ード電極１１２．１１２・・・にもほぼ同様の電圧を印
加するためのゲート回路１１４．１１４・・・を、各ガ
ード電極１１２．１１２・・・に接続するように構成さ
れている。

そして、電圧か印加された主電極１１１からは、第１５
図に示すように、シールド１０６へ向かう電気力線ばか
りでなく、隣接する電圧が印加されない主電極１１１す
なわち潜像の記録を行う主電極１１１側にも向かう電気
力線か発生するか、主電極１１１の隣には、潜像の記録
を行う主電極１１１と同しくアースに接続されたカート
電極１１２が存在する。

そのため、電圧が印加された主電極１１１からは、隣の
ガード電極１１２へ向けて電気力線か発生するので、潜
像の記録を行う主電極１１１側には電気力線か発生せず
、潜像の記録を行う主電極１１１の上部に′は、イオン
流の通過を阻止する電界によって形成される電気力線が
存在せず、イオン流の通過領域の断面積を大きくするこ
とができ、十分なイオン流の取り出しか可能となる。

〔発明が解決しようとする課題〕

しかし、上記従来技術の場合には、次のような問題点を
有している。すなわち、上記提案の装置の場合には、第
１４図に示すように、駆動回路として、所定の画素密度
に応じて配列される主電極１１１．１１１・・・に画像
情報に応じて電圧を印加するゲート回路１１３．１１３
・・・ばかりでなく、主電極１１１、Ｉｌｌ・・・と交
互に配列されるガード電極１１２．１１２・・・にも電
圧を印加するゲート回路１１４．１１４・・・か必要と
なる。

ところで、上記提案の装置では、所定の記録密度に対応
して配列される主電極１１１，１１１・・・間に、ガー
ド電極１１２．１１２・・・を配列する必要があり、こ
れらの主電極１１１，１１１・・・及びガード電極１１
２．１１２・・・に、ゲート回路１１３．１１３・・・
及びゲート回路１１４．１１４・・・をそれぞれ接続す
る必要がある。そのため、ゲート回路１１３．１１３・
・・及びゲート回路１１４．１１４・・・は、主電極１
１１．１１１・・・の記録密度の２倍の密度で非常に高
密度に配列しなければならない。

いま、主電極１１１、ｌ　ｌ　１−・・を３００ＳＰＩ
の記録密度で配列するとした場合、ゲート回路ｌ】３．
１１３・・・及び１１４．１１４・・・は、２倍の６０
０３ＰＩの記録密度で形成する必要があり、Ａ４サイズ
の記録を行うには５１２０個のゲート回路１１３．１１
３・・・及び１１４．１１４・・・が必要となる。よっ
て、イオン流制御スリット１０２の一側面に形成される
主電極１１１．１１１・・・及びガード電極１１２．１
１２・・・に接続されるゲート回路１１３．１１３・・
・及び１１４．１１４・・・の製造が困難となり、製品
の歩留り及び信頼性が低下するばかりかコスト高になる
という問題点があった。

〔課題を解決するための手段〕

そこで、この発明は、上記従来技術の問題点を解決する
ためになされたもので、その目的とするところは、電極
アレイを主電極とガード電極とを交互に配列して構成し
たイオン流制御記録装置において、十分なイオン量を取
り出せることは勿論のこと、主電極及びガード電極を駆
動するための駆動回路の構成を簡略化することができ、
製造が容易で低コストにて供給可能なイオン流制御記録
装置を提供することにある。

すなわち、この発明は、静電潜像受容体の近傍に配設さ
れるイオン発生器と、前記イオン発生器に隣接して設け
られるイオン流制御スリットの一側に多数の電極を配列
して形成される電極アレイと、前記電極アレイに画像情
報に応じて電圧を印加する制御回路とを具備し、イオン
流制御スリットから流出するイオン流を電極アレイを用
いて制御し、静電潜像受容体上に前記イオン流によって
静電潜像を形成するイオン流制御記録装置において、前
記電極アレイは、絶縁性の支持体上に主電極とガード電
極とを交互に配列してなり、前記主電極は、制御回路に
より印加電圧が制御されるとともに、前記ガード電極ど
うしは、互いに接続された状態で抵抗を介して又は直接
アースに接続されるように構成されている。

上記イオン発生器としては、例えば放電ワイヤとこれを
取り囲むシールドとからなるものが用いられる。

また、上記電極アレイとしては、例えばイオン流制御ス
リットの一側面に配置される絶縁性基板の表面に、主電
極とが一ト電極とを交互に配列して形成される。

さらに、上記抵抗としては、例えばガード電極とうしを
互いに接続する抵抗部材が用いられるが、これに限定さ
れる訳ではな（、ガード電極どうしを互いに導電性部材
によって接続した場合には、この導電性部材とアースと
の間に介在される抵抗が用いられる。

〔作用〕

この発明においては、電極アレイは、絶縁性の支持体上
に主電極とガード電極とを交互に配列してなり、主電極
は、制御回路により印加電圧が制御されるとともに、ガ
ード電極どうしは、互いに接続された状態で抵抗を介し
て又は直接アースに接続されるように構成されているの
で、イオン流の通過を阻止するため電圧が印加される主
電極の隣に、ガード電極を介してイオン流の通過を許容
するため電圧が印加されない主電極が存在すると、電圧
が印加された主電極からの電界によって隣接するガード
電極に電流が流れ、ガード電極は、０■かあるいはＯｖ
の電位よりは高いが電圧が印加された主電極の電位より
は低い電位となる。そのため、電圧が印加された主電極
からは、隣接するガード電極に向けて形成される電界に
伴って電気力線が発生するのみで、電圧が印加された主
電極から、隣接するガード電極を介して隣合う電圧か印
加されない主電極へは、イオン流の通過を阻止する電界
が形成されないので、電圧が印加されず、静電潜像の記
録を行う主電極上には、イオン流が通過する大きな空間
領域が確保される。

〔実施例〕

以下にこの発明を図示の実施例に基づいて説明する。

第４図はこの発明に係るイオン流制御記録装置の一実施
例を示すものである。

図において、１はイオン流制御記録装置としての記録ヘ
ッドを示すものであり、この記録ヘッド１は、静電潜像
受容体２の近傍に配設されるイオン発生器３と、このイ
オン発生器３に隣接して設けられるイオン流制御スリッ
ト４の一側に多数の電極を配列した電極アレイ５と、電
極アレイ５に画像情報に応して電圧を印加する制御回路
６とて構成されている。

上記イオン発生器３は、放電ワイヤ７及びこれを取り囲
むシールド８とからなり、上記シールド８は、左右に分
割可能な一対のシールド部材９．９を相互に離間配置し
、その両端を図示しない側板で固定してなるものであり
、上記シールド８の上部開口１０は、ノズル１１から圧
縮空気か導入される空気導入用スリットとして形成され
るとともに、上記シールド８の下部開口１２は、発生イ
オンが排出されるイオン排出スリットとして形成される
。なお、上記放電ワイヤ７には、静電潜像受容体２の導
電体に印加される電圧と逆極性の高電圧が、高圧電源１
３によって印加されるようになっているとともに、シー
ルド８は、アースに接続されている。

また、上記シールド８の下部には、絶縁性のスペーサ１
４を介してガラス等からなる絶縁性基板１５が離間配設
されており、上記シールド８の下部、スペーサ１４及び
絶縁性基板１５で画成される部位が前記イオン排出スリ
ット１２に連通ずるイオン流制御スリット４として静電
潜像受容体２に向かって形成されている。

そしてまた、上記電極アレイ５は、第１図及び第２図（
ａ）に示すように、絶縁性基板１５上に主電極１６．１
６・・・とガード電極１７．１７・・・とを交互に配列
して構成されており、主電極１６．１６・・・は、幅の
広い帯状に形成されているとともに、その基端部１６ａ
、１６ａ・・・は、段差部を介してやや幅が狭く形成さ
れている。また、ガード電極１７．１７・・・は、幅が
狭く直線状に形成されている。これらの主電極１６．１
６・・・及びガード電極１７．１７・・・は、所定の解
像度に応じたピ・ソチで絶縁性基板１５上に蒸着等の手
段によって形成され、絶縁性基板１５をシールド８側へ
組付ける際にイオン流制御スリット４の一側面に配置さ
れるようになっている。

ところで、この実施例では、主電極は、制御回路により
印加電圧が制御されるとともに、前記ガード電極どうし
は、互いに接続された状態で抵抗を介してアースに接続
されるように構成されている。

すなわち、上記主電極１６．１６・・・は、第１６図に
示すように、スイッチング素子１８．１８・・・を介し
て所定の電圧を印加する電源１９．１９・・・又はアー
スに、画像情報に応じて選択的に接続されるようになっ
ている。

また、上記ガード電極１７．１７・・・は、第１図及び
第２図（ａ）に示すように、その基端部１７ａ、１７ａ
・・・が抵抗体層２０によって被覆されているとともに
、これらの抵抗体層２０・・・は、導電層２１を介して
互いに接続されており、この導電層２１の一端は、アー
スに接続されている。上記抵抗体層２０は、絶縁性基板
１５の表面にガード電極１７．１７・・・の基端部１７
ａ、１７ａ・・・のみを覆うように、しかもガード電極
１７．１７・・・の先端から所定の距離だけ基端側に所
定の幅Ｗにわたって形成されている。この抵抗体層２０
は、例えばチッ化シリコン等の抵抗体によって数１０人
〜１μｍ程度の厚さＴに絶縁性基板１５上に、カート電
極１７．１７・・・の基端部１７ａ、１７ａ・・・を覆
うように形成されている。

なお、上記抵抗体層２０は、ガート電極１７．１７・・
・のみを互いに接続するものであり、主電極１６．１６
−・・の基端部１６ａ、１６ａ−・・は、第１図に示す
ように、絶縁層２２によって被覆されており、ガート電
極１７．１７・・・と接続されないようになっている。

上記抵抗体層２０の厚さ及び幅は、設定すべき抵抗値と
抵抗体の固有抵抗率によって決定され、抵抗体層２０の
抵抗値は、主電極１６．１６・・・に接続される駆動回
路の能力によっても異なるが、数１０ＭΩ以下に設定さ
れる。

さらに、上記抵抗体層２０及び絶縁層２２は、ラージエ
リアのフォトリソグラフィー技術等を用いることによっ
て簡単に形成することができる。

すなわち、主電極１６．１６・・・及びガード電極１７
．１７・・・が形成された絶縁性基板１５上に、所定の
マスキング等を施して、例えば絶縁層２１を形成する位
置にのみ、絶縁性部材を塗布又は蒸着することによって
絶縁層２２を形成し、その後、所定のマスキング等を施
して、抵抗体層２０を形成する位置にのみ抵抗体を塗布
又は蒸着させることによって形成することができる。

以上の構成において、この実施例に係るイオン流制御記
録装置の場合には、次のようにしてイオン流によって静
電潜像の記録が行われる。すなわち、イオン流によって
静電潜像の記録を行うには、第４図に示すように、イオ
ン発生器３の放電ワイヤ７に高電圧を印加することによ
ってコロナ放電を生起させ、このコロナ放電によってイ
オンを発生させる。そして、このコロナ放電によって発
生したイオンを、シールド８の上部に開口されたノズル
１１から導入される圧縮空気によって、シールド８の下
部に開口されたイオン流制御スリット４から、イオンの
噴流として排出する。

その際、上記イオン流制御スリット４の一側面には、第
１６図に示すように、主電極１６．１６・・・とガード
電極１７．１７・・・とからなる電極アレイ５か配列さ
れており、この電極アレイ５の主電極１６．１６・・・
に制御回路６によって画像情報に応じた電圧が印加され
る。そして、上記主電極１６．１６・・・とシールド８
との間に選択的に形成される電界によって、イオン流の
通過を画像情報に応じて阻止又は許容することにより、
静電潜像受容体２の表面に画像情報に応じた静電潜像が
イオン流によって形成される。

さらに、詳述すると、静電潜像の記録を行わない主電極
１６．１６・・・には、第１６図に示すように、所定の
電圧が電源１９によって印加されるとともに、静電潜像
の記録を行う主電極１６．１６・・・は、アースに接続
される。そのため、電圧が印加された主電極１６からは
、シールド８に向かう電界が発生し、この電界によって
シールド８に向かう電気力線が生じる。なお、この第１
６図の例では、１つの主電極１６のみによって静電潜像
の記録を行う場合を示している。

また、上記ガード電極１７．１７・・・は、上記のもの
以外でも、第２図（ｂ）に示すように、その基端部１７
ａ、１７ａ・・・の一部に抵抗体層２０を形成し、この
抵抗体層２０の基端部は、導電層２１を介して互いにア
ースに接続されている。この第２図（ｂ）に示す実施例
の等価回路は、第３図に示すようになる。なお、第２図
（ｂ）の場合でも、主電極１６．１６・・・の基端部は
、図示しない絶縁層２２を介してガード電極１７．１７
・・・の基端部１７ａ、１７ａ・・・から絶縁されてい
るのは勿論である。

ところで、主電極１６の間に設けられたガード電極１７
は、第１図に示すように、抵抗体層２０及び導電層２１
を介してアースに接続されているため、このガード電極
１７には、第５図に示すように、電圧が印加された主電
極１６からの電界によって微小ではあるが電流か流れる
。そのため、抵抗体層２０を介してアースに接続された
ガード電極１７は、第６図（ａ）に示すように、アース
に接続された主電極１６の電位すなわちアース電位より
は高いが、電圧が印加された主電極１６の電位よりも低
くアース電位に近い所定の電位となる。

したがって、電圧が印加された主電極１６からは、第５
図に示すように、隣のアース電位に近い所定の電位とな
ったガード電極１７に向けて電気力線が発生し、このガ
ード電極１７を介して隣接する静電潜像の記録を行う主
電極１６側には電気力線が発生しない。そのため、静電
潜像の記録を行う主電極１６の上部には、イオン流の通
過を阻止するような電界は発生せず電気力線が形成され
ないので、イオン流の通過領域の断面積を大きくするこ
とができ、第６図（ｂ）に実線で示すように、破線で示
す従来の場合に比べて十分なイオン流の取り出しが可能
となる。

このように、静電潜像の記録を行う主電極１６の上部に
は、イオン流の通過を阻止する電気力線が発生せず、イ
オン流領域の断面積を大きくとることができ、十分なイ
オン流の取り出しが可能となる。静電の潜像電位か記録
パターンによって大きく変化することがなく、均一に現
像できる。

しかも、主電極１６．１６・・・と交互に配列されるカ
ート電極■７．１７・・・には、駆動回路を独自に接続
して所定の電圧を印加する必要かないので、主電極１６
．１６・・・と交互にガード電極１７　１７・・・を配
列した場合でも、駆動回路は、主電極１６．１６・・・
のみを駆動するもので済み、制御回路６の配列を高密度
にする必要かないので、製造が容易となり低コストにて
製造か可能となる。

第７図はこの発明に係るイオン流制御記録装置の他の実
施例を示すものであり、前記実施例と同一の部分には同
一の符号を付して説明すると、この実施例では、ガード
電極どうしか、互いに抵抗体層を介して接続されている
のではなく、導電体層を介して直接アースに接続されて
いる。

すなわち、上記ガード電極１７．１７・・・は、第７図
に示すように、その基端部１７ａ、１７ａ・・・が導電
層２１を介して互いに接続されており、この導電層２１
の一端は、アースに接続されている。

こうした場合には、静電潜像の記録を行わない、すなわ
ち電源１９によって所定の電圧が印加される主電極１６
．１６・・・の隣に位置するガード電極１７．１７・・
・は、常に導電層２１を介してアースに接続されている
。そのため、電圧が印加された主電極１６からは、隣の
アース電位に保持されたガード電極１７に向けて電気力
線が発生し、このガード電極１７を介して隣接する静電
潜像の記録を行う主電極１６側には電気力線が発生せず
、イオン流の通過領域の断面積を大きくすることができ
、十分なイオン流の取り出しか可能となる。

その他の構成及び作用は前記実施例と同一であるので、
その説明を省略する。

第８図はこの発明に係るイオン流制御記録装置の他の実
施例を示すものであり、前記実施例と同一の部分には同
一の符号を付して説明すると、この実施例では、ガード
電極どうしが、互いに抵抗体層を介して接続されている
のではなく、導電体層を介して互いに接続され、この導
電体層が抵抗を介してアースに接続されている。

すなわち、上記ガード電極１７．１７・・・は、第８図
に示すように、その基端部１７ａ、１７ａ・・・が導電
層２Ｉを介して互いに接続されており、この導電層２Ｉ
の一端は、抵抗２３を介してアースに接続されている。

こうした場合には、静電潜像の記録を行わない、すなわ
ち電源１９によって所定の電圧が印加される主電極１６
．１６・・・の隣に位置するガード電極１７．１７・・
・は、導電層２■及び抵抗２３を介してアースに接続さ
れている。そのため、電圧が印加された主電極１６から
は、隣の導電層２１及び抵抗２３を介してアースに接続
されたガード電極１７に向けて電気力線か発生し、この
ガード電極１７は、アース電位よりは高いが、電圧か印
加された主電極１６よりは大幅に低い電位に保持される
。従って、電圧が印加された主電極■６からは、このガ
ード電極１７を介して隣接する静電潜像の記録を行う主
電極１６側には電気力線か発生せず、イオン流の通過領
域の断面積を大きくすることができ、十分なイオン流の
取り出しか可能となる。

その他の構成及び作用は前記実施例と同一であるので、
その説明を省略する。

第９図はこの発明に係るイオン流制御記録装置のまた更
に他の実施例を示すものであり、前記実施例と同一の部
分には同一の符号を付して説明すると、この実施例では
、主電極１６、■６・・・が幅が狭く直線状に形成され
ているとともに、カート電極１７．１７・・・が幅の広
い帯状に形成されている。そして、上記主電極１６．１
６・・・は、第１０図に示すように、スイッチング素子
１８．１８・・・を介して所定の電圧を印加する電源１
９．１９・・・又はアースに、画像情報に応して選択的
に接続されるようになっている。

こうした場合には、静電潜像受容体２の表面を予め一様
に帯電した後に、記録ヘッドｌによってイオン流を照射
することにより、静電潜像を記録する場合に有効である
。すなわち、幅が狭く形成された主電極１６．１６・・
・を用いて静電潜像の記録を行う場合には、第１１図に
示すように、静電潜像受容体２上に照射されるイオン流
を細く絞ることができ、鮮明な静電潜像の形成か可能と
なる。

その他の構成及び作用については前記実施例と同様であ
るので、その説明を省略する。

〔発明の効果１ この発明は以上の構成及び作用よりなるもので、電極ア
レイを主電極とカート電極とを交互に配列して構成した
イオン流制御記録装置において、十分なイオン量を取り
出せることは勿論のこと、主電極及びガード電極を駆動
するための駆動回路の構成を簡略化することができ、製
造か容易で低コストにて供給可能なイオン流制御記録装
置を提供することかできる。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明に係るイオン流制御記録装置の一実施
例を示す要部の断面図、第２図（ａ）、（ｂ）は同要部
をそれぞれ示す平面図、第３図は電極アレイの駆動回路
を示す構成図、第４図はイオン流制御記録装置の一実施
例を示す構成図、第５図は電極アレイの動作を示す説明
図、第６図（ａ）は第５図の電位の状態を示すグラフ、
第６図（ｂ）はイオンの流量を示すグラフ、第７図は他
の実施例に係る電極アレイを示す断面図、第８図はさら
に他の実施例に係る電極アレイを示す断面図、第９図は
また更に他の実施例に係る電極アレイを示す断面図、第
１０図は第９図の実施例の駆動回路を示す構成図、第１
１図は電極アレイの動作を示す説明図、第１２図は従来
のイオン流制御記録装置の一実施例を示す断面図、第１
３図は第１２図の装置の動作を示す説明図、第１４図は
従来の他の提案に係るイオン流制御記録装置の一実施例
を示す平面図、第１５図は第１４図の装置の動作を示す
説明図、第１６図は電極アレイの駆動回路を示す構成図
である。 〔符号の説明〕 １・・・記録ヘット ２・・・静電潜像受容体 ３・・・イオン発生器 ４・・・イオン流制御スリット ５・・・電極アレイ ６・・・制御回路 １６・・・主電極 １７・・・ガード電極 ２０・・・抵抗体層 第 図 ↑ 第 図 電極の位！ 電極の位置 第 図 第 図 第 図 第１０図 第１１図 ↓ □ 初 ア → タフ 第１２ 図 第１３図 →π 勅 ７← →〒 τ← 第１４図 第１５図 ÷ 〃チグ

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 静電潜像受容体の近傍に配設されるイオン発生器と、前
   記イオン発生器に隣接して設けられるイオン流制御スリ
   ットの一側に多数の電極を配列して形成される電極アレ
   イと、前記電極アレイに画像情報に応じて電圧を印加す
   る制御回路とを具備し、イオン流制御スリットから流出
   するイオン流を電極アレイを用いて制御し、静電潜像受
   容体上に前記イオン流によって静電潜像を形成するイオ
   ン流制御記録装置において、前記電極アレイは、絶縁性
   の支持体上に主電極とガード電極とを交互に配列してな
   り、前記主電極は、制御回路により印加電圧が制御され
   るとともに、前記ガード電極どうしは、互いに接続され
   た状態で抵抗を介して又は直接アースに接続されること
   を特徴とするイオン流制御記録装置。