JPH0480454B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0480454B2 JPH0480454B2 JP60270534A JP27053485A JPH0480454B2 JP H0480454 B2 JPH0480454 B2 JP H0480454B2 JP 60270534 A JP60270534 A JP 60270534A JP 27053485 A JP27053485 A JP 27053485A JP H0480454 B2 JPH0480454 B2 JP H0480454B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thickness
- reflectance
- spacer layer
- substrate
- recording layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Description
産業上の利用分野
本発明はレーザ光によつて情報を記録再生する
ことのできる光情報記録媒体に関する。より詳細
には、本発明は高感度で情報の再生およびサーボ
制御が可能な光情報記録媒体に関する。
従来の技術
レーザ光によつて情報を媒体に記録し、かつ再
生する追記型光デイスクメモリは、記録密度が高
いことから大容量記録装置として優れた特徴を有
している。このような追記型光デイスクメモリの
記録媒体としては、Te、Bi等の半金属薄膜及び
有機薄膜が使用されている。有機薄膜は、半金属
薄膜より優れた熱特性、即ち低い熱伝導率と小さ
な熱容量を持つているので吸収エネルギー密度当
りの膜の温度上昇は大きく、高い記録感度が期待
できる。
しかしながら、有機薄膜は、半導体レーザの波
長域(〜800nm)で半金属薄膜ほどには大きな
反射率を示さないので、半導体レーザを再生用光
源とする場合、再生信号及びサーボ信号の質に問
題がある。
これを改善する方法として、有機薄膜と基板の
間にA1等の反射膜を設ける媒体構成が知られて
いる。この構成を採用し、有機薄膜の膜厚を調整
することにより、記録前後の反射率の変化、即ち
変調量を半金属薄膜の場合と同程度に大きくする
ことができる。しかし、このような構成の光情報
記録媒体では、記録再生光の入射方向が媒体の表
面側に限られるという制約がある。
従つて、本発明の目的は再生信号及びサーボ信
号の大きな基板入射の光情報記録媒体を提供する
ことにある。
問題点を解決するための手段
本発明は、レーザ光の照射によつて情報を記録
しかつ読み取る光情報記録媒体で、該レーザ光に
対して透明な基板上に、該レーザ光に対して実質
的に透明でかつ該レーザ光の波長での屈折率が該
基板の屈折率より大きい第1のスペーサ層と、該
レーザ光に対して実施的に透明でかつ該レーザ光
の波長での屈折率が該第1のスペーサ層より小さ
い第2のスペーサ層と、該レーザ光を吸収する記
録層の少なくとも3層が積層されている光情報記
録媒体において、
前記第1のスペーサ層は前記記録層と前記第2
のスペーサ層が形成されていない状態での基板入
射反射率が極大となる厚さか或いはそれよりも薄
くし、前記第2のスペーサ層は前記第1のスペー
サ層が形成されていて前記記録層が形成されてい
ない状態での基板入射反射率が極小となる厚さよ
りも薄くしたことを特徴とする。
作 用
透明な基板上に記録層が形成されている媒体の
基板入射の反射率は、記録層と基板の光学定数
(複素屈折率)および記録層の厚さに依存する。
透明な基板としては、通常、各種合成樹脂又はガ
ラスが使用される。これらの屈折率は可視光から
近赤外光域でほぼ1.5であり、この範囲の波長に
はほとんど依存しない。したがつて媒体の反射率
は、記録層の光学定数と厚さで決定される。
記録層として有染色素膜あるいは色素を分散さ
せた樹脂膜を用いる場合、これらの膜の複素屈折
率(n−ik)は半導体レーザ波長域(〜800nm)
で高々2.6−i0.8である。例えば、記録層の複素屈
折率が2.1−i0.6であり、基板の屈折率が1.5の場
合、波長830nmの基板入射の光に対する媒体反
射率は第36図に示すように記録層の厚さに依存
する。従つて、最大反射率は記録層の厚さが約
100nmのときに得られ、その値は約15%と小さ
いことがわかり、再生信号及びサーボ信号が小さ
い。
上述したように、本発明は反射率およびその変
化量を増大せしめて再生信号およびサーボ信号の
強度を大とするものであり、第1図を参照して本
発明の光情報記録媒体の構成を説明する。第1図
に示すように本発明の光情報記録媒体は、基板1
0と記録層20の間の第1のスペーサ層30と第
2のスペーサ層40を設けて構成され、これらの
第1のスペーサ層30と第2のスペーサ層40の
材料及びその厚さが下記の条件を満すように選択
されて、媒体の反射率を高めることに成功したも
のである。
まず、基板10上に第1のスペーサ層30のみ
が形成されている第2図に示すような構成を考え
る。基板10を通して入射した光100は、基板
10と第1のスペーサ層30との界面及び第1の
スペーサ層30と空気との界面でその一部は反射
されて反射光200となる。ここで、反射光20
0の大きさ(反射率)は、第1のスペーサ層30
の屈折率と厚さに依存する。本発明で使用される
第1のスペーサ層30の材料及び厚さは、この反
射光200を大きくするように選択される。即
ち、まず、第1のスペーサ層30の屈折率は基板
10の屈折率よりも大きいことが必要である。
又、その厚さは反射光200の大きさを極大とす
る厚さか或いはそれよりも薄いことが必要であ
る。
次に、基板10上に第1のスペーサ層30を上
記のように設け、その上に第2のスペーサ層40
が形成されている第3図に示すような構成を考え
る。基板10を通して入射した光100は、基板
10と第1のスペーサ層30との界面、第1のス
ペーサ層30と第2のスペーサ層40との界面、
及び第2のスペーサ層40と空気との界面でその
一部を反射されて反射光300となる。反射光3
00の大きさ(反射率)は、第2のスペーサ層4
0の屈折率と厚さに依存する。従つて、本発明で
使用される第2のスペーサ層40の材料及び厚さ
は、この反射光300を小さくするように運ばれ
る。即ち、まず第2のスペーサ層40の屈折率は
第1のスペーサ層30の屈折率よりも小さいこと
が必要である。次いで、第2のスペーサ層40の
厚さは、反射光300の大きさを極小とする厚さ
よりも薄いことが必要である。
以上の如き条件を満足する第1のスペーサ層と
第2のスペーサ層を設け、その上に記録層を設け
ることにより反射率が大きく、再生出力の大きい
媒体が得られる。
第37図は、基板10(屈折率1.5)の上に屈
折率1.7の第1のスペーサ層30を波長830nmの
光における基板入射反射率が極大となる厚さ
120nmで形成し、その上に複素屈折率1.4の第2
のスペーサ層40を反射率が極小となる厚さ
150nmで形成し、その上に複素屈折率2.1−i0.6の
記録層20を設けたときの反射率の記録層厚さ依
存を示したものである。第36図と比較すること
により、第1のスペーサ層と第2のスペーサ層の
挿入により反射率が大きくなり改善されているこ
とがわかる。
第4図は、第37図に反射率を示した光記録媒
体と同一の材料を用いて、第1のスペーサ層30
の厚さを反射率が極大となる厚さ120nmとし、
第2のスペーサ層の厚さを反射率が極小となる厚
さ150nmよりも薄い80nmとし、その上に複素屈
折率2.1−i0.6の記録層20を設けた時の反射率の
記録層厚さ依存を示したものである。第21図と
比較すると、本発明の構成により反射率が極小と
なる記録層の厚さは0nmから16nmに移つてい
る。記録層が有機薄膜を主成分とする場合には一
般に記録部分は記録前厚さの2〜3割が残り、孔
は形成されずピツトが形成される。したがつて第
37図のような特性よりも第4図に特性を示す本
発明の光記録媒体の方が再生信号の大きなものが
得られることがわかる。
第5図は屈折率1.5の基板10の上に屈折率1.7
の第1のスペーサ層30を基板入射反射率が極大
となる厚さ120nmで形成し、その上に屈折率1.5
の第2のスペーサ層40を反射率が極小となる厚
さよりも薄い100nmで形成し、その上に複素屈
折率2.1−i0.6の記録層20を設けたときの反射率
の記録層厚さ依存性を示したものである。第36
図と比較することにより、第1のスペーサ層と第
2のスペーサ層の挿入により反射率が大きくな
り、改善されているのがわかる。又、13nm前後
の記録層厚さで反射率が極小となるので、記録層
厚さを80nmとすることにより再生信号の大きな
媒体が得られる。
第6図は屈折率1.5の基板10の上に屈折率1.9
の第1のスペーサ層30を基板入射反射率が極大
となる厚さ110nmで形成し、その上に屈折率1.4
の第2のスペーサ層40を反射率が極小となる厚
さよりも薄い70nmで形成し、その上に複素屈折
率2.1−i0.6の記録層20を設けたときの反射率の
記録層厚さ依存を示したものである。第36図と
比較することにより、第1のスペーサ層と第2の
スペーサ層の挿入により反射率が大きくなり、改
善されているのがわかる。又、22nm前後の記録
層厚さで反射率が極小となるので、記録層厚さを
80nmとすることにより再生信号の大きな媒体が
得られる。
第7図は屈折率1.5の基板10の上に屈折率1.9
の第1のスペーサ層30を基板入射反射率が極大
となる厚さ110nmで形成し、その上に屈折率1.5
の第2のスペーサ層40を反射率が極小となる厚
さよりも薄い80nmで形成し、その上に複素屈折
率2.1−i0.6の記録層20を設けたときの反射率の
記録層厚さ依存を示したものである。第36図と
比較することにより、第1のスペーサ層と第2の
スペーサ層の挿入により反射率が大きくなり、改
善されているのがわかる。又、16nm前後の記録
層厚さで反射率が極小となるので、記録層厚さを
80nmとすることにより再生信号の大きな媒体が
得られる。
第8図は屈折率1.5の基板10の上に屈折率1.9
の第1のスペーサ層30を基板入射反射率が極大
となる厚さ110nmで形成し、その上に屈折率1.6
の第2のスペーサ層40を反射率が極小となる厚
さよりも薄い90nmで形成し、その上に複素屈折
率2.1−i0.6の記録層20を設けたときの反射率の
記録層厚さ依存を示したものである。第36図と
比較することにより、第1のスペーサ層と第2の
スペーサ層の挿入により反射率が大きくなり、改
善されているのがわかる。又、15nm前後の記録
層厚さて反射率が極小となるので、記録層厚さを
80nmとすることにより再生信号の大きな媒体が
得られる。
第9図は屈折率1.5の基板10の上に屈折率1.9
の第1のスペーサ層30を基板入射反射率が極大
となる厚さ110nmで形成し、その上に屈折率1.7
の第2のスペーサ層40を反射率が極小となる厚
さよりも薄い100nmで形成し、その上に複素屈
折率2.1−i0.6の記録層20を設けたときの反射率
の記録層厚さ依存を示したものである。第36図
と比較することにより、第1のスペーサ層と第2
のスペーサ層の挿入により反射率が大きくなり、
改善されているのがわかる。又、11nm前後の記
録層厚さで反射率が極小となるので、記録層厚さ
を80nmとすることにより再生信号の大きな媒体
が得られる。
第10図は屈折率1.5の基板10の上に屈折率
2.0の第1のスペーサ層30を基板入射反射率が
極大となる厚さ105nmで形成し、その上に屈折
率1.4の第2のスペーサ層40を反射率が極小と
なる厚さよりも薄い70nmで形成し、その上に複
素屈折率2.1−i0.6の記録層20を設けたときの反
射率の記録層厚さ依存を示したものである。第3
6図と比較することにより、第1のスペーサ層と
第2のスペーサ層の挿入により反射率が大きくな
り、改善されているのがわかる。又、22nm前後
の記録層厚さで反射率が極小となるので、記録層
厚さを80nmとすることにより再生信号の大きな
媒体が得られる。
第11図は屈折率1.5の基板10の上に屈折率
2.0の第1のスペーサ層30を基板入射反射率が
極大となる厚さ105nmで形成し、その上に屈折
率1.5の第2のスペーサ層40を反射率が極小と
なる厚さよりも薄い70nmで形成し、その上に複
素屈折率2.1−i0.6の記録層20を設けたときの反
射率の記録層厚さ依存を示したものである。第3
6図と比較することにより、第1のスペーサ層と
第2のスペーサ層の挿入により反射率が大きくな
り、改善されているのがわかる。又、21nm前後
の記録層厚さで反射率が極小となるので、記録層
厚さを80nmとすることにより再生信号の大きな
媒体が得られる。
第12図は屈折率1.5の基板10の上に屈折率
2.0の第1のスペーサ層30を基板入射反射率が
極大となる厚さ105nmで形成し、その上に屈折
率1.6の第2のスペーサ層40を反射率が極小と
なる厚さよりも薄い80nmで形成し、その上に複
素屈折率2.1−i0.6の記録層20を設けたときの反
射率の記録層厚さ依存を示したものである。第3
6図と比較することにより、第1のスペーサ層と
第2のスペーサ層の挿入により反射率が大きくな
り、改善されているのがわかる。又、17nm前後
の記録層厚さで反射率が極小となるので、記録層
厚さを80nmとすることにより再生信号の大きな
媒体が得られる。
第13図は屈折率1.5の基板10の上に屈折率
2.0の第1のスペーサ層30を基板入射反射率が
極大となる厚さ105nmで形成し、その上に屈折
率1.7の第2のスペーサ層40を反射率が極小と
なる厚さよりも薄い80nmで形成し、その上に複
素屈折率2.1−i0.6の記録層20を設けたときの反
射率の記録層厚さ依存を示したものである。第3
6図と比較することにより、第1のスペーサ層と
第2のスペーサ層の挿入により反射率が大きくな
り、改善されているのがわかる。又、18nm前後
の記録層厚さで反射率が極小となるので、記録層
厚さを80nmとすることにより再生信号の大きな
媒体が得られる。
第14図は屈折率1.5の基板10の上に屈折率
2.2の第1のスペーサ層30を基板入射反射率が
極大となる厚さ95nmで形成し、その上に屈折率
1.4の第2のスペーサ層40を反射率が極小とな
る厚さよりも薄い60nmで形成し、その上に複素
屈折率2.1−i0.6の記録層20を設けたときの反射
率の記録層厚さ依存を示したものである。第36
図と比較することにより、第1のスペーサ層と第
2のスペーサ層の挿入により反射率が大きくな
り、改善されているのがわかる。又、28nm前後
の記録層厚さで反射率が極小となるので、記録層
厚さを80nmとすることにより再生信号の大きな
媒体が得られる。
第15図は屈折率1.5の基板10の上に屈折率
2.2の第1のスペーサ層30を基板入射反射率が
極大となる厚さ95nmで形成し、その上に屈折率
1.5の第2のスペーサ層40を反射率が極小とな
る厚さよりも薄い60nmで形成し、その上に複素
屈折率2.1−i0.6の記録層20を設けた時の反射率
の記録層厚さ依存を示したものである。第36図
と比較することにより、第1のスペーサ層と第2
のスペーサ層の挿入により反射率が大きくなり、
改善されているのがわかる。又、27nm前後の記
録層厚さで反射率が極小となるので、記録層厚さ
を80nmとすることにより再生信号の大きな媒体
が得られる。
第16図は屈折率1.5の基板10の上に屈折率
2.2の第1のスペーサ層30を基板入射反射率が
極大となる厚さ95nmで形成し、その上に屈折率
1.6の第2のスペーサ層40を反射率が極小とな
る厚さよりも薄い70nmで形成し、その上に複素
屈折率2.1−i0.6の記録層20を設けたときの反射
率の記録層厚さ依存を示したものである。第36
図と比較することにより、第1のスペーサ層と第
2のスペーサ層の挿入により反射率が大きくな
り、改善されているのがわかる。又、21nm前後
の記録層厚さで反射率が極小となるので、記録層
厚さを80nmとすることにより再生信号の大きな
媒体が得られる。
第17図は屈折率1.5の基板10の上に屈折率
2.2の第1のスペーサ層30を基板入射反射率が
極大となる厚さ95nmで形成し、その上に屈折率
1.7の第2のスペーサ層40を反射率が極小とな
る厚さよりも薄い80nmで形成し、その上に複素
屈折率2.1−i0.6の記録層20を設けたときの反射
率の記録層厚さ依存を示したものである。第36
図と比較することにより第1のスペーサ層と第2
のスペーサ層の挿入により反射率が大きくなり、
改善されているのがわかる。又、17nm前後の記
録層厚さで反射率が極小となるので、記録層厚さ
を80nmとすることにより再生信号の大きな媒体
が得られる。
第18図は屈折率1.5の基板10の上に屈折率
2.2の第1のスペーサ層10を基板入射反射率が
極大となる厚さ95nmで形成し、その上に屈折率
1.9の第2のスペーサ層40を反射率が極小とな
る厚さよりも薄い90nmで形成し、その上に複素
屈折率2.1−i0.6の記録層20を設けたときの反射
率の記録層厚さ依存を示したものである。第36
図と比較することにより、第1のスペーサ層と第
2のスペーサ層の挿入により反射率が大きくな
り、改善されているのがわかる。又、12nm前後
の記録層厚さで反射率が極小となるので、記録層
厚さを80nmとすることにより再生信号の大きな
媒体が得られる。
第19図は屈折率1.5の基板10の上に屈折率
2.2の第1のスペーサ層30を基板入射反射率が
極大となる厚さ95nmで形成し、その上に屈折率
2.0の第2のスペーサ層40を反射率が極小とな
る厚さよりも薄い90nmで形成し、その上に複素
屈折率2.1−i0.6の記録層20を設けたときの反射
率の記録層厚さ依存を示したものである。第36
図と比較することにより、第1のスペーサ層と第
2のスペーサ層の挿入により反射率が大きくな
り、改善されているのがわかる。又、13nm前後
の記録層厚さで反射率が極小となるので、記録層
厚さを80nmとすることにより再生信号の大きな
媒体が得られる。
以上の結果を第1表に整理して示す。なお、第
1表においてtnioは反射率が極小となる記録層の
厚さであり、Tnioは第3図に示す構造において反
射率が極小となる第2のスペーサ層の厚さを示し
ている。
INDUSTRIAL APPLICATION FIELD The present invention relates to an optical information recording medium on which information can be recorded and reproduced using laser light. More specifically, the present invention relates to an optical information recording medium that is highly sensitive and capable of information reproduction and servo control. 2. Description of the Related Art A write-once optical disk memory, which records and reproduces information on a medium using a laser beam, has an excellent feature as a large-capacity recording device because of its high recording density. As a recording medium for such a write-once optical disk memory, semimetal thin films such as Te and Bi, and organic thin films are used. Organic thin films have thermal properties superior to semimetallic thin films, that is, low thermal conductivity and small heat capacity, so that the temperature rise of the film per absorbed energy density is large, and high recording sensitivity can be expected. However, organic thin films do not exhibit as large a reflectance as semimetallic thin films in the wavelength range of semiconductor lasers (~800 nm), so when using semiconductor lasers as light sources for reproduction, there are problems with the quality of reproduction signals and servo signals. be. As a method for improving this, a medium configuration in which a reflective film such as A1 is provided between the organic thin film and the substrate is known. By adopting this configuration and adjusting the thickness of the organic thin film, the change in reflectance before and after recording, that is, the amount of modulation, can be made as large as in the case of a semimetallic thin film. However, in an optical information recording medium having such a configuration, there is a restriction that the incident direction of the recording/reproducing light is limited to the surface side of the medium. SUMMARY OF THE INVENTION Accordingly, an object of the present invention is to provide an optical information recording medium in which large reproduction signals and servo signals are incident on a substrate. Means for Solving the Problems The present invention is an optical information recording medium in which information is recorded and read by irradiation with a laser beam. a first spacer layer that is substantially transparent and has a refractive index at the wavelength of the laser beam that is greater than the refractive index of the substrate; and a first spacer layer that is substantially transparent to the laser beam and has a refractive index at the wavelength of the laser beam. In an optical information recording medium in which at least three layers are laminated, a second spacer layer having a smaller diameter than the first spacer layer, and a recording layer that absorbs the laser beam, the first spacer layer is different from the recording layer. Said second
The thickness of the second spacer layer is such that the substrate incident reflectance is maximum in a state where no spacer layer is formed, or thinner than that, and the second spacer layer is formed with the first spacer layer and the recording layer is It is characterized in that the thickness is made thinner than the thickness at which the substrate incident reflectance in an unformed state is minimal. Effect The reflectance of light incident on the substrate of a medium in which a recording layer is formed on a transparent substrate depends on the optical constants (complex refractive index) of the recording layer and the substrate and the thickness of the recording layer.
Various synthetic resins or glass are usually used as the transparent substrate. Their refractive index is approximately 1.5 in the visible to near-infrared light range, and is almost independent of wavelengths in this range. Therefore, the reflectance of the medium is determined by the optical constants and thickness of the recording layer. When using a dyed film or a resin film in which dyes are dispersed as the recording layer, the complex refractive index (n-ik) of these films is within the semiconductor laser wavelength range (~800 nm).
It is 2.6−i0.8 at most. For example, when the complex refractive index of the recording layer is 2.1-i0.6 and the refractive index of the substrate is 1.5, the medium reflectance for light incident on the substrate with a wavelength of 830 nm is determined by the thickness of the recording layer, as shown in Figure 36. Depends on. Therefore, the maximum reflectance is determined when the recording layer thickness is approximately
It can be seen that the value obtained when the wavelength is 100 nm is as small as about 15%, and the reproduction signal and servo signal are small. As described above, the present invention increases the intensity of the reproduced signal and the servo signal by increasing the reflectance and the amount of change thereof.The structure of the optical information recording medium of the present invention will be explained with reference to FIG. explain. As shown in FIG. 1, the optical information recording medium of the present invention has a substrate 1
0 and the recording layer 20, and the materials and thicknesses of the first spacer layer 30 and the second spacer layer 40 are as follows. The material was selected to satisfy the following conditions and succeeded in increasing the reflectance of the medium. First, consider a configuration as shown in FIG. 2 in which only the first spacer layer 30 is formed on the substrate 10. A portion of the light 100 incident through the substrate 10 is reflected at the interface between the substrate 10 and the first spacer layer 30 and the interface between the first spacer layer 30 and air, and becomes reflected light 200. Here, the reflected light 20
The magnitude (reflectance) of 0 is the first spacer layer 30
depends on the refractive index and thickness. The material and thickness of the first spacer layer 30 used in the present invention are selected to increase this reflected light 200. That is, first, the refractive index of the first spacer layer 30 needs to be larger than the refractive index of the substrate 10.
Further, the thickness needs to be a thickness that maximizes the size of the reflected light 200, or thinner than that. Next, a first spacer layer 30 is provided on the substrate 10 as described above, and a second spacer layer 40 is provided thereon.
Consider a configuration as shown in FIG. 3 in which . The light 100 incident through the substrate 10 is transmitted to the interface between the substrate 10 and the first spacer layer 30, the interface between the first spacer layer 30 and the second spacer layer 40,
A portion of the light is reflected at the interface between the second spacer layer 40 and air, and becomes reflected light 300. reflected light 3
The magnitude (reflectance) of 00 is the second spacer layer 4
0 refractive index and thickness. Therefore, the material and thickness of the second spacer layer 40 used in the present invention are such as to reduce this reflected light 300. That is, first, the refractive index of the second spacer layer 40 needs to be smaller than the refractive index of the first spacer layer 30. Next, the thickness of the second spacer layer 40 needs to be thinner than the thickness that minimizes the magnitude of the reflected light 300. By providing a first spacer layer and a second spacer layer that satisfy the above conditions and providing a recording layer thereon, a medium with high reflectance and high reproduction output can be obtained. FIG. 37 shows the thickness of the first spacer layer 30 with a refractive index of 1.7 on the substrate 10 (with a refractive index of 1.5) at which the substrate incident reflectance for light with a wavelength of 830 nm is maximum.
120 nm, and on top of that a second layer with a complex refractive index of 1.4.
The thickness of the spacer layer 40 at which the reflectance is minimal
This figure shows the dependence of the reflectance on the recording layer thickness when the recording layer 20 is formed to have a thickness of 150 nm and has a complex refractive index of 2.1-i0.6. By comparing with FIG. 36, it can be seen that the reflectance is increased and improved by inserting the first spacer layer and the second spacer layer. FIG. 4 shows a first spacer layer 30 made of the same material as the optical recording medium whose reflectance is shown in FIG. 37.
The thickness is set to 120 nm at which the reflectance is maximum,
The recording layer thickness of the reflectance when the thickness of the second spacer layer is 80 nm, which is thinner than the 150 nm thickness at which the reflectance is minimum, and the recording layer 20 with a complex refractive index of 2.1-i0.6 is provided on it. This shows the dependence on Comparing with FIG. 21, the thickness of the recording layer at which the reflectance becomes minimum shifts from 0 nm to 16 nm due to the structure of the present invention. When the recording layer is mainly composed of an organic thin film, generally 20 to 30% of the thickness before recording remains in the recording portion, and no holes are formed, but pits are formed. Therefore, it can be seen that the optical recording medium of the present invention having the characteristics shown in FIG. 4 can provide a larger reproduced signal than the characteristics shown in FIG. 37. Figure 5 shows a substrate with a refractive index of 1.7 on a substrate 10 with a refractive index of 1.5.
A first spacer layer 30 with a refractive index of 1.5 is formed on the first spacer layer 30 with a thickness of 120 nm that maximizes the substrate incident reflectance.
The recording layer thickness of the reflectance when the second spacer layer 40 is formed with a thickness of 100 nm thinner than the thickness at which the reflectance becomes minimum, and the recording layer 20 with a complex refractive index of 2.1-i0.6 is provided on it. This shows the dependence. 36th
By comparing with the figure, it can be seen that the reflectance increases and is improved by inserting the first spacer layer and the second spacer layer. Further, since the reflectance becomes minimum at a recording layer thickness of around 13 nm, a medium with a large reproduced signal can be obtained by setting the recording layer thickness to 80 nm. Figure 6 shows a substrate with a refractive index of 1.9 on a substrate 10 with a refractive index of 1.5.
A first spacer layer 30 with a refractive index of 1.4 is formed on the first spacer layer 30 with a thickness of 110 nm that maximizes the substrate incident reflectance.
The recording layer thickness of the reflectance when the second spacer layer 40 is formed to have a thickness of 70 nm, which is thinner than the thickness at which the reflectance becomes minimum, and the recording layer 20 with a complex refractive index of 2.1-i0.6 is provided on it. It shows dependence. By comparing with FIG. 36, it can be seen that the reflectance is increased and improved by inserting the first spacer layer and the second spacer layer. Also, the reflectance becomes minimum at a recording layer thickness of around 22 nm, so the recording layer thickness should be adjusted accordingly.
By setting the wavelength to 80 nm, a medium with a large reproduced signal can be obtained. Figure 7 shows a substrate 10 with a refractive index of 1.9 on top of a substrate 10 with a refractive index of 1.5.
A first spacer layer 30 with a refractive index of 1.5 is formed on the first spacer layer 30 with a thickness of 110 nm that maximizes the substrate incident reflectance.
The recording layer thickness of the reflectance when the second spacer layer 40 is formed with a thickness of 80 nm thinner than the thickness at which the reflectance becomes minimum, and the recording layer 20 with a complex refractive index of 2.1-i0.6 is provided on it. It shows dependence. By comparing with FIG. 36, it can be seen that the reflectance is increased and improved by inserting the first spacer layer and the second spacer layer. Also, the reflectance becomes minimum at a recording layer thickness of around 16 nm, so the recording layer thickness should be adjusted accordingly.
By setting the wavelength to 80 nm, a medium with a large reproduced signal can be obtained. Figure 8 shows a substrate 10 with a refractive index of 1.9 on a substrate 10 with a refractive index of 1.5.
A first spacer layer 30 with a refractive index of 1.6 is formed on the first spacer layer 30 with a thickness of 110 nm that maximizes the substrate incident reflectance.
The recording layer thickness of the reflectance when the second spacer layer 40 is formed to have a thickness of 90 nm, which is thinner than the thickness at which the reflectance becomes minimum, and the recording layer 20 with a complex refractive index of 2.1-i0.6 is provided on it. It shows dependence. By comparing with FIG. 36, it can be seen that the reflectance is increased and improved by inserting the first spacer layer and the second spacer layer. Also, the reflectance becomes minimum at a recording layer thickness of around 15 nm, so the recording layer thickness should be adjusted accordingly.
By setting the wavelength to 80 nm, a medium with a large reproduced signal can be obtained. Figure 9 shows a substrate 10 with a refractive index of 1.9 on top of a substrate 10 with a refractive index of 1.5.
A first spacer layer 30 with a refractive index of 1.7 is formed on the first spacer layer 30 with a thickness of 110 nm that maximizes the substrate incident reflectance.
The recording layer thickness of the reflectance when the second spacer layer 40 is formed with a thickness of 100 nm thinner than the thickness at which the reflectance becomes minimum, and the recording layer 20 with a complex refractive index of 2.1-i0.6 is provided on it. It shows dependence. By comparing with FIG. 36, it can be seen that the first spacer layer and the second spacer layer
By inserting a spacer layer, the reflectance increases,
I can see that it has improved. Further, since the reflectance becomes minimum at a recording layer thickness of around 11 nm, a medium with a large reproduced signal can be obtained by setting the recording layer thickness to 80 nm. Figure 10 shows a substrate 10 with a refractive index of 1.5.
A first spacer layer 30 with a refractive index of 2.0 is formed to a thickness of 105 nm at which the substrate incident reflectance is at a maximum, and a second spacer layer 40 at a refractive index of 1.4 is formed thereon at a thickness of 70 nm, which is thinner than the thickness at which the reflectance is at a minimum. This figure shows the dependence of the reflectance on the thickness of the recording layer when a recording layer 20 with a complex refractive index of 2.1-i0.6 is provided thereon. Third
By comparing with FIG. 6, it can be seen that the reflectance increases and is improved by inserting the first spacer layer and the second spacer layer. Further, since the reflectance becomes minimum at a recording layer thickness of around 22 nm, a medium with a large reproduced signal can be obtained by setting the recording layer thickness to 80 nm. Figure 11 shows a substrate 10 with a refractive index of 1.5.
A first spacer layer 30 with a refractive index of 2.0 is formed to a thickness of 105 nm at which the substrate incident reflectance is at a maximum, and a second spacer layer 40 at a refractive index of 1.5 is formed thereon at a thickness of 70 nm, which is thinner than the thickness at which the reflectance is at a minimum. This figure shows the dependence of the reflectance on the thickness of the recording layer when a recording layer 20 with a complex refractive index of 2.1-i0.6 is provided thereon. Third
By comparing with FIG. 6, it can be seen that the reflectance increases and is improved by inserting the first spacer layer and the second spacer layer. Further, since the reflectance becomes minimum at a recording layer thickness of around 21 nm, a medium with a large reproduced signal can be obtained by setting the recording layer thickness to 80 nm. Figure 12 shows a substrate 10 with a refractive index of 1.5.
A first spacer layer 30 with a refractive index of 2.0 is formed to a thickness of 105 nm at which the substrate incident reflectance is at a maximum, and a second spacer layer 40 at a refractive index of 1.6 is formed thereon at a thickness of 80 nm, which is thinner than the thickness at which the reflectance is at a minimum. This figure shows the dependence of the reflectance on the thickness of the recording layer when a recording layer 20 with a complex refractive index of 2.1-i0.6 is provided thereon. Third
By comparing with FIG. 6, it can be seen that the reflectance increases and is improved by inserting the first spacer layer and the second spacer layer. Further, since the reflectance becomes minimum at a recording layer thickness of about 17 nm, a medium with a large reproduced signal can be obtained by setting the recording layer thickness to 80 nm. Figure 13 shows a substrate 10 with a refractive index of 1.5.
A first spacer layer 30 with a refractive index of 2.0 is formed at a thickness of 105 nm at which the substrate incident reflectance is at a maximum, and a second spacer layer 40 at a refractive index of 1.7 is formed thereon at a thickness of 80 nm, which is thinner than the thickness at which the reflectance is at a minimum. This figure shows the dependence of the reflectance on the thickness of the recording layer when a recording layer 20 with a complex refractive index of 2.1-i0.6 is provided thereon. Third
By comparing with FIG. 6, it can be seen that the reflectance increases and is improved by inserting the first spacer layer and the second spacer layer. Further, since the reflectance becomes minimum at a recording layer thickness of about 18 nm, a medium with a large reproduced signal can be obtained by setting the recording layer thickness to 80 nm. Figure 14 shows a substrate 10 with a refractive index of 1.5.
2.2, the first spacer layer 30 is formed to a thickness of 95 nm that maximizes the substrate incident reflectance, and a refractive index layer is formed on it.
The recording layer thickness of the reflectance when the second spacer layer 40 of 1.4 is formed to a thickness of 60 nm, which is thinner than the thickness at which the reflectance becomes minimum, and the recording layer 20 of the complex refractive index of 2.1-i0.6 is provided on it. This shows the dependence on 36th
By comparing with the figure, it can be seen that the reflectance increases and is improved by inserting the first spacer layer and the second spacer layer. Further, since the reflectance becomes minimum at a recording layer thickness of about 28 nm, a medium with a large reproduced signal can be obtained by setting the recording layer thickness to 80 nm. Figure 15 shows a substrate 10 with a refractive index of 1.5.
2.2, the first spacer layer 30 is formed to a thickness of 95 nm that maximizes the substrate incident reflectance, and a refractive index layer is formed on it.
The recording layer thickness of the reflectance when the second spacer layer 40 of 1.5 is formed to a thickness of 60 nm, which is thinner than the thickness at which the reflectance becomes minimum, and the recording layer 20 of the complex refractive index of 2.1-i0.6 is provided on it. This shows the dependence on By comparing with FIG. 36, it can be seen that the first spacer layer and the second spacer layer
By inserting a spacer layer, the reflectance increases,
I can see that it has improved. Further, since the reflectance becomes minimum at a recording layer thickness of around 27 nm, a medium with a large reproduced signal can be obtained by setting the recording layer thickness to 80 nm. Figure 16 shows a substrate 10 with a refractive index of 1.5.
2.2, the first spacer layer 30 is formed to a thickness of 95 nm that maximizes the substrate incident reflectance, and a refractive index layer is formed on it.
The recording layer thickness of the reflectance when the second spacer layer 40 of 1.6 is formed to a thickness of 70 nm, which is thinner than the thickness at which the reflectance becomes minimum, and the recording layer 20 of the complex refractive index of 2.1-i0.6 is provided on it. This shows the dependence on 36th
By comparing with the figure, it can be seen that the reflectance increases and is improved by inserting the first spacer layer and the second spacer layer. Further, since the reflectance becomes minimum at a recording layer thickness of around 21 nm, a medium with a large reproduced signal can be obtained by setting the recording layer thickness to 80 nm. Figure 17 shows a substrate 10 with a refractive index of 1.5.
2.2, the first spacer layer 30 is formed to a thickness of 95 nm that maximizes the substrate incident reflectance, and a refractive index layer is formed on it.
The recording layer thickness of the reflectance when the second spacer layer 40 of 1.7 is formed to a thickness of 80 nm, which is thinner than the thickness at which the reflectance becomes minimum, and the recording layer 20 of the complex refractive index of 2.1-i0.6 is provided on it. This shows the dependence on 36th
The first spacer layer and the second spacer layer can be compared with the figure.
By inserting a spacer layer, the reflectance increases,
I can see that it has improved. Furthermore, since the reflectance becomes minimum at a recording layer thickness of around 17 nm, a medium with a large reproduced signal can be obtained by setting the recording layer thickness to 80 nm. Figure 18 shows a substrate 10 with a refractive index of 1.5.
2.2, the first spacer layer 10 is formed with a thickness of 95 nm at which the substrate incident reflectance is maximum, and a refractive index layer is formed on it.
The recording layer thickness of the reflectance when the second spacer layer 40 of 1.9 is formed to a thickness of 90 nm, which is thinner than the thickness at which the reflectance becomes minimum, and the recording layer 20 of the complex refractive index of 2.1-i0.6 is provided on it. This shows the dependence on 36th
By comparing with the figure, it can be seen that the reflectance increases and is improved by inserting the first spacer layer and the second spacer layer. Further, since the reflectance becomes minimum at a recording layer thickness of about 12 nm, a medium with a large reproduced signal can be obtained by setting the recording layer thickness to 80 nm. Figure 19 shows a substrate 10 with a refractive index of 1.5.
2.2, the first spacer layer 30 is formed to a thickness of 95 nm at which the substrate incident reflectance is maximum, and a refractive index layer is formed on it.
The recording layer thickness of the reflectance when the second spacer layer 40 of 2.0 is formed to a thickness of 90 nm, which is thinner than the thickness at which the reflectance becomes minimum, and the recording layer 20 of the complex refractive index of 2.1-i0.6 is provided on top of it. This shows the dependence on 36th
By comparing with the figure, it can be seen that the reflectance increases and is improved by inserting the first spacer layer and the second spacer layer. Further, since the reflectance becomes minimum at a recording layer thickness of around 13 nm, a medium with a large reproduced signal can be obtained by setting the recording layer thickness to 80 nm. The above results are summarized and shown in Table 1. In Table 1, t nio is the thickness of the recording layer where the reflectance is minimum, and T nio is the thickness of the second spacer layer where the reflectance is minimum in the structure shown in Figure 3. There is.
【表】
次に、本発明の第2の態様に従い、第1のスペ
ーサ層の厚さが、反射率が極大となる厚さよりも
薄い場合について説明する。
第38図は基板10(屈折率1.5)の上に屈折
率2.0の第1のスペーサ層30を波長830nmの光
における基板入射反射率が極大となる厚さ105n
mで形成し、その上に屈折率1.5の第2のスペー
サ層40を反射率が極小となる厚さ130nmで形
成し、その上に複素屈折率2.1−i0.6の記録層20
を設けたときの反射率の記録層厚さ依存を示した
ものである。
これに対して、第20図は第38図に特性を示
す光記録媒体と同一の材料を用いて第1のスペー
サ層30の厚さを反射率が極大となる厚さ105n
mよりも薄い85nmとし、第2のスペーサ層の厚
さを反射率が極小となる厚さ130nmよりも薄い
80nmとし、その上に複素屈折率2.1−i0.6の記録
層20を設けた時の反射率の記録層厚さ依存を示
したものである。第38図と比較すると、本発明
の構成の採用により反射率が極小となる記録層の
厚さは0nmから23nmに移つている。記録層が有
機薄膜を主成分とする場合には一般に記録部分は
記録前厚さの2〜3割が残り、孔は形成されずピ
ツトが形成される。したがつて第38図のような
特性よりも本発明の第20図のような特性の方が
再生信号の大きなものが得られることがわかる。
第21図は屈折率1.5の基板10の上に屈折率
2.0の第1のスペーサ層30を基板入射反射率が
極大となる厚さ105nmよりも薄い95nmで形成
し、その上に屈折率1.4の第2のスペーサ層40
を反射率が極小となる厚さよりも薄い80nmで形
成しその上に複素屈折率2.1−i0.6の記録層20を
設けたときの反射率の記録層厚さ依存を示したも
のである。第36図と比較することにより、第1
のスペーサ層と第2のスペーサ層の挿入により反
射率が大きくなり、改善されているのがわかる。
又20nm前後の記録層厚さで反射率が極小となる
ので、記録層厚さを80nmとすることにより再生
信号の大きな媒体が得られる。
第22図は屈折率1.5の基板10の上に屈折率
2.0の第1のスペーサ層30を基板入射反射率が
極大となる厚さ105nmよりも薄い95nmで形成
し、その上に屈折率1.6の第2のスペーサ層40
を反射率が極小となる厚さよりも薄い80nmで形
成しその上に複素屈折率2.1−i0.6の記録層20を
設けたときの反射率の記録層厚さ依存を示したも
のである。第36図と比較することにより、第1
のスペーサ層と第2のスペーサ層の挿入により反
射率が大きくなり、改善されているのがわかる。
又20nm前後の記録厚さで反射率が極小となるの
で、記録層厚さを80nmとすることにより再生信
号の大きな媒体が得られる。
第23図は屈折率1.5の基板10の上に屈折率
2.0の第1のスペーサ層30を基板入射反射率が
極大となる厚さ105nmよりも薄い95nmで形成
し、その上に屈折率1.7の第2のスペーサ層40
を反射率が極小となる厚さよりも薄い90nmで形
成し、その上に複素屈折率2.1−i0.6の記録層20
を設けたときの反射率の記録層厚さ依存を示した
ものである。第36図と比較することにより、第
1のスペーサ層と第2のスペーサ層の挿入により
反射率が大きくなり、改善されているのがわか
る。又、17nm前後の記録層厚さで反射率が極小
となるので、記録層厚さを80nmとすることによ
り再生信号の大きな媒体が得られる。
第24図は屈折率1.5の基板10の上に屈折率
1.7の第1のスペーサ層30を基板入射反射率が
極大となる厚さ120nmよりも薄い110nmで形成
し、その上に屈折率1.4の第2のスペーサ層40
を反射率が極小となる厚さよりも薄い90nmで形
成しその上に複素屈折率2.1−i0.6の記録層20を
設けたときの反射率の記録層厚さ依存を示したも
のである。第36図と比較することにより、第1
のスペーサ層と第2のスペーサ層の挿入により反
射率が大きくなり、改善されているのがわかる。
又、16nm前後の記録層厚さで反射率が極小とな
るので、記録層厚さを80nmとすることにより再
生信号の大きな媒体が得られる。
第25図は屈折率1.5の基板10の上に屈折率
1.7の第1のスペーサ層30を基板入射反射率が
極大となる厚さ120nmよりも薄い110nmで形成
し、その上に屈折率1.5の第2のスペーサ層40
を反射率が極小となる厚さよりも薄い110nmで
形成しその上に複素屈折率2.1−i0.6の記録層20
を設けたときの反射率の記録層厚さ依存を示した
ものである。第36図と比較することにより、第
1のスペーサ層と第2のスペーサ層の挿入により
反射率が大きくなり、改善されているのがわか
る。又11nm前後の記録層厚さで反射率が極小と
なるので、記録層厚さを80nmとすることにより
再生信号の大きな媒体が得られる。
第26図は屈折率1.5の基板10の上に屈折率
1.9の第1のスペーサ層30を基板入射反射率が
極大となる厚さ110nmよりも薄い90nmで形成
し、その上に屈折率1.4の第2のスペーサ層40
を反射率が極小となる厚さよりも薄い90nmで形
成し、その上に複素屈折率2.1−i0.6の記録層20
を設けたときの反射率の記録層厚さ依存を示した
ものである。第36図と比較することにより、第
1のスペーサ層と第2のスペーサ層の挿入により
反射率が大きくなり、改善されているのがわか
る。又、18nm前後の記録層厚さで反射率が極小
となるので、記録層厚さを80nmとすることによ
り再生信号の大きな媒体が得られる。
第27図は屈折率1.5の基板10の上に屈折率
1.9の第1のスペーサ層30を基板入射反射率が
極大となる厚さ110nmよりも薄い90nmで形成し
その上に屈折率1.5の第2のスペーサ層40を反
射率が極小となる厚さよりも薄い90nmで形成し
その上に複素屈折率2.1−i0.6の記録層20を設け
たときの反射率の記録層厚さ依存を示したもので
ある。第36図と比較することにより、第1のス
ペーサ層と第2のスペーサ層の挿入により反射率
が大きくなり、改善されているのがわかる。又
18nm前後の記録層厚さて反射率が極小となるの
で、記録層厚さを80nmとすることにより再生信
号の大きな媒体が得られる。
第28図は屈折率1.5の基板10の上に屈折率
1.9の第1のスペーサ層30を基板入射反射率が
極大となる厚さ110nmよりも薄い90nmで形成
し、その上に屈折率1.6の第2のスペーサ層40
を反射率が極小となる厚さよりも薄い90nmで形
成し、その上に複素屈折率2.1−i0.6の記録層20
を設けたときの反射率の記録層厚さ依存を示した
ものである。第36図と比較することにより、第
1のスペーサ層と第2のスペーサ層の挿入により
反射率が大きくなり、改善されているのがわか
る。又20nm前後の記録層厚さで反射率が極小と
なるので、記録層厚さを80nmとすることにより
再生信号の大きな媒体が得られる。
第29図は屈折率1.5の基板10の上に屈折率
1.9の第1のスペーサ層30を基板入射反射率が
極大となる厚さ110nmよりも薄い90nmで形成
し、その上に屈折率1.7の第2のスペーサ層40
を反射率が極小となる厚さよりも薄い120nmで
形成し、その上に複素屈折率2.1−i0.6の記録層2
0を設けたときの反射率の記録層厚さ依存を示し
たものである。第36図と比較することにより、
第1のスペーサ層と第2のスペーサ層の挿入によ
り反射率が大きくなり、改善されているのがわか
る。又、10nm前後の記録層厚さで反射率が極小
となるので、記録層厚さを80nmとすることによ
り再生信号の大きな媒体が得られる。
第30図は屈折率1.5の基板10の上に屈折率
2.2の第1のスペーサ層30を基板入射反射率が
極大となる厚さ95nmよりも薄い75nmで形成し、
その上に屈折率1.4の第2のスペーサ層40を反
射率が極小となる厚さよりも薄い70nmで形成
し、その上に複素屈折率2.1−i0.6の記録層20を
設けたときの反射率の記録層厚さ依存を示したも
のである。第36図と比較することにより、第1
のスペーサ層と第2のスペーサ層の挿入により反
射率が大きくなり、改善されているのがわかる。
又、30nm前後の記録層厚さで反射率が極小とな
るので、記録層厚さを80nmとすることにより再
生信号の大きな媒体が得られる。
第31図は屈折率1.5の基板10の上に屈折率
2.2の第1のスペーサ層30を基板入射反射率が
極大となる厚さ95nmよりも薄い55nmで形成し、
その上に屈折率1.5の第2のスペーサ層40を反
射率が極小となる厚さよりも薄い100nmで形成
し、その上に複素屈折率2.1−i0.6の記録層20を
設けたときの反射率の記録層厚さ依存を示したも
のである。第36図と比較することにより、第1
のスペーサ層と第2のスペーサ層の挿入により反
射率が大きくなり、改善されているのがわかる。
又、20nm前後の記録層厚さで反射率が極小とな
るので、記録層厚さを80nmとすることにより再
生信号の大きな媒体が得られる。
第32図は屈折率1.5の基板10の上に屈折率
2.2の第1のスペーサ層30を基板入射反射率が
極大となる厚さ95nmよりも薄い55nmで形成し、
その上に屈折率1.6の第2のスペーサ層40を反
射率が極小となる厚さよりも薄い100nmで形成
し、その上に複素屈折率2.1−i0.6の記録層20を
設けたときの反射率の記録層厚さ依存を示したも
のである。第36図と比較することにより、第1
のスペーサ層と第2のスペーサ層の挿入により反
射率が大きくなり、改善されているのがわかる。
又、22nm前後の記録層厚さで反射率が極小とな
るので、記録層厚さを80nmとすることにより再
生信号の大きな媒体が得られる。
第33図は屈折率1.5の基板10の上に屈折率
2.2の第1のスペーサ層30を基板入射反射率が
極大となる厚さ95nmよりも薄い65nmで形成し、
その上に屈折率1.7の第2のスペーサ層40を反
射率が極小となる厚さよりも薄い100nmで形成
し、その上に複素屈折率2.1−i0.6の記録層20を
設けたときの反射率の記録層厚さ依存を示したも
のである。第36図と比較することにより、第1
のスペーサ層と第2のスペーサ層の挿入により反
射率が大きくなり、改善されているのがわかる。
又、20nm前後の記録層厚さで反射率が極小とな
るので、記録層厚さを80nmとすることにより再
生信号の大きな媒体が得られる。
第34図は屈折率1.5の基板10の上に屈折率
2.2の第1のスペーサ層30を基板入射反射率が
極大となる厚さ95nmよりも薄い75nmで形成し、
その上に屈折率1.9の第2のスペーサ層40を反
射率が極小となる厚さよりも薄い100nmで形成
し、その上に複素屈折率2.1−i0.6の記録層20を
設けたときの反射率の記録層厚さ依存を示したも
のである。第36図と比較することにより、第1
のスペーサ層と第2のスペーサ層の挿入により反
射率が大きくなり、改善されているのがわかる。
又、16nm前後の記録層厚さで反射率が極小とな
るので、記録層厚さを80nmとすることにより再
生信号の大きな媒体が得られる。
第35図は屈折率1.5の基板10の上に屈折率
2.2の第1のスペーサ層30を基板入射反射率が
極大となる厚さ95nmよりも薄い85nmで形成し、
その上に屈折率2.0の第2のスペーサ層40を反
射率が極小となる厚さよりも薄い100nmで形成
し、その上に複素屈折率2.1−i0.6の記録層20を
設けたときの反射率の記録層厚さ依存を示したも
のである。第36図と比較することにより、第1
のスペーサ層と第2のスペーサ層の挿入により反
射率が大きくなり、改善されているのがわかる。
又、13nm前後の記録層厚さで反射率が極小とな
るので、記録層厚さを80nmとすることにより再
生信号の大きな媒体が得られる。
以上の結果を第2表に整理して示す。第2表に
おいて、Tnaxは、第2図に示す構造において反
射率が極大となる第1のスペーサ層の厚さであ
り、Tnioは、第3図に示す構造において反射率が
極小となる第2のスペーサ層の厚さである。更に
tnioは、反射率が極小となる記録層の厚さである。[Table] Next, according to the second aspect of the present invention, a case will be described in which the thickness of the first spacer layer is thinner than the thickness at which the reflectance becomes maximum. FIG. 38 shows a first spacer layer 30 with a refractive index of 2.0 on a substrate 10 (with a refractive index of 1.5) to a thickness of 105 nm at which the substrate incident reflectance for light with a wavelength of 830 nm is maximum.
A second spacer layer 40 with a refractive index of 1.5 is formed thereon to a thickness of 130 nm at which the reflectance is minimal, and a recording layer 20 with a complex refractive index of 2.1-i0.6 is formed thereon.
This figure shows the dependence of the reflectance on the thickness of the recording layer when . On the other hand, FIG. 20 uses the same material as the optical recording medium whose characteristics are shown in FIG.
The thickness of the second spacer layer is 85 nm, which is thinner than m, and the thickness of the second spacer layer is thinner than 130 nm, which is the minimum reflectance.
80 nm, and the dependence of the reflectance on the recording layer thickness when a recording layer 20 with a complex refractive index of 2.1-i0.6 is provided thereon. Comparing with FIG. 38, the thickness of the recording layer at which the reflectance becomes minimum shifts from 0 nm to 23 nm by adopting the configuration of the present invention. When the recording layer is mainly composed of an organic thin film, generally 20 to 30% of the thickness before recording remains in the recording portion, and no holes are formed, but pits are formed. Therefore, it can be seen that a larger reproduced signal can be obtained with the characteristics shown in FIG. 20 of the present invention than with the characteristics shown in FIG. 38. Figure 21 shows a substrate 10 with a refractive index of 1.5.
A first spacer layer 30 with a refractive index of 2.0 is formed to have a thickness of 95 nm, which is thinner than the thickness of 105 nm at which the substrate incident reflectance is maximum, and a second spacer layer 40 with a refractive index of 1.4 is formed thereon.
This figure shows the dependence of the reflectance on the thickness of the recording layer when the recording layer 20 having a complex refractive index of 2.1-i0.6 is provided on the layer 20 formed with a thickness of 80 nm, which is thinner than the thickness at which the reflectance becomes minimum. By comparing with Figure 36, the first
It can be seen that the reflectance increases and is improved by inserting the spacer layer and the second spacer layer.
Furthermore, since the reflectance becomes minimum at a recording layer thickness of around 20 nm, a medium with a large reproduced signal can be obtained by setting the recording layer thickness to 80 nm. Figure 22 shows a substrate 10 with a refractive index of 1.5.
A first spacer layer 30 with a refractive index of 2.0 is formed to have a thickness of 95 nm, which is thinner than the thickness of 105 nm at which the substrate incident reflectance is maximum, and a second spacer layer 40 with a refractive index of 1.6 is formed thereon.
This figure shows the dependence of the reflectance on the thickness of the recording layer when the recording layer 20 having a complex refractive index of 2.1-i0.6 is provided on the layer 20 formed with a thickness of 80 nm, which is thinner than the thickness at which the reflectance becomes minimum. By comparing with Figure 36, the first
It can be seen that the reflectance increases and is improved by inserting the spacer layer and the second spacer layer.
Also, since the reflectance becomes minimum at a recording thickness of around 20 nm, a medium with a large reproduced signal can be obtained by setting the recording layer thickness to 80 nm. Figure 23 shows a substrate 10 with a refractive index of 1.5.
A first spacer layer 30 with a refractive index of 2.0 is formed to have a thickness of 95 nm, which is thinner than the thickness of 105 nm at which the substrate incident reflectance is maximum, and a second spacer layer 40 with a refractive index of 1.7 is formed thereon.
A recording layer 20 with a complex refractive index of 2.1−i0.6 is formed on it to a thickness of 90 nm, which is thinner than the thickness at which the reflectance becomes minimum.
This figure shows the dependence of the reflectance on the thickness of the recording layer when . By comparing with FIG. 36, it can be seen that the reflectance is increased and improved by inserting the first spacer layer and the second spacer layer. Further, since the reflectance becomes minimum at a recording layer thickness of about 17 nm, a medium with a large reproduced signal can be obtained by setting the recording layer thickness to 80 nm. Figure 24 shows a substrate 10 with a refractive index of 1.5.
A first spacer layer 30 with a refractive index of 1.7 is formed to have a thickness of 110 nm, which is thinner than the thickness of 120 nm at which the substrate incident reflectance is maximum, and a second spacer layer 40 with a refractive index of 1.4 is formed thereon.
This figure shows the dependence of the reflectance on the thickness of the recording layer when the recording layer 20 having a complex refractive index of 2.1-i0.6 is provided on the layer 20 formed with a thickness of 90 nm, which is thinner than the thickness at which the reflectance becomes minimum. By comparing with Figure 36, the first
It can be seen that the reflectance increases and is improved by inserting the spacer layer and the second spacer layer.
Further, since the reflectance becomes minimum at a recording layer thickness of around 16 nm, a medium with a large reproduced signal can be obtained by setting the recording layer thickness to 80 nm. Figure 25 shows a substrate 10 with a refractive index of 1.5.
A first spacer layer 30 with a refractive index of 1.7 is formed to have a thickness of 110 nm, which is thinner than the thickness of 120 nm at which the substrate incident reflectance is maximum, and a second spacer layer 40 with a refractive index of 1.5 is formed thereon.
A recording layer 20 with a complex refractive index of 2.1−i0.6 is formed on it to a thickness of 110 nm, which is thinner than the thickness at which the reflectance becomes minimum.
This figure shows the dependence of the reflectance on the thickness of the recording layer when . By comparing with FIG. 36, it can be seen that the reflectance is increased and improved by inserting the first spacer layer and the second spacer layer. Further, since the reflectance becomes minimum at a recording layer thickness of around 11 nm, a medium with a large reproduced signal can be obtained by setting the recording layer thickness to 80 nm. Figure 26 shows a substrate 10 with a refractive index of 1.5.
A first spacer layer 30 with a refractive index of 1.9 is formed to have a thickness of 90 nm, which is thinner than the thickness of 110 nm at which the substrate incident reflectance is maximum, and a second spacer layer 40 with a refractive index of 1.4 is formed thereon.
A recording layer 20 with a complex refractive index of 2.1−i0.6 is formed on it to a thickness of 90 nm, which is thinner than the thickness at which the reflectance becomes minimum.
This figure shows the dependence of the reflectance on the thickness of the recording layer when . By comparing with FIG. 36, it can be seen that the reflectance is increased and improved by inserting the first spacer layer and the second spacer layer. Further, since the reflectance becomes minimum at a recording layer thickness of about 18 nm, a medium with a large reproduced signal can be obtained by setting the recording layer thickness to 80 nm. Figure 27 shows a substrate 10 with a refractive index of 1.5.
A first spacer layer 30 with a refractive index of 1.9 is formed at a thickness of 90 nm, which is thinner than the thickness of 110 nm at which the substrate incident reflectance is maximum, and a second spacer layer 40 with a refractive index of 1.5 is formed thereon at a thickness of 90 nm, which is thinner than the thickness at which the reflectance becomes minimum. This figure shows the dependence of the reflectance on the recording layer thickness when the recording layer 20 is formed to have a thin thickness of 90 nm and has a complex refractive index of 2.1-i0.6. By comparing with FIG. 36, it can be seen that the reflectance is increased and improved by inserting the first spacer layer and the second spacer layer. or
Since the reflectance becomes minimum at a recording layer thickness of around 18 nm, a medium with a large reproduced signal can be obtained by setting the recording layer thickness to 80 nm. Figure 28 shows a substrate 10 with a refractive index of 1.5.
A first spacer layer 30 with a refractive index of 1.9 is formed to have a thickness of 90 nm, which is thinner than the thickness of 110 nm at which the substrate incident reflectance is maximum, and a second spacer layer 40 with a refractive index of 1.6 is formed thereon.
A recording layer 20 with a complex refractive index of 2.1−i0.6 is formed on it to a thickness of 90 nm, which is thinner than the thickness at which the reflectance becomes minimum.
This figure shows the dependence of the reflectance on the thickness of the recording layer when . By comparing with FIG. 36, it can be seen that the reflectance is increased and improved by inserting the first spacer layer and the second spacer layer. Furthermore, since the reflectance becomes minimum at a recording layer thickness of around 20 nm, a medium with a large reproduced signal can be obtained by setting the recording layer thickness to 80 nm. Figure 29 shows a substrate 10 with a refractive index of 1.5.
A first spacer layer 30 with a refractive index of 1.9 is formed to have a thickness of 90 nm, which is thinner than the thickness of 110 nm at which the substrate incident reflectance is maximum, and a second spacer layer 40 with a refractive index of 1.7 is formed thereon.
A recording layer 2 with a complex refractive index of 2.1−i0.6 is formed on it with a thickness of 120 nm, which is thinner than the thickness at which the reflectance becomes minimum.
This figure shows the dependence of the reflectance on the recording layer thickness when 0 is provided. By comparing with Figure 36,
It can be seen that the reflectance increases and is improved by inserting the first spacer layer and the second spacer layer. Further, since the reflectance becomes minimum at a recording layer thickness of around 10 nm, a medium with a large reproduced signal can be obtained by setting the recording layer thickness to 80 nm. Figure 30 shows a substrate 10 with a refractive index of 1.5.
The first spacer layer 30 in 2.2 is formed to have a thickness of 75 nm, which is thinner than the thickness of 95 nm at which the substrate incident reflectance is maximum,
Reflection when a second spacer layer 40 with a refractive index of 1.4 is formed on top of the second spacer layer 40 with a thickness of 70 nm, which is thinner than the thickness at which the reflectance becomes minimum, and a recording layer 20 with a complex refractive index of 2.1-i0.6 is provided thereon. This figure shows the dependence of the ratio on the recording layer thickness. By comparing with Figure 36, the first
It can be seen that the reflectance increases and is improved by inserting the spacer layer and the second spacer layer.
Further, since the reflectance becomes minimum at a recording layer thickness of around 30 nm, a medium with a large reproduced signal can be obtained by setting the recording layer thickness to 80 nm. Figure 31 shows a substrate 10 with a refractive index of 1.5.
The first spacer layer 30 in 2.2 is formed to have a thickness of 55 nm, which is thinner than the thickness of 95 nm at which the substrate incident reflectance is maximum,
Reflection when a second spacer layer 40 with a refractive index of 1.5 is formed thereon to a thickness of 100 nm, which is thinner than the thickness at which the reflectance becomes minimum, and a recording layer 20 with a complex refractive index of 2.1-i0.6 is provided thereon. This figure shows the dependence of the ratio on the recording layer thickness. By comparing with Figure 36, the first
It can be seen that the reflectance increases and is improved by inserting the spacer layer and the second spacer layer.
Further, since the reflectance becomes minimum at a recording layer thickness of around 20 nm, a medium with a large reproduced signal can be obtained by setting the recording layer thickness to 80 nm. Figure 32 shows a substrate 10 with a refractive index of 1.5.
The first spacer layer 30 in 2.2 is formed to have a thickness of 55 nm, which is thinner than the thickness of 95 nm at which the substrate incident reflectance is maximum,
Reflection when a second spacer layer 40 with a refractive index of 1.6 is formed on top of the second spacer layer 40 with a thickness of 100 nm thinner than the thickness at which the reflectance becomes minimum, and a recording layer 20 with a complex refractive index of 2.1-i0.6 is provided on top of the second spacer layer 40. This figure shows the dependence of the ratio on the recording layer thickness. By comparing with Figure 36, the first
It can be seen that the reflectance increases and is improved by inserting the spacer layer and the second spacer layer.
Further, since the reflectance becomes minimum at a recording layer thickness of around 22 nm, a medium with a large reproduced signal can be obtained by setting the recording layer thickness to 80 nm. Figure 33 shows a substrate 10 with a refractive index of 1.5.
The first spacer layer 30 in 2.2 is formed with a thickness of 65 nm, which is thinner than the thickness of 95 nm at which the substrate incident reflectance is maximum,
Reflection when a second spacer layer 40 with a refractive index of 1.7 is formed thereon to a thickness of 100 nm thinner than the thickness at which the reflectance becomes minimum, and a recording layer 20 with a complex refractive index of 2.1-i0.6 is provided thereon. This figure shows the dependence of the ratio on the recording layer thickness. By comparing with Figure 36, the first
It can be seen that the reflectance increases and is improved by inserting the spacer layer and the second spacer layer.
Further, since the reflectance becomes minimum at a recording layer thickness of around 20 nm, a medium with a large reproduced signal can be obtained by setting the recording layer thickness to 80 nm. Figure 34 shows a substrate 10 with a refractive index of 1.5.
The first spacer layer 30 in 2.2 is formed to have a thickness of 75 nm, which is thinner than the thickness of 95 nm at which the substrate incident reflectance is maximum,
Reflection when a second spacer layer 40 with a refractive index of 1.9 is formed thereon to a thickness of 100 nm, which is thinner than the thickness at which the reflectance becomes minimum, and a recording layer 20 with a complex refractive index of 2.1-i0.6 is provided thereon. This figure shows the dependence of the ratio on the recording layer thickness. By comparing with Figure 36, the first
It can be seen that the reflectance increases and is improved by inserting the spacer layer and the second spacer layer.
Further, since the reflectance becomes minimum at a recording layer thickness of around 16 nm, a medium with a large reproduced signal can be obtained by setting the recording layer thickness to 80 nm. Figure 35 shows a substrate 10 with a refractive index of 1.5.
The first spacer layer 30 in 2.2 is formed to have a thickness of 85 nm, which is thinner than the thickness of 95 nm at which the substrate incident reflectance is maximum,
Reflection when a second spacer layer 40 with a refractive index of 2.0 is formed thereon to a thickness of 100 nm, which is thinner than the thickness at which the reflectance becomes minimum, and a recording layer 20 with a complex refractive index of 2.1-i0.6 is provided thereon. This figure shows the dependence of the ratio on the recording layer thickness. By comparing with Figure 36, the first
It can be seen that the reflectance increases and is improved by inserting the spacer layer and the second spacer layer.
Further, since the reflectance becomes minimum at a recording layer thickness of around 13 nm, a medium with a large reproduced signal can be obtained by setting the recording layer thickness to 80 nm. The above results are summarized and shown in Table 2. In Table 2, T nax is the thickness of the first spacer layer at which the reflectance is maximum in the structure shown in Figure 2, and T nio is the thickness at which the reflectance is minimum in the structure shown in Figure 3. The thickness of the second spacer layer. Furthermore
t nio is the thickness of the recording layer at which the reflectance is minimum.
【表】【table】
【表】
上記した如く、本発明で使用される第1のスペ
ーサ層の厚さは記録層と第2のスペーサ層とが形
成されていない状態での基板入射反射率が極大と
なる厚さか或いはそれより薄い厚さとし、第2の
スペーサ層の厚さは第1のスペーサ層が形成され
ていて、記録層が形成されていない状態での基板
入射反射率が極小となる厚さよりも薄い厚さとす
る。以下、第1および第2のスペーサ層について
の条件限定理由について説明する。
第39図は屈折率1.5の基板の上に屈折率1.7の
第1のスペーサ層を波長830nmの光における基
板入射反射率が極大となる厚さ120nmで形成し、
その上に屈折率1.4の第2のスペーサ層を形成し、
その上に複素屈折率2.1−i0.6の記録層を設けたと
きの反射率の記録層厚さ依存を、第2のスペーサ
層厚さが100nm、150nmおよび200nmの場合に
ついて示したものである。
第1のスペーサ層が形成されていて記録層が形
成されていない状態で基板入射反射率が極小とな
る第2のスペーサ層厚さTnio=150nmよりも第2
のスペーサ層の厚さが厚い場合、即ち第39図の
第2のスペーサ層の厚さが200nmのとき、記録
層厚が減小したときの反射率の低下の度合が小さ
くなるため再生信号出力が小さくなり望ましくな
い。
第40図は屈折率1.5の基板の上に屈折率1.7の
第1のスペーサ層を基板入射反射率が極大となる
厚さ120nmよりも厚い厚さである170nmとし、
その上に屈折率1.4の第2のスペーサ層を形成し、
その上に複素屈折率2.1−i0.6の記録層を設けたと
きの反射率の記録層厚さ依存を、第2のスペーサ
層厚さが100nm、150nmおよび200nmの場合に
ついて示したものである。第39図の実線の曲線
と比較することにより、第1のスペーサ層の厚さ
が反射率が極大となる厚さよりも厚い場合には記
録層厚が減小したときの反射率の低下の度合が小
さいなるため再生信号出力が小さくなり望ましく
ないことがわかる。
本発明で使用される第1のスペーサ層及び第2
のスペーサ層の厚さの下限は、本発明の目的であ
る反射率の増大及び反射率変化量の増大が実質的
に得られなくなる厚さである。
第3表に第1のスペーサ層厚と第2のスペーサ
層厚と反射率増加量の関係の1例を示す。(この
例は記録層の複素屈折率が2.1−i0.6であり厚さが
80nmの場合である)。[Table] As described above, the thickness of the first spacer layer used in the present invention is the thickness at which the substrate incident reflectance is maximum in the state where the recording layer and the second spacer layer are not formed, or The thickness of the second spacer layer is smaller than the thickness at which the substrate incident reflectance is minimal when the first spacer layer is formed and no recording layer is formed. do. The reasons for limiting the conditions for the first and second spacer layers will be explained below. In FIG. 39, a first spacer layer with a refractive index of 1.7 is formed on a substrate with a refractive index of 1.5 to a thickness of 120 nm, which maximizes the substrate incident reflectance for light with a wavelength of 830 nm.
A second spacer layer with a refractive index of 1.4 is formed thereon,
The dependence of the reflectance on the recording layer thickness when a recording layer with a complex refractive index of 2.1-i0.6 is provided thereon is shown for the cases where the second spacer layer thickness is 100 nm, 150 nm, and 200 nm. . The second spacer layer thickness T nio = 150 nm at which the substrate incident reflectance becomes minimum when the first spacer layer is formed but no recording layer is formed
When the thickness of the spacer layer in FIG. 39 is thick, that is, when the thickness of the second spacer layer in FIG. becomes small, which is undesirable. In FIG. 40, a first spacer layer with a refractive index of 1.7 is placed on a substrate with a refractive index of 1.5 to a thickness of 170 nm, which is thicker than the 120 nm thickness at which the substrate incident reflectance is maximum.
A second spacer layer with a refractive index of 1.4 is formed thereon,
The dependence of the reflectance on the recording layer thickness when a recording layer with a complex refractive index of 2.1-i0.6 is provided thereon is shown for the cases where the second spacer layer thickness is 100 nm, 150 nm, and 200 nm. . By comparing the curve with the solid line in FIG. 39, it can be seen that when the thickness of the first spacer layer is thicker than the thickness at which the reflectance becomes maximum, the degree of decrease in reflectance when the recording layer thickness decreases. It can be seen that as the value becomes smaller, the reproduced signal output becomes smaller, which is not desirable. The first spacer layer and the second spacer layer used in the present invention
The lower limit of the thickness of the spacer layer is a thickness at which the objective of the present invention, which is an increase in reflectance and an increase in the amount of change in reflectance, cannot be substantially achieved. Table 3 shows an example of the relationship between the first spacer layer thickness, the second spacer layer thickness, and the reflectance increase amount. (In this example, the complex refractive index of the recording layer is 2.1−i0.6 and the thickness is
80nm).
【表】
本発明により反射率の増加の実質的な効果を得
るためには、スペーサ層の膜厚をおよそλ/8n
(λは光の波長、nはスペーサ材料の屈折率)よ
り厚くすることが望ましい。即ち、第3表に示す
如き波長830nmの光の場合、屈折率1.4以上から
2前後の材料に対しては50nm以上の厚さが実施
的に効果のある厚さである。
さらに、本発明で使用される第1及び第2のス
ペーサ層としては、読み出しレーザ波長で実質的
に透明であるものが望ましい。
第1のスペーサ層としては、基板の屈折率より
も大きな屈折率のものであればよい。例えば
CeO2、Cr2O3、Fe2O3、Fe3O4、GeO2、In2O3、
MgO、MnO2、MoO3、Nb2O3、NiO2、SiO、
Sm2O3、SnO2、Ta2O5、TeO2、TiO2、V2O5、
WO3、Y2O3、ZnO、ZrO2等の各種酸化物、
Si3N4、ZrN等の各種窒化物、ZrC等の各種炭化
物、GeS、ZnS等の各種硫化物、コバルトフタロ
シアニン、銅フタロシアニン、マグネシウムフタ
ロシアニン、ニツケルフタロシアニン、亜鉛フタ
ロシアニン等の各種有機色素、各種磁性ガーネツ
ト及びSi、Se、Ge、B或いはこれらの化合物が
使用できる。
第2のスペーサ層としては、第1のスペーサ層
の屈折率よりも小さな屈折率のものであるとい条
件の下に例えば、AlF3、BaF2、CaF2、CeF3、
DyF3、ErF3、EuF3、GdF3、HfF4、HoF3、
LaF3、LiF、MgF2、NaF、NdF3、PrF3、
SmF3、SrF2、YF3、YbF3等の各種フツ化物、
Al2O3、CeO2、Cr2O3、Dy2O3、Er2O3、Eu2O3、
Fe2O3、Fe3O4、Gd2O3、GeO2、HfO2、Ho2O3、
In2O3、Lu2O3、MgO、MnO2、MoO3、Nb2O3、
NiO、SiO、SiO2、Sm2O3、SnO2、Ta2O5、
TiO2、V2O5、WO3、Y2O3、ZnO、ZrO2等の各
種酸化物、ZrN等の各種窒化物、ZrC等の各種炭
化物、GeS、ZnS等の各種硫化物、コバルトフタ
ロシアニン、銅フタロシアニン、モリブデンフタ
ロシアニン、マグネシウムフタロシアニン、ニツ
ケルフタロシアニン、亜鉛フタロシアニン、スー
ダンブラツクB等の各種有機色素、各種フツトレ
ジスト、各種電子線レジスト、ポリスチレン等の
各種有機物を使用することができる。
例えば第1のスペーサ層としてSnO2を使用す
る場合には、第2のスペーサ層として、AlF3、
BaF2、CaF2、CeF3、DyF3、ErF3、EuF3、
GdF3、HoF3、LaF3、LiF、MgF2、NaF、
NdF3、PrF3、SmF3、SrF2、YF3、YbF3等のフ
ツ化物やAl2O3、CeO2、Dy2O3、Er2O3、Eu2O3、
GeO2、Ho2O3、Lu2O3、MgO、SiO2、Sm2O3、
Y2O3等や酸化物やスーダンブラツクB等の有機
色素やグアニン、クリスタルヴアイオレツトラク
トン等の有機物を使用することができる。第1の
スペーサ層として銅フタロシアニンを使用する場
合にも上述した第2のスペーサ層材料を使用する
ことができる。
第1のスペーサ層としてNiOを使用する場合に
は、第2のスペーサ層として、AlF3、BaF2、
CaF2、CeF3、DyF3、ErF3、EuF3、GdF3、
HoF3、LaF3、LiF、MgF2、NaF、NdF3、
PrF3、SmF3、SnF2、YF3、YbF3等のフツ化物
やAl2O3、Dy2O3、Er2O3、Eu2O3、Ho2O3、
Lu2O3、MgO、SiO2、Sm2O3、Y2O3等や酸化物
やスーダンブラツクB等の有機色素やクリスタル
ヴアイオレツトラクトン等の有機物を使用するこ
とができる。
第1のスペーサ層としてGeO2を使用する場合
にも上述した第2のスペーサ層材料を使用するこ
とができる。
第1のスペーサ層としてMgOを使用する場合
には、第2のスペーサ層として、MgF2等のフツ
化物やAl2O3、SiO2等の酸化物を使用することが
できる。
第1のスペーサ層としてSiを使用する場合に
は、第2のスペーサ層として、AlF3、BaF2、
CaF2、CeF3、DyF3、ErF3、EuF3、GdF3、
HfF4、HoF3、LaF3、LiF、MgF2、NaF、
NdF3、PrF3、SmF3、SrF2、YF3、YbF3等のフ
ツ化物やAl2O3、CeO2、Cr2O3、Dy2O3、Er2O3、
Eu2O3、Fe2O3、Fe3O4、Gd2O3、GeO2、HfO2、
Ho2O3、In2O3、Lu2O3、MgO、MnO2、MoO3、
Nb2O5、NiO、SiO、SiO2、Sm2O3、SnO2、
Ta2O5、TiO2、V2O5、WO3、Y2O3、ZnO、
ZrO2等の酸化物やZrN等の窒化物やZrC等の炭化
物やGeS、ZrS等の硫化物やコバルトフタロシア
ニン、銅フタロシアニン、モリブデンフタロシア
ニン、マグネシウムフタロシアニン、ニツケルフ
タロシアニン、亜鉛フタロシアニン、スーダンブ
ラツクB等の有機色素やグアニン、クリスタルヴ
アイオレツトラクトン、二無水3、4、9、10−
ペリレンテトラカルボン酸等の有機物を使用でき
る。
本発明においては第1及び第2のスペーサ層を
実質的に透明な層と限定している。これは、本発
明の媒体構成、即ち、第1および第2のスペーサ
層を設けることは、反射率を増大させる反面、記
録層の吸収率を減小させている。即ち、記録層単
層だけの媒体と比較すると、本発明の媒体構成は
透過率と吸収率を減小させ、反射率を増大させて
いる。したがつて、スペーサ層が光吸収層である
と、記録層の吸収率はさらに減小するので媒体の
記録感度が低下し実用に供せなくなるので、スペ
ーサ層は実質的に透明であることが必要である。
記録層としては、有機物を主成分とするものが
好適であり、さらには、蒸着法あるいはスパツタ
法で形成できるものが望ましい。具体的には、各
種スクアリリウム色素、各種5−アミノ−2,3
−ジシアノ−1,4−ナフトキノン色素、バナジ
ルフタロシアニン、チタニルフタロシアニン、ア
ルミニウムフタロシアニン、塩化アルミニウムフ
タロシアニン、チタンフタロシアニン、鉛フタロ
シアニン、白金フタロシアニン等の各種フタロシ
アニン色素、Teを含有したプラズマ重合有機膜、
Teがアルキル基で囲まれている有機膜、Teがフ
ルオロカーボンで囲まれている有機膜等を用いる
ことができる。
この中では特に、5−アミノ−8−置換アニリ
ノ−2,3−ジシアノ−1,4−ナフトキノン色
素、5,8−置換アニリノ−2,3−ジシアノ−
1,4−ナフトキノン色素、あるいはそれらの混
合物かあるいはそれらの金属錯体か望ましく、置
換基としては、炭素数4以下のアルコキシル基、
アルキル基が最も望ましい。
基板としては種々のものを使用できるが、一般
には合成樹脂、ガラス、磁器が望ましい。合成樹
脂としては、ポリメチルメタクリレート等のアク
リル樹脂、ポリカーボネート、ポリエーテルイミ
ド、ポリサルホン、エポキシ樹脂、塩化ビニル樹
脂等がある。基板の形状は、円板状、シート状、
テープ状とすることができる。
本発明の光記録媒体において、記録層への情報
の記録は記録層にピツトを形成することによりな
される。円板状の基板を用いるデイスク媒体で
は、ピツトは同心円状又はスパイラル状の多数の
トラツクに形成するように記録される。多数のト
ラツクを一定間隔で精度よく記録するには、通常
基板上に光の案内溝が設けられる。ビーム径程度
の溝に光が入射すると光が回折される。ビーム中
心が溝からずれるにつれて回折光強度の空間分布
が異なり、これを検出してビームを溝の中心に入
射させるようにサーボ系を構成できる。通常、案
内溝の幅は0.3〜1.2μm、その深さは使用する記
録再生レーザ波長の1/12〜1/4の範囲に設定され
る。本発明の光記録媒体では基板の溝付面上に案
内溝を形成するのが好ましい。
以下本発明の実施例について説明する。
実施例 1
内径15mm、外径120mm、厚さ1.2mmの案内溝付き
アクリル樹脂デイスク基板に、酸化マグネシウム
を121nm蒸着し、その上にフツ化マグネシウム
を82nm蒸着し、その上に5−アミノ−8−(p
−エトキシアニリノ)−2,3−ジシアノ−1,
4−ナフトキノン色素を85%以上含む有機薄膜を
記録層として80nm蒸着した。この成膜の際、波
長830nmの基板入射の反射率をモニターしなが
ら行ない、第1のスペーサ層酸化マグネシウムの
蒸着終了時の基板入射反射率は10.7%と極大値を
とる厚さに設定し、第2のスペーサ層フツ化マグ
ネシウムの蒸着終了時の基板入射反射率は4.7%
と、極小値をとる厚さよりも薄く設定した。
このようにして作製した光デイスクの基板入射
媒体反射率は22.0%と大きいためサーボ信号が大
きく、かつ、再生信号も大きく良好であつた。
実施例 2
内径15mm、外径120mm、厚さ1.2mmの案内溝付き
アクリル樹脂デイスク基板に、酸化マグネシウム
を121nm蒸着し、その上に2酸化シリコンを
101nm蒸着し、その上に5−アミノ−8−(p−
エトキシアニリノ)−2,3−ジシアノ−1,4
−ナフトキノン色素を85%以上含む有機薄膜を記
録層として80nm蒸着した。この成膜の際、波長
830nmの基板入射の反射率をモニターしながら
行ない第1のスペーサ層酸化マグネシウムの蒸着
終了時の基板入射反射率は10.7%と極大値をとる
厚さに設定し、第2のスペーサ層2酸化シリコン
の蒸着終了時の基板入射反射率は2.3%と、極小
値をとる厚さよりも薄く設定した。
このようにして作製した光デイスクの基板入射
媒体反射率は21.5%と大きいためサーボ信号が大
きく、かつ再生信号も大きく良好であつた。
実施例 3
内径15mm、外径120mm、厚さ1.2mmの案内溝付き
アクリル樹脂デイスク基板に、酸化ゲルマニウム
を113nm蒸着し、その上にフツ化マグネシウム
を69nm蒸着し、その上に5−アミノ−8−(p
−エトキシアニリノ)−2,3−ジシアノ−1,
4−ナフトキノン色素を85%以上含む有機薄膜を
記録層として80nm蒸着した。この成膜の際、波
長830nmの基板入射の反射率をモニターしなが
ら行ない第1のスペーサ層酸化ゲルマニウムの蒸
着終了時の基板入射反射率は15.6%と極大値をと
る厚さに設定し、第2のスペーサ層フツ化マグネ
シウムの蒸着終了時の基板入射反射率は9.4%と、
極小値をとる厚さよりも薄く設定した。
このようにして作製した光デイスクの基板入射
媒体反射率は22.7%と大きいためサーボ信号が大
きく、かつ、再生信号も大きく良好であつた。
実施例 4
内径15mm、外径120mm、厚さ1.2mmの案内溝付き
アクリル樹脂デイスク基板に、酸化ゲルマニウム
を113nm蒸着し、その上に2酸化シリコンを80n
m蒸着し、その上に5−アミノ−8−(p−エト
キシアニリノ)−2,3−ジシアノ−1,4−ナ
フトキノン色素を85%以上含む有機薄膜を記録層
として80nm蒸着した。この成膜の際、波長830n
mの基板入射の反射率をモニターしながら行ない
第1のスペーサ層酸化ゲルマニウムの蒸着終了時
の基板入射反射率は15.6%と極大値をとる厚さに
設定し、第2のスペーサ層2酸化シリコンの蒸着
終了時の基板入射反射率は6.4%と、極小値をと
る厚さよりも薄く設定した。
このようにして作製した光デイスクの基板入射
媒体反射率は23.1%と大きいためサーボ信号が大
きく、かつ、再生信号も大きく良好であつた。
実施例 5
内径15mm、外径120mm、厚さ1.2mmの案内溝付き
アクリル樹脂デイスク基板に、酸化ゲルマニウム
を113nm蒸着し、その上に酸化アルミニウムを
88nm蒸着し、その上に5−アミノ−8−(p−
エトキシアニリノ)−2,3−ジシアノ−1,4
−ナフトキノン色素を85%以上含む有機薄膜を記
録層として80nm蒸着した。この成膜の際、波長
830nmの基板入射の反射率をモニターしながら
行ない第1のスペーサ層酸化ゲルマニウムの蒸着
終了時の基板入射反射率は15.6%と極大値をとる
厚さに設定し、第2のスペーサ層酸化アルミニウ
ムの蒸着終了時の基板入射反射率は4.2%と、極
小値をとる厚さよりも薄く設定した。
このようにして作製した光デイスクの基板入射
媒体反射率は21.6%と大きいためサーボ信号が大
きく、かつ、再生信号も大きく良好であつた。
実施例 6
内径15mm、外径120mm、厚さ1.2mmの案内溝付き
アクリル樹脂デイスク基板に、酸化セリウムを
110nm蒸着し、その上に酸化アルミニウムを88n
m蒸着し、その上に5−アミノ−8−(p−エト
キシアニリノ)−2,3−ジシアノ−1,4−ナ
フトキノン色素を85%以上含む有機薄膜を記録層
として80nm蒸着した。この成膜の際、波長830n
mの基板入射の反射率をモニターしながら行ない
第1のスペーサ層酸化セリウムの蒸着終了時の基
板入射反射率は17.0%と極大値をとる厚さに設定
し、第2のスペーサ層酸化アルミニウムの蒸着終
了時の基板入射反射率は7.6%と、極小値をとる
厚さよりも薄く設定した。
このようにして作製した光デイスクの基板入射
媒体反射率は23.8%と大きいためサーボ信号が大
きく、かつ、再生信号も大きく良好であつた。
実施例 7
内径15mm、外径120mm、厚さ1.2mmの案内溝付き
アクリル樹脂デイスク基板に、銅フタロシアニン
色素を104nm蒸着し、その上にフツ化マグネシ
ウムを68nm蒸着し、その上に5−アミノ−8−
(p−エトキシアニリノ)−2,3−ジシアノ−
1,4−ナフトキノン色素を85%以上含む有機薄
膜を記録層として80nm蒸着した。この成膜の
際、波長830nmの基板入射の反射率をモニター
しながら行ない、第1のスペーサ層銅フタロシア
ニン色素の蒸着終了時の基板入射反射率は20.7%
と極大値をとる厚さに設定し、第2のスペーサ層
フツ化マグネシウムの蒸着終了時の基板入射反射
率は13.6%と、極小値をとる厚さよりも薄く設定
した。
このようにして作製した光デイスクの基板入射
媒体反射率は25.9%と大きいためサーボ信号が大
きく、かつ、再生信号も大きく良好であつた。
実施例 8
内径15mm、外径120mm、厚さ1.2mmの案内溝付き
アクリル樹脂デイスク基板に、銅フタロシアニン
色素を104nm蒸着し、その上に2酸化シリコン
を70nm蒸着し、その上に5−アミノ−8−(p
−エトキシアニリノ)−2,3−ジシアノ−1,
4−ナフトキノン色素を85%以上含む有機薄膜を
記録層として80nm蒸着した。この成膜の際、波
長830nmの基板入射の反射率をモニターしなが
ら行ない、第1のスペーサ層銅フタロシアニン色
素の蒸着終了時の基板入射反射率は20.7%と極大
値をとる厚さに設定し、第2のスペーサ層2酸化
シリコンの蒸着終了時の基板入射反射率は11.6%
と、極小値をとる厚さよりも薄く設定した。
このようにして作製した光デイスクの基板入射
媒体反射率は24.4%と大きいためサーボ信号が大
きく、かつ、再生信号も大きく良好であつた。
実施例 9
内径15mm、外径120mm、厚さ1.2mmの案内溝付き
アクリル樹脂デイスク基板に、銅フタロシアニン
色素を104nm蒸着し、その上に酸化アルミニウ
ムを78nm蒸着し、その上に5−アミノ−8−
(p−エトキシアニリノ)−2,3−ジシアノ−
1,4−ナフトキノン色素を85%以上含む有機薄
膜を記録層として80nm蒸着した。この成膜の
際、波長830nmの基板入射の反射率をモニター
しながら行ない、第1のスペーサ層銅フタロシア
ニン色素の蒸着終了時の基板入射反射率は20.7%
と極大値をとる厚さに設定し、第2のスペーサ層
酸化アルミニウムの蒸着終了時の基板入射反射率
は8.2%と、極小値をとる厚さよりも薄く設定し
た。
このようにして作製した光デイスクの基板入射
媒体反射率は24.2%と大きいためサーボ信号が大
きく、かつ、再生信号も大きく良好であつた。
実施例 10
内径15mm、外径120mm、厚さ1.2mmの案内溝付き
アクリル樹脂デイスク基板に、銅フタロシアニン
色素を104nm蒸着し、その上に酸化イツトリウ
ムを81nm蒸着し、その上に5−アミノ−8−
(p−エトキシアニリノ)−2,3−ジシアノ−
1,4−ナフトキノン色素を85%以上含む有機薄
膜を記録層として80nm蒸着した。この成膜の
際、波長830nmの基板入射の反射率をモニター
しながら行ない、第1のスペーサ層銅フタロシア
ニン色素の蒸着終了時の基板入射反射率は20.7%
と極大値をとる厚さに設定し、第2のスペーサ層
酸化イツトリウムの蒸着終了時の基板入射反射率
は6.8%と、極小値をとる厚さよりも薄く設定し
た。
このようにして作製した光デイスクの基板入射
媒体反射率は23.4%と大きいためサーボ信号が大
きく、かつ、再生信号も大きく良好であつた。
実施例 11
内径15mm、外径120mm、厚さ1.2mmの案内溝付き
アクリル樹脂デイスク基板に、銅フタロシアニン
色素を104nm蒸着し、その上に酸化マグネシウ
ムを83nm蒸着し、その上に5−アミノ−8−
(p−エトキシアニリノ)−2,3−ジシアノ−
1,4−ナフトキノン色素を85%以上含む有機薄
膜を記録層として80nm蒸着した。この成膜の
際、波長830nmの基板入射の反射率をモニター
しながら行ない、第1のスペーサ層銅フタロシア
ニン色素の蒸着終了時の基板入射反射率は20.7%
と極大値をとる厚さに設定し、第2のスペーサ層
酸化マグネシウムの蒸着終了時の基板入射反射率
は5.6%と、極小値をとる厚さよりも薄く設定し
た。
このようにして作製した光デイスクの基板入射
媒体反射率は21.7%と大きいためサーボ信号が大
きく、かつ、再生信号も大きく良好であつた。
実施例 12
内径15mm、外径120mm、厚さ1.2mmの案内溝付き
アクリル樹脂デイスク基板に、酸化ニツケルを
103nm蒸着し、その上にフツ化マグネシウムを
70nm蒸着し、その上に5−アミノ−8−(p−
エトキシアニリノ)−2,3−ジシアノ−1,4
−ナフトキノン色素を85%以上含む有機薄膜を記
録層として80nm蒸着した。この成膜の際、波長
830nmの基板入射の反射率をモニターしながら
行ない、第1のスペーサ層酸化ニツケルの蒸着終
了時の基板入射反射率は21.4%と極大値をとる厚
さに設定し、第2のスペーサ層フツ化マグネシウ
ムの蒸着終了時の基板入射反射率は13.8%と、極
小値をとる厚さよりも薄く設定した。
このようにして作製した光デイスクの基板入射
媒体反射率は27.2%と大きいためサーボ信号が大
きく、かつ、再生信号も大きく良好であつた。
実施例 13
内径15mm、外径120mm、厚さ1.2mmの案内溝付き
アクリル樹脂デイスク基板に、酸化ニツケルを
103nm蒸着し、その上に2酸化シリコンを71nm
蒸着し、その上に5−アミノ−8−(p−エトキ
シアニリノ)−2,3−ジシアノ−1,4−ナフ
トキノン色素を85%以上含む有機薄膜を記録層と
して80nm蒸着した。この成膜の際、波長830nm
の基板入射の反射率をモニターしながら行ない、
第1のスペーサ層酸化ニツケルの蒸着終了時の基
板入射反射率は21.4%と極大値をとる厚さに設定
し、第2のスペーサ層2酸化シリコンの蒸着終了
時の基板入射反射率は11.9%と、極小値をとる厚
さよりも薄く設定した。
このようにして作製した光デイスクの基板入射
媒体反射率は25.3%と大きいためサーボ信号が大
きく、かつ、再生信号も大きく良好であつた。
実施例 14
内径15mm、外径120mm、厚さ1.2mmの案内溝付き
アクリル樹脂デイスク基板に、酸化ニツケルを
103nm蒸着し、その上に酸化アルミニウムを80n
m蒸着し、その上に5−アミノ−8−(p−エト
キシアニリノ)−2,3−ジシアノ−1,4−ナ
フトキノン色素を85%以上含む有機薄膜を記録層
として80nm蒸着した。この成膜の際、波長830n
mの基板入射の反射率をモニターしながら行な
い、第1のスペーサ層酸化ニツケルの蒸着終了時
の基板入射反射率は21.4%と極大値をとる厚さに
設定し、第2のスペーサ層酸化アルミニウムの蒸
着終了時の基板入射反射率は8.0%と、極小値を
とる厚さよりも薄く設定した。
このようにして作製した光デイスクの基板入射
媒体反射率は25.3%と大きいためサーボ信号が大
きく、かつ、再生信号も大きく良好であつた。
実施例 15
内径15mm、外径120mm、厚さ1.2mmの案内溝付き
アクリル樹脂デイスク基板に、酸化ニツケルを
103nm蒸着し、その上に酸化マグネシウムを83n
m蒸着し、その上に5−アミノ−8−(p−エト
キシアニリノ)−2,3−ジシアノ−1,4−ナ
フトキノン色素を85%以上含む有機薄膜を記録層
として80nm蒸着した。この成膜の際、波長830n
mの基板入射の反射率をモニターしながら行な
い、第1のスペーサ層酸化ニツケルの蒸着終了時
の基板入射反射率は21.4%と極大値をとる厚さに
設定し、第2のスペーサ層酸化マグネシウムの蒸
着終了時の基板入射反射率は5.8%と、極小値を
とる厚さよりも薄く設定した。
このようにして作製した光デイスクの基板入射
媒体反射率は22.4%と大きいためサーボ信号が大
きく、かつ、再生信号も大きく良好であつた。
実施例 16
内径15mm、外径120mm、厚さ1.2mmの案内溝付き
アクリル樹脂デイスク基板に、酸化スズを94nm
蒸着し、その上にフツ化マグネシウムを62nm蒸
着し、その上に5−アミノ−8−(p−エトキシ
アニリノ)−2,3−ジシアノ−1,4−ナフト
キノン色素を85%以上含む有機薄膜を記録層とし
て80nm蒸着した。この成膜の際、波長830nmの
基板入射の反射率をモニターしながら行ない、第
1のスペーサ層酸化スズの蒸着終了時の基板入射
反射率は27.8%と極大値をとる厚さに設定し、第
2のスペーサ層フツ化マグネシウムの蒸着終了時
の基板入射反射率は21.0%と、極小値をとる厚さ
よりも薄く設定した。
このようにして作製した光デイスクの基板入射
媒体反射率は28.7%と大きいためサーボ信号が大
きく、かつ、再生信号も大きく良好であつた。
実施例 17
内径15mm、外径120mm、厚さ1.2mmの案内溝付き
アクリル樹脂デイスク基板に、酸化スズを94nm
蒸着し、その上に2酸化シリコンを64nm蒸着
し、その上に5−アミノ−8−(p−エトキシア
ニリノ)−2,3−ジシアノ−1,4−ナフトキ
ノン色素を85%以上含む有機薄膜を記録層として
80nm蒸着した。この成膜の際、波長830nmの基
板入射の反射率をモニターしながら行ない、第1
のスペーサ層酸化スズの蒸着終了時の基板入射反
射率は27.8%と極大値をとる厚さに設定し、第2
のスペーサ層2酸化シリコンの蒸着終了時の基板
入射反射率は18.7%と、極小値をとる厚さよりも
薄く設定した。
このようにして作製した光デイスクの基板入射
媒体反射率は27.7%と大きいためサーボ信号が大
きく、かつ、再生信号も大きく良好であつた。
実施例 18
内径15mm、外径120mm、厚さ1.2mmの案内溝付き
アクリル樹脂デイスク基板に、酸化スズを94nm
蒸着し、その上に酸化アルミニウムを73nm蒸着
し、その上に5−アミノ−8−(p−エトキシア
ニリノ)−2,3−ジシアノ−1,4−ナフトキ
ノン色素を85%以上含む有機薄膜を記録層として
80nm蒸着した。この成膜の際、波長830nmの基
板入射の反射率をモニターしながら行ない、第1
のスペーサ層酸化スズの蒸着終了時の基板入射反
射率は27.8%と極大値をとる厚さに設定し、第2
のスペーサ層酸化アルミニウムの蒸着終了時の基
板入射反射率は14.0%と、極小値をとる厚さより
も薄く設定した。
このようにして作製した光デイスクの基板入射
媒体反射率は28.9%と大きいためサーボ信号が大
きく、かつ、再生信号も大きく良好であつた。
実施例 19
内径15mm、外径120mm、厚さ1.2mmの案内溝付き
アクリル樹脂デイスク基板に、酸化スズを94nm
蒸着し、その上に酸化マグネシウムを80nm蒸着
し、その上に5−アミノ−8−(p−エトキシア
ニリノ)−2,3−ジシアノ−1,4−ナフトキ
ノン色素を85%以上含む有機薄膜を記録層として
80nm蒸着した。この成膜の際、波長830nmの基
板入射の反射率をモニターしながら行ない、第1
のスペーサ層酸化スズの蒸着終了時の基板入射反
射率は27.8%と極大値をとる厚さに設定し、第2
のスペーサ層酸化マグネシウムの蒸着終了時の基
板入射反射率は9.1%と、極小値をとる厚さより
も薄く設定した。
このようにして作製した光デイスクの基板入射
媒体反射率は27.7%と大きいためサーボ信号が大
きく、かつ、再生信号も大きく良好であつた。
実施例 20
内径15mm、外径120mm、厚さ1.2mmの案内溝付き
アクリル樹脂デイスク基板に、酸化スズを94nm
蒸着し、その上に酸化ゲルマニウムを88nm蒸着
し、その上に5−アミノ−8−(p−エトキシア
ニリノ)−2,3−ジシアノ−1,4−ナフトキ
ノン色素を85%以上含む有機薄膜を記録層として
80nm蒸着した。この成膜の際、波長830nmの基
板入射の反射率をモニターしながら行ない、第1
のスペーサ層酸化スズの蒸着終了時の基板入射反
射率は27.8%と極大値をとる厚さに設定し、第2
のスペーサ層酸化ゲルマニウムの蒸着終了時の基
板入射反射率は4.1%と、極小値をとる厚さより
も薄く設定した。
このようにして作製した光デイスクの基板入射
媒体反射率は24.7%と大きいためサーボ信号が大
きく、かつ、再生信号も大きく良好であつた。
実施例 21
内径15mm、外径120mm、厚さ1.2mmの案内溝付き
アクリル樹脂デイスク基板に、酸化スズを94nm
蒸着し、その上に銅フタロシアニン色素を90nm
蒸着し、その上に5−アミノ−8−(p−エトキ
シアニリノ)−2,3−ジシアノ−1,4−ナフ
トキノン色素を85%以上含む有機薄膜を記録層と
して80nm蒸着した。この成膜の際、波長830nm
の基板入射の反射率をモニターしながら行ない、
第1のスペーサ層酸化スズの蒸着終了時の基板入
射反射率は27.8%と極大値をとる厚さに設定し、
第2のスペーサ層銅フタロシアニン色素の蒸着終
了時の基板入射反射率は2.7%と、極小値をとる
厚さよりも薄く設定した。
このようにして作製した光デイスクの基板入射
媒体反射率は20.2%と大きいためサーボ信号が大
きく、かつ、再生信号も大きく良好であつた。
実施例 22
内径15mm、外径120mm、厚さ1.2mmの案内溝付き
アクリル樹脂デイスク基板に、銅フタロシアニン
色素を104nm蒸着し、その上に2酸化シリコン
を68nm蒸着し、その上に5−アミノ−8−(p
−メチルアニリノ)−2,3−ジシアノ−1,4
−ナフトキノン色素を85%以上含む有機薄膜を記
録層として80nm蒸着した。この成膜の際、波長
830nmの基板入射の反射率をモニターしながら
行ない、第1のスペーサ層銅フタロシアニン色素
の蒸着終了時の基板入射反射率は20.7%と極大値
をとる厚さに設定し、第2のスペーサ層2酸化シ
リコンの蒸着終了時の基板入射反射率は12.0%
と、極小値をとる厚さよりも薄く設定した。
このようにして作製した光デイスクの基板入射
媒体反射率は28.5%と大きいためサーボ信号が大
きく、かつ、再生信号も大きく良好であつた。
実施例 23
内径15mm、外径120mm、厚さ1.2mmの案内溝付き
アクリル樹脂デイスク基板に、酸化マグネシウム
を121nm蒸着し、その上に2酸化シリコンを
100nm蒸着し、その上に5−アミノ−8−(p−
プロポキシアニリノ)−2,3−ジシアノ−1,
4−ナフトキノン色素を90%以上含む有機薄膜を
記録層として80nm蒸着した。この成膜の際、波
長830nmの基板入射の反射率をモニターしなが
ら行ない、第1のスペーサ層酸化マグネシウムの
蒸着終了時の基板入射反射率は10.7%と、極大値
をとる厚さに設定し、第2のスペーサ層2酸化シ
リコンの蒸着終了時の基板入射反射率は2.4%と、
極小値をとる厚さよりも薄く設定した。
このようにして作製した光デイスクの基板入射
媒体反射率は19.0%と大きいためサーボ信号が大
きく、かつ、再生信号も大きく良好であつた。
実施例 24
内径15mm、外径120mm、厚さ1.2mmの案内溝付き
アクリル樹脂デイスク基板に、酸化マグネシウム
を110nm蒸着し、その上に2酸化シリコンを
110nm蒸着し、その上に5−アミノ−8−(p−
エトキシアニリノ)−2,3−ジシアノ−1,4
−ナフトキノン色素を90%以上含む有機薄膜を記
録層として80nm蒸着した。この成膜の際、波長
830nmの基板入射の反射率をモニターしながら
行ない、第1のスペーサ層酸化マグネシウムの蒸
着終了時の基板入射反射率は10.6%と極大値をと
る厚さよりも薄く設定し、第2のスペーサ層2酸
化シリコンの蒸着終了時の基板入射反射率は2.1
%と、極小値をとる厚さよりも薄く設定した。
このようにして作製した光デイスクの媒体反射
率は21.6%と大きいためサーボ信号が大きく、か
つ、再生信号も大きく良好であつた。
実施例 25
内径15mm、外径120mm、厚さ1.2mmの案内溝付き
アクリル樹脂デイスク基板に、酸化マグネシウム
を110nm蒸着し、その上にフツ化マグネシウム
を90nm蒸着し、その上に5−アミノ−8−(p
−エトキシアニリノ)−2,3−ジシアノ−1,
4−ナフトキノン色素を90%以上含む有機薄膜を
記録層として80nm蒸着した。この成膜の際、波
長830nmの基板入射の反射率をモニターしなが
ら行ない、第1のスペーサ層酸化マグネシウムの
蒸着終了時の基板入射反射率は10.6%と、極大値
をとる厚さよりも薄くに設定し、第2のスペーサ
層フツ化マグネシウムの蒸着終了時の基板入射反
射率は4.4%と、極小値をとる厚さよりも薄く設
定した。
このようにして作製した光デイスクの媒体反射
率は22.4%と大きいためサーボ信号が大きく、か
つ、再生信号も大きく良好であつた。
実施例 26
内径15mm、外径120mm、厚さ1.2mmの案内溝付き
アクリル樹脂デイスク基板に、銅フタロシアニン
色素を95nm蒸着し、その上にフツ化マグネシウ
ムを80nm蒸着し、その上に5−アミノ−8−
(p−エトキシアニリノ)−2,3−ジシアノ−
1,4−ナフトキノン色素を90%以上含む有機薄
膜を記録層として80nm蒸着した。この成膜の
際、波長830nmの基板入射の反射率をモニター
しながら行ない、第1のスペーサ層銅フタロシア
ニン色素の蒸着終了時の基板入射反射率は20.4%
と、極大値をとる厚さよりも薄く設定し、第2の
スペーサ層フツ化マグネシウムの蒸着終了時の基
板入射反射率は12.2%と、極小値をとる厚さより
も薄く設定した。
このようにして作製した光デイスクの媒体反射
率は28.1%と大きいためサーボ信号が大きく、か
つ、再生信号も大きく良好であつた。
実施例 27
内径15mm、外径120mm、厚さ1.2mmの案内溝付き
アクリル樹脂デイスク基板に、銅フタロシアニン
色素を85nm蒸着し、その上に2酸化シリコンを
80nm蒸着し、その上に5−アミノ−8−(p−
エトキシアニリノ)−2,3−ジシアノ−1,4
−ナフトキノン色素を90%以上含む有機薄膜を記
録層として80nm蒸着した。この成膜の際、波長
830nmの基板入射の反射率をモニターしながら
行ない、第1のスペーサ層銅フタロシアニン色素
の蒸着終了時の基板入射反射率は19.6%と極大値
をとる厚さよりも薄くに設定し、第2のスペーサ
層2酸化シリコンの蒸着終了時の基板入射反射率
は11.5%と、極小値をとる厚さよりも薄く設定し
た。
このようにして作製した光デイスクの媒体反射
率は23.0%と大きいためサーボ信号が大きく、か
つ、再生信号も大きく良好であつた。
実施例 28
内径15mm、外径120mm、厚さ1.2mmの案内溝付き
アクリル樹脂デイスク基板に、ニツケルフタロシ
アニン色素を95nm蒸着し、その上に酸化アルミ
ニウムを80nm蒸着し、その上に5−アミノ−8
−(p−エトキシアニリノ)−2,3−ジシアノ−
1,4−ナフトキノン色素を90%以上含む有機薄
膜を記録層として80nm蒸着した。この成膜の
際、波長830nmの基板入射の反射率をモニター
しながら行ない、第1のスペーサ層ニツケルフタ
ロシアニン色素の蒸着終了時の基板入射反射率は
20.4%と、極大値をとる厚さよりも薄くに設定
し、第2のスペーサ層酸化アルミニウムの蒸着終
了時の基板入射反射率は9.2%と、極小値をとる
厚さよりも薄く設定した。
このようにして作製した光デイスクの媒体反射
率は23.0%と大きいためサーボ信号が大きく、か
つ、再生信号も大きく良好であつた。
実施例 29
内径15mm、外径120mm、厚さ1.2mmの案内溝付き
アクリル樹脂デイスク基板に、コバルトフタロシ
アニン色素を95nm蒸着し、その上に酸化マグネ
シウムを90nm蒸着し、その上に5−アミノ−8
−(p−エトキシアニリノ)−2,3−ジシアノ−
1,4−ナフトキノン色素を90%以上含む有機薄
膜を記録層として80nm蒸着した。この成膜の
際、波長830nmの基板入射の反射率をモニター
しながら行ない、第1のスペーサ層コバルトフタ
ロシアニン色素の蒸着終了時の基板入射反射率は
20.4%と、極大値をとる厚さよりも薄くに設定
し、第2のスペーサ層酸化マグネシウムの蒸着終
了時の基板入射反射率は5.5%と、極小値をとる
厚さよりも薄く設定した。
このようにして作製した光デイスクの媒体反射
率は21.7%と大きいためサーボ信号が大きく、か
つ、再生信号も大きく良好であつた。
実施例 30
内径15mm、外径120mm、厚さ1.2mmの案内溝付き
アクリル樹脂デイスク基板に、銅フタロシアニン
色素を95nm蒸着し、その上に酸化イツトリウム
を85nm蒸着し、その上に5−アミノ−8−(p
−エトキシアニリノ)−2,3−ジシアノ−1,
4−ナフトキノン色素を90%以上含む有機薄膜を
記録層として80nm蒸着した。この成膜の際、波
長830nmの基板入射の反射率をモニターしなが
ら行ない、第1のスペーサ層銅フタロシアニン色
素の蒸着終了時の基板入射反射率は20.4%と、極
大値をとる厚さよりも薄く設定し、第2のスペー
サ層酸化イツトリウムの蒸着終了時の基板入射反
射率は7.3%と、極小値をとる厚さよりも薄く設
定した。
このようにして作製した光デイスクの媒体反射
率は22.8%と大きいためサーボ信号が大きく、か
つ、再生信号も大きく良好であつた。
実施例 31
内径15mm、外径120mm、厚さ1.2mmの案内溝付き
アクリル樹脂デイスク基板に、酸化ゲルマニウム
を90nm蒸着し、その上にフツ化マグネシウムを
90nm蒸着し、その上に5−アミノ−8−(p−
エトキシアニリノ)−2,3−ジシアノ−1,4
−ナフトキノン色素を90%以上含む有機薄膜を記
録層として80nm蒸着した。この成膜の際、波長
830nmの基板入射の反射率をモニターしながら
行ない、第1のスペーサ層酸化ゲルマニウムの蒸
着終了時の基板入射反射率は14.7%と極大値をと
る厚さよりも薄く設定し、第2のスペーサ層フツ
化マグネシウムの蒸着終了時の基板入射反射率は
7.6%と、極小値をとる厚さよりも薄く設定した。
このようにして作製した光デイスクの媒体反射
率は24.5%と大きいためサーボ信号が大きく、か
つ、再生信号も大きく良好であつた。
実施例 32
内径15mm、外径120mm、厚さ1.2mmの案内溝付き
アクリル樹脂デイスク基板に、酸化ゲルマニウム
を90nm蒸着し、その上に2酸化シリコンを90n
m蒸着し、その上に5−アミノ−8−(p−エト
キシアニリノ)−2,3−ジシアノ−1,4−ナ
フトキノン色素を90%以上含む有機薄膜を記録層
として80nm蒸着した。この成膜の際、波長830n
mの基板入射の反射率をモニターしながら行な
い、第1のスペーサ層酸化ゲルマニウムの蒸着終
了時の基板入射反射率は14.7%と、極大値をとる
厚さよりも薄く設定し、第2のスペーサ層2酸化
シリコンの蒸着終了時の基板入射反射率は6.8%
と、極小値をとる厚さよりも薄く設定した。
このようにして作製した光デイスクの媒体反射
率は21.6%と大きいためサーボ信号が大きく、か
つ、再生信号も大きく良好であつた。
実施例 33
内径15mm、外径120mm、厚さ1.2mmの案内溝付き
アクリル樹脂デイスク基板に、酸化ゲルマニウム
を90nm蒸着し、その上に酸化アルミニウムを
90nm蒸着し、その上に5−アミノ−8−(p−
エトキシアニリノ)−2,3−ジシアノ−1,4
−ナフトキノン色素を90%以上含む有機薄膜を記
録層として80nm蒸着した。この成膜の際、波長
830nmの基板入射の反射率をモニターしながら
行ない、第1のスペーサ層酸化ゲルマニウムの蒸
着終了時の基板入射反射率は14.7%と、極大値を
とる厚さよりも薄く設定し、第2のスペーサ層酸
化アルミニウムの蒸着終了時の基板入射反射率は
6.4%と、極小値をとる厚さよりも薄く設定した。
このようにして作製した光デイスクの媒体反射
率は18.7%と大きいためサーボ信号が大きく、か
つ、再生信号も大きく良好であつた。
実施例 34
内径15mm、外径120mm、厚さ1.2mmの案内溝付き
アクリル樹脂デイスク基板に、酸化セリウムを
90nm蒸着し、その上に2酸化シリコンを90nm
蒸着し、その上に5−アミノ−8−(p−エトキ
シアニリノ)−2,3−ジシアノ−1,4−ナフ
トキノン色素を90%以上含む有機薄膜を記録層と
して80nm蒸着した。この成膜の際、波長830nm
の基板入射の反射率をモニターしながら行ない、
第1のスペーサ層酸化セリウムの蒸着終了時の基
板入射反射率は16.2%と、極大値をとる厚さより
も薄く設定し、第2のスペーサ層2酸化シリコン
の蒸着終了時の基板入射反射率は7.3%と、極小
値をとる厚さよりも薄く設定した。
このようにして作製した光デイスクの媒体反射
率は23.2%と大きいためサーボ信号が大きく、か
つ、再生信号も大きく良好であつた。
実施例 35
内径15mm、外径120mm、厚さ1.2mmの案内溝付き
アクリル樹脂デイスク基板に、酸化ニツケルを
95nm蒸着し、その上にフツ化マグネシウムを
80nm蒸着し、その上に5−アミノ−8−(p−
エトキシアニリノ)−2,3−ジシアノ−1,4
−ナフトキノン色素を90%以上含む有機薄膜を記
録層として80nm蒸着した。この成膜の際、波長
830nmの基板入射の反射率をモニターしながら
行ない、第1のスペーサ層酸化ニツケルの蒸着終
了時の基板入射反射率は21.2%と、極大値をとる
厚さよりも薄く設定し、第2のスペーサ層フツ化
マグネシウムの蒸着終了時の基板入射反射率は
12.7%と、極小値をとる厚さよりも薄く設定し
た。
このようにして作製した光デイスクの媒体反射
率は28.9%と大きいためサーボ信号が大きく、か
つ、再生信号も大きく良好であつた。
実施例 36
内径15mm、外径120mm、厚さ1.2mmの案内溝付き
アクリル樹脂デイスク基板に、酸化ニツケルを
85nm蒸着し、その上に2酸化シリコンを80nm
蒸着し、その上に5−アミノ−8−(p−エトキ
シアニリノ)−2,3−ジシアノ−1,4−ナフ
トキノン色素を90%以上含む有機薄膜を記録層と
して80nm蒸着した。この成膜の際、波長830nm
の基板入射の反射率をモニターしながら行ない、
第1のスペーサ層酸化ニツケルの蒸着終了時の基
板入射反射率は20.3%と、極大値をとる厚さより
も薄く設定し、第2のスペーサ層2酸化シリコン
の蒸着終了時の基板入射反射率は11.9%と、極小
値をとる厚さよりも薄く設定した。
このようにして作製した光デイスクの媒体反射
率は23.8%と大きいためサーボ信号が大きく、か
つ、再生信号も大きく良好であつた。
実施例 37
内径15mm、外径120mm、厚さ1.2mmの案内溝付き
アクリル樹脂デイスク基板に、酸化ニツケルを
95nm蒸着し、その上に酸化アルミニウムを80n
m蒸着し、その上に5−アミノ−8−(p−エト
キシアニリノ)−2,3−ジシアノ−1,4−ナ
フトキノン色素を90%以上含む有機薄膜を記録層
として80nm蒸着した。この成膜の際、波長830n
mの基板入射の反射率をモニターしながら行な
い、第1のスペーサ層酸化ニツケルの蒸着終了時
の基板入射反射率は21.2%と、極大値をとる厚さ
よりも薄く設定し、第2のスペーサ層酸化アルミ
ニウムの蒸着終了時の基板入射反射率は9.4%と、
極小値をとる厚さよりも薄く設定した。
このようにして作製した光デイスクの媒体反射
率は23.8%と大きいためサーボ信号が大きく、か
つ、再生信号も大きく良好であつた。
実施例 38
内径15mm、外径120mm、厚さ1.2mmの案内溝付き
アクリル樹脂デイスク基板に、酸化ニツケルを
95nm蒸着し、その上に酸化マグネシウムを90n
m蒸着し、その上に5−アミノ−8−(p−エト
キシアニリノ)−2,3−ジシアノ−1,4−ナ
フトキノン色素を90%以上含む有機薄膜を記録層
として80nm蒸着した。この成膜の際、波長830n
mの基板入射の反射率をモニターしながら行な
い、第1のスペーサ層酸化ニツケルの蒸着終了時
の基板入射反射率は21.2%と、極大値をとる厚さ
よりも薄く設定し、第2のスペーサ層酸化マグネ
シウムの蒸着終了時の基板入射反射率は5.5%と、
極小値をとる厚さよりも薄く設定した。
このようにして作製した光デイスクの媒体反射
率は22.5%と大きいためサーボ信号が大きく、か
つ、再生信号も大きく良好であつた。
実施例 39
内径15mm、外径120mm、厚さ1.2mmの案内溝付き
アクリル樹脂デイスク基板に、酸化スズを75nm
蒸着し、その上に酸化マグネシウムを70nm蒸着
し、その上に5−アミノ−8−(p−エトキシア
ニリノ)−2,3−ジシアノ−1,4−ナフトキ
ノン色素を90%以上含む有機薄膜を記録層として
80nm蒸着した。この成膜の際、波長830nmの基
板入射の反射率をモニターしながら行ない、第1
のスペーサ層酸化スズの蒸着終了時の基板入射反
射率は25.9%と、極大値をとる厚さよりも薄く設
定し、第2のスペーサ層フツ化マグネシウムの蒸
着終了時の基板入射反射率は20.5%と、極小値を
とる厚さよりも薄く設定した。
このようにして作製した光デイスクの媒体反射
率は25.3%と大きいためサーボ信号が大きく、か
つ、再生信号も大きく良好であつた。
実施例 40
内径15mm、外径120mm、厚さ1.2mmの案内溝付き
アクリル樹脂デイスク基板に、酸化スズを55nm
蒸着し、その上に2酸化シリコンを100nm蒸着
し、その上に5−アミノ−8−(p−エトキシア
ニリノ)−2,3−ジシアノ−1,4−ナフトキ
ノン色素を90%以上含む有機薄膜を記録層として
80nm蒸着した。この成膜の際、波長830nmの基
板入射の反射率をモニターしながら行ない、第1
のスペーサ層酸化スズの蒸着終了時の基板入射反
射率は20.5%と、極大値をとる厚さよりも薄く設
定し、第2のスペーサ層2酸化シリコンの蒸着終
了時の基板入射反射率は12.0%と、極小値をとる
厚さよりも薄く設定した。
このようにして作製した光デイスクの媒体反射
率は26.3%と大きいためサーボ信号が大きく、か
つ、再生信号も大きく良好であつた。
実施例 41
内径15mm、外径120mm、厚さ1.2mmの案内溝付き
アクリル樹脂デイスク基板に、酸化スズを55nm
蒸着し、その上に酸化アルミニウムを100nm蒸
着し、その上に5−アミノ−8−(p−エトキシ
アニリノ)−2,3−ジシアノ−1,4−ナフト
キノン色素を90%以上含む有機薄膜を記録層とし
て80nm蒸着した。この成膜の際、波長830nmの
基板入射の反射率をモニターしながら行ない、第
1のスペーサ層酸化スズの蒸着終了時の基板入射
反射率は20.5%と、極大値をとる厚さよりも薄く
設定し、第2のスペーサ層酸化アルミニウムの蒸
着終了時の基板入射反射率は11.0%と、極小値を
とる厚さよりも薄く設定した。
このようにして作製した光デイスクの媒体反射
率は23.9%と大きいためサーボ信号が大きく、か
つ、再生信号も大きく良好であつた。
実施例 42
内径15mm、外径120mm、厚さ1.2mmの案内溝付き
アクリル樹脂デイスク基板に、酸化スズを65nm
蒸着し、その上に酸化マグネシウムを100nm蒸
着し、その上に5−アミノ−8−(p−エトキシ
アニリノ)−2,3−ジシアノ−1,4−ナフト
キノン色素を90%以上含む有機薄膜を記録層とし
て80nm蒸着した。この成膜の際、波長830nmの
基板入射の反射率をモニターしながら行ない、第
1のスペーサ層酸化スズの蒸着終了時の基板入射
反射率は23.6%と、極大値をとる厚さよりも薄く
設定し、第2のスペーサ層酸化マグネシウムの蒸
着終了時の基板入射反射率は8.7%と、極小値を
とる厚さよりも薄く設定した。
このようにして作製した光デイスクの媒体反射
率は24.8%と大きいためサーボ信号が大きく、か
つ、再生信号も大きく良好であつた。
実施例 43
内径15mm、外径120mm、厚さ1.2mmの案内溝付き
アクリル樹脂デイスク基板に、酸化スズを75nm
蒸着し、その上に酸化ゲルマニウムを100nm蒸
着し、その上に5−アミノ−8−(p−エトキシ
アニリノ)−2,3−ジシアノ−1,4−ナフト
キノン色素を90%以上含む有機薄膜を記録層とし
て80nm蒸着した。この成膜の際、波長830nmの
基板入射の反射率をモニターしながら行ない、第
1のスペーサ層酸化スズの蒸着終了時の基板入射
反射率は25.9%と、極大値をとる厚さよりも薄く
設定し、第2のスペーサ層酸化ゲルマニウムの蒸
着終了時の基板入射反射率は5.0%と、極小値を
とる厚さよりも薄く設定した。
このようにして作製した光デイスクの媒体反射
率は23.5%と大きいためサーボ信号が大きく、か
つ、再生信号も大きく良好であつた。
実施例 44
内径15mm、外径120mm、厚さ1.2mmの案内溝付き
アクリル樹脂デイスク基板に、酸化スズを85nm
蒸着し、その上に銅フタロシアニン色素を100n
m蒸着し、その上に5−アミノ−8−(p−エト
キシアニリノ)−2,3−ジシアノ−1,4−ナ
フトキノン色素を90%以上含む有機薄膜を記録層
として80nm蒸着した。この成膜の際、波長830n
mの基板入射の反射率をモニターしながら行な
い、第1のスペーサ層酸化スズの蒸着終了時の基
板入射反射率は27.3%と、極大値をとる厚さより
も薄く設定し、第2のスペーサ層銅フタロシアニ
ン色素の蒸着終了時の基板入射反射率は2.3%と、
極小値をとる厚さよりも薄く設定した。
このようにして作製した光デイスクの媒体反射
率は20.1%と大きいためサーボ信号が大きく、か
つ、再生信号も大きく良好であつた。
実施例 45
内径15mm、外径120mm、厚さ1.2mmの案内溝付き
アクリル樹脂デイスク基板に、銅フタロシアニン
色素を95nm蒸着し、その上に酸化マグネシウム
を90nm蒸着し、その上に5−アミノ−8−(p
−エトキシアニリノ)−2,3−ジシアノ−1,
4−ナフトキノン色素を90%以上含む有機薄膜を
記録層として80nm蒸着した。この成膜の際、波
長830nmの基板入射の反射率をモニターしなが
ら行ない、第1のスペーサ層銅フタロチアニン色
素の蒸着終了時の基板入射反射率は20.4%と、極
大値をとる厚さよりも薄く設定し、第2のスペー
サ層酸化マグネシウムの蒸着終了時の基板入射反
射率は5.5%と、極小値をとる厚さよりも薄く設
定した。
このようにして作製した光デイスクの媒体反射
率は21.7%と大きいためサーボ信号が大きく、か
つ、再生信号も大きく良好であつた。
実施例 46
内径15mm、外径120mm、厚さ1.2mmの案内溝付き
アクリル樹脂デイスク基板に、銅フタロシアニン
色素を85nm蒸着し、その上に2酸化シリコンを
80nm蒸着し、その上に5−アミノ−8−(p−
メチルアニリノ)−2,3−ジシアノ−1,4−
ナフトキノン色素を95%以上含む有機薄膜を記録
層として80nm蒸着した。この成膜の際、波長
830nmの基板入射の反射率をモニターしながら
行ない、第1のスペーサ層銅フタロシアニン色素
の蒸着終了時の基板入射反射率は19.6%と、極大
値をとる厚さよりも薄く設定し、第2のスペーサ
層2酸化シリコンの蒸着終了時の基板入射反射率
は11.5%と、極小値をとる厚さよりも薄く設定し
た。
このようにして作製した光デイスクの媒体反射
率は27.8%と大きいためサーボ信号が大きく、か
つ、再生信号も大きく良好であつた。
発明の効果
上記実施例から明らかなように、本発明により
再生信号及びサーボ信号の大きな光情報記録媒体
が得られる。[Table] In order to obtain a substantial effect of increasing reflectance according to the present invention, the film thickness of the spacer layer must be approximately λ/8n.
(λ is the wavelength of light, and n is the refractive index of the spacer material). That is, in the case of light having a wavelength of 830 nm as shown in Table 3, a thickness of 50 nm or more is a practically effective thickness for materials with a refractive index of 1.4 or more to around 2. Additionally, the first and second spacer layers used in the present invention are preferably substantially transparent at the readout laser wavelength. The first spacer layer may have a refractive index greater than that of the substrate. for example
CeO2 , Cr2O3 , Fe2O3 , Fe3O4 , GeO2 , In2O3 ,
MgO, MnO2 , MoO3 , Nb2O3 , NiO2 , SiO,
Sm2O3 , SnO2 , Ta2O5 , TeO2 , TiO2 , V2O5 ,
Various oxides such as WO3 , Y2O3 , ZnO, ZrO2 ,
Various nitrides such as Si 3 N 4 and ZrN, various carbides such as ZrC, various sulfides such as GeS and ZnS, various organic pigments such as cobalt phthalocyanine, copper phthalocyanine, magnesium phthalocyanine, nickel phthalocyanine, zinc phthalocyanine, and various magnetic garnets. Also, Si, Se, Ge, B, or a compound thereof can be used. As the second spacer layer, for example, AlF 3 , BaF 2 , CaF 2 , CeF 3 ,
DyF 3 , ErF 3 , EuF 3 , GdF 3 , HfF 4 , HoF 3 ,
LaF 3 , LiF, MgF 2 , NaF, NdF 3 , PrF 3 ,
Various fluorides such as SmF 3 , SrF 2 , YF 3 , YbF 3 ,
Al 2 O 3 , CeO 2 , Cr 2 O 3 , Dy 2 O 3 , Er 2 O 3 , Eu 2 O 3 ,
Fe 2 O 3 , Fe 3 O 4 , Gd 2 O 3 , GeO 2 , HfO 2 , Ho 2 O 3 ,
In2O3 , Lu2O3 , MgO , MnO2 , MoO3 , Nb2O3 ,
NiO, SiO, SiO2 , Sm2O3 , SnO2 , Ta2O5 ,
Various oxides such as TiO 2 , V 2 O 5 , WO 3 , Y 2 O 3 , ZnO, ZrO 2 , various nitrides such as ZrN, various carbides such as ZrC, various sulfides such as GeS, ZnS, cobalt phthalocyanine , various organic dyes such as copper phthalocyanine, molybdenum phthalocyanine, magnesium phthalocyanine, nickel phthalocyanine, zinc phthalocyanine, Sudan Black B, various foot resists, various electron beam resists, and various organic substances such as polystyrene. For example, when using SnO 2 as the first spacer layer, AlF 3 ,
BaF 2 , CaF 2 , CeF 3 , DyF 3 , ErF 3 , EuF 3 ,
GdF3 , HoF3 , LaF3 , LiF, MgF2 , NaF,
Fluorides such as NdF 3 , PrF 3 , SmF 3 , SrF 2 , YF 3 , YbF 3 , Al 2 O 3 , CeO 2 , Dy 2 O 3 , Er 2 O 3 , Eu 2 O 3 ,
GeO2 , Ho2O3 , Lu2O3 , MgO, SiO2 , Sm2O3 ,
Organic pigments such as Y 2 O 3 , oxides, Sudan Black B, etc., and organic substances such as guanine and crystal violet lactone can be used. The above-mentioned second spacer layer material can also be used when copper phthalocyanine is used as the first spacer layer. When using NiO as the first spacer layer, AlF 3 , BaF 2 ,
CaF 2 , CeF 3 , DyF 3 , ErF 3 , EuF 3 , GdF 3 ,
HoF 3 , LaF 3 , LiF, MgF 2 , NaF, NdF 3 ,
Fluorides such as PrF 3 , SmF 3 , SnF 2 , YF 3 , YbF 3 , Al 2 O 3 , Dy 2 O 3 , Er 2 O 3 , Eu 2 O 3 , Ho 2 O 3 ,
Lu 2 O 3 , MgO, SiO 2 , Sm 2 O 3 , Y 2 O 3 and the like, oxides, organic pigments such as Sudan Black B, and organic substances such as crystal violet lactone can be used. The above-mentioned second spacer layer material can also be used when GeO 2 is used as the first spacer layer. When MgO is used as the first spacer layer, a fluoride such as MgF 2 or an oxide such as Al 2 O 3 or SiO 2 can be used as the second spacer layer. When Si is used as the first spacer layer, AlF 3 , BaF 2 ,
CaF 2 , CeF 3 , DyF 3 , ErF 3 , EuF 3 , GdF 3 ,
HfF4 , HoF3 , LaF3 , LiF, MgF2 , NaF,
Fluorides such as NdF 3 , PrF 3 , SmF 3 , SrF 2 , YF 3 , YbF 3 , Al 2 O 3 , CeO 2 , Cr 2 O 3 , Dy 2 O 3 , Er 2 O 3 ,
Eu 2 O 3 , Fe 2 O 3 , Fe 3 O 4 , Gd 2 O 3 , GeO 2 , HfO 2 ,
Ho 2 O 3 , In 2 O 3 , Lu 2 O 3 , MgO, MnO 2 , MoO 3 ,
Nb 2 O 5 , NiO, SiO, SiO 2 , Sm 2 O 3 , SnO 2 ,
Ta 2 O 5 , TiO 2 , V 2 O 5 , WO 3 , Y 2 O 3 , ZnO,
Oxides such as ZrO 2 , nitrides such as ZrN, carbides such as ZrC, sulfides such as GeS and ZrS, and organic materials such as cobalt phthalocyanine, copper phthalocyanine, molybdenum phthalocyanine, magnesium phthalocyanine, nickel phthalocyanine, zinc phthalocyanine, Sudan Black B, etc. Pigments, guanine, crystal violet lactone, dianhydride 3, 4, 9, 10-
Organic substances such as perylenetetracarboxylic acid can be used. In the present invention, the first and second spacer layers are limited to substantially transparent layers. This is because the medium configuration of the present invention, ie, the provision of the first and second spacer layers, increases the reflectance but reduces the absorption rate of the recording layer. That is, compared to a medium having only a single recording layer, the medium structure of the present invention reduces transmittance and absorption and increases reflectance. Therefore, if the spacer layer is a light absorption layer, the absorption rate of the recording layer will further decrease, and the recording sensitivity of the medium will decrease, making it unusable. Therefore, the spacer layer must be substantially transparent. is necessary. The recording layer is preferably one containing an organic substance as a main component, and more preferably one that can be formed by vapor deposition or sputtering. Specifically, various squarylium dyes, various 5-amino-2,3
- various phthalocyanine dyes such as dicyano-1,4-naphthoquinone dyes, vanadyl phthalocyanine, titanyl phthalocyanine, aluminum phthalocyanine, aluminum chloride phthalocyanine, titanium phthalocyanine, lead phthalocyanine, platinum phthalocyanine, plasma polymerized organic membrane containing Te,
An organic film in which Te is surrounded by alkyl groups, an organic film in which Te is surrounded by fluorocarbons, etc. can be used. Among these, 5-amino-8-substituted anilino-2,3-dicyano-1,4-naphthoquinone dye, 5,8-substituted anilino-2,3-dicyano-
1,4-naphthoquinone dyes, mixtures thereof, or metal complexes thereof are preferable, and substituents include alkoxyl groups having 4 or less carbon atoms,
Alkyl groups are most preferred. Although various substrates can be used, synthetic resin, glass, and porcelain are generally preferred. Examples of synthetic resins include acrylic resins such as polymethyl methacrylate, polycarbonate, polyetherimide, polysulfone, epoxy resins, and vinyl chloride resins. The shape of the board is disc-shaped, sheet-shaped,
It can be in the form of a tape. In the optical recording medium of the present invention, information is recorded on the recording layer by forming pits in the recording layer. In a disk medium using a disk-shaped substrate, pits are recorded so as to form a large number of concentric or spiral tracks. In order to accurately record a large number of tracks at regular intervals, light guide grooves are usually provided on the substrate. When light enters a groove about the diameter of the beam, it is diffracted. As the beam center shifts from the groove, the spatial distribution of the diffracted light intensity changes, and a servo system can be configured to detect this and direct the beam to the center of the groove. Usually, the width of the guide groove is set in the range of 0.3 to 1.2 μm, and the depth is set in the range of 1/12 to 1/4 of the wavelength of the recording/reproducing laser used. In the optical recording medium of the present invention, guide grooves are preferably formed on the grooved surface of the substrate. Examples of the present invention will be described below. Example 1 Magnesium oxide was evaporated to a thickness of 121 nm on an acrylic resin disk substrate with an inner diameter of 15 mm, an outer diameter of 120 mm, and a thickness of 1.2 mm, with a thickness of 1.2 mm, magnesium fluoride was evaporated to a thickness of 82 nm, and 5-amino-8 −(p
-ethoxyanilino)-2,3-dicyano-1,
An organic thin film containing 85% or more of 4-naphthoquinone dye was deposited as a recording layer to a thickness of 80 nm. During this film formation, the reflectance of light incident on the substrate at a wavelength of 830 nm was monitored, and the reflectance of light incident on the substrate at the end of vapor deposition of the first spacer layer magnesium oxide was set to a thickness that had a maximum value of 10.7%. The substrate incidence reflectance at the end of the vapor deposition of the second spacer layer magnesium fluoride is 4.7%.
The thickness was set to be thinner than the minimum value. Since the substrate incident medium reflectance of the optical disk thus produced was as high as 22.0%, the servo signal was large and the reproduced signal was also large and good. Example 2 Magnesium oxide was deposited to a thickness of 121 nm on an acrylic resin disk substrate with a guide groove of 15 mm in inner diameter, 120 mm in outer diameter, and 1.2 mm in thickness, and silicon dioxide was deposited on top of it.
5-amino-8-(p-
ethoxyanilino)-2,3-dicyano-1,4
- An organic thin film containing 85% or more of naphthoquinone dye was deposited as a recording layer to a thickness of 80 nm. During this film formation, the wavelength
This was done while monitoring the substrate incident reflectance of 830 nm, and the substrate incident reflectance was set to a maximum value of 10.7% at the end of vapor deposition of the first spacer layer magnesium oxide, and the second spacer layer silicon dioxide was deposited. The substrate incident reflectance at the end of vapor deposition was set to 2.3%, which is thinner than the minimum thickness. Since the substrate incident medium reflectance of the optical disk thus manufactured was as high as 21.5%, the servo signal was large and the reproduced signal was also large and good. Example 3 On an acrylic resin disk substrate with an inner diameter of 15 mm, an outer diameter of 120 mm, and a thickness of 1.2 mm, germanium oxide was deposited to a thickness of 113 nm, magnesium fluoride was deposited to a thickness of 69 nm, and 5-amino-8 −(p
-ethoxyanilino)-2,3-dicyano-1,
An organic thin film containing 85% or more of 4-naphthoquinone dye was deposited as a recording layer to a thickness of 80 nm. During this film formation, the reflectance of the incident light on the substrate at a wavelength of 830 nm was monitored, and the reflectance of the incident light on the substrate was set to a maximum value of 15.6% at the end of the vapor deposition of the first spacer layer germanium oxide. The substrate incidence reflectance at the end of the vapor deposition of the spacer layer 2 of magnesium fluoride is 9.4%.
The thickness was set to be thinner than the minimum value. Since the substrate incident medium reflectance of the optical disk thus manufactured was as high as 22.7%, the servo signal was large and the reproduced signal was also large and good. Example 4 Germanium oxide was deposited to a thickness of 113 nm on an acrylic resin disk substrate with a guide groove of 15 mm in inner diameter, 120 mm in outer diameter, and 1.2 mm in thickness, and 80 nm of silicon dioxide was deposited on it.
On the recording layer, an organic thin film containing 85% or more of 5-amino-8-(p-ethoxyanilino)-2,3-dicyano-1,4-naphthoquinone dye was deposited as a recording layer to a thickness of 80 nm. During this film formation, the wavelength is 830n.
The thickness was set to a maximum value of 15.6% at the end of the vapor deposition of the first spacer layer germanium oxide, and the thickness was set to a maximum value of 15.6%. The substrate incident reflectance at the end of vapor deposition was set to 6.4%, which is thinner than the minimum thickness. Since the substrate incident medium reflectance of the optical disk thus produced was as high as 23.1%, the servo signal was large and the reproduced signal was also large and good. Example 5 Germanium oxide was evaporated to a thickness of 113 nm on an acrylic resin disk substrate with a guide groove of 15 mm in inner diameter, 120 mm in outer diameter, and 1.2 mm in thickness, and aluminum oxide was deposited on top of it.
88 nm, and 5-amino-8-(p-
ethoxyanilino)-2,3-dicyano-1,4
- An organic thin film containing 85% or more of naphthoquinone dye was deposited as a recording layer to a thickness of 80 nm. During this film formation, the wavelength
The reflectance of 830 nm incident on the substrate was monitored and the thickness was set to a maximum value of 15.6% at the end of the deposition of the first spacer layer germanium oxide. The substrate incident reflectance at the end of vapor deposition was set to 4.2%, which is thinner than the minimum thickness. Since the substrate incident medium reflectance of the optical disk thus produced was as high as 21.6%, the servo signal was large and the reproduced signal was also large and good. Example 6 Cerium oxide was applied to an acrylic resin disk substrate with guide grooves of 15 mm inner diameter, 120 mm outer diameter, and 1.2 mm thickness.
110nm vapor deposited and 88n aluminum oxide on top
On top of this, an organic thin film containing 85% or more of 5-amino-8-(p-ethoxyanilino)-2,3-dicyano-1,4-naphthoquinone dye was deposited as a recording layer to a thickness of 80 nm. During this film formation, the wavelength is 830n.
The thickness was set to a maximum value of 17.0% at the end of the deposition of the first spacer layer cerium oxide, and the thickness was set to a maximum value of 17.0%. The substrate incident reflectance at the end of vapor deposition was set to 7.6%, which is thinner than the minimum thickness. Since the substrate incident medium reflectance of the optical disk thus produced was as high as 23.8%, the servo signal was large and the reproduced signal was also large and good. Example 7 On an acrylic resin disk substrate with a guide groove of 15 mm in inner diameter, 120 mm in outer diameter, and 1.2 mm in thickness, copper phthalocyanine dye was evaporated to a thickness of 104 nm, magnesium fluoride was evaporated to a thickness of 68 nm, and 5-amino- 8-
(p-ethoxyanilino)-2,3-dicyano-
An organic thin film containing 85% or more of 1,4-naphthoquinone dye was deposited as a recording layer to a thickness of 80 nm. During this film formation, the reflectance of light incident on the substrate at a wavelength of 830 nm was monitored, and the reflectance of light incident on the substrate at the end of vapor deposition of the first spacer layer copper phthalocyanine dye was 20.7%.
The thickness was set to take a maximum value of , and the substrate incident reflectance at the end of vapor deposition of the second spacer layer magnesium fluoride was set to 13.6%, which is thinner than the thickness to take a minimum value. Since the substrate incident medium reflectance of the optical disk thus produced was as high as 25.9%, the servo signal was large and the reproduced signal was also large and good. Example 8 On an acrylic resin disk substrate with a guide groove of 15 mm in inner diameter, 120 mm in outer diameter, and 1.2 mm in thickness, copper phthalocyanine dye was deposited to a thickness of 104 nm, silicon dioxide was deposited to a thickness of 70 nm, and 5-amino- 8-(p
-ethoxyanilino)-2,3-dicyano-1,
An organic thin film containing 85% or more of 4-naphthoquinone dye was deposited as a recording layer to a thickness of 80 nm. During this film formation, the reflectance of light incident on the substrate at a wavelength of 830 nm was monitored, and the thickness was set to such a value that the reflectance of light incident on the substrate at the end of vapor deposition of the first spacer layer copper phthalocyanine dye had a maximum value of 20.7%. , the substrate incidence reflectance at the end of the deposition of the second spacer layer silicon dioxide is 11.6%.
The thickness was set to be thinner than the minimum value. Since the substrate incident medium reflectance of the optical disk thus produced was as high as 24.4%, the servo signal was large and the reproduced signal was also large and good. Example 9 On an acrylic resin disk substrate with a guide groove of 15 mm in inner diameter, 120 mm in outer diameter, and 1.2 mm in thickness, 104 nm of copper phthalocyanine dye was vapor-deposited, 78 nm of aluminum oxide was vapor-deposited thereon, and 5-amino-8 −
(p-ethoxyanilino)-2,3-dicyano-
An organic thin film containing 85% or more of 1,4-naphthoquinone dye was deposited as a recording layer to a thickness of 80 nm. During this film formation, the reflectance of light incident on the substrate at a wavelength of 830 nm was monitored, and the reflectance of light incident on the substrate at the end of vapor deposition of the first spacer layer copper phthalocyanine dye was 20.7%.
The thickness was set to take a maximum value of , and the substrate incident reflectance at the end of vapor deposition of the second spacer layer aluminum oxide was set to 8.2%, which is thinner than the thickness to take a minimum value. Since the substrate incident medium reflectance of the optical disk thus produced was as high as 24.2%, the servo signal was large and the reproduced signal was also large and good. Example 10 On an acrylic resin disk substrate with a guide groove of 15 mm in inner diameter, 120 mm in outer diameter, and 1.2 mm in thickness, 104 nm of copper phthalocyanine dye was vapor-deposited, 81 nm of yttrium oxide was vapor-deposited thereon, and 5-amino-8 −
(p-ethoxyanilino)-2,3-dicyano-
An organic thin film containing 85% or more of 1,4-naphthoquinone dye was deposited as a recording layer to a thickness of 80 nm. During this film formation, the reflectance of the substrate incident at a wavelength of 830 nm was monitored, and the substrate incident reflectance at the end of the vapor deposition of the first spacer layer copper phthalocyanine dye was 20.7%.
The thickness was set to take the maximum value, and the substrate incident reflectance at the end of the deposition of the second spacer layer yttrium oxide was set to 6.8%, which is thinner than the thickness that takes the minimum value. Since the substrate incident medium reflectance of the optical disk thus produced was as high as 23.4%, the servo signal was large and the reproduced signal was also large and good. Example 11 Copper phthalocyanine dye was evaporated to a thickness of 104 nm on an acrylic resin disk substrate with an inner diameter of 15 mm, an outer diameter of 120 mm, and a thickness of 1.2 mm, with a thickness of 83 nm, and 5-amino-8 −
(p-ethoxyanilino)-2,3-dicyano-
An organic thin film containing 85% or more of 1,4-naphthoquinone dye was deposited as a recording layer to a thickness of 80 nm. During this film formation, the reflectance of light incident on the substrate at a wavelength of 830 nm was monitored, and the reflectance of light incident on the substrate at the end of vapor deposition of the first spacer layer copper phthalocyanine dye was 20.7%.
The thickness was set to take a maximum value of , and the substrate incident reflectance at the end of vapor deposition of the second spacer layer magnesium oxide was set to 5.6%, which is thinner than the thickness to take a minimum value. Since the substrate incident medium reflectance of the optical disk thus manufactured was as high as 21.7%, the servo signal was large and the reproduced signal was also large and good. Example 12 Nickel oxide was applied to an acrylic resin disk substrate with guide grooves of 15 mm inner diameter, 120 mm outer diameter, and 1.2 mm thickness.
103nm vapor deposition and magnesium fluoride on top of it.
5-amino-8-(p-
ethoxyanilino)-2,3-dicyano-1,4
- An organic thin film containing 85% or more of naphthoquinone dye was deposited as a recording layer to a thickness of 80 nm. During this film formation, the wavelength
This was done while monitoring the reflectance of 830 nm incident on the substrate, and the thickness was set to a maximum value of 21.4% for the substrate incident reflectance at the end of the deposition of the first spacer layer nickel oxide, and the thickness was set to a maximum value of 21.4%. The substrate incident reflectance at the end of magnesium evaporation was set to 13.8%, which is thinner than the minimum thickness. Since the substrate incident medium reflectance of the optical disk thus manufactured was as high as 27.2%, the servo signal was large and the reproduced signal was also large and good. Example 13 Nickel oxide was applied to an acrylic resin disk substrate with guide grooves of 15 mm inner diameter, 120 mm outer diameter, and 1.2 mm thickness.
103nm evaporated and 71nm silicon dioxide on top.
Thereon, an organic thin film containing 85% or more of 5-amino-8-(p-ethoxyanilino)-2,3-dicyano-1,4-naphthoquinone dye was vapor-deposited as a recording layer to a thickness of 80 nm. During this film formation, the wavelength is 830nm.
This is done while monitoring the reflectance of the substrate incident on it.
The substrate incident reflectance at the end of the vapor deposition of the first spacer layer nickel oxide is set to a maximum value of 21.4%, and the substrate incident reflectance at the end of the vapor deposition of the second spacer layer silicon dioxide is 11.9%. The thickness was set to be thinner than the minimum value. Since the substrate incident medium reflectance of the optical disk thus produced was as high as 25.3%, the servo signal was large and the reproduced signal was also large and good. Example 14 Nickel oxide was applied to an acrylic resin disk substrate with guide grooves of 15 mm inner diameter, 120 mm outer diameter, and 1.2 mm thickness.
103nm vapor deposited and 80n aluminum oxide on top
On top of this, an organic thin film containing 85% or more of 5-amino-8-(p-ethoxyanilino)-2,3-dicyano-1,4-naphthoquinone dye was deposited as a recording layer to a thickness of 80 nm. During this film formation, the wavelength is 830n.
The thickness was set to a maximum value of 21.4% at the end of the deposition of the first spacer layer of nickel oxide, and the thickness of the second spacer layer of aluminum oxide was set to a maximum value of 21.4%. The substrate incident reflectance at the end of vapor deposition was set to 8.0%, which is thinner than the minimum thickness. Since the substrate incident medium reflectance of the optical disk thus produced was as high as 25.3%, the servo signal was large and the reproduced signal was also large and good. Example 15 Nickel oxide was applied to an acrylic resin disk substrate with guide grooves of 15 mm inner diameter, 120 mm outer diameter, and 1.2 mm thickness.
103nm vapor deposited and 83n magnesium oxide on top.
On top of this, an organic thin film containing 85% or more of 5-amino-8-(p-ethoxyanilino)-2,3-dicyano-1,4-naphthoquinone dye was deposited as a recording layer to a thickness of 80 nm. During this film formation, the wavelength is 830n.
The thickness was set to a maximum value of 21.4% at the end of the deposition of the first spacer layer of nickel oxide, and the thickness of the second spacer layer of magnesium oxide was set to a maximum value of 21.4%. The substrate incident reflectance at the end of vapor deposition was set to 5.8%, which is thinner than the minimum thickness. Since the substrate incident medium reflectance of the optical disk thus produced was as high as 22.4%, the servo signal was large and the reproduced signal was also large and good. Example 16 94 nm of tin oxide was applied to an acrylic resin disk substrate with guide grooves of 15 mm inner diameter, 120 mm outer diameter, and 1.2 mm thickness.
An organic thin film containing 85% or more of 5-amino-8-(p-ethoxyanilino)-2,3-dicyano-1,4-naphthoquinone dye on which magnesium fluoride is vapor-deposited to a thickness of 62 nm. was deposited to a thickness of 80 nm as a recording layer. During this film formation, the reflectance of light incident on the substrate at a wavelength of 830 nm was monitored, and the reflectance of light incident on the substrate was set to a maximum value of 27.8% at the end of vapor deposition of the first spacer layer tin oxide. The substrate incidence reflectance at the end of vapor deposition of the second spacer layer magnesium fluoride was set to 21.0%, which is thinner than the minimum thickness. Since the substrate incident medium reflectance of the optical disk thus produced was as high as 28.7%, the servo signal was large and the reproduced signal was also large and good. Example 17 An acrylic resin disk substrate with a guide groove of 15 mm inner diameter, 120 mm outer diameter, and 1.2 mm thickness was coated with 94 nm of tin oxide.
On top of that, silicon dioxide is deposited to a thickness of 64 nm, and on top of that, an organic thin film containing 85% or more of 5-amino-8-(p-ethoxyanilino)-2,3-dicyano-1,4-naphthoquinone dye is formed. as a recording layer
80nm was deposited. During this film formation, the reflectance of the substrate at a wavelength of 830 nm was monitored.
The substrate incident reflectance at the end of the vapor deposition of the spacer layer tin oxide was set to a thickness of 27.8%, which is the maximum value.
The substrate incident reflectance at the end of vapor deposition of the spacer layer silicon dioxide was set to 18.7%, which is thinner than the minimum thickness. Since the substrate incident medium reflectance of the optical disk thus manufactured was as high as 27.7%, the servo signal was large and the reproduced signal was also large and good. Example 18 Tin oxide was applied to an acrylic resin disk substrate with a guide groove of 15 mm in inner diameter, 120 mm in outer diameter, and 1.2 mm in thickness to a thickness of 94 nm.
On top of that, aluminum oxide is deposited to a thickness of 73 nm, and on top of that, an organic thin film containing 85% or more of 5-amino-8-(p-ethoxyanilino)-2,3-dicyano-1,4-naphthoquinone dye is formed. as a recording layer
80nm was deposited. During this film formation, the reflectance of the substrate at a wavelength of 830 nm was monitored.
The substrate incident reflectance at the end of the vapor deposition of the spacer layer tin oxide was set to the maximum value of 27.8%, and the second
The substrate incident reflectance at the end of vapor deposition of the spacer layer aluminum oxide was set to 14.0%, which is thinner than the minimum thickness. Since the substrate incident medium reflectance of the optical disk thus produced was as high as 28.9%, the servo signal was large and the reproduced signal was also large and good. Example 19 Tin oxide was applied to an acrylic resin disk substrate with a guide groove of 15 mm in inner diameter, 120 mm in outer diameter, and 1.2 mm in thickness to a thickness of 94 nm.
On top of that, magnesium oxide is deposited to a thickness of 80 nm, and on top of that, an organic thin film containing 85% or more of 5-amino-8-(p-ethoxyanilino)-2,3-dicyano-1,4-naphthoquinone dye is formed. as a recording layer
80nm was deposited. During this film formation, the reflectance of the substrate at a wavelength of 830 nm was monitored.
The substrate incident reflectance at the end of the vapor deposition of the spacer layer tin oxide was set to the maximum value of 27.8%, and the second
The substrate incident reflectance at the end of vapor deposition of the spacer layer magnesium oxide was 9.1%, which was set to be thinner than the minimum thickness. Since the substrate incident medium reflectance of the optical disk thus manufactured was as high as 27.7%, the servo signal was large and the reproduced signal was also large and good. Example 20 Tin oxide was applied to an acrylic resin disk substrate with a guide groove of 15 mm in inner diameter, 120 mm in outer diameter, and 1.2 mm in thickness to a thickness of 94 nm.
On top of that, germanium oxide is deposited to a thickness of 88 nm, and on top of that, an organic thin film containing 85% or more of 5-amino-8-(p-ethoxyanilino)-2,3-dicyano-1,4-naphthoquinone dye is formed. as a recording layer
80nm was deposited. During this film formation, the reflectance of the substrate at a wavelength of 830 nm was monitored.
The substrate incident reflectance at the end of the vapor deposition of the spacer layer tin oxide was set to the maximum value of 27.8%, and the second
The substrate incident reflectance at the end of vapor deposition of the spacer layer germanium oxide was set to 4.1%, which is thinner than the minimum thickness. Since the substrate incident medium reflectance of the optical disk thus produced was as high as 24.7%, the servo signal was large and the reproduced signal was also large and good. Example 21 Tin oxide was applied to an acrylic resin disk substrate with a guide groove of 15 mm in inner diameter, 120 mm in outer diameter, and 1.2 mm in thickness to a thickness of 94 nm.
Copper phthalocyanine dye with a thickness of 90 nm is deposited on it.
Thereon, an organic thin film containing 85% or more of 5-amino-8-(p-ethoxyanilino)-2,3-dicyano-1,4-naphthoquinone dye was vapor-deposited as a recording layer to a thickness of 80 nm. During this film formation, the wavelength is 830nm.
This is done while monitoring the reflectance of the substrate incident on it.
The substrate incident reflectance at the end of the vapor deposition of the first spacer layer tin oxide is set to a thickness that takes a maximum value of 27.8%.
The substrate incident reflectance at the end of vapor deposition of the second spacer layer copper phthalocyanine dye was set to 2.7%, which is thinner than the minimum thickness. Since the substrate incident medium reflectance of the optical disk thus manufactured was as high as 20.2%, the servo signal was large and the reproduced signal was also large and good. Example 22 On an acrylic resin disk substrate with a guide groove of 15 mm in inner diameter, 120 mm in outer diameter, and 1.2 mm in thickness, copper phthalocyanine dye was deposited to a thickness of 104 nm, silicon dioxide was deposited to a thickness of 68 nm, and 5-amino- 8-(p
-methylanilino)-2,3-dicyano-1,4
- An organic thin film containing 85% or more of naphthoquinone dye was deposited as a recording layer to a thickness of 80 nm. During this film formation, the wavelength
This was done while monitoring the reflectance of 830 nm incident on the substrate, and the thickness was set to such a value that the substrate incident reflectance at the end of vapor deposition of the first spacer layer copper phthalocyanine dye had a maximum value of 20.7%, and the second spacer layer 2 The substrate incidence reflectance at the end of silicon oxide deposition is 12.0%.
The thickness was set to be thinner than the minimum value. Since the substrate incident medium reflectance of the optical disk thus produced was as high as 28.5%, the servo signal was large and the reproduced signal was also large and good. Example 23 Magnesium oxide was evaporated to a thickness of 121 nm on an acrylic resin disk substrate with a guide groove of 15 mm in inner diameter, 120 mm in outer diameter, and 1.2 mm in thickness, and silicon dioxide was deposited on top of it.
5-amino-8-(p-
propoxyanilino)-2,3-dicyano-1,
An organic thin film containing 90% or more of 4-naphthoquinone dye was deposited as a recording layer to a thickness of 80 nm. During this film formation, the reflectance of light incident on the substrate at a wavelength of 830 nm was monitored, and the thickness was set to a maximum value of 10.7%, the reflectance of light incident on the substrate at the end of vapor deposition of the first spacer layer magnesium oxide. , the substrate incidence reflectance at the end of the deposition of the second spacer layer silicon dioxide is 2.4%.
The thickness was set to be thinner than the minimum value. Since the substrate incident medium reflectance of the optical disk thus manufactured was as high as 19.0%, the servo signal was large and the reproduced signal was also large and good. Example 24 Magnesium oxide was evaporated to a thickness of 110 nm on an acrylic resin disk substrate with a guide groove of 15 mm in inner diameter, 120 mm in outer diameter, and 1.2 mm in thickness, and silicon dioxide was deposited on top of it.
5-amino-8-(p-
ethoxyanilino)-2,3-dicyano-1,4
- An organic thin film containing 90% or more of naphthoquinone dye was deposited as a recording layer to a thickness of 80 nm. During this film formation, the wavelength
This was done while monitoring the reflectance of 830 nm incident on the substrate, and the substrate incident reflectance at the end of vapor deposition of the first spacer layer magnesium oxide was set to be thinner than the maximum value of 10.6%, and the second spacer layer 2 The substrate incidence reflectance at the end of silicon oxide deposition is 2.1
%, which was set to be thinner than the minimum thickness. The medium reflectance of the optical disk thus produced was as high as 21.6%, so the servo signal was large and the reproduced signal was also large and good. Example 25 Magnesium oxide was evaporated to a thickness of 110 nm on an acrylic resin disk substrate with an inner diameter of 15 mm, an outer diameter of 120 mm, and a thickness of 1.2 mm, and 90 nm of magnesium fluoride was evaporated thereon, and 5-amino-8 −(p
-ethoxyanilino)-2,3-dicyano-1,
An organic thin film containing 90% or more of 4-naphthoquinone dye was deposited as a recording layer to a thickness of 80 nm. During this film formation, the reflectance of light incident on the substrate at a wavelength of 830 nm was monitored, and the reflectance of light incident on the substrate at the end of vapor deposition of the first spacer layer magnesium oxide was 10.6%, which was thinner than the maximum thickness. The incident reflectance of the substrate at the end of the vapor deposition of the second spacer layer magnesium fluoride was set to 4.4%, which is thinner than the thickness at which it takes the minimum value. The medium reflectance of the optical disk thus produced was as high as 22.4%, so the servo signal was large and the reproduced signal was also large and good. Example 26 On an acrylic resin disk substrate with a guide groove of 15 mm in inner diameter, 120 mm in outer diameter, and 1.2 mm in thickness, 95 nm of copper phthalocyanine dye was vapor-deposited, 80 nm of magnesium fluoride was vapor-deposited thereon, and 5-amino- 8-
(p-ethoxyanilino)-2,3-dicyano-
An organic thin film containing 90% or more of 1,4-naphthoquinone dye was deposited as a recording layer to a thickness of 80 nm. During this film formation, the reflectance of the substrate incident at a wavelength of 830 nm was monitored, and the substrate incident reflectance at the end of the vapor deposition of the first spacer layer copper phthalocyanine dye was 20.4%.
The thickness was set to be thinner than the maximum value, and the substrate incident reflectance at the end of vapor deposition of the second spacer layer magnesium fluoride was set to 12.2%, which was thinner than the thickness that took the minimum value. The medium reflectance of the optical disc thus produced was as high as 28.1%, so the servo signal was large and the reproduced signal was also large and good. Example 27 Copper phthalocyanine dye was deposited to a thickness of 85 nm on an acrylic resin disk substrate with a guide groove of 15 mm in inner diameter, 120 mm in outer diameter, and 1.2 mm in thickness, and silicon dioxide was deposited on top of it.
5-amino-8-(p-
ethoxyanilino)-2,3-dicyano-1,4
- An organic thin film containing 90% or more of naphthoquinone dye was deposited as a recording layer to a thickness of 80 nm. During this film formation, the wavelength
This was done while monitoring the reflectance of 830 nm incident on the substrate, and the substrate incident reflectance at the end of the vapor deposition of the first spacer layer copper phthalocyanine dye was set to be thinner than the maximum value of 19.6%. The substrate incident reflectance at the end of the vapor deposition of the silicon dioxide layer was set to 11.5%, which is thinner than the thickness at which it takes the minimum value. The medium reflectance of the optical disk thus produced was as high as 23.0%, so the servo signal was large and the reproduced signal was also large and good. Example 28 On an acrylic resin disk substrate with a guide groove of 15 mm in inner diameter, 120 mm in outer diameter, and 1.2 mm in thickness, 95 nm of nickel phthalocyanine dye was vapor-deposited, 80 nm of aluminum oxide was vapor-deposited thereon, and 5-amino-8
-(p-ethoxyanilino)-2,3-dicyano-
An organic thin film containing 90% or more of 1,4-naphthoquinone dye was deposited as a recording layer to a thickness of 80 nm. During this film formation, the reflectance of the substrate incident at a wavelength of 830 nm was monitored, and the substrate incident reflectance at the end of the vapor deposition of the first spacer layer nickel phthalocyanine dye was
The thickness was set to 20.4%, which is thinner than the maximum value, and the substrate incident reflectance at the end of the deposition of the second spacer layer aluminum oxide was set to 9.2%, which is thinner than the thickness which takes the minimum value. The medium reflectance of the optical disk thus produced was as high as 23.0%, so the servo signal was large and the reproduced signal was also large and good. Example 29 On an acrylic resin disk substrate with a guide groove of 15 mm in inner diameter, 120 mm in outer diameter, and 1.2 mm in thickness, 95 nm of cobalt phthalocyanine dye was vapor-deposited, and 90 nm of magnesium oxide was vapor-deposited thereon, and 5-amino-8
-(p-ethoxyanilino)-2,3-dicyano-
An organic thin film containing 90% or more of 1,4-naphthoquinone dye was deposited as a recording layer to a thickness of 80 nm. During this film formation, the reflectance of the substrate incident at a wavelength of 830 nm was monitored, and the substrate incident reflectance at the end of the vapor deposition of the first spacer layer cobalt phthalocyanine dye was
The thickness was set to 20.4%, which is thinner than the maximum value, and the substrate incident reflectance at the end of vapor deposition of the second spacer layer magnesium oxide was set to 5.5%, which is thinner than the thickness which takes the minimum value. The medium reflectance of the optical disk thus produced was as high as 21.7%, so the servo signal was large and the reproduced signal was also large and good. Example 30 On an acrylic resin disk substrate with a guide groove of 15 mm in inner diameter, 120 mm in outer diameter, and 1.2 mm in thickness, copper phthalocyanine dye was evaporated to a thickness of 95 nm, yttrium oxide was evaporated to a thickness of 85 nm, and 5-amino-8 −(p
-ethoxyanilino)-2,3-dicyano-1,
An organic thin film containing 90% or more of 4-naphthoquinone dye was deposited as a recording layer to a thickness of 80 nm. During this film formation, the reflectance of the substrate incident at a wavelength of 830 nm was monitored, and the substrate incident reflectance at the end of the vapor deposition of the first spacer layer copper phthalocyanine dye was 20.4%, which is thinner than the maximum thickness. The substrate incident reflectance at the end of the deposition of the second spacer layer yttrium oxide was set to 7.3%, which is thinner than the thickness at which the second spacer layer yttrium oxide takes the minimum value. The medium reflectance of the optical disk thus produced was as high as 22.8%, so the servo signal was large and the reproduced signal was also large and good. Example 31 Germanium oxide was evaporated to a thickness of 90 nm on an acrylic resin disk substrate with a guide groove of 15 mm in inner diameter, 120 mm in outer diameter, and 1.2 mm in thickness, and magnesium fluoride was deposited on top of it.
5-amino-8-(p-
ethoxyanilino)-2,3-dicyano-1,4
- An organic thin film containing 90% or more of naphthoquinone dye was deposited as a recording layer to a thickness of 80 nm. During this film formation, the wavelength
This was done while monitoring the reflectance of 830 nm incident on the substrate, and the substrate incident reflectance at the end of the vapor deposition of the first spacer layer germanium oxide was set to be 14.7%, which is thinner than the maximum thickness. The substrate incidence reflectance at the end of magnesium chloride vapor deposition is
The thickness was set at 7.6%, which is thinner than the minimum value. The medium reflectance of the optical disk thus produced was as high as 24.5%, so the servo signal was large and the reproduced signal was also large and good. Example 32 On an acrylic resin disk substrate with a guide groove of 15 mm in inner diameter, 120 mm in outer diameter, and 1.2 mm in thickness, 90 nm of germanium oxide was deposited, and 90 nm of silicon dioxide was deposited on it.
On top of this, an organic thin film containing 90% or more of 5-amino-8-(p-ethoxyanilino)-2,3-dicyano-1,4-naphthoquinone dye was deposited as a recording layer to a thickness of 80 nm. During this film formation, the wavelength is 830n.
This was done while monitoring the substrate incident reflectance of m, and the substrate incident reflectance at the end of vapor deposition of the first spacer layer germanium oxide was set to be 14.7%, which is thinner than the maximum thickness, and the second spacer layer The substrate incidence reflectance at the end of silicon dioxide deposition is 6.8%.
The thickness was set to be thinner than the minimum value. The medium reflectance of the optical disk thus produced was as high as 21.6%, so the servo signal was large and the reproduced signal was also large and good. Example 33 Germanium oxide was deposited to a thickness of 90 nm on an acrylic resin disk substrate with a guide groove of 15 mm in inner diameter, 120 mm in outer diameter, and 1.2 mm in thickness, and aluminum oxide was deposited on top of it.
5-amino-8-(p-
ethoxyanilino)-2,3-dicyano-1,4
- An organic thin film containing 90% or more of naphthoquinone dye was deposited as a recording layer to a thickness of 80 nm. During this film formation, the wavelength
This was done while monitoring the reflectance of 830 nm incident on the substrate, and the substrate incident reflectance at the end of vapor deposition of the first spacer layer germanium oxide was set to be 14.7%, which is thinner than the maximum thickness, and the second spacer layer The substrate incidence reflectance at the end of aluminum oxide deposition is
The thickness was set at 6.4%, which is thinner than the minimum value. The medium reflectance of the optical disk thus produced was as high as 18.7%, so the servo signal was large and the reproduced signal was also large and good. Example 34 Cerium oxide was applied to an acrylic resin disk substrate with guide grooves of 15 mm inner diameter, 120 mm outer diameter, and 1.2 mm thickness.
90nm of silicon dioxide is deposited on top of that.
On top of this, an organic thin film containing 90% or more of 5-amino-8-(p-ethoxyanilino)-2,3-dicyano-1,4-naphthoquinone dye was vapor-deposited as a recording layer to a thickness of 80 nm. During this film formation, the wavelength is 830nm.
This is done while monitoring the reflectance of the substrate incident on it.
The substrate incident reflectance at the end of the vapor deposition of the first spacer layer cerium oxide is set to 16.2%, which is thinner than the maximum thickness, and the substrate incident reflectance at the end of the vapor deposition of the second spacer layer silicon dioxide is set to 16.2%. The thickness was set at 7.3%, which is thinner than the minimum value. The medium reflectance of the optical disc thus produced was as high as 23.2%, so the servo signal was large and the reproduced signal was also large and good. Example 35 Nickel oxide was applied to an acrylic resin disk substrate with guide grooves of 15 mm inner diameter, 120 mm outer diameter, and 1.2 mm thickness.
95nm vapor deposition and magnesium fluoride on top
5-amino-8-(p-
ethoxyanilino)-2,3-dicyano-1,4
- An organic thin film containing 90% or more of naphthoquinone dye was deposited as a recording layer to a thickness of 80 nm. During this film formation, the wavelength
This was done while monitoring the reflectance of 830 nm incident on the substrate, and the substrate incident reflectance at the end of the deposition of the first spacer layer nickel oxide was set to be 21.2%, which is thinner than the maximum thickness, and the second spacer layer The substrate incidence reflectance at the end of magnesium fluoride vapor deposition is
The thickness was set at 12.7%, which is thinner than the minimum value. The medium reflectance of the optical disk thus produced was as high as 28.9%, so the servo signal was large and the reproduced signal was also large and good. Example 36 Nickel oxide was applied to an acrylic resin disk substrate with guide grooves of 15 mm inner diameter, 120 mm outer diameter, and 1.2 mm thickness.
85nm evaporated and 80nm silicon dioxide on top.
On top of this, an organic thin film containing 90% or more of 5-amino-8-(p-ethoxyanilino)-2,3-dicyano-1,4-naphthoquinone dye was vapor-deposited as a recording layer to a thickness of 80 nm. During this film formation, the wavelength is 830nm.
This is done while monitoring the reflectance of the substrate incident on it.
The substrate incident reflectance at the end of the vapor deposition of the first spacer layer nickel oxide is set to 20.3%, which is thinner than the maximum thickness, and the substrate incident reflectance at the end of the vapor deposition of the second spacer layer silicon dioxide is set to 20.3%. The thickness was set at 11.9%, which is thinner than the minimum value. The medium reflectance of the optical disk thus produced was as high as 23.8%, so the servo signal was large and the reproduced signal was also large and good. Example 37 Nickel oxide was applied to an acrylic resin disk substrate with guide grooves of 15 mm inner diameter, 120 mm outer diameter, and 1.2 mm thickness.
95nm vapor deposited and 80n aluminum oxide on top
On top of this, an organic thin film containing 90% or more of 5-amino-8-(p-ethoxyanilino)-2,3-dicyano-1,4-naphthoquinone dye was deposited as a recording layer to a thickness of 80 nm. During this film formation, the wavelength is 830n.
This was done while monitoring the reflectance of the substrate incident on the substrate of m, and the substrate incident reflectance at the end of the vapor deposition of the first spacer layer nickel oxide was set to be 21.2%, which is thinner than the maximum thickness, and the second spacer layer The substrate incidence reflectance at the end of aluminum oxide deposition is 9.4%.
The thickness was set to be thinner than the minimum value. The medium reflectance of the optical disk thus produced was as high as 23.8%, so the servo signal was large and the reproduced signal was also large and good. Example 38 Nickel oxide was applied to an acrylic resin disk substrate with guide grooves of 15 mm inner diameter, 120 mm outer diameter, and 1.2 mm thickness.
95nm vapor deposited and 90n magnesium oxide on top.
On top of this, an organic thin film containing 90% or more of 5-amino-8-(p-ethoxyanilino)-2,3-dicyano-1,4-naphthoquinone dye was deposited as a recording layer to a thickness of 80 nm. During this film formation, the wavelength is 830n.
This was done while monitoring the reflectance of the substrate incident on the substrate of m, and the substrate incident reflectance at the end of the vapor deposition of the first spacer layer nickel oxide was set to be 21.2%, which is thinner than the maximum thickness, and the second spacer layer The substrate incidence reflectance at the end of magnesium oxide evaporation is 5.5%.
The thickness was set to be thinner than the minimum value. The medium reflectance of the optical disk thus produced was as high as 22.5%, so the servo signal was large and the reproduced signal was also large and good. Example 39 75 nm of tin oxide was applied to an acrylic resin disk substrate with guide grooves of 15 mm inner diameter, 120 mm outer diameter, and 1.2 mm thickness.
On top of that, magnesium oxide is deposited to a thickness of 70 nm, and on top of that, an organic thin film containing 90% or more of 5-amino-8-(p-ethoxyanilino)-2,3-dicyano-1,4-naphthoquinone dye is formed. as a recording layer
80nm was deposited. During this film formation, the reflectance of the substrate at a wavelength of 830 nm was monitored.
The substrate incident reflectance at the end of the vapor deposition of the spacer layer tin oxide is 25.9%, which is set thinner than the maximum thickness, and the substrate incident reflectance at the end of the vapor deposition of the second spacer layer magnesium fluoride is 20.5%. The thickness was set to be thinner than the minimum value. The medium reflectance of the optical disk thus produced was as high as 25.3%, so the servo signal was large and the reproduced signal was also large and good. Example 40 55 nm of tin oxide was applied to an acrylic resin disk substrate with guide grooves of 15 mm inner diameter, 120 mm outer diameter, and 1.2 mm thickness.
100 nm of silicon dioxide is deposited on the organic thin film containing 90% or more of 5-amino-8-(p-ethoxyanilino)-2,3-dicyano-1,4-naphthoquinone dye. as a recording layer
80nm was deposited. During this film formation, the reflectance of the substrate at a wavelength of 830 nm was monitored.
The substrate incident reflectance at the end of the vapor deposition of the spacer layer tin oxide is set to 20.5%, which is thinner than the maximum thickness, and the substrate incident reflectance at the end of the vapor deposition of the second spacer layer silicon dioxide is 12.0%. The thickness was set to be thinner than the minimum value. The medium reflectance of the optical disk thus produced was as high as 26.3%, so the servo signal was large and the reproduced signal was also large and good. Example 41 55 nm of tin oxide was applied to an acrylic resin disk substrate with guide grooves of 15 mm inner diameter, 120 mm outer diameter, and 1.2 mm thickness.
On top of that, aluminum oxide is deposited to a thickness of 100 nm, and on top of that, an organic thin film containing 90% or more of 5-amino-8-(p-ethoxyanilino)-2,3-dicyano-1,4-naphthoquinone dye is formed. A recording layer of 80 nm was deposited. During this film formation, the reflectance of the substrate incident at a wavelength of 830 nm was monitored, and the substrate incident reflectance at the end of the deposition of the first spacer layer tin oxide was set to 20.5%, which is thinner than the thickness that takes the maximum value. However, the substrate incident reflectance at the end of vapor deposition of the second spacer layer aluminum oxide was set to 11.0%, which is thinner than the thickness at which the aluminum oxide layer takes the minimum value. The medium reflectance of the optical disk thus produced was as high as 23.9%, so the servo signal was large and the reproduced signal was also large and good. Example 42 65 nm of tin oxide was applied to an acrylic resin disk substrate with guide grooves of 15 mm inner diameter, 120 mm outer diameter, and 1.2 mm thickness.
On top of that, magnesium oxide is deposited to a thickness of 100 nm, and on top of that, an organic thin film containing 90% or more of 5-amino-8-(p-ethoxyanilino)-2,3-dicyano-1,4-naphthoquinone dye is formed. A recording layer of 80 nm was deposited. During this film formation, the reflectance of the substrate at a wavelength of 830 nm was monitored, and the reflectance of the substrate at the end of the deposition of the first spacer layer tin oxide was 23.6%, which was set to be thinner than the maximum thickness. However, the substrate incidence reflectance at the end of the vapor deposition of the second spacer layer magnesium oxide was set to 8.7%, which is thinner than the thickness at which it takes the minimum value. The medium reflectance of the optical disk thus produced was as high as 24.8%, so the servo signal was large and the reproduced signal was also large and good. Example 43 75 nm of tin oxide was applied to an acrylic resin disk substrate with guide grooves of 15 mm inner diameter, 120 mm outer diameter, and 1.2 mm thickness.
Germanium oxide is deposited to a thickness of 100 nm, and an organic thin film containing 90% or more of 5-amino-8-(p-ethoxyanilino)-2,3-dicyano-1,4-naphthoquinone dye is formed on top of it. A recording layer of 80 nm was deposited. During this film formation, the reflectance of the substrate at a wavelength of 830 nm was monitored, and the reflectance of the substrate at the end of the deposition of the first spacer layer tin oxide was 25.9%, which was set to be thinner than the maximum thickness. However, the substrate incident reflectance at the end of the vapor deposition of the second spacer layer germanium oxide was set to 5.0%, which is thinner than the thickness at which the second spacer layer germanium oxide takes the minimum value. The medium reflectance of the optical disk thus produced was as high as 23.5%, so the servo signal was large and the reproduced signal was also large and good. Example 44 85 nm of tin oxide was applied to an acrylic resin disk substrate with guide grooves of 15 mm inner diameter, 120 mm outer diameter, and 1.2 mm thickness.
evaporate and add 100n of copper phthalocyanine dye on it.
On top of this, an organic thin film containing 90% or more of 5-amino-8-(p-ethoxyanilino)-2,3-dicyano-1,4-naphthoquinone dye was deposited as a recording layer to a thickness of 80 nm. During this film formation, the wavelength is 830n.
This was done while monitoring the substrate incident reflectance of m, and the substrate incident reflectance at the end of the evaporation of the first spacer layer tin oxide was set to be 27.3%, which is thinner than the maximum thickness, and the second spacer layer The substrate incidence reflectance at the end of vapor deposition of copper phthalocyanine dye is 2.3%.
The thickness was set to be thinner than the minimum value. The medium reflectance of the optical disk thus produced was as high as 20.1%, so the servo signal was large and the reproduced signal was also large and good. Example 45 On an acrylic resin disk substrate with a guide groove of 15 mm in inner diameter, 120 mm in outer diameter, and 1.2 mm in thickness, copper phthalocyanine dye was deposited to a thickness of 95 nm, magnesium oxide was deposited to a thickness of 90 nm, and 5-amino-8 −(p
-ethoxyanilino)-2,3-dicyano-1,
An organic thin film containing 90% or more of 4-naphthoquinone dye was deposited as a recording layer to a thickness of 80 nm. During this film formation, the reflectance of the substrate incident at a wavelength of 830 nm was monitored, and the substrate incident reflectance at the end of the vapor deposition of the first spacer layer copper phthalothianine dye was 20.4%, which is thinner than the maximum thickness. The incident reflectance of the substrate upon completion of vapor deposition of the second spacer layer magnesium oxide was set to 5.5%, which is thinner than the thickness at which the second spacer layer magnesium oxide takes a minimum value. The medium reflectance of the optical disk thus produced was as high as 21.7%, so the servo signal was large and the reproduced signal was also large and good. Example 46 Copper phthalocyanine dye was deposited to a thickness of 85 nm on an acrylic resin disk substrate with a guide groove of 15 mm in inner diameter, 120 mm in outer diameter, and 1.2 mm in thickness, and silicon dioxide was deposited on top of it.
5-amino-8-(p-
methylanilino)-2,3-dicyano-1,4-
An organic thin film containing 95% or more naphthoquinone dye was deposited as a recording layer to a thickness of 80 nm. During this film formation, the wavelength
This was done while monitoring the reflectance of 830 nm incident on the substrate, and the substrate incident reflectance at the end of the vapor deposition of the first spacer layer copper phthalocyanine dye was set to be 19.6%, which is thinner than the maximum thickness, and the second spacer layer was The substrate incident reflectance at the end of the vapor deposition of the silicon dioxide layer was set to 11.5%, which is thinner than the thickness at which it takes the minimum value. The medium reflectance of the optical disk thus produced was as high as 27.8%, so the servo signal was large and the reproduced signal was also large and good. Effects of the Invention As is clear from the above embodiments, the present invention provides an optical information recording medium with large reproduction signals and servo signals.
第1図は本発明の一実施例である光情報記録媒
体の概略図、第2図、第3図は本発明の光情報記
録媒体の原理を説明するための概略図、第4図か
ら第35図は光情報記録媒体の反射率の記録層厚
さによる変化を示す図、第36図から第40図は
比較のための反射率の記録層厚さによる変化を示
す図である。
(主な参照番号)、10……基板、20……記
録層、30……第1のスペーサ層、40……第2
のスペーサ層、100……入射光、200,30
0……反射光。
FIG. 1 is a schematic diagram of an optical information recording medium which is an embodiment of the present invention, FIGS. 2 and 3 are schematic diagrams for explaining the principle of the optical information recording medium of the present invention, and FIGS. FIG. 35 is a diagram showing changes in the reflectance of an optical information recording medium depending on the recording layer thickness, and FIGS. 36 to 40 are diagrams showing changes in the reflectance depending on the recording layer thickness for comparison. (Main reference numbers), 10...Substrate, 20...Recording layer, 30...First spacer layer, 40...Second
spacer layer, 100...incident light, 200, 30
0...Reflected light.
Claims (1)
み取る光情報記録媒体で、該レーザ光に対して透
明な基板上に、該レーザ光に対して実質的に透明
でかつ該レーザ光の波長での屈折率が該基板の屈
折率より大きい第1のスペーサ層と、該レーザ光
に対して実質的に透明でかつ該レーザ光の波長で
の屈折率が該第1のスペーサ層より小さい第2の
スペーサ層と、該レーザ光を吸収する記録層の少
なくとも3層が積層されている光情報記録媒体で
あつて、 前記第1のスペーサ層は前記記録層と前記第2
のスペーサ層が形成されていない状態での基板入
射反射率が極大となる厚さか或いはそれよりも薄
くし、前記第2のスペーサ層は前記第1のスペー
サ層が形成されていて前記記録層が形成されてい
ない状態での基板入射反射率が極小となる厚さよ
りも薄くしたことを特徴とする光情報記録媒体。[Scope of Claims] 1. An optical information recording medium on which information is recorded and read by irradiation with a laser beam, which is provided on a substrate that is substantially transparent to the laser beam and is transparent to the laser beam. a first spacer layer having a refractive index at the wavelength of the laser light that is greater than the refractive index of the substrate; and a first spacer layer that is substantially transparent to the laser light and has a refractive index at the wavelength of the laser light An optical information recording medium in which at least three layers are laminated, a second spacer layer smaller than the spacer layer, and a recording layer that absorbs the laser beam, wherein the first spacer layer includes the recording layer and the second spacer layer.
The thickness of the second spacer layer is such that the substrate incident reflectance is maximum in a state where no spacer layer is formed, or is thinner than that, and the second spacer layer is formed with the first spacer layer and the recording layer is 1. An optical information recording medium characterized in that the thickness is thinner than the thickness at which the substrate incident reflectance in an unformed state is minimal.
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25351784 | 1984-11-30 | ||
| JP59-253517 | 1984-11-30 | ||
| JP59-253518 | 1984-11-30 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61267949A JPS61267949A (en) | 1986-11-27 |
| JPH0480454B2 true JPH0480454B2 (en) | 1992-12-18 |
Family
ID=17252467
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60270534A Granted JPS61267949A (en) | 1984-11-30 | 1985-11-30 | Optical information recording medium |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61267949A (en) |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5817037B2 (en) * | 1979-03-26 | 1983-04-04 | 株式会社日立製作所 | Recording parts |
| JPS5956240A (en) * | 1982-09-27 | 1984-03-31 | Canon Inc | magneto-optical recording medium |
| JPS60177447A (en) * | 1984-02-22 | 1985-09-11 | Nec Corp | Optical recording medium |
-
1985
- 1985-11-30 JP JP60270534A patent/JPS61267949A/en active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61267949A (en) | 1986-11-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5455818A (en) | Optical recording medium | |
| US5260165A (en) | Optical information recording medium | |
| JPS5928478B2 (en) | Laser beam recording method | |
| US4740447A (en) | Optical recording medium | |
| US4763139A (en) | Optical information storage medium | |
| JPS5836490A (en) | Optical information recording medium | |
| JP2722723B2 (en) | Optical recording medium | |
| JPH0544737B2 (en) | ||
| JPH06155921A (en) | Optical recording medium | |
| US6855479B2 (en) | Phase-change optical recording media | |
| US6117511A (en) | Optical recording media | |
| JPH0750533B2 (en) | Optical recording medium | |
| JP2551930B2 (en) | Optical recording medium | |
| JPH0654549B2 (en) | Optical recording medium | |
| JPH04232780A (en) | Phase change optical recording medium | |
| JPS61267949A (en) | Optical information recording medium | |
| JPH0379777B2 (en) | ||
| JPH0443331B2 (en) | ||
| JPS62145547A (en) | Optical recording medium | |
| JPS62125552A (en) | Optical recording medium | |
| JPS60151850A (en) | Optical recording medium | |
| JP2737269B2 (en) | Optical recording medium | |
| JPH0917028A (en) | Optical information recording medium and information reproducing method thereof | |
| JPH02179790A (en) | Optical recording medium | |
| JPH08185642A (en) | Optical recording medium and optical recording method |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |