JPH0480454B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

産業上の利用分野 本発明はレーザ光によつて情報を記録再生する
ことのできる光情報記録媒体に関する。より詳細
には、本発明は高感度で情報の再生およびサーボ
制御が可能な光情報記録媒体に関する。 従来の技術 レーザ光によつて情報を媒体に記録し、かつ再
生する追記型光デイスクメモリは、記録密度が高
いことから大容量記録装置として優れた特徴を有
している。このような追記型光デイスクメモリの
記録媒体としては、Te、Bi等の半金属薄膜及び
有機薄膜が使用されている。有機薄膜は、半金属
薄膜より優れた熱特性、即ち低い熱伝導率と小さ
な熱容量を持つているので吸収エネルギー密度当
りの膜の温度上昇は大きく、高い記録感度が期待
できる。 しかしながら、有機薄膜は、半導体レーザの波
長域（〜800nｍ）で半金属薄膜ほどには大きな
反射率を示さないので、半導体レーザを再生用光
源とする場合、再生信号及びサーボ信号の質に問
題がある。 これを改善する方法として、有機薄膜と基板の
間にＡ１等の反射膜を設ける媒体構成が知られて
いる。この構成を採用し、有機薄膜の膜厚を調整
することにより、記録前後の反射率の変化、即ち
変調量を半金属薄膜の場合と同程度に大きくする
ことができる。しかし、このような構成の光情報
記録媒体では、記録再生光の入射方向が媒体の表
面側に限られるという制約がある。 従つて、本発明の目的は再生信号及びサーボ信
号の大きな基板入射の光情報記録媒体を提供する
ことにある。 問題点を解決するための手段 本発明は、レーザ光の照射によつて情報を記録
しかつ読み取る光情報記録媒体で、該レーザ光に
対して透明な基板上に、該レーザ光に対して実質
的に透明でかつ該レーザ光の波長での屈折率が該
基板の屈折率より大きい第１のスペーサ層と、該
レーザ光に対して実施的に透明でかつ該レーザ光
の波長での屈折率が該第１のスペーサ層より小さ
い第２のスペーサ層と、該レーザ光を吸収する記
録層の少なくとも３層が積層されている光情報記
録媒体において、 前記第１のスペーサ層は前記記録層と前記第２
のスペーサ層が形成されていない状態での基板入
射反射率が極大となる厚さか或いはそれよりも薄
くし、前記第２のスペーサ層は前記第１のスペー
サ層が形成されていて前記記録層が形成されてい
ない状態での基板入射反射率が極小となる厚さよ
りも薄くしたことを特徴とする。 作 用 透明な基板上に記録層が形成されている媒体の
基板入射の反射率は、記録層と基板の光学定数
（複素屈折率）および記録層の厚さに依存する。
透明な基板としては、通常、各種合成樹脂又はガ
ラスが使用される。これらの屈折率は可視光から
近赤外光域でほぼ1.5であり、この範囲の波長に
はほとんど依存しない。したがつて媒体の反射率
は、記録層の光学定数と厚さで決定される。 記録層として有染色素膜あるいは色素を分散さ
せた樹脂膜を用いる場合、これらの膜の複素屈折
率（ｎ−ik）は半導体レーザ波長域（〜800nｍ）
で高々2.6−i0.8である。例えば、記録層の複素屈
折率が2.1−i0.6であり、基板の屈折率が1.5の場
合、波長830nｍの基板入射の光に対する媒体反
射率は第３６図に示すように記録層の厚さに依存
する。従つて、最大反射率は記録層の厚さが約
100nｍのときに得られ、その値は約15％と小さ
いことがわかり、再生信号及びサーボ信号が小さ
い。 上述したように、本発明は反射率およびその変
化量を増大せしめて再生信号およびサーボ信号の
強度を大とするものであり、第１図を参照して本
発明の光情報記録媒体の構成を説明する。第１図
に示すように本発明の光情報記録媒体は、基板１
０と記録層２０の間の第１のスペーサ層３０と第
２のスペーサ層４０を設けて構成され、これらの
第１のスペーサ層３０と第２のスペーサ層４０の
材料及びその厚さが下記の条件を満すように選択
されて、媒体の反射率を高めることに成功したも
のである。 まず、基板１０上に第１のスペーサ層３０のみ
が形成されている第２図に示すような構成を考え
る。基板１０を通して入射した光１００は、基板
１０と第１のスペーサ層３０との界面及び第１の
スペーサ層３０と空気との界面でその一部は反射
されて反射光２００となる。ここで、反射光２０
０の大きさ（反射率）は、第１のスペーサ層３０
の屈折率と厚さに依存する。本発明で使用される
第１のスペーサ層３０の材料及び厚さは、この反
射光２００を大きくするように選択される。即
ち、まず、第１のスペーサ層３０の屈折率は基板
１０の屈折率よりも大きいことが必要である。
又、その厚さは反射光２００の大きさを極大とす
る厚さか或いはそれよりも薄いことが必要であ
る。 次に、基板１０上に第１のスペーサ層３０を上
記のように設け、その上に第２のスペーサ層４０
が形成されている第３図に示すような構成を考え
る。基板１０を通して入射した光１００は、基板
１０と第１のスペーサ層３０との界面、第１のス
ペーサ層３０と第２のスペーサ層４０との界面、
及び第２のスペーサ層４０と空気との界面でその
一部を反射されて反射光３００となる。反射光３
００の大きさ（反射率）は、第２のスペーサ層４
０の屈折率と厚さに依存する。従つて、本発明で
使用される第２のスペーサ層４０の材料及び厚さ
は、この反射光３００を小さくするように運ばれ
る。即ち、まず第２のスペーサ層４０の屈折率は
第１のスペーサ層３０の屈折率よりも小さいこと
が必要である。次いで、第２のスペーサ層４０の
厚さは、反射光３００の大きさを極小とする厚さ
よりも薄いことが必要である。 以上の如き条件を満足する第１のスペーサ層と
第２のスペーサ層を設け、その上に記録層を設け
ることにより反射率が大きく、再生出力の大きい
媒体が得られる。 第３７図は、基板１０（屈折率1.5）の上に屈
折率1.7の第１のスペーサ層３０を波長830nｍの
光における基板入射反射率が極大となる厚さ
120nｍで形成し、その上に複素屈折率1.4の第２
のスペーサ層４０を反射率が極小となる厚さ
150nｍで形成し、その上に複素屈折率2.1−i0.6の
記録層２０を設けたときの反射率の記録層厚さ依
存を示したものである。第３６図と比較すること
により、第１のスペーサ層と第２のスペーサ層の
挿入により反射率が大きくなり改善されているこ
とがわかる。 第４図は、第３７図に反射率を示した光記録媒
体と同一の材料を用いて、第１のスペーサ層３０
の厚さを反射率が極大となる厚さ120nｍとし、
第２のスペーサ層の厚さを反射率が極小となる厚
さ150nｍよりも薄い80nｍとし、その上に複素屈
折率2.1−i0.6の記録層２０を設けた時の反射率の
記録層厚さ依存を示したものである。第２１図と
比較すると、本発明の構成により反射率が極小と
なる記録層の厚さは0nｍから16nｍに移つてい
る。記録層が有機薄膜を主成分とする場合には一
般に記録部分は記録前厚さの２〜３割が残り、孔
は形成されずピツトが形成される。したがつて第
３７図のような特性よりも第４図に特性を示す本
発明の光記録媒体の方が再生信号の大きなものが
得られることがわかる。 第５図は屈折率1.5の基板１０の上に屈折率1.7
の第１のスペーサ層３０を基板入射反射率が極大
となる厚さ120nｍで形成し、その上に屈折率1.5
の第２のスペーサ層４０を反射率が極小となる厚
さよりも薄い100nｍで形成し、その上に複素屈
折率2.1−i0.6の記録層２０を設けたときの反射率
の記録層厚さ依存性を示したものである。第３６
図と比較することにより、第１のスペーサ層と第
２のスペーサ層の挿入により反射率が大きくな
り、改善されているのがわかる。又、13nｍ前後
の記録層厚さで反射率が極小となるので、記録層
厚さを80nｍとすることにより再生信号の大きな
媒体が得られる。 第６図は屈折率1.5の基板１０の上に屈折率1.9
の第１のスペーサ層３０を基板入射反射率が極大
となる厚さ110nｍで形成し、その上に屈折率1.4
の第２のスペーサ層４０を反射率が極小となる厚
さよりも薄い70nｍで形成し、その上に複素屈折
率2.1−i0.6の記録層２０を設けたときの反射率の
記録層厚さ依存を示したものである。第３６図と
比較することにより、第１のスペーサ層と第２の
スペーサ層の挿入により反射率が大きくなり、改
善されているのがわかる。又、22nｍ前後の記録
層厚さで反射率が極小となるので、記録層厚さを
80nｍとすることにより再生信号の大きな媒体が
得られる。 第７図は屈折率1.5の基板１０の上に屈折率1.9
の第１のスペーサ層３０を基板入射反射率が極大
となる厚さ110nｍで形成し、その上に屈折率1.5
の第２のスペーサ層４０を反射率が極小となる厚
さよりも薄い80nｍで形成し、その上に複素屈折
率2.1−i0.6の記録層２０を設けたときの反射率の
記録層厚さ依存を示したものである。第３６図と
比較することにより、第１のスペーサ層と第２の
スペーサ層の挿入により反射率が大きくなり、改
善されているのがわかる。又、16nｍ前後の記録
層厚さで反射率が極小となるので、記録層厚さを
80nｍとすることにより再生信号の大きな媒体が
得られる。 第８図は屈折率1.5の基板１０の上に屈折率1.9
の第１のスペーサ層３０を基板入射反射率が極大
となる厚さ110nｍで形成し、その上に屈折率1.6
の第２のスペーサ層４０を反射率が極小となる厚
さよりも薄い90nｍで形成し、その上に複素屈折
率2.1−i0.6の記録層２０を設けたときの反射率の
記録層厚さ依存を示したものである。第３６図と
比較することにより、第１のスペーサ層と第２の
スペーサ層の挿入により反射率が大きくなり、改
善されているのがわかる。又、15nｍ前後の記録
層厚さて反射率が極小となるので、記録層厚さを
80nｍとすることにより再生信号の大きな媒体が
得られる。 第９図は屈折率1.5の基板１０の上に屈折率1.9
の第１のスペーサ層３０を基板入射反射率が極大
となる厚さ110nｍで形成し、その上に屈折率1.7
の第２のスペーサ層４０を反射率が極小となる厚
さよりも薄い100nｍで形成し、その上に複素屈
折率2.1−i0.6の記録層２０を設けたときの反射率
の記録層厚さ依存を示したものである。第３６図
と比較することにより、第１のスペーサ層と第２
のスペーサ層の挿入により反射率が大きくなり、
改善されているのがわかる。又、11nｍ前後の記
録層厚さで反射率が極小となるので、記録層厚さ
を80nｍとすることにより再生信号の大きな媒体
が得られる。 第１０図は屈折率1.5の基板１０の上に屈折率
2.0の第１のスペーサ層３０を基板入射反射率が
極大となる厚さ105nｍで形成し、その上に屈折
率1.4の第２のスペーサ層４０を反射率が極小と
なる厚さよりも薄い70nｍで形成し、その上に複
素屈折率2.1−i0.6の記録層２０を設けたときの反
射率の記録層厚さ依存を示したものである。第３
６図と比較することにより、第１のスペーサ層と
第２のスペーサ層の挿入により反射率が大きくな
り、改善されているのがわかる。又、22nｍ前後
の記録層厚さで反射率が極小となるので、記録層
厚さを80nｍとすることにより再生信号の大きな
媒体が得られる。 第１１図は屈折率1.5の基板１０の上に屈折率
2.0の第１のスペーサ層３０を基板入射反射率が
極大となる厚さ105nｍで形成し、その上に屈折
率1.5の第２のスペーサ層４０を反射率が極小と
なる厚さよりも薄い70nｍで形成し、その上に複
素屈折率2.1−i0.6の記録層２０を設けたときの反
射率の記録層厚さ依存を示したものである。第３
６図と比較することにより、第１のスペーサ層と
第２のスペーサ層の挿入により反射率が大きくな
り、改善されているのがわかる。又、21nｍ前後
の記録層厚さで反射率が極小となるので、記録層
厚さを80nｍとすることにより再生信号の大きな
媒体が得られる。 第１２図は屈折率1.5の基板１０の上に屈折率
2.0の第１のスペーサ層３０を基板入射反射率が
極大となる厚さ105nｍで形成し、その上に屈折
率1.6の第２のスペーサ層４０を反射率が極小と
なる厚さよりも薄い80nｍで形成し、その上に複
素屈折率2.1−i0.6の記録層２０を設けたときの反
射率の記録層厚さ依存を示したものである。第３
６図と比較することにより、第１のスペーサ層と
第２のスペーサ層の挿入により反射率が大きくな
り、改善されているのがわかる。又、17nｍ前後
の記録層厚さで反射率が極小となるので、記録層
厚さを80nｍとすることにより再生信号の大きな
媒体が得られる。 第１３図は屈折率1.5の基板１０の上に屈折率
2.0の第１のスペーサ層３０を基板入射反射率が
極大となる厚さ105nｍで形成し、その上に屈折
率1.7の第２のスペーサ層４０を反射率が極小と
なる厚さよりも薄い80nｍで形成し、その上に複
素屈折率2.1−i0.6の記録層２０を設けたときの反
射率の記録層厚さ依存を示したものである。第３
６図と比較することにより、第１のスペーサ層と
第２のスペーサ層の挿入により反射率が大きくな
り、改善されているのがわかる。又、18nｍ前後
の記録層厚さで反射率が極小となるので、記録層
厚さを80nｍとすることにより再生信号の大きな
媒体が得られる。 第１４図は屈折率1.5の基板１０の上に屈折率
2.2の第１のスペーサ層３０を基板入射反射率が
極大となる厚さ95nｍで形成し、その上に屈折率
1.4の第２のスペーサ層４０を反射率が極小とな
る厚さよりも薄い60nｍで形成し、その上に複素
屈折率2.1−i0.6の記録層２０を設けたときの反射
率の記録層厚さ依存を示したものである。第３６
図と比較することにより、第１のスペーサ層と第
２のスペーサ層の挿入により反射率が大きくな
り、改善されているのがわかる。又、28nｍ前後
の記録層厚さで反射率が極小となるので、記録層
厚さを80nｍとすることにより再生信号の大きな
媒体が得られる。 第１５図は屈折率1.5の基板１０の上に屈折率
2.2の第１のスペーサ層３０を基板入射反射率が
極大となる厚さ95nｍで形成し、その上に屈折率
1.5の第２のスペーサ層４０を反射率が極小とな
る厚さよりも薄い60nｍで形成し、その上に複素
屈折率2.1−i0.6の記録層２０を設けた時の反射率
の記録層厚さ依存を示したものである。第３６図
と比較することにより、第１のスペーサ層と第２
のスペーサ層の挿入により反射率が大きくなり、
改善されているのがわかる。又、27nｍ前後の記
録層厚さで反射率が極小となるので、記録層厚さ
を80nｍとすることにより再生信号の大きな媒体
が得られる。 第１６図は屈折率1.5の基板１０の上に屈折率
2.2の第１のスペーサ層３０を基板入射反射率が
極大となる厚さ95nｍで形成し、その上に屈折率
1.6の第２のスペーサ層４０を反射率が極小とな
る厚さよりも薄い70nｍで形成し、その上に複素
屈折率2.1−i0.6の記録層２０を設けたときの反射
率の記録層厚さ依存を示したものである。第３６
図と比較することにより、第１のスペーサ層と第
２のスペーサ層の挿入により反射率が大きくな
り、改善されているのがわかる。又、21nｍ前後
の記録層厚さで反射率が極小となるので、記録層
厚さを80nｍとすることにより再生信号の大きな
媒体が得られる。 第１７図は屈折率1.5の基板１０の上に屈折率
2.2の第１のスペーサ層３０を基板入射反射率が
極大となる厚さ95nｍで形成し、その上に屈折率
1.7の第２のスペーサ層４０を反射率が極小とな
る厚さよりも薄い80nｍで形成し、その上に複素
屈折率2.1−i0.6の記録層２０を設けたときの反射
率の記録層厚さ依存を示したものである。第３６
図と比較することにより第１のスペーサ層と第２
のスペーサ層の挿入により反射率が大きくなり、
改善されているのがわかる。又、17nｍ前後の記
録層厚さで反射率が極小となるので、記録層厚さ
を80nｍとすることにより再生信号の大きな媒体
が得られる。 第１８図は屈折率1.5の基板１０の上に屈折率
2.2の第１のスペーサ層１０を基板入射反射率が
極大となる厚さ95nｍで形成し、その上に屈折率
1.9の第２のスペーサ層４０を反射率が極小とな
る厚さよりも薄い90nｍで形成し、その上に複素
屈折率2.1−i0.6の記録層２０を設けたときの反射
率の記録層厚さ依存を示したものである。第３６
図と比較することにより、第１のスペーサ層と第
２のスペーサ層の挿入により反射率が大きくな
り、改善されているのがわかる。又、12nｍ前後
の記録層厚さで反射率が極小となるので、記録層
厚さを80nｍとすることにより再生信号の大きな
媒体が得られる。 第１９図は屈折率1.5の基板１０の上に屈折率
2.2の第１のスペーサ層３０を基板入射反射率が
極大となる厚さ95nｍで形成し、その上に屈折率
2.0の第２のスペーサ層４０を反射率が極小とな
る厚さよりも薄い90nｍで形成し、その上に複素
屈折率2.1−i0.6の記録層２０を設けたときの反射
率の記録層厚さ依存を示したものである。第３６
図と比較することにより、第１のスペーサ層と第
２のスペーサ層の挿入により反射率が大きくな
り、改善されているのがわかる。又、13nｍ前後
の記録層厚さで反射率が極小となるので、記録層
厚さを80nｍとすることにより再生信号の大きな
媒体が得られる。 以上の結果を第１表に整理して示す。なお、第
１表においてt_nioは反射率が極小となる記録層の
厚さであり、T_nioは第３図に示す構造において反
射率が極小となる第２のスペーサ層の厚さを示し
ている。

【表】 次に、本発明の第２の態様に従い、第１のスペ
ーサ層の厚さが、反射率が極大となる厚さよりも
薄い場合について説明する。 第３８図は基板１０（屈折率1.5）の上に屈折
率2.0の第１のスペーサ層３０を波長830nｍの光
における基板入射反射率が極大となる厚さ105n
ｍで形成し、その上に屈折率1.5の第２のスペー
サ層４０を反射率が極小となる厚さ130nｍで形
成し、その上に複素屈折率2.1−i0.6の記録層２０
を設けたときの反射率の記録層厚さ依存を示した
ものである。 これに対して、第２０図は第３８図に特性を示
す光記録媒体と同一の材料を用いて第１のスペー
サ層３０の厚さを反射率が極大となる厚さ105n
ｍよりも薄い85nｍとし、第２のスペーサ層の厚
さを反射率が極小となる厚さ130nｍよりも薄い
80nｍとし、その上に複素屈折率2.1−i0.6の記録
層２０を設けた時の反射率の記録層厚さ依存を示
したものである。第３８図と比較すると、本発明
の構成の採用により反射率が極小となる記録層の
厚さは0nｍから23nｍに移つている。記録層が有
機薄膜を主成分とする場合には一般に記録部分は
記録前厚さの２〜３割が残り、孔は形成されずピ
ツトが形成される。したがつて第３８図のような
特性よりも本発明の第２０図のような特性の方が
再生信号の大きなものが得られることがわかる。 第２１図は屈折率1.5の基板１０の上に屈折率
2.0の第１のスペーサ層３０を基板入射反射率が
極大となる厚さ105nｍよりも薄い95nｍで形成
し、その上に屈折率1.4の第２のスペーサ層４０
を反射率が極小となる厚さよりも薄い80nｍで形
成しその上に複素屈折率2.1−i0.6の記録層２０を
設けたときの反射率の記録層厚さ依存を示したも
のである。第３６図と比較することにより、第１
のスペーサ層と第２のスペーサ層の挿入により反
射率が大きくなり、改善されているのがわかる。
又20nｍ前後の記録層厚さで反射率が極小となる
ので、記録層厚さを80nｍとすることにより再生
信号の大きな媒体が得られる。 第２２図は屈折率1.5の基板１０の上に屈折率
2.0の第１のスペーサ層３０を基板入射反射率が
極大となる厚さ105nｍよりも薄い95nｍで形成
し、その上に屈折率1.6の第２のスペーサ層４０
を反射率が極小となる厚さよりも薄い80nｍで形
成しその上に複素屈折率2.1−i0.6の記録層２０を
設けたときの反射率の記録層厚さ依存を示したも
のである。第３６図と比較することにより、第１
のスペーサ層と第２のスペーサ層の挿入により反
射率が大きくなり、改善されているのがわかる。
又20nｍ前後の記録厚さで反射率が極小となるの
で、記録層厚さを80nｍとすることにより再生信
号の大きな媒体が得られる。 第２３図は屈折率1.5の基板１０の上に屈折率
2.0の第１のスペーサ層３０を基板入射反射率が
極大となる厚さ105nｍよりも薄い95nｍで形成
し、その上に屈折率1.7の第２のスペーサ層４０
を反射率が極小となる厚さよりも薄い90nｍで形
成し、その上に複素屈折率2.1−i0.6の記録層２０
を設けたときの反射率の記録層厚さ依存を示した
ものである。第３６図と比較することにより、第
１のスペーサ層と第２のスペーサ層の挿入により
反射率が大きくなり、改善されているのがわか
る。又、17nｍ前後の記録層厚さで反射率が極小
となるので、記録層厚さを80nｍとすることによ
り再生信号の大きな媒体が得られる。 第２４図は屈折率1.5の基板１０の上に屈折率
1.7の第１のスペーサ層３０を基板入射反射率が
極大となる厚さ120nｍよりも薄い110nｍで形成
し、その上に屈折率1.4の第２のスペーサ層４０
を反射率が極小となる厚さよりも薄い90nｍで形
成しその上に複素屈折率2.1−i0.6の記録層２０を
設けたときの反射率の記録層厚さ依存を示したも
のである。第３６図と比較することにより、第１
のスペーサ層と第２のスペーサ層の挿入により反
射率が大きくなり、改善されているのがわかる。
又、16nｍ前後の記録層厚さで反射率が極小とな
るので、記録層厚さを80nｍとすることにより再
生信号の大きな媒体が得られる。 第２５図は屈折率1.5の基板１０の上に屈折率
1.7の第１のスペーサ層３０を基板入射反射率が
極大となる厚さ120nｍよりも薄い110nｍで形成
し、その上に屈折率1.5の第２のスペーサ層４０
を反射率が極小となる厚さよりも薄い110nｍで
形成しその上に複素屈折率2.1−i0.6の記録層２０
を設けたときの反射率の記録層厚さ依存を示した
ものである。第３６図と比較することにより、第
１のスペーサ層と第２のスペーサ層の挿入により
反射率が大きくなり、改善されているのがわか
る。又11nｍ前後の記録層厚さで反射率が極小と
なるので、記録層厚さを80nｍとすることにより
再生信号の大きな媒体が得られる。 第２６図は屈折率1.5の基板１０の上に屈折率
1.9の第１のスペーサ層３０を基板入射反射率が
極大となる厚さ110nｍよりも薄い90nｍで形成
し、その上に屈折率1.4の第２のスペーサ層４０
を反射率が極小となる厚さよりも薄い90nｍで形
成し、その上に複素屈折率2.1−i0.6の記録層２０
を設けたときの反射率の記録層厚さ依存を示した
ものである。第３６図と比較することにより、第
１のスペーサ層と第２のスペーサ層の挿入により
反射率が大きくなり、改善されているのがわか
る。又、18nｍ前後の記録層厚さで反射率が極小
となるので、記録層厚さを80nｍとすることによ
り再生信号の大きな媒体が得られる。 第２７図は屈折率1.5の基板１０の上に屈折率
1.9の第１のスペーサ層３０を基板入射反射率が
極大となる厚さ110nｍよりも薄い90nｍで形成し
その上に屈折率1.5の第２のスペーサ層４０を反
射率が極小となる厚さよりも薄い90nｍで形成し
その上に複素屈折率2.1−i0.6の記録層２０を設け
たときの反射率の記録層厚さ依存を示したもので
ある。第３６図と比較することにより、第１のス
ペーサ層と第２のスペーサ層の挿入により反射率
が大きくなり、改善されているのがわかる。又
18nｍ前後の記録層厚さて反射率が極小となるの
で、記録層厚さを80nｍとすることにより再生信
号の大きな媒体が得られる。 第２８図は屈折率1.5の基板１０の上に屈折率
1.9の第１のスペーサ層３０を基板入射反射率が
極大となる厚さ110nｍよりも薄い90nｍで形成
し、その上に屈折率1.6の第２のスペーサ層４０
を反射率が極小となる厚さよりも薄い90nｍで形
成し、その上に複素屈折率2.1−i0.6の記録層２０
を設けたときの反射率の記録層厚さ依存を示した
ものである。第３６図と比較することにより、第
１のスペーサ層と第２のスペーサ層の挿入により
反射率が大きくなり、改善されているのがわか
る。又20nｍ前後の記録層厚さで反射率が極小と
なるので、記録層厚さを80nｍとすることにより
再生信号の大きな媒体が得られる。 第２９図は屈折率1.5の基板１０の上に屈折率
1.9の第１のスペーサ層３０を基板入射反射率が
極大となる厚さ110nｍよりも薄い90nｍで形成
し、その上に屈折率1.7の第２のスペーサ層４０
を反射率が極小となる厚さよりも薄い120nｍで
形成し、その上に複素屈折率2.1−i0.6の記録層２
０を設けたときの反射率の記録層厚さ依存を示し
たものである。第３６図と比較することにより、
第１のスペーサ層と第２のスペーサ層の挿入によ
り反射率が大きくなり、改善されているのがわか
る。又、10nｍ前後の記録層厚さで反射率が極小
となるので、記録層厚さを80nｍとすることによ
り再生信号の大きな媒体が得られる。 第３０図は屈折率1.5の基板１０の上に屈折率
2.2の第１のスペーサ層３０を基板入射反射率が
極大となる厚さ95nｍよりも薄い75nｍで形成し、
その上に屈折率1.4の第２のスペーサ層４０を反
射率が極小となる厚さよりも薄い70nｍで形成
し、その上に複素屈折率2.1−i0.6の記録層２０を
設けたときの反射率の記録層厚さ依存を示したも
のである。第３６図と比較することにより、第１
のスペーサ層と第２のスペーサ層の挿入により反
射率が大きくなり、改善されているのがわかる。
又、30nｍ前後の記録層厚さで反射率が極小とな
るので、記録層厚さを80nｍとすることにより再
生信号の大きな媒体が得られる。 第３１図は屈折率1.5の基板１０の上に屈折率
2.2の第１のスペーサ層３０を基板入射反射率が
極大となる厚さ95nｍよりも薄い55nｍで形成し、
その上に屈折率1.5の第２のスペーサ層４０を反
射率が極小となる厚さよりも薄い100nｍで形成
し、その上に複素屈折率2.1−i0.6の記録層２０を
設けたときの反射率の記録層厚さ依存を示したも
のである。第３６図と比較することにより、第１
のスペーサ層と第２のスペーサ層の挿入により反
射率が大きくなり、改善されているのがわかる。
又、20nｍ前後の記録層厚さで反射率が極小とな
るので、記録層厚さを80nｍとすることにより再
生信号の大きな媒体が得られる。 第３２図は屈折率1.5の基板１０の上に屈折率
2.2の第１のスペーサ層３０を基板入射反射率が
極大となる厚さ95nｍよりも薄い55nｍで形成し、
その上に屈折率1.6の第２のスペーサ層４０を反
射率が極小となる厚さよりも薄い100nｍで形成
し、その上に複素屈折率2.1−i0.6の記録層２０を
設けたときの反射率の記録層厚さ依存を示したも
のである。第３６図と比較することにより、第１
のスペーサ層と第２のスペーサ層の挿入により反
射率が大きくなり、改善されているのがわかる。
又、22nｍ前後の記録層厚さで反射率が極小とな
るので、記録層厚さを80nｍとすることにより再
生信号の大きな媒体が得られる。 第３３図は屈折率1.5の基板１０の上に屈折率
2.2の第１のスペーサ層３０を基板入射反射率が
極大となる厚さ95nｍよりも薄い65nｍで形成し、
その上に屈折率1.7の第２のスペーサ層４０を反
射率が極小となる厚さよりも薄い100nｍで形成
し、その上に複素屈折率2.1−i0.6の記録層２０を
設けたときの反射率の記録層厚さ依存を示したも
のである。第３６図と比較することにより、第１
のスペーサ層と第２のスペーサ層の挿入により反
射率が大きくなり、改善されているのがわかる。
又、20nｍ前後の記録層厚さで反射率が極小とな
るので、記録層厚さを80nｍとすることにより再
生信号の大きな媒体が得られる。 第３４図は屈折率1.5の基板１０の上に屈折率
2.2の第１のスペーサ層３０を基板入射反射率が
極大となる厚さ95nｍよりも薄い75nｍで形成し、
その上に屈折率1.9の第２のスペーサ層４０を反
射率が極小となる厚さよりも薄い100nｍで形成
し、その上に複素屈折率2.1−i0.6の記録層２０を
設けたときの反射率の記録層厚さ依存を示したも
のである。第３６図と比較することにより、第１
のスペーサ層と第２のスペーサ層の挿入により反
射率が大きくなり、改善されているのがわかる。
又、16nｍ前後の記録層厚さで反射率が極小とな
るので、記録層厚さを80nｍとすることにより再
生信号の大きな媒体が得られる。 第３５図は屈折率1.5の基板１０の上に屈折率
2.2の第１のスペーサ層３０を基板入射反射率が
極大となる厚さ95nｍよりも薄い85nｍで形成し、
その上に屈折率2.0の第２のスペーサ層４０を反
射率が極小となる厚さよりも薄い100nｍで形成
し、その上に複素屈折率2.1−i0.6の記録層２０を
設けたときの反射率の記録層厚さ依存を示したも
のである。第３６図と比較することにより、第１
のスペーサ層と第２のスペーサ層の挿入により反
射率が大きくなり、改善されているのがわかる。
又、13nｍ前後の記録層厚さで反射率が極小とな
るので、記録層厚さを80nｍとすることにより再
生信号の大きな媒体が得られる。 以上の結果を第２表に整理して示す。第２表に
おいて、T_naxは、第２図に示す構造において反
射率が極大となる第１のスペーサ層の厚さであ
り、T_nioは、第３図に示す構造において反射率が
極小となる第２のスペーサ層の厚さである。更に
t_nioは、反射率が極小となる記録層の厚さである。

【表】

【表】 上記した如く、本発明で使用される第１のスペ
ーサ層の厚さは記録層と第２のスペーサ層とが形
成されていない状態での基板入射反射率が極大と
なる厚さか或いはそれより薄い厚さとし、第２の
スペーサ層の厚さは第１のスペーサ層が形成され
ていて、記録層が形成されていない状態での基板
入射反射率が極小となる厚さよりも薄い厚さとす
る。以下、第１および第２のスペーサ層について
の条件限定理由について説明する。 第３９図は屈折率1.5の基板の上に屈折率1.7の
第１のスペーサ層を波長830nｍの光における基
板入射反射率が極大となる厚さ120nｍで形成し、
その上に屈折率1.4の第２のスペーサ層を形成し、
その上に複素屈折率2.1−i0.6の記録層を設けたと
きの反射率の記録層厚さ依存を、第２のスペーサ
層厚さが100nｍ、150nｍおよび200nｍの場合に
ついて示したものである。 第１のスペーサ層が形成されていて記録層が形
成されていない状態で基板入射反射率が極小とな
る第２のスペーサ層厚さT_nio＝150nｍよりも第２
のスペーサ層の厚さが厚い場合、即ち第３９図の
第２のスペーサ層の厚さが200nｍのとき、記録
層厚が減小したときの反射率の低下の度合が小さ
くなるため再生信号出力が小さくなり望ましくな
い。 第４０図は屈折率1.5の基板の上に屈折率1.7の
第１のスペーサ層を基板入射反射率が極大となる
厚さ120nｍよりも厚い厚さである170nｍとし、
その上に屈折率1.4の第２のスペーサ層を形成し、
その上に複素屈折率2.1−i0.6の記録層を設けたと
きの反射率の記録層厚さ依存を、第２のスペーサ
層厚さが100nｍ、150nｍおよび200nｍの場合に
ついて示したものである。第３９図の実線の曲線
と比較することにより、第１のスペーサ層の厚さ
が反射率が極大となる厚さよりも厚い場合には記
録層厚が減小したときの反射率の低下の度合が小
さいなるため再生信号出力が小さくなり望ましく
ないことがわかる。 本発明で使用される第１のスペーサ層及び第２
のスペーサ層の厚さの下限は、本発明の目的であ
る反射率の増大及び反射率変化量の増大が実質的
に得られなくなる厚さである。 第３表に第１のスペーサ層厚と第２のスペーサ
層厚と反射率増加量の関係の１例を示す。（この
例は記録層の複素屈折率が2.1−i0.6であり厚さが
80nｍの場合である）。

【表】 本発明により反射率の増加の実質的な効果を得
るためには、スペーサ層の膜厚をおよそλ／8n
（λは光の波長、ｎはスペーサ材料の屈折率）よ
り厚くすることが望ましい。即ち、第３表に示す
如き波長830nｍの光の場合、屈折率1.4以上から
２前後の材料に対しては50nｍ以上の厚さが実施
的に効果のある厚さである。 さらに、本発明で使用される第１及び第２のス
ペーサ層としては、読み出しレーザ波長で実質的
に透明であるものが望ましい。 第１のスペーサ層としては、基板の屈折率より
も大きな屈折率のものであればよい。例えば
CeO₂、Cr₂O₃、Fe₂O₃、Fe₃O₄、GeO₂、In₂O₃、
MgO、MnO₂、MoO₃、Nb₂O₃、NiO₂、SiO、
Sm₂O₃、SnO₂、Ta₂O₅、TeO₂、TiO₂、V₂O₅、
WO₃、Y₂O₃、ZnO、ZrO₂等の各種酸化物、
Si₃N₄、ZrN等の各種窒化物、ZrC等の各種炭化
物、GeS、ZnS等の各種硫化物、コバルトフタロ
シアニン、銅フタロシアニン、マグネシウムフタ
ロシアニン、ニツケルフタロシアニン、亜鉛フタ
ロシアニン等の各種有機色素、各種磁性ガーネツ
ト及びSi、Se、Ge、Ｂ或いはこれらの化合物が
使用できる。 第２のスペーサ層としては、第１のスペーサ層
の屈折率よりも小さな屈折率のものであるとい条
件の下に例えば、AlF₃、BaF₂、CaF₂、CeF₃、
DyF₃、ErF₃、EuF₃、GdF₃、HfF₄、HoF₃、
LaF₃、LiF、MgF₂、NaF、NdF₃、PrF₃、
SmF₃、SrF₂、YF₃、YbF₃等の各種フツ化物、
Al₂O₃、CeO₂、Cr₂O₃、Dy₂O₃、Er₂O₃、Eu₂O₃、
Fe₂O₃、Fe₃O₄、Gd₂O₃、GeO₂、HfO₂、Ho₂O₃、
In₂O₃、Lu₂O₃、MgO、MnO₂、MoO₃、Nb₂O₃、
NiO、SiO、SiO₂、Sm₂O₃、SnO₂、Ta₂O₅、
TiO₂、V₂O₅、WO₃、Y₂O₃、ZnO、ZrO₂等の各
種酸化物、ZrN等の各種窒化物、ZrC等の各種炭
化物、GeS、ZnS等の各種硫化物、コバルトフタ
ロシアニン、銅フタロシアニン、モリブデンフタ
ロシアニン、マグネシウムフタロシアニン、ニツ
ケルフタロシアニン、亜鉛フタロシアニン、スー
ダンブラツクＢ等の各種有機色素、各種フツトレ
ジスト、各種電子線レジスト、ポリスチレン等の
各種有機物を使用することができる。 例えば第１のスペーサ層としてSnO₂を使用す
る場合には、第２のスペーサ層として、AlF₃、
BaF₂、CaF₂、CeF₃、DyF₃、ErF₃、EuF₃、
GdF₃、HoF₃、LaF₃、LiF、MgF₂、NaF、
NdF₃、PrF₃、SmF₃、SrF₂、YF₃、YbF₃等のフ
ツ化物やAl₂O₃、CeO₂、Dy₂O₃、Er₂O₃、Eu₂O₃、
GeO₂、Ho₂O₃、Lu₂O₃、MgO、SiO₂、Sm₂O₃、
Y₂O₃等や酸化物やスーダンブラツクＢ等の有機
色素やグアニン、クリスタルヴアイオレツトラク
トン等の有機物を使用することができる。第１の
スペーサ層として銅フタロシアニンを使用する場
合にも上述した第２のスペーサ層材料を使用する
ことができる。 第１のスペーサ層としてNiOを使用する場合に
は、第２のスペーサ層として、AlF₃、BaF₂、
CaF₂、CeF₃、DyF₃、ErF₃、EuF₃、GdF₃、
HoF₃、LaF₃、LiF、MgF₂、NaF、NdF₃、
PrF₃、SmF₃、SnF₂、YF₃、YbF₃等のフツ化物
やAl₂O₃、Dy₂O₃、Er₂O₃、Eu₂O₃、Ho₂O₃、
Lu₂O₃、MgO、SiO₂、Sm₂O₃、Y₂O₃等や酸化物
やスーダンブラツクＢ等の有機色素やクリスタル
ヴアイオレツトラクトン等の有機物を使用するこ
とができる。 第１のスペーサ層としてGeO₂を使用する場合
にも上述した第２のスペーサ層材料を使用するこ
とができる。 第１のスペーサ層としてMgOを使用する場合
には、第２のスペーサ層として、MgF₂等のフツ
化物やAl₂O₃、SiO₂等の酸化物を使用することが
できる。 第１のスペーサ層としてSiを使用する場合に
は、第２のスペーサ層として、AlF₃、BaF₂、
CaF₂、CeF₃、DyF₃、ErF₃、EuF₃、GdF₃、
HfF₄、HoF₃、LaF₃、LiF、MgF₂、NaF、
NdF₃、PrF₃、SmF₃、SrF₂、YF₃、YbF₃等のフ
ツ化物やAl₂O₃、CeO₂、Cr₂O₃、Dy₂O₃、Er₂O₃、
Eu₂O₃、Fe₂O₃、Fe₃O₄、Gd₂O₃、GeO₂、HfO₂、
Ho₂O₃、In₂O₃、Lu₂O₃、MgO、MnO₂、MoO₃、
Nb₂O₅、NiO、SiO、SiO₂、Sm₂O₃、SnO₂、
Ta₂O₅、TiO₂、V₂O₅、WO₃、Y₂O₃、ZnO、
ZrO₂等の酸化物やZrN等の窒化物やZrC等の炭化
物やGeS、ZrS等の硫化物やコバルトフタロシア
ニン、銅フタロシアニン、モリブデンフタロシア
ニン、マグネシウムフタロシアニン、ニツケルフ
タロシアニン、亜鉛フタロシアニン、スーダンブ
ラツクＢ等の有機色素やグアニン、クリスタルヴ
アイオレツトラクトン、二無水３、４、９、10−
ペリレンテトラカルボン酸等の有機物を使用でき
る。 本発明においては第１及び第２のスペーサ層を
実質的に透明な層と限定している。これは、本発
明の媒体構成、即ち、第１および第２のスペーサ
層を設けることは、反射率を増大させる反面、記
録層の吸収率を減小させている。即ち、記録層単
層だけの媒体と比較すると、本発明の媒体構成は
透過率と吸収率を減小させ、反射率を増大させて
いる。したがつて、スペーサ層が光吸収層である
と、記録層の吸収率はさらに減小するので媒体の
記録感度が低下し実用に供せなくなるので、スペ
ーサ層は実質的に透明であることが必要である。 記録層としては、有機物を主成分とするものが
好適であり、さらには、蒸着法あるいはスパツタ
法で形成できるものが望ましい。具体的には、各
種スクアリリウム色素、各種５−アミノ−２，３
−ジシアノ−１，４−ナフトキノン色素、バナジ
ルフタロシアニン、チタニルフタロシアニン、ア
ルミニウムフタロシアニン、塩化アルミニウムフ
タロシアニン、チタンフタロシアニン、鉛フタロ
シアニン、白金フタロシアニン等の各種フタロシ
アニン色素、Teを含有したプラズマ重合有機膜、
Teがアルキル基で囲まれている有機膜、Teがフ
ルオロカーボンで囲まれている有機膜等を用いる
ことができる。 この中では特に、５−アミノ−８−置換アニリ
ノ−２，３−ジシアノ−１，４−ナフトキノン色
素、５，８−置換アニリノ−２，３−ジシアノ−
１，４−ナフトキノン色素、あるいはそれらの混
合物かあるいはそれらの金属錯体か望ましく、置
換基としては、炭素数４以下のアルコキシル基、
アルキル基が最も望ましい。 基板としては種々のものを使用できるが、一般
には合成樹脂、ガラス、磁器が望ましい。合成樹
脂としては、ポリメチルメタクリレート等のアク
リル樹脂、ポリカーボネート、ポリエーテルイミ
ド、ポリサルホン、エポキシ樹脂、塩化ビニル樹
脂等がある。基板の形状は、円板状、シート状、
テープ状とすることができる。 本発明の光記録媒体において、記録層への情報
の記録は記録層にピツトを形成することによりな
される。円板状の基板を用いるデイスク媒体で
は、ピツトは同心円状又はスパイラル状の多数の
トラツクに形成するように記録される。多数のト
ラツクを一定間隔で精度よく記録するには、通常
基板上に光の案内溝が設けられる。ビーム径程度
の溝に光が入射すると光が回折される。ビーム中
心が溝からずれるにつれて回折光強度の空間分布
が異なり、これを検出してビームを溝の中心に入
射させるようにサーボ系を構成できる。通常、案
内溝の幅は0.3〜1.2μｍ、その深さは使用する記
録再生レーザ波長の1/12〜1/4の範囲に設定され
る。本発明の光記録媒体では基板の溝付面上に案
内溝を形成するのが好ましい。 以下本発明の実施例について説明する。 実施例 １ 内径15mm、外径120mm、厚さ1.2mmの案内溝付き
アクリル樹脂デイスク基板に、酸化マグネシウム
を121nｍ蒸着し、その上にフツ化マグネシウム
を82nｍ蒸着し、その上に５−アミノ−８−（ｐ
−エトキシアニリノ）−２，３−ジシアノ−１，
４−ナフトキノン色素を85％以上含む有機薄膜を
記録層として80nｍ蒸着した。この成膜の際、波
長830nｍの基板入射の反射率をモニターしなが
ら行ない、第１のスペーサ層酸化マグネシウムの
蒸着終了時の基板入射反射率は10.7％と極大値を
とる厚さに設定し、第２のスペーサ層フツ化マグ
ネシウムの蒸着終了時の基板入射反射率は4.7％
と、極小値をとる厚さよりも薄く設定した。 このようにして作製した光デイスクの基板入射
媒体反射率は22.0％と大きいためサーボ信号が大
きく、かつ、再生信号も大きく良好であつた。 実施例 ２ 内径15mm、外径120mm、厚さ1.2mmの案内溝付き
アクリル樹脂デイスク基板に、酸化マグネシウム
を121nｍ蒸着し、その上に２酸化シリコンを
101nｍ蒸着し、その上に５−アミノ−８−（ｐ−
エトキシアニリノ）−２，３−ジシアノ−１，４
−ナフトキノン色素を85％以上含む有機薄膜を記
録層として80nｍ蒸着した。この成膜の際、波長
830nｍの基板入射の反射率をモニターしながら
行ない第１のスペーサ層酸化マグネシウムの蒸着
終了時の基板入射反射率は10.7％と極大値をとる
厚さに設定し、第２のスペーサ層２酸化シリコン
の蒸着終了時の基板入射反射率は2.3％と、極小
値をとる厚さよりも薄く設定した。 このようにして作製した光デイスクの基板入射
媒体反射率は21.5％と大きいためサーボ信号が大
きく、かつ再生信号も大きく良好であつた。 実施例 ３ 内径15mm、外径120mm、厚さ1.2mmの案内溝付き
アクリル樹脂デイスク基板に、酸化ゲルマニウム
を113nｍ蒸着し、その上にフツ化マグネシウム
を69nｍ蒸着し、その上に５−アミノ−８−（ｐ
−エトキシアニリノ）−２，３−ジシアノ−１，
４−ナフトキノン色素を85％以上含む有機薄膜を
記録層として80nｍ蒸着した。この成膜の際、波
長830nｍの基板入射の反射率をモニターしなが
ら行ない第１のスペーサ層酸化ゲルマニウムの蒸
着終了時の基板入射反射率は15.6％と極大値をと
る厚さに設定し、第２のスペーサ層フツ化マグネ
シウムの蒸着終了時の基板入射反射率は9.4％と、
極小値をとる厚さよりも薄く設定した。 このようにして作製した光デイスクの基板入射
媒体反射率は22.7％と大きいためサーボ信号が大
きく、かつ、再生信号も大きく良好であつた。 実施例 ４ 内径15mm、外径120mm、厚さ1.2mmの案内溝付き
アクリル樹脂デイスク基板に、酸化ゲルマニウム
を113nｍ蒸着し、その上に２酸化シリコンを80n
ｍ蒸着し、その上に５−アミノ−８−（ｐ−エト
キシアニリノ）−２，３−ジシアノ−１，４−ナ
フトキノン色素を85％以上含む有機薄膜を記録層
として80nｍ蒸着した。この成膜の際、波長830n
ｍの基板入射の反射率をモニターしながら行ない
第１のスペーサ層酸化ゲルマニウムの蒸着終了時
の基板入射反射率は15.6％と極大値をとる厚さに
設定し、第２のスペーサ層２酸化シリコンの蒸着
終了時の基板入射反射率は6.4％と、極小値をと
る厚さよりも薄く設定した。 このようにして作製した光デイスクの基板入射
媒体反射率は23.1％と大きいためサーボ信号が大
きく、かつ、再生信号も大きく良好であつた。 実施例 ５ 内径15mm、外径120mm、厚さ1.2mmの案内溝付き
アクリル樹脂デイスク基板に、酸化ゲルマニウム
を113nｍ蒸着し、その上に酸化アルミニウムを
88nｍ蒸着し、その上に５−アミノ−８−（ｐ−
エトキシアニリノ）−２，３−ジシアノ−１，４
−ナフトキノン色素を85％以上含む有機薄膜を記
録層として80nｍ蒸着した。この成膜の際、波長
830nｍの基板入射の反射率をモニターしながら
行ない第１のスペーサ層酸化ゲルマニウムの蒸着
終了時の基板入射反射率は15.6％と極大値をとる
厚さに設定し、第２のスペーサ層酸化アルミニウ
ムの蒸着終了時の基板入射反射率は4.2％と、極
小値をとる厚さよりも薄く設定した。 このようにして作製した光デイスクの基板入射
媒体反射率は21.6％と大きいためサーボ信号が大
きく、かつ、再生信号も大きく良好であつた。 実施例 ６ 内径15mm、外径120mm、厚さ1.2mmの案内溝付き
アクリル樹脂デイスク基板に、酸化セリウムを
110nｍ蒸着し、その上に酸化アルミニウムを88n
ｍ蒸着し、その上に５−アミノ−８−（ｐ−エト
キシアニリノ）−２，３−ジシアノ−１，４−ナ
フトキノン色素を85％以上含む有機薄膜を記録層
として80nｍ蒸着した。この成膜の際、波長830n
ｍの基板入射の反射率をモニターしながら行ない
第１のスペーサ層酸化セリウムの蒸着終了時の基
板入射反射率は17.0％と極大値をとる厚さに設定
し、第２のスペーサ層酸化アルミニウムの蒸着終
了時の基板入射反射率は7.6％と、極小値をとる
厚さよりも薄く設定した。 このようにして作製した光デイスクの基板入射
媒体反射率は23.8％と大きいためサーボ信号が大
きく、かつ、再生信号も大きく良好であつた。 実施例 ７ 内径15mm、外径120mm、厚さ1.2mmの案内溝付き
アクリル樹脂デイスク基板に、銅フタロシアニン
色素を104nｍ蒸着し、その上にフツ化マグネシ
ウムを68nｍ蒸着し、その上に５−アミノ−８−
（ｐ−エトキシアニリノ）−２，３−ジシアノ−
１，４−ナフトキノン色素を85％以上含む有機薄
膜を記録層として80nｍ蒸着した。この成膜の
際、波長830nｍの基板入射の反射率をモニター
しながら行ない、第１のスペーサ層銅フタロシア
ニン色素の蒸着終了時の基板入射反射率は20.7％
と極大値をとる厚さに設定し、第２のスペーサ層
フツ化マグネシウムの蒸着終了時の基板入射反射
率は13.6％と、極小値をとる厚さよりも薄く設定
した。 このようにして作製した光デイスクの基板入射
媒体反射率は25.9％と大きいためサーボ信号が大
きく、かつ、再生信号も大きく良好であつた。 実施例 ８ 内径15mm、外径120mm、厚さ1.2mmの案内溝付き
アクリル樹脂デイスク基板に、銅フタロシアニン
色素を104nｍ蒸着し、その上に２酸化シリコン
を70nｍ蒸着し、その上に５−アミノ−８−（ｐ
−エトキシアニリノ）−２，３−ジシアノ−１，
４−ナフトキノン色素を85％以上含む有機薄膜を
記録層として80nｍ蒸着した。この成膜の際、波
長830nｍの基板入射の反射率をモニターしなが
ら行ない、第１のスペーサ層銅フタロシアニン色
素の蒸着終了時の基板入射反射率は20.7％と極大
値をとる厚さに設定し、第２のスペーサ層２酸化
シリコンの蒸着終了時の基板入射反射率は11.6％
と、極小値をとる厚さよりも薄く設定した。 このようにして作製した光デイスクの基板入射
媒体反射率は24.4％と大きいためサーボ信号が大
きく、かつ、再生信号も大きく良好であつた。 実施例 ９ 内径15mm、外径120mm、厚さ1.2mmの案内溝付き
アクリル樹脂デイスク基板に、銅フタロシアニン
色素を104nｍ蒸着し、その上に酸化アルミニウ
ムを78nｍ蒸着し、その上に５−アミノ−８−
（ｐ−エトキシアニリノ）−２，３−ジシアノ−
１，４−ナフトキノン色素を85％以上含む有機薄
膜を記録層として80nｍ蒸着した。この成膜の
際、波長830nｍの基板入射の反射率をモニター
しながら行ない、第１のスペーサ層銅フタロシア
ニン色素の蒸着終了時の基板入射反射率は20.7％
と極大値をとる厚さに設定し、第２のスペーサ層
酸化アルミニウムの蒸着終了時の基板入射反射率
は8.2％と、極小値をとる厚さよりも薄く設定し
た。 このようにして作製した光デイスクの基板入射
媒体反射率は24.2％と大きいためサーボ信号が大
きく、かつ、再生信号も大きく良好であつた。 実施例 10 内径15mm、外径120mm、厚さ1.2mmの案内溝付き
アクリル樹脂デイスク基板に、銅フタロシアニン
色素を104nｍ蒸着し、その上に酸化イツトリウ
ムを81nｍ蒸着し、その上に５−アミノ−８−
（ｐ−エトキシアニリノ）−２，３−ジシアノ−
１，４−ナフトキノン色素を85％以上含む有機薄
膜を記録層として80nｍ蒸着した。この成膜の
際、波長830nｍの基板入射の反射率をモニター
しながら行ない、第１のスペーサ層銅フタロシア
ニン色素の蒸着終了時の基板入射反射率は20.7％
と極大値をとる厚さに設定し、第２のスペーサ層
酸化イツトリウムの蒸着終了時の基板入射反射率
は6.8％と、極小値をとる厚さよりも薄く設定し
た。 このようにして作製した光デイスクの基板入射
媒体反射率は23.4％と大きいためサーボ信号が大
きく、かつ、再生信号も大きく良好であつた。 実施例 11 内径15mm、外径120mm、厚さ1.2mmの案内溝付き
アクリル樹脂デイスク基板に、銅フタロシアニン
色素を104nｍ蒸着し、その上に酸化マグネシウ
ムを83nｍ蒸着し、その上に５−アミノ−８−
（ｐ−エトキシアニリノ）−２，３−ジシアノ−
１，４−ナフトキノン色素を85％以上含む有機薄
膜を記録層として80nｍ蒸着した。この成膜の
際、波長830nｍの基板入射の反射率をモニター
しながら行ない、第１のスペーサ層銅フタロシア
ニン色素の蒸着終了時の基板入射反射率は20.7％
と極大値をとる厚さに設定し、第２のスペーサ層
酸化マグネシウムの蒸着終了時の基板入射反射率
は5.6％と、極小値をとる厚さよりも薄く設定し
た。 このようにして作製した光デイスクの基板入射
媒体反射率は21.7％と大きいためサーボ信号が大
きく、かつ、再生信号も大きく良好であつた。 実施例 12 内径15mm、外径120mm、厚さ1.2mmの案内溝付き
アクリル樹脂デイスク基板に、酸化ニツケルを
103nｍ蒸着し、その上にフツ化マグネシウムを
70nｍ蒸着し、その上に５−アミノ−８−（ｐ−
エトキシアニリノ）−２，３−ジシアノ−１，４
−ナフトキノン色素を85％以上含む有機薄膜を記
録層として80nｍ蒸着した。この成膜の際、波長
830nｍの基板入射の反射率をモニターしながら
行ない、第１のスペーサ層酸化ニツケルの蒸着終
了時の基板入射反射率は21.4％と極大値をとる厚
さに設定し、第２のスペーサ層フツ化マグネシウ
ムの蒸着終了時の基板入射反射率は13.8％と、極
小値をとる厚さよりも薄く設定した。 このようにして作製した光デイスクの基板入射
媒体反射率は27.2％と大きいためサーボ信号が大
きく、かつ、再生信号も大きく良好であつた。 実施例 13 内径15mm、外径120mm、厚さ1.2mmの案内溝付き
アクリル樹脂デイスク基板に、酸化ニツケルを
103nｍ蒸着し、その上に２酸化シリコンを71nｍ
蒸着し、その上に５−アミノ−８−（ｐ−エトキ
シアニリノ）−２，３−ジシアノ−１，４−ナフ
トキノン色素を85％以上含む有機薄膜を記録層と
して80nｍ蒸着した。この成膜の際、波長830nｍ
の基板入射の反射率をモニターしながら行ない、
第１のスペーサ層酸化ニツケルの蒸着終了時の基
板入射反射率は21.4％と極大値をとる厚さに設定
し、第２のスペーサ層２酸化シリコンの蒸着終了
時の基板入射反射率は11.9％と、極小値をとる厚
さよりも薄く設定した。 このようにして作製した光デイスクの基板入射
媒体反射率は25.3％と大きいためサーボ信号が大
きく、かつ、再生信号も大きく良好であつた。 実施例 14 内径15mm、外径120mm、厚さ1.2mmの案内溝付き
アクリル樹脂デイスク基板に、酸化ニツケルを
103nｍ蒸着し、その上に酸化アルミニウムを80n
ｍ蒸着し、その上に５−アミノ−８−（ｐ−エト
キシアニリノ）−２，３−ジシアノ−１，４−ナ
フトキノン色素を85％以上含む有機薄膜を記録層
として80nｍ蒸着した。この成膜の際、波長830n
ｍの基板入射の反射率をモニターしながら行な
い、第１のスペーサ層酸化ニツケルの蒸着終了時
の基板入射反射率は21.4％と極大値をとる厚さに
設定し、第２のスペーサ層酸化アルミニウムの蒸
着終了時の基板入射反射率は8.0％と、極小値を
とる厚さよりも薄く設定した。 このようにして作製した光デイスクの基板入射
媒体反射率は25.3％と大きいためサーボ信号が大
きく、かつ、再生信号も大きく良好であつた。 実施例 15 内径15mm、外径120mm、厚さ1.2mmの案内溝付き
アクリル樹脂デイスク基板に、酸化ニツケルを
103nｍ蒸着し、その上に酸化マグネシウムを83n
ｍ蒸着し、その上に５−アミノ−８−（ｐ−エト
キシアニリノ）−２，３−ジシアノ−１，４−ナ
フトキノン色素を85％以上含む有機薄膜を記録層
として80nｍ蒸着した。この成膜の際、波長830n
ｍの基板入射の反射率をモニターしながら行な
い、第１のスペーサ層酸化ニツケルの蒸着終了時
の基板入射反射率は21.4％と極大値をとる厚さに
設定し、第２のスペーサ層酸化マグネシウムの蒸
着終了時の基板入射反射率は5.8％と、極小値を
とる厚さよりも薄く設定した。 このようにして作製した光デイスクの基板入射
媒体反射率は22.4％と大きいためサーボ信号が大
きく、かつ、再生信号も大きく良好であつた。 実施例 16 内径15mm、外径120mm、厚さ1.2mmの案内溝付き
アクリル樹脂デイスク基板に、酸化スズを94nｍ
蒸着し、その上にフツ化マグネシウムを62nｍ蒸
着し、その上に５−アミノ−８−（ｐ−エトキシ
アニリノ）−２，３−ジシアノ−１，４−ナフト
キノン色素を85％以上含む有機薄膜を記録層とし
て80nｍ蒸着した。この成膜の際、波長830nｍの
基板入射の反射率をモニターしながら行ない、第
１のスペーサ層酸化スズの蒸着終了時の基板入射
反射率は27.8％と極大値をとる厚さに設定し、第
２のスペーサ層フツ化マグネシウムの蒸着終了時
の基板入射反射率は21.0％と、極小値をとる厚さ
よりも薄く設定した。 このようにして作製した光デイスクの基板入射
媒体反射率は28.7％と大きいためサーボ信号が大
きく、かつ、再生信号も大きく良好であつた。 実施例 17 内径15mm、外径120mm、厚さ1.2mmの案内溝付き
アクリル樹脂デイスク基板に、酸化スズを94nｍ
蒸着し、その上に２酸化シリコンを64nｍ蒸着
し、その上に５−アミノ−８−（ｐ−エトキシア
ニリノ）−２，３−ジシアノ−１，４−ナフトキ
ノン色素を85％以上含む有機薄膜を記録層として
80nｍ蒸着した。この成膜の際、波長830nｍの基
板入射の反射率をモニターしながら行ない、第１
のスペーサ層酸化スズの蒸着終了時の基板入射反
射率は27.8％と極大値をとる厚さに設定し、第２
のスペーサ層２酸化シリコンの蒸着終了時の基板
入射反射率は18.7％と、極小値をとる厚さよりも
薄く設定した。 このようにして作製した光デイスクの基板入射
媒体反射率は27.7％と大きいためサーボ信号が大
きく、かつ、再生信号も大きく良好であつた。 実施例 18 内径15mm、外径120mm、厚さ1.2mmの案内溝付き
アクリル樹脂デイスク基板に、酸化スズを94nｍ
蒸着し、その上に酸化アルミニウムを73nｍ蒸着
し、その上に５−アミノ−８−（ｐ−エトキシア
ニリノ）−２，３−ジシアノ−１，４−ナフトキ
ノン色素を85％以上含む有機薄膜を記録層として
80nｍ蒸着した。この成膜の際、波長830nｍの基
板入射の反射率をモニターしながら行ない、第１
のスペーサ層酸化スズの蒸着終了時の基板入射反
射率は27.8％と極大値をとる厚さに設定し、第２
のスペーサ層酸化アルミニウムの蒸着終了時の基
板入射反射率は14.0％と、極小値をとる厚さより
も薄く設定した。 このようにして作製した光デイスクの基板入射
媒体反射率は28.9％と大きいためサーボ信号が大
きく、かつ、再生信号も大きく良好であつた。 実施例 19 内径15mm、外径120mm、厚さ1.2mmの案内溝付き
アクリル樹脂デイスク基板に、酸化スズを94nｍ
蒸着し、その上に酸化マグネシウムを80nｍ蒸着
し、その上に５−アミノ−８−（ｐ−エトキシア
ニリノ）−２，３−ジシアノ−１，４−ナフトキ
ノン色素を85％以上含む有機薄膜を記録層として
80nｍ蒸着した。この成膜の際、波長830nｍの基
板入射の反射率をモニターしながら行ない、第１
のスペーサ層酸化スズの蒸着終了時の基板入射反
射率は27.8％と極大値をとる厚さに設定し、第２
のスペーサ層酸化マグネシウムの蒸着終了時の基
板入射反射率は9.1％と、極小値をとる厚さより
も薄く設定した。 このようにして作製した光デイスクの基板入射
媒体反射率は27.7％と大きいためサーボ信号が大
きく、かつ、再生信号も大きく良好であつた。 実施例 20 内径15mm、外径120mm、厚さ1.2mmの案内溝付き
アクリル樹脂デイスク基板に、酸化スズを94nｍ
蒸着し、その上に酸化ゲルマニウムを88nｍ蒸着
し、その上に５−アミノ−８−（ｐ−エトキシア
ニリノ）−２，３−ジシアノ−１，４−ナフトキ
ノン色素を85％以上含む有機薄膜を記録層として
80nｍ蒸着した。この成膜の際、波長830nｍの基
板入射の反射率をモニターしながら行ない、第１
のスペーサ層酸化スズの蒸着終了時の基板入射反
射率は27.8％と極大値をとる厚さに設定し、第２
のスペーサ層酸化ゲルマニウムの蒸着終了時の基
板入射反射率は4.1％と、極小値をとる厚さより
も薄く設定した。 このようにして作製した光デイスクの基板入射
媒体反射率は24.7％と大きいためサーボ信号が大
きく、かつ、再生信号も大きく良好であつた。 実施例 21 内径15mm、外径120mm、厚さ1.2mmの案内溝付き
アクリル樹脂デイスク基板に、酸化スズを94nｍ
蒸着し、その上に銅フタロシアニン色素を90nｍ
蒸着し、その上に５−アミノ−８−（ｐ−エトキ
シアニリノ）−２，３−ジシアノ−１，４−ナフ
トキノン色素を85％以上含む有機薄膜を記録層と
して80nｍ蒸着した。この成膜の際、波長830nｍ
の基板入射の反射率をモニターしながら行ない、
第１のスペーサ層酸化スズの蒸着終了時の基板入
射反射率は27.8％と極大値をとる厚さに設定し、
第２のスペーサ層銅フタロシアニン色素の蒸着終
了時の基板入射反射率は2.7％と、極小値をとる
厚さよりも薄く設定した。 このようにして作製した光デイスクの基板入射
媒体反射率は20.2％と大きいためサーボ信号が大
きく、かつ、再生信号も大きく良好であつた。 実施例 22 内径15mm、外径120mm、厚さ1.2mmの案内溝付き
アクリル樹脂デイスク基板に、銅フタロシアニン
色素を104nｍ蒸着し、その上に２酸化シリコン
を68nｍ蒸着し、その上に５−アミノ−８−（ｐ
−メチルアニリノ）−２，３−ジシアノ−１，４
−ナフトキノン色素を85％以上含む有機薄膜を記
録層として80nｍ蒸着した。この成膜の際、波長
830nｍの基板入射の反射率をモニターしながら
行ない、第１のスペーサ層銅フタロシアニン色素
の蒸着終了時の基板入射反射率は20.7％と極大値
をとる厚さに設定し、第２のスペーサ層２酸化シ
リコンの蒸着終了時の基板入射反射率は12.0％
と、極小値をとる厚さよりも薄く設定した。 このようにして作製した光デイスクの基板入射
媒体反射率は28.5％と大きいためサーボ信号が大
きく、かつ、再生信号も大きく良好であつた。 実施例 23 内径15mm、外径120mm、厚さ1.2mmの案内溝付き
アクリル樹脂デイスク基板に、酸化マグネシウム
を121nｍ蒸着し、その上に２酸化シリコンを
100nｍ蒸着し、その上に５−アミノ−８−（ｐ−
プロポキシアニリノ）−２，３−ジシアノ−１，
４−ナフトキノン色素を90％以上含む有機薄膜を
記録層として80nｍ蒸着した。この成膜の際、波
長830nｍの基板入射の反射率をモニターしなが
ら行ない、第１のスペーサ層酸化マグネシウムの
蒸着終了時の基板入射反射率は10.7％と、極大値
をとる厚さに設定し、第２のスペーサ層２酸化シ
リコンの蒸着終了時の基板入射反射率は2.4％と、
極小値をとる厚さよりも薄く設定した。 このようにして作製した光デイスクの基板入射
媒体反射率は19.0％と大きいためサーボ信号が大
きく、かつ、再生信号も大きく良好であつた。 実施例 24 内径15mm、外径120mm、厚さ1.2mmの案内溝付き
アクリル樹脂デイスク基板に、酸化マグネシウム
を110nｍ蒸着し、その上に２酸化シリコンを
110nｍ蒸着し、その上に５−アミノ−８−（ｐ−
エトキシアニリノ）−２，３−ジシアノ−１，４
−ナフトキノン色素を90％以上含む有機薄膜を記
録層として80nｍ蒸着した。この成膜の際、波長
830nｍの基板入射の反射率をモニターしながら
行ない、第１のスペーサ層酸化マグネシウムの蒸
着終了時の基板入射反射率は10.6％と極大値をと
る厚さよりも薄く設定し、第２のスペーサ層２酸
化シリコンの蒸着終了時の基板入射反射率は2.1
％と、極小値をとる厚さよりも薄く設定した。 このようにして作製した光デイスクの媒体反射
率は21.6％と大きいためサーボ信号が大きく、か
つ、再生信号も大きく良好であつた。 実施例 25 内径15mm、外径120mm、厚さ1.2mmの案内溝付き
アクリル樹脂デイスク基板に、酸化マグネシウム
を110nｍ蒸着し、その上にフツ化マグネシウム
を90nｍ蒸着し、その上に５−アミノ−８−（ｐ
−エトキシアニリノ）−２，３−ジシアノ−１，
４−ナフトキノン色素を90％以上含む有機薄膜を
記録層として80nｍ蒸着した。この成膜の際、波
長830nｍの基板入射の反射率をモニターしなが
ら行ない、第１のスペーサ層酸化マグネシウムの
蒸着終了時の基板入射反射率は10.6％と、極大値
をとる厚さよりも薄くに設定し、第２のスペーサ
層フツ化マグネシウムの蒸着終了時の基板入射反
射率は4.4％と、極小値をとる厚さよりも薄く設
定した。 このようにして作製した光デイスクの媒体反射
率は22.4％と大きいためサーボ信号が大きく、か
つ、再生信号も大きく良好であつた。 実施例 26 内径15mm、外径120mm、厚さ1.2mmの案内溝付き
アクリル樹脂デイスク基板に、銅フタロシアニン
色素を95nｍ蒸着し、その上にフツ化マグネシウ
ムを80nｍ蒸着し、その上に５−アミノ−８−
（ｐ−エトキシアニリノ）−２，３−ジシアノ−
１，４−ナフトキノン色素を90％以上含む有機薄
膜を記録層として80nｍ蒸着した。この成膜の
際、波長830nｍの基板入射の反射率をモニター
しながら行ない、第１のスペーサ層銅フタロシア
ニン色素の蒸着終了時の基板入射反射率は20.4％
と、極大値をとる厚さよりも薄く設定し、第２の
スペーサ層フツ化マグネシウムの蒸着終了時の基
板入射反射率は12.2％と、極小値をとる厚さより
も薄く設定した。 このようにして作製した光デイスクの媒体反射
率は28.1％と大きいためサーボ信号が大きく、か
つ、再生信号も大きく良好であつた。 実施例 27 内径15mm、外径120mm、厚さ1.2mmの案内溝付き
アクリル樹脂デイスク基板に、銅フタロシアニン
色素を85nｍ蒸着し、その上に２酸化シリコンを
80nｍ蒸着し、その上に５−アミノ−８−（ｐ−
エトキシアニリノ）−２，３−ジシアノ−１，４
−ナフトキノン色素を90％以上含む有機薄膜を記
録層として80nｍ蒸着した。この成膜の際、波長
830nｍの基板入射の反射率をモニターしながら
行ない、第１のスペーサ層銅フタロシアニン色素
の蒸着終了時の基板入射反射率は19.6％と極大値
をとる厚さよりも薄くに設定し、第２のスペーサ
層２酸化シリコンの蒸着終了時の基板入射反射率
は11.5％と、極小値をとる厚さよりも薄く設定し
た。 このようにして作製した光デイスクの媒体反射
率は23.0％と大きいためサーボ信号が大きく、か
つ、再生信号も大きく良好であつた。 実施例 28 内径15mm、外径120mm、厚さ1.2mmの案内溝付き
アクリル樹脂デイスク基板に、ニツケルフタロシ
アニン色素を95nｍ蒸着し、その上に酸化アルミ
ニウムを80nｍ蒸着し、その上に５−アミノ−８
−（ｐ−エトキシアニリノ）−２，３−ジシアノ−
１，４−ナフトキノン色素を90％以上含む有機薄
膜を記録層として80nｍ蒸着した。この成膜の
際、波長830nｍの基板入射の反射率をモニター
しながら行ない、第１のスペーサ層ニツケルフタ
ロシアニン色素の蒸着終了時の基板入射反射率は
20.4％と、極大値をとる厚さよりも薄くに設定
し、第２のスペーサ層酸化アルミニウムの蒸着終
了時の基板入射反射率は9.2％と、極小値をとる
厚さよりも薄く設定した。 このようにして作製した光デイスクの媒体反射
率は23.0％と大きいためサーボ信号が大きく、か
つ、再生信号も大きく良好であつた。 実施例 29 内径15mm、外径120mm、厚さ1.2mmの案内溝付き
アクリル樹脂デイスク基板に、コバルトフタロシ
アニン色素を95nｍ蒸着し、その上に酸化マグネ
シウムを90nｍ蒸着し、その上に５−アミノ−８
−（ｐ−エトキシアニリノ）−２，３−ジシアノ−
１，４−ナフトキノン色素を90％以上含む有機薄
膜を記録層として80nｍ蒸着した。この成膜の
際、波長830nｍの基板入射の反射率をモニター
しながら行ない、第１のスペーサ層コバルトフタ
ロシアニン色素の蒸着終了時の基板入射反射率は
20.4％と、極大値をとる厚さよりも薄くに設定
し、第２のスペーサ層酸化マグネシウムの蒸着終
了時の基板入射反射率は5.5％と、極小値をとる
厚さよりも薄く設定した。 このようにして作製した光デイスクの媒体反射
率は21.7％と大きいためサーボ信号が大きく、か
つ、再生信号も大きく良好であつた。 実施例 30 内径15mm、外径120mm、厚さ1.2mmの案内溝付き
アクリル樹脂デイスク基板に、銅フタロシアニン
色素を95nｍ蒸着し、その上に酸化イツトリウム
を85nｍ蒸着し、その上に５−アミノ−８−（ｐ
−エトキシアニリノ）−２，３−ジシアノ−１，
４−ナフトキノン色素を90％以上含む有機薄膜を
記録層として80nｍ蒸着した。この成膜の際、波
長830nｍの基板入射の反射率をモニターしなが
ら行ない、第１のスペーサ層銅フタロシアニン色
素の蒸着終了時の基板入射反射率は20.4％と、極
大値をとる厚さよりも薄く設定し、第２のスペー
サ層酸化イツトリウムの蒸着終了時の基板入射反
射率は7.3％と、極小値をとる厚さよりも薄く設
定した。 このようにして作製した光デイスクの媒体反射
率は22.8％と大きいためサーボ信号が大きく、か
つ、再生信号も大きく良好であつた。 実施例 31 内径15mm、外径120mm、厚さ1.2mmの案内溝付き
アクリル樹脂デイスク基板に、酸化ゲルマニウム
を90nｍ蒸着し、その上にフツ化マグネシウムを
90nｍ蒸着し、その上に５−アミノ−８−（ｐ−
エトキシアニリノ）−２，３−ジシアノ−１，４
−ナフトキノン色素を90％以上含む有機薄膜を記
録層として80nｍ蒸着した。この成膜の際、波長
830nｍの基板入射の反射率をモニターしながら
行ない、第１のスペーサ層酸化ゲルマニウムの蒸
着終了時の基板入射反射率は14.7％と極大値をと
る厚さよりも薄く設定し、第２のスペーサ層フツ
化マグネシウムの蒸着終了時の基板入射反射率は
7.6％と、極小値をとる厚さよりも薄く設定した。 このようにして作製した光デイスクの媒体反射
率は24.5％と大きいためサーボ信号が大きく、か
つ、再生信号も大きく良好であつた。 実施例 32 内径15mm、外径120mm、厚さ1.2mmの案内溝付き
アクリル樹脂デイスク基板に、酸化ゲルマニウム
を90nｍ蒸着し、その上に２酸化シリコンを90n
ｍ蒸着し、その上に５−アミノ−８−（ｐ−エト
キシアニリノ）−２，３−ジシアノ−１，４−ナ
フトキノン色素を90％以上含む有機薄膜を記録層
として80nｍ蒸着した。この成膜の際、波長830n
ｍの基板入射の反射率をモニターしながら行な
い、第１のスペーサ層酸化ゲルマニウムの蒸着終
了時の基板入射反射率は14.7％と、極大値をとる
厚さよりも薄く設定し、第２のスペーサ層２酸化
シリコンの蒸着終了時の基板入射反射率は6.8％
と、極小値をとる厚さよりも薄く設定した。 このようにして作製した光デイスクの媒体反射
率は21.6％と大きいためサーボ信号が大きく、か
つ、再生信号も大きく良好であつた。 実施例 33 内径15mm、外径120mm、厚さ1.2mmの案内溝付き
アクリル樹脂デイスク基板に、酸化ゲルマニウム
を90nｍ蒸着し、その上に酸化アルミニウムを
90nｍ蒸着し、その上に５−アミノ−８−（ｐ−
エトキシアニリノ）−２，３−ジシアノ−１，４
−ナフトキノン色素を90％以上含む有機薄膜を記
録層として80nｍ蒸着した。この成膜の際、波長
830nｍの基板入射の反射率をモニターしながら
行ない、第１のスペーサ層酸化ゲルマニウムの蒸
着終了時の基板入射反射率は14.7％と、極大値を
とる厚さよりも薄く設定し、第２のスペーサ層酸
化アルミニウムの蒸着終了時の基板入射反射率は
6.4％と、極小値をとる厚さよりも薄く設定した。 このようにして作製した光デイスクの媒体反射
率は18.7％と大きいためサーボ信号が大きく、か
つ、再生信号も大きく良好であつた。 実施例 34 内径15mm、外径120mm、厚さ1.2mmの案内溝付き
アクリル樹脂デイスク基板に、酸化セリウムを
90nｍ蒸着し、その上に２酸化シリコンを90nｍ
蒸着し、その上に５−アミノ−８−（ｐ−エトキ
シアニリノ）−２，３−ジシアノ−１，４−ナフ
トキノン色素を90％以上含む有機薄膜を記録層と
して80nｍ蒸着した。この成膜の際、波長830nｍ
の基板入射の反射率をモニターしながら行ない、
第１のスペーサ層酸化セリウムの蒸着終了時の基
板入射反射率は16.2％と、極大値をとる厚さより
も薄く設定し、第２のスペーサ層２酸化シリコン
の蒸着終了時の基板入射反射率は7.3％と、極小
値をとる厚さよりも薄く設定した。 このようにして作製した光デイスクの媒体反射
率は23.2％と大きいためサーボ信号が大きく、か
つ、再生信号も大きく良好であつた。 実施例 35 内径15mm、外径120mm、厚さ1.2mmの案内溝付き
アクリル樹脂デイスク基板に、酸化ニツケルを
95nｍ蒸着し、その上にフツ化マグネシウムを
80nｍ蒸着し、その上に５−アミノ−８−（ｐ−
エトキシアニリノ）−２，３−ジシアノ−１，４
−ナフトキノン色素を90％以上含む有機薄膜を記
録層として80nｍ蒸着した。この成膜の際、波長
830nｍの基板入射の反射率をモニターしながら
行ない、第１のスペーサ層酸化ニツケルの蒸着終
了時の基板入射反射率は21.2％と、極大値をとる
厚さよりも薄く設定し、第２のスペーサ層フツ化
マグネシウムの蒸着終了時の基板入射反射率は
12.7％と、極小値をとる厚さよりも薄く設定し
た。 このようにして作製した光デイスクの媒体反射
率は28.9％と大きいためサーボ信号が大きく、か
つ、再生信号も大きく良好であつた。 実施例 36 内径15mm、外径120mm、厚さ1.2mmの案内溝付き
アクリル樹脂デイスク基板に、酸化ニツケルを
85nｍ蒸着し、その上に２酸化シリコンを80nｍ
蒸着し、その上に５−アミノ−８−（ｐ−エトキ
シアニリノ）−２，３−ジシアノ−１，４−ナフ
トキノン色素を90％以上含む有機薄膜を記録層と
して80nｍ蒸着した。この成膜の際、波長830nｍ
の基板入射の反射率をモニターしながら行ない、
第１のスペーサ層酸化ニツケルの蒸着終了時の基
板入射反射率は20.3％と、極大値をとる厚さより
も薄く設定し、第２のスペーサ層２酸化シリコン
の蒸着終了時の基板入射反射率は11.9％と、極小
値をとる厚さよりも薄く設定した。 このようにして作製した光デイスクの媒体反射
率は23.8％と大きいためサーボ信号が大きく、か
つ、再生信号も大きく良好であつた。 実施例 37 内径15mm、外径120mm、厚さ1.2mmの案内溝付き
アクリル樹脂デイスク基板に、酸化ニツケルを
95nｍ蒸着し、その上に酸化アルミニウムを80n
ｍ蒸着し、その上に５−アミノ−８−（ｐ−エト
キシアニリノ）−２，３−ジシアノ−１，４−ナ
フトキノン色素を90％以上含む有機薄膜を記録層
として80nｍ蒸着した。この成膜の際、波長830n
ｍの基板入射の反射率をモニターしながら行な
い、第１のスペーサ層酸化ニツケルの蒸着終了時
の基板入射反射率は21.2％と、極大値をとる厚さ
よりも薄く設定し、第２のスペーサ層酸化アルミ
ニウムの蒸着終了時の基板入射反射率は9.4％と、
極小値をとる厚さよりも薄く設定した。 このようにして作製した光デイスクの媒体反射
率は23.8％と大きいためサーボ信号が大きく、か
つ、再生信号も大きく良好であつた。 実施例 38 内径15mm、外径120mm、厚さ1.2mmの案内溝付き
アクリル樹脂デイスク基板に、酸化ニツケルを
95nｍ蒸着し、その上に酸化マグネシウムを90n
ｍ蒸着し、その上に５−アミノ−８−（ｐ−エト
キシアニリノ）−２，３−ジシアノ−１，４−ナ
フトキノン色素を90％以上含む有機薄膜を記録層
として80nｍ蒸着した。この成膜の際、波長830n
ｍの基板入射の反射率をモニターしながら行な
い、第１のスペーサ層酸化ニツケルの蒸着終了時
の基板入射反射率は21.2％と、極大値をとる厚さ
よりも薄く設定し、第２のスペーサ層酸化マグネ
シウムの蒸着終了時の基板入射反射率は5.5％と、
極小値をとる厚さよりも薄く設定した。 このようにして作製した光デイスクの媒体反射
率は22.5％と大きいためサーボ信号が大きく、か
つ、再生信号も大きく良好であつた。 実施例 39 内径15mm、外径120mm、厚さ1.2mmの案内溝付き
アクリル樹脂デイスク基板に、酸化スズを75nｍ
蒸着し、その上に酸化マグネシウムを70nｍ蒸着
し、その上に５−アミノ−８−（ｐ−エトキシア
ニリノ）−２，３−ジシアノ−１，４−ナフトキ
ノン色素を90％以上含む有機薄膜を記録層として
80nｍ蒸着した。この成膜の際、波長830nｍの基
板入射の反射率をモニターしながら行ない、第１
のスペーサ層酸化スズの蒸着終了時の基板入射反
射率は25.9％と、極大値をとる厚さよりも薄く設
定し、第２のスペーサ層フツ化マグネシウムの蒸
着終了時の基板入射反射率は20.5％と、極小値を
とる厚さよりも薄く設定した。 このようにして作製した光デイスクの媒体反射
率は25.3％と大きいためサーボ信号が大きく、か
つ、再生信号も大きく良好であつた。 実施例 40 内径15mm、外径120mm、厚さ1.2mmの案内溝付き
アクリル樹脂デイスク基板に、酸化スズを55nｍ
蒸着し、その上に２酸化シリコンを100nｍ蒸着
し、その上に５−アミノ−８−（ｐ−エトキシア
ニリノ）−２，３−ジシアノ−１，４−ナフトキ
ノン色素を90％以上含む有機薄膜を記録層として
80nｍ蒸着した。この成膜の際、波長830nｍの基
板入射の反射率をモニターしながら行ない、第１
のスペーサ層酸化スズの蒸着終了時の基板入射反
射率は20.5％と、極大値をとる厚さよりも薄く設
定し、第２のスペーサ層２酸化シリコンの蒸着終
了時の基板入射反射率は12.0％と、極小値をとる
厚さよりも薄く設定した。 このようにして作製した光デイスクの媒体反射
率は26.3％と大きいためサーボ信号が大きく、か
つ、再生信号も大きく良好であつた。 実施例 41 内径15mm、外径120mm、厚さ1.2mmの案内溝付き
アクリル樹脂デイスク基板に、酸化スズを55nｍ
蒸着し、その上に酸化アルミニウムを100nｍ蒸
着し、その上に５−アミノ−８−（ｐ−エトキシ
アニリノ）−２，３−ジシアノ−１，４−ナフト
キノン色素を90％以上含む有機薄膜を記録層とし
て80nｍ蒸着した。この成膜の際、波長830nｍの
基板入射の反射率をモニターしながら行ない、第
１のスペーサ層酸化スズの蒸着終了時の基板入射
反射率は20.5％と、極大値をとる厚さよりも薄く
設定し、第２のスペーサ層酸化アルミニウムの蒸
着終了時の基板入射反射率は11.0％と、極小値を
とる厚さよりも薄く設定した。 このようにして作製した光デイスクの媒体反射
率は23.9％と大きいためサーボ信号が大きく、か
つ、再生信号も大きく良好であつた。 実施例 42 内径15mm、外径120mm、厚さ1.2mmの案内溝付き
アクリル樹脂デイスク基板に、酸化スズを65nｍ
蒸着し、その上に酸化マグネシウムを100nｍ蒸
着し、その上に５−アミノ−８−（ｐ−エトキシ
アニリノ）−２，３−ジシアノ−１，４−ナフト
キノン色素を90％以上含む有機薄膜を記録層とし
て80nｍ蒸着した。この成膜の際、波長830nｍの
基板入射の反射率をモニターしながら行ない、第
１のスペーサ層酸化スズの蒸着終了時の基板入射
反射率は23.6％と、極大値をとる厚さよりも薄く
設定し、第２のスペーサ層酸化マグネシウムの蒸
着終了時の基板入射反射率は8.7％と、極小値を
とる厚さよりも薄く設定した。 このようにして作製した光デイスクの媒体反射
率は24.8％と大きいためサーボ信号が大きく、か
つ、再生信号も大きく良好であつた。 実施例 43 内径15mm、外径120mm、厚さ1.2mmの案内溝付き
アクリル樹脂デイスク基板に、酸化スズを75nｍ
蒸着し、その上に酸化ゲルマニウムを100nｍ蒸
着し、その上に５−アミノ−８−（ｐ−エトキシ
アニリノ）−２，３−ジシアノ−１，４−ナフト
キノン色素を90％以上含む有機薄膜を記録層とし
て80nｍ蒸着した。この成膜の際、波長830nｍの
基板入射の反射率をモニターしながら行ない、第
１のスペーサ層酸化スズの蒸着終了時の基板入射
反射率は25.9％と、極大値をとる厚さよりも薄く
設定し、第２のスペーサ層酸化ゲルマニウムの蒸
着終了時の基板入射反射率は5.0％と、極小値を
とる厚さよりも薄く設定した。 このようにして作製した光デイスクの媒体反射
率は23.5％と大きいためサーボ信号が大きく、か
つ、再生信号も大きく良好であつた。 実施例 44 内径15mm、外径120mm、厚さ1.2mmの案内溝付き
アクリル樹脂デイスク基板に、酸化スズを85nｍ
蒸着し、その上に銅フタロシアニン色素を100n
ｍ蒸着し、その上に５−アミノ−８−（ｐ−エト
キシアニリノ）−２，３−ジシアノ−１，４−ナ
フトキノン色素を90％以上含む有機薄膜を記録層
として80nｍ蒸着した。この成膜の際、波長830n
ｍの基板入射の反射率をモニターしながら行な
い、第１のスペーサ層酸化スズの蒸着終了時の基
板入射反射率は27.3％と、極大値をとる厚さより
も薄く設定し、第２のスペーサ層銅フタロシアニ
ン色素の蒸着終了時の基板入射反射率は2.3％と、
極小値をとる厚さよりも薄く設定した。 このようにして作製した光デイスクの媒体反射
率は20.1％と大きいためサーボ信号が大きく、か
つ、再生信号も大きく良好であつた。 実施例 45 内径15mm、外径120mm、厚さ1.2mmの案内溝付き
アクリル樹脂デイスク基板に、銅フタロシアニン
色素を95nｍ蒸着し、その上に酸化マグネシウム
を90nｍ蒸着し、その上に５−アミノ−８−（ｐ
−エトキシアニリノ）−２，３−ジシアノ−１，
４−ナフトキノン色素を90％以上含む有機薄膜を
記録層として80nｍ蒸着した。この成膜の際、波
長830nｍの基板入射の反射率をモニターしなが
ら行ない、第１のスペーサ層銅フタロチアニン色
素の蒸着終了時の基板入射反射率は20.4％と、極
大値をとる厚さよりも薄く設定し、第２のスペー
サ層酸化マグネシウムの蒸着終了時の基板入射反
射率は5.5％と、極小値をとる厚さよりも薄く設
定した。 このようにして作製した光デイスクの媒体反射
率は21.7％と大きいためサーボ信号が大きく、か
つ、再生信号も大きく良好であつた。 実施例 46 内径15mm、外径120mm、厚さ1.2mmの案内溝付き
アクリル樹脂デイスク基板に、銅フタロシアニン
色素を85nｍ蒸着し、その上に２酸化シリコンを
80nｍ蒸着し、その上に５−アミノ−８−（ｐ−
メチルアニリノ）−２，３−ジシアノ−１，４−
ナフトキノン色素を95％以上含む有機薄膜を記録
層として80nｍ蒸着した。この成膜の際、波長
830nｍの基板入射の反射率をモニターしながら
行ない、第１のスペーサ層銅フタロシアニン色素
の蒸着終了時の基板入射反射率は19.6％と、極大
値をとる厚さよりも薄く設定し、第２のスペーサ
層２酸化シリコンの蒸着終了時の基板入射反射率
は11.5％と、極小値をとる厚さよりも薄く設定し
た。 このようにして作製した光デイスクの媒体反射
率は27.8％と大きいためサーボ信号が大きく、か
つ、再生信号も大きく良好であつた。 発明の効果 上記実施例から明らかなように、本発明により
再生信号及びサーボ信号の大きな光情報記録媒体
が得られる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例である光情報記録媒
体の概略図、第２図、第３図は本発明の光情報記
録媒体の原理を説明するための概略図、第４図か
ら第３５図は光情報記録媒体の反射率の記録層厚
さによる変化を示す図、第３６図から第４０図は
比較のための反射率の記録層厚さによる変化を示
す図である。 （主な参照番号）、１０……基板、２０……記
録層、３０……第１のスペーサ層、４０……第２
のスペーサ層、１００……入射光、２００，３０
０……反射光。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ レーザ光の照射によつて情報を記録しかつ読
   み取る光情報記録媒体で、該レーザ光に対して透
   明な基板上に、該レーザ光に対して実質的に透明
   でかつ該レーザ光の波長での屈折率が該基板の屈
   折率より大きい第１のスペーサ層と、該レーザ光
   に対して実質的に透明でかつ該レーザ光の波長で
   の屈折率が該第１のスペーサ層より小さい第２の
   スペーサ層と、該レーザ光を吸収する記録層の少
   なくとも３層が積層されている光情報記録媒体で
   あつて、 前記第１のスペーサ層は前記記録層と前記第２
   のスペーサ層が形成されていない状態での基板入
   射反射率が極大となる厚さか或いはそれよりも薄
   くし、前記第２のスペーサ層は前記第１のスペー
   サ層が形成されていて前記記録層が形成されてい
   ない状態での基板入射反射率が極小となる厚さよ
   りも薄くしたことを特徴とする光情報記録媒体。