JPH0480752B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0480752B2 JPH0480752B2 JP61308730A JP30873086A JPH0480752B2 JP H0480752 B2 JPH0480752 B2 JP H0480752B2 JP 61308730 A JP61308730 A JP 61308730A JP 30873086 A JP30873086 A JP 30873086A JP H0480752 B2 JPH0480752 B2 JP H0480752B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- tin
- fluorine
- transparent conductive
- tin oxide
- conductive film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F71/00—Manufacture or treatment of devices covered by this subclass
- H10F71/138—Manufacture of transparent electrodes, e.g. transparent conductive oxides [TCO] or indium tin oxide [ITO] electrodes
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Description
（産業上の利用分野）
本発明は、例えば太陽電池、液晶表示素子等に
用いる比抵抗値および可視光透過率を有するフツ
素を含む酸化錫透明導電膜の形成方法に関する。 （従来の技術） 従来、この種の酸化錫透明導電膜の形成方法と
しては、例えば表面に二酸化ケイ素（SiO2）膜
を被覆したソーダライムガラス材から成る基板を
温度400℃以上に加熱し、その加熱された基板の
二酸化ケイ素膜上に塩化第二錫（Snl4・5H2O）
と、フツ化アンモニウム（NH4F）とを水等の適
当な溶媒に溶かした溶液を、スプレー塗布してフ
ツ素を含む酸化錫の被膜を基板の表面に形成させ
る方法が知られている。 （発明が解決しようとする問題点） しかしながら、前記従来法の場合は基板の表面
に形成された酸化錫膜について、例えば膜厚が
4000Åの場合に7.0×10-4Ω・cm程度の比抵抗値、
および85％程度の可視光透過率の物性が得られる
ようにするには溶液中の錫に対するフツ素の原子
比が少なくとも200％以上となるよう塩化第二錫
に対して多量のフツ化アンモニウムを添加しなけ
ればならず、酸化錫膜を形成させる際に膜成分と
ならずに残存するフツ素化合物のフツ素含有量が
多いため廃棄処理上の問題等が生じる。 本発明は、前記従来法で形成された酸化錫透明
導電膜と同程度の優れた比抵抗値および可視光透
過率を有する酸化錫透明導電膜を、錫に対するフ
ツ素の配合量を少量とした原料溶液を用いて形成
する方法を提供することを目的とする。 （問題点を解決するための手段） 本発明者らは、前記目的を達成する酸化錫透明
導電膜の形成方法について鋭意検討の結果、従来
のフツ化アンモニウムに代えてフツ化水素アンモ
ニウムを用いることによつて、錫に対するフツ素
の配合量を少量とした原料溶液を使用しても、前
記従来法で得られる酸化錫透明導電膜と同程度乃
至それ以上の優れた比抵抗値および可視光透過率
を有する酸化錫透明導電膜が得られるという知見
を得た。 本発明は、かかる知見に基づきなされたもので
あつて、加熱した基板の表面に錫化合物並びにフ
ツ素化合物を含む溶液を塗布して基板の表面に酸
化錫透明導電膜を形成する方法において、フツ素
化合物がフツ化水素アンモニウムであることを特
徴とする。 本発明に用いる錫化合物としては、塩化第一錫
（SnCl2）、塩化第二錫（SnCl4・5H2O）、臭化第
一錫（SnBr2）が好適であり、かつ溶媒として
は、水あるいは水とエチルアルコールの混合溶媒
が好適である。また基板の加熱温度としては温度
400℃ないし500℃が好適である。 （実施例） 次に本発明の実施例と比較例について説明す
る。 実施例 １ 塩化第二錫（SnCl4・5H2O）を25ｇと、フツ
化水素アンモニウム（NH2FHF）を0.41ｇとを
水150ccに溶解せしめた水溶液中にエチルアルコ
ールを10cc添加して錫に対するフツ素量を原子比
で20％とした溶液を作成した。 次いでこの溶液を温度420℃加熱されたソーダ
ライムガラス材から成る厚さ1.1mmの基板の片側
表面にスプレー塗布して膜厚4000Åのフツ素を含
む酸化錫を主成分とした酸化錫透明導電膜を得
た。 実施例 ２ フツ化水素アンモニウム（NH2FHF）を1.02
ｇ使用し、錫に対するフツ素量を原子比で50％と
した以外は実施例１と同様の処理方法を行つた。 実施例 ３ フツ化水素アンモニウム（NH4FHF）を2.03
ｇ使用し、錫に対するフツ素量を原子比で100％
とした以外は実施例１と同様の処理方法を行つ
た。 実施例 ４ フツ化水素アンモニウム（NH4FHF）を4.07
ｇ使用し、錫に対するフツ素量をモル比で200％
とした以外は実施例１と同様の処理方法を行つ
た。 比較例 １ フツ化アンモニウム（NH4F）を0.53ｇ使用
し、錫に対するフツ素量を原子比で20％とした以
外は実施例１と同様の処理方法を行つた。 比較例 ２ フツ化アンモニウム（NH4F）を1.32ｇ使用
し、錫に対するフツ素量を原子比で50％とした以
外は実施例１と同様の処理方法を行つた。 比較例 ３ フツ化アンモニウム（NH4F）を2.64ｇ使用
し、錫に対するフツ素量を原子比で100％とした
以外は実施例１と同様の処理方法を行つた。 比較例 ４ フツ化アンモニウム（NH4F）を5.3ｇ使用し、
錫に対するフツ素量を原子比で200％とした以外
は実施例１と同様の処理方法を行つた。 前記実施例１ないし４とならびに比較例１ない
し４とによつて得られた各酸化錫透明導電膜につ
いて比抵抗値および可視光透過率について測定
し、その結果は下記表に示した。 尚比抵抗値の測定は、４端子法により膜上の２
点間に一定電流を流し、その間に一定区間（距離
0.5mm）での電圧降下値をもとに求めた。また可
視光透過率の測定は、透明導電膜付き基板と、透
明電膜なし基板との対比により光の透過曲線を求
め、波長550nmにおける最大透過率（Tmax）
と、最小透過率（Tmin）との平均値から求め
た。
用いる比抵抗値および可視光透過率を有するフツ
素を含む酸化錫透明導電膜の形成方法に関する。 （従来の技術） 従来、この種の酸化錫透明導電膜の形成方法と
しては、例えば表面に二酸化ケイ素（SiO2）膜
を被覆したソーダライムガラス材から成る基板を
温度400℃以上に加熱し、その加熱された基板の
二酸化ケイ素膜上に塩化第二錫（Snl4・5H2O）
と、フツ化アンモニウム（NH4F）とを水等の適
当な溶媒に溶かした溶液を、スプレー塗布してフ
ツ素を含む酸化錫の被膜を基板の表面に形成させ
る方法が知られている。 （発明が解決しようとする問題点） しかしながら、前記従来法の場合は基板の表面
に形成された酸化錫膜について、例えば膜厚が
4000Åの場合に7.0×10-4Ω・cm程度の比抵抗値、
および85％程度の可視光透過率の物性が得られる
ようにするには溶液中の錫に対するフツ素の原子
比が少なくとも200％以上となるよう塩化第二錫
に対して多量のフツ化アンモニウムを添加しなけ
ればならず、酸化錫膜を形成させる際に膜成分と
ならずに残存するフツ素化合物のフツ素含有量が
多いため廃棄処理上の問題等が生じる。 本発明は、前記従来法で形成された酸化錫透明
導電膜と同程度の優れた比抵抗値および可視光透
過率を有する酸化錫透明導電膜を、錫に対するフ
ツ素の配合量を少量とした原料溶液を用いて形成
する方法を提供することを目的とする。 （問題点を解決するための手段） 本発明者らは、前記目的を達成する酸化錫透明
導電膜の形成方法について鋭意検討の結果、従来
のフツ化アンモニウムに代えてフツ化水素アンモ
ニウムを用いることによつて、錫に対するフツ素
の配合量を少量とした原料溶液を使用しても、前
記従来法で得られる酸化錫透明導電膜と同程度乃
至それ以上の優れた比抵抗値および可視光透過率
を有する酸化錫透明導電膜が得られるという知見
を得た。 本発明は、かかる知見に基づきなされたもので
あつて、加熱した基板の表面に錫化合物並びにフ
ツ素化合物を含む溶液を塗布して基板の表面に酸
化錫透明導電膜を形成する方法において、フツ素
化合物がフツ化水素アンモニウムであることを特
徴とする。 本発明に用いる錫化合物としては、塩化第一錫
（SnCl2）、塩化第二錫（SnCl4・5H2O）、臭化第
一錫（SnBr2）が好適であり、かつ溶媒として
は、水あるいは水とエチルアルコールの混合溶媒
が好適である。また基板の加熱温度としては温度
400℃ないし500℃が好適である。 （実施例） 次に本発明の実施例と比較例について説明す
る。 実施例 １ 塩化第二錫（SnCl4・5H2O）を25ｇと、フツ
化水素アンモニウム（NH2FHF）を0.41ｇとを
水150ccに溶解せしめた水溶液中にエチルアルコ
ールを10cc添加して錫に対するフツ素量を原子比
で20％とした溶液を作成した。 次いでこの溶液を温度420℃加熱されたソーダ
ライムガラス材から成る厚さ1.1mmの基板の片側
表面にスプレー塗布して膜厚4000Åのフツ素を含
む酸化錫を主成分とした酸化錫透明導電膜を得
た。 実施例 ２ フツ化水素アンモニウム（NH2FHF）を1.02
ｇ使用し、錫に対するフツ素量を原子比で50％と
した以外は実施例１と同様の処理方法を行つた。 実施例 ３ フツ化水素アンモニウム（NH4FHF）を2.03
ｇ使用し、錫に対するフツ素量を原子比で100％
とした以外は実施例１と同様の処理方法を行つ
た。 実施例 ４ フツ化水素アンモニウム（NH4FHF）を4.07
ｇ使用し、錫に対するフツ素量をモル比で200％
とした以外は実施例１と同様の処理方法を行つ
た。 比較例 １ フツ化アンモニウム（NH4F）を0.53ｇ使用
し、錫に対するフツ素量を原子比で20％とした以
外は実施例１と同様の処理方法を行つた。 比較例 ２ フツ化アンモニウム（NH4F）を1.32ｇ使用
し、錫に対するフツ素量を原子比で50％とした以
外は実施例１と同様の処理方法を行つた。 比較例 ３ フツ化アンモニウム（NH4F）を2.64ｇ使用
し、錫に対するフツ素量を原子比で100％とした
以外は実施例１と同様の処理方法を行つた。 比較例 ４ フツ化アンモニウム（NH4F）を5.3ｇ使用し、
錫に対するフツ素量を原子比で200％とした以外
は実施例１と同様の処理方法を行つた。 前記実施例１ないし４とならびに比較例１ない
し４とによつて得られた各酸化錫透明導電膜につ
いて比抵抗値および可視光透過率について測定
し、その結果は下記表に示した。 尚比抵抗値の測定は、４端子法により膜上の２
点間に一定電流を流し、その間に一定区間（距離
0.5mm）での電圧降下値をもとに求めた。また可
視光透過率の測定は、透明導電膜付き基板と、透
明電膜なし基板との対比により光の透過曲線を求
め、波長550nmにおける最大透過率（Tmax）
と、最小透過率（Tmin）との平均値から求め
た。
【表】
表から明らかなように実施例１ないし４によれ
ば、比較例１ないし４に比して、錫に対するフツ
素量の配合量が少量の原料溶液を用いても、該比
較例と同等乃至それ以上の優れた比抵抗値および
可視光透過率を有する酸化錫透明導電膜が得られ
たことが確認された。 （発明の効果） このように本発明のよるときは、錫化合物とフ
ツ素化合物とを含む原料溶液中のフツ素化合物と
して、フツ化水素アンモニウムを用いるようにし
たので、フツ素化合物としてフツ化アンモニウム
を用いる従来法に比して、錫に対するフツ素の配
合量が少量の原料溶液を用いても従来法によつて
得られる酸化錫透明導電膜と同等あるいはそれ以
上の比抵抗値および可視光透過率を有するフツ素
を含む酸化錫透明導電膜が得られる等の効果を有
する。
ば、比較例１ないし４に比して、錫に対するフツ
素量の配合量が少量の原料溶液を用いても、該比
較例と同等乃至それ以上の優れた比抵抗値および
可視光透過率を有する酸化錫透明導電膜が得られ
たことが確認された。 （発明の効果） このように本発明のよるときは、錫化合物とフ
ツ素化合物とを含む原料溶液中のフツ素化合物と
して、フツ化水素アンモニウムを用いるようにし
たので、フツ素化合物としてフツ化アンモニウム
を用いる従来法に比して、錫に対するフツ素の配
合量が少量の原料溶液を用いても従来法によつて
得られる酸化錫透明導電膜と同等あるいはそれ以
上の比抵抗値および可視光透過率を有するフツ素
を含む酸化錫透明導電膜が得られる等の効果を有
する。
Claims (1)
- １ 加熱した基板の表面に錫化合物並びにフツ素
化合物を含む溶液を塗布して基板の表面に酸化錫
透明導電膜を形成する方法において、フツ素化合
物がフツ化水素アンモニウムであることを特徴と
する酸化錫透明導電膜の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61308730A JPS63162078A (ja) | 1986-12-26 | 1986-12-26 | 酸化錫透明導電膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61308730A JPS63162078A (ja) | 1986-12-26 | 1986-12-26 | 酸化錫透明導電膜の形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63162078A JPS63162078A (ja) | 1988-07-05 |
| JPH0480752B2 true JPH0480752B2 (ja) | 1992-12-21 |
Family
ID=17984595
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61308730A Granted JPS63162078A (ja) | 1986-12-26 | 1986-12-26 | 酸化錫透明導電膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63162078A (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5061416A (ja) * | 1973-10-02 | 1975-05-27 |
-
1986
- 1986-12-26 JP JP61308730A patent/JPS63162078A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63162078A (ja) | 1988-07-05 |
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