JPS63162081A - 酸化錫透明導電膜の形成方法 - Google Patents
酸化錫透明導電膜の形成方法Info
- Publication number
- JPS63162081A JPS63162081A JP61308733A JP30873386A JPS63162081A JP S63162081 A JPS63162081 A JP S63162081A JP 61308733 A JP61308733 A JP 61308733A JP 30873386 A JP30873386 A JP 30873386A JP S63162081 A JPS63162081 A JP S63162081A
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- JP
- Japan
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- tin oxide
- transparent conductive
- tin
- fluorine
- conductive film
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F71/00—Manufacture or treatment of devices covered by this subclass
- H10F71/138—Manufacture of transparent electrodes, e.g. transparent conductive oxides [TCO] or indium tin oxide [ITO] electrodes
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野）
本発明は、例えば太陽電池、液晶表示素子等に用いる比
抵抗値および可視光透過率を有するフッ素を含む酸化錫
透明導電膜の形成方法に関する。
抵抗値および可視光透過率を有するフッ素を含む酸化錫
透明導電膜の形成方法に関する。
（従来の技術）
従来、この種の酸化錫透明導電膜の形成方法としては、
例えば表面に二酸化ケイ素（Ｓｉｎ２）膜を被覆したソ
ーダライムガラス材から成る基板を温度４００℃以上に
加熱し、その加熱された基板の二酸化ケイ素膜上に塩化
第二１（ＳｎＣｊ！４・Ｓ＋＋２Ｏ）と、フッ化アンモ
ニウム（Ｎｌｌ、Ｆ）とを水等の適当な溶媒に溶かした
溶液を、スプレー塗布してフッ素を含む酸化錫の被膜を
基板の表面に形成させる方法が知られている。
例えば表面に二酸化ケイ素（Ｓｉｎ２）膜を被覆したソ
ーダライムガラス材から成る基板を温度４００℃以上に
加熱し、その加熱された基板の二酸化ケイ素膜上に塩化
第二１（ＳｎＣｊ！４・Ｓ＋＋２Ｏ）と、フッ化アンモ
ニウム（Ｎｌｌ、Ｆ）とを水等の適当な溶媒に溶かした
溶液を、スプレー塗布してフッ素を含む酸化錫の被膜を
基板の表面に形成させる方法が知られている。
（発明が解決しようとする問題点）
しかしながら、前記従来法の場合は基板の表面に形成さ
れた酸化錫膜について、例えば膜厚が４０００人の場合
に７．０Ｘ１０’Ω’ ｃｍ程度の比抵抗値、および８
５％程度の可視光透過率の物性が（ｑられるようにする
には溶液中の錫に対するフッ素の原子比が少なくとも２
００％以上となるよう塩化第二錫に対して多量のフッ化
アンモニウムを添加しなければならず、酸化錫膜を形成
させる際に膜成分とならずに残存するフッ素化合物のフ
ッ素含有１が多いため廃棄処理上の問題等が生じる。
れた酸化錫膜について、例えば膜厚が４０００人の場合
に７．０Ｘ１０’Ω’ ｃｍ程度の比抵抗値、および８
５％程度の可視光透過率の物性が（ｑられるようにする
には溶液中の錫に対するフッ素の原子比が少なくとも２
００％以上となるよう塩化第二錫に対して多量のフッ化
アンモニウムを添加しなければならず、酸化錫膜を形成
させる際に膜成分とならずに残存するフッ素化合物のフ
ッ素含有１が多いため廃棄処理上の問題等が生じる。
本発明は、前記従来法で形成された酸化錫透明導電膜と
同程度の擾れた比抵抗値および可視光透過率を有する酸
化錫透明導電膜を、錫に対するフッ素の配合■を少量と
した原料溶液を用いて形成する方法を提供することを目
的とする。
同程度の擾れた比抵抗値および可視光透過率を有する酸
化錫透明導電膜を、錫に対するフッ素の配合■を少量と
した原料溶液を用いて形成する方法を提供することを目
的とする。
（問題点を解決するための手段）
本発明者らは、前記目的を達成する酸化錫透明導電膜の
形成方法について１２意検討の結果、従来のフッ化アン
モニウムに新たにフッ化水素アンモニウムと、フッ化水
素とを加えることによって、錫に対するフッ素の配合ｍ
を少量とした原料溶液を使用しても、前記従来法で得ら
れる酸化錫透明導電膜と同程度乃至それ以上の侵れた比
抵抗値および可視光透過率を有する酸化錫透明導電膜が
得られるという知見を得た。
形成方法について１２意検討の結果、従来のフッ化アン
モニウムに新たにフッ化水素アンモニウムと、フッ化水
素とを加えることによって、錫に対するフッ素の配合ｍ
を少量とした原料溶液を使用しても、前記従来法で得ら
れる酸化錫透明導電膜と同程度乃至それ以上の侵れた比
抵抗値および可視光透過率を有する酸化錫透明導電膜が
得られるという知見を得た。
本発明は、かかる知見に基づきなされたものであって、
加熱した基板の表面に錫化合物並びにフッ素化合物を含
む溶液を塗布して基板の表面に酸化錫透明導電膜を形成
する方法において、フッ素化合物がフッ化水素アンモニ
ウムと、フッ化アンモニウムと、フッ化水素とであるこ
とを特徴とする。
加熱した基板の表面に錫化合物並びにフッ素化合物を含
む溶液を塗布して基板の表面に酸化錫透明導電膜を形成
する方法において、フッ素化合物がフッ化水素アンモニ
ウムと、フッ化アンモニウムと、フッ化水素とであるこ
とを特徴とする。
本発明に用いる錫化合物としては、ｊｎ化第−錫（Ｓｎ
Ｃ＆ ＞ 、塩化第二錫（Ｓｎ１４ ・５１１２０）、
臭化第一錫（ＳｎＢｒ２）が好適であり、かつ溶媒とし
ては、水あるいは水とエチルアルコールの混合溶媒が好
適である。また基板の加熱温度としては温度４００℃な
いし５００℃が好適である。
Ｃ＆ ＞ 、塩化第二錫（Ｓｎ１４ ・５１１２０）、
臭化第一錫（ＳｎＢｒ２）が好適であり、かつ溶媒とし
ては、水あるいは水とエチルアルコールの混合溶媒が好
適である。また基板の加熱温度としては温度４００℃な
いし５００℃が好適である。
（実施例）
次に本発明の実施例と比較例について説明づ−る。
実施例１
塩化第二錫（ＳｎＣム・５１１□０）を２５ｇと、フッ
化水素アンモニウム（Ｎｉｌ、ＦＨＦ）を０．２ｇと、
フッ化アンモニウム（Ｎ１１４１’）を０．１３２ｇと
、フッ化水素（４７χＨＦ）を０．１５２９を水１５０
ｃｃに溶解せしめた水溶液中にエチルアルコールを１０
ｃｃ添加して錫に対するフッ素口を原子比で２０％とし
た溶液を作成した。
化水素アンモニウム（Ｎｉｌ、ＦＨＦ）を０．２ｇと、
フッ化アンモニウム（Ｎ１１４１’）を０．１３２ｇと
、フッ化水素（４７χＨＦ）を０．１５２９を水１５０
ｃｃに溶解せしめた水溶液中にエチルアルコールを１０
ｃｃ添加して錫に対するフッ素口を原子比で２０％とし
た溶液を作成した。
次いでこの溶液を温度４２０℃に加熱されたソーダライ
ムガラス材から成る厚さ １．１Ｍの基板の片側表面に
スプレー塗布して膜厚４０００人の酸化錫を主成分とし
た酸化錫透明導電膜を得た。
ムガラス材から成る厚さ １．１Ｍの基板の片側表面に
スプレー塗布して膜厚４０００人の酸化錫を主成分とし
た酸化錫透明導電膜を得た。
実施例２
フッ化水素アンモニウム（Ｎ１１４Ｆｌｌ Ｆ ）を０
．６７と、フッ化水素アンモニウム（ＮＨ４Ｆ）を０．
２６４ ｇと、フッ化水素（４７％１１Ｆ）を０．３０
４ｇ使用し、錫に対するフッ素量を原子比で５０％とし
た以外は実施例１と同様の処理方法を行った。
．６７と、フッ化水素アンモニウム（ＮＨ４Ｆ）を０．
２６４ ｇと、フッ化水素（４７％１１Ｆ）を０．３０
４ｇ使用し、錫に対するフッ素量を原子比で５０％とし
た以外は実施例１と同様の処理方法を行った。
実施例３
フッ化水素アンモニウム（Ｎ１１４ ＦＨＦ）を１．０
９と、フッ化アンモニウム（Ｎｌｔ４Ｉ’）を０．６６
ｇと、フッ化水素（４７％ＨＦ）を０．７６９使用し
、錫に対するフッ素ｍを原子比で１ｏｏｘとした以外は
実施例１と同様の処理方法を行った。
９と、フッ化アンモニウム（Ｎｌｔ４Ｉ’）を０．６６
ｇと、フッ化水素（４７％ＨＦ）を０．７６９使用し
、錫に対するフッ素ｍを原子比で１ｏｏｘとした以外は
実施例１と同様の処理方法を行った。
実施例４
フッ化水素アンモニウム（Ｎ１１４ ＦＩＩＦ）を２．
０ｇと、フッ化アンモニウム（Ｎ１１４Ｆ） を１．
３２ ！７と、フッ化水素（４７％１１Ｆ）を１．５２
９使用し、錫に対するフッ素Ｇを原子比で２００％とし
た以外は実施例１と同様の処理方法を行った。
０ｇと、フッ化アンモニウム（Ｎ１１４Ｆ） を１．
３２ ！７と、フッ化水素（４７％１１Ｆ）を１．５２
９使用し、錫に対するフッ素Ｇを原子比で２００％とし
た以外は実施例１と同様の処理方法を行った。
比較例１
フッ化アンモニウム（ＮＨ，Ｆ）を０．５３ ’Ｊ使用
し、錫に対するフッ素口を原子比で２０％とした以外は
実施例１と同様の処理方法を行った。
し、錫に対するフッ素口を原子比で２０％とした以外は
実施例１と同様の処理方法を行った。
比較例２
フッ化アンモニウム（Ｎｌｌ、Ｆ）を１．３２９使用し
、錫に対するフッ素口を原子比で５０％とした以外は実
施例１と同様の処理方法を行った。
、錫に対するフッ素口を原子比で５０％とした以外は実
施例１と同様の処理方法を行った。
比較例３
フッ化アンモニウム（８＋１．Ｆ）を２．６４９使用し
、錫に対するフッ素Ｇを原子比で１００’Ｘとした以外
は実施例１と同様の処理方法を行った。
、錫に対するフッ素Ｇを原子比で１００’Ｘとした以外
は実施例１と同様の処理方法を行った。
比較例４
フッ化アンモニウム（Ｎ１１．ｒ）を５，３ｇ使用し、
錫に対するフッ素口を原子比で２００％とした以外は実
施例１と同様の処理方法を行った。
錫に対するフッ素口を原子比で２００％とした以外は実
施例１と同様の処理方法を行った。
前記実施例１ないし４とならびに比較例コないし４どに
よって得られた各酸化錫透明導電膜について比抵抗値お
よび可視光透過率について測定し、その結果は下記表に
示した。
よって得られた各酸化錫透明導電膜について比抵抗値お
よび可視光透過率について測定し、その結果は下記表に
示した。
尚比抵抗値の測定は、４端子法により膜上の２点間に一
定電流を流し、その間に一定区間（距ｐＨ０，５ｍ）で
の電圧降下値をもとに求めた。
定電流を流し、その間に一定区間（距ｐＨ０，５ｍ）で
の電圧降下値をもとに求めた。
また可視光透過率の測定は、透明導電膜付き基板と、透
明導電膜なし基板との対比により光の透過曲線を求め、
波長５５０ｎｍにＪ３ける最大透過率（ＴｍａＸ）と、
最小透過率（Ｔｍｉｎ）との平均値から求めた。
明導電膜なし基板との対比により光の透過曲線を求め、
波長５５０ｎｍにＪ３ける最大透過率（ＴｍａＸ）と、
最小透過率（Ｔｍｉｎ）との平均値から求めた。
表から明らかなように実施例コないし４によれば、比較
例１ないし４に比して、錫に対するフッ素足の配合量が
少量の原料溶液を用いても、該比較例と同等乃至それ以
上の優れた比低抗値および可視光透過率を有する酸化錫
透明導電膜が１！７られたことが確認された。
例１ないし４に比して、錫に対するフッ素足の配合量が
少量の原料溶液を用いても、該比較例と同等乃至それ以
上の優れた比低抗値および可視光透過率を有する酸化錫
透明導電膜が１！７られたことが確認された。
（発明の効果）
このように本発明のよるとぎは、錫化合物とフッ素化合
物とを含む原料溶液中のフッ素化合物として、フッ化水
素アンモニウムと、フッ化アン［ニウムと、フッ化水素
とを用いるようにしたので、フッ素化合物としてフッ化
アンモニウムを用いる従来法に比して、錫に対するフッ
素の配合量が少量の原料溶液を用いても従来法によって
得られる酸化錫透明導電膜と同等あるいはそれ以上の比
抵抗値および可視光透過率を右するフッ素を含む酸化錫
透明導電膜が得られる等の効果を特する
物とを含む原料溶液中のフッ素化合物として、フッ化水
素アンモニウムと、フッ化アン［ニウムと、フッ化水素
とを用いるようにしたので、フッ素化合物としてフッ化
アンモニウムを用いる従来法に比して、錫に対するフッ
素の配合量が少量の原料溶液を用いても従来法によって
得られる酸化錫透明導電膜と同等あるいはそれ以上の比
抵抗値および可視光透過率を右するフッ素を含む酸化錫
透明導電膜が得られる等の効果を特する
Claims (1)
- 加熱した基板の表面に錫化合物並びにフッ素化合物を含
む溶液を塗布して基板の表面に酸化錫透明導電膜を形成
する方法において、フッ素化合物がフッ化水素アンモニ
ウムと、フッ化アンモニウムと、フッ化水素とであるこ
とを特徴とする酸化錫透明導電膜の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61308733A JPS63162081A (ja) | 1986-12-26 | 1986-12-26 | 酸化錫透明導電膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61308733A JPS63162081A (ja) | 1986-12-26 | 1986-12-26 | 酸化錫透明導電膜の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63162081A true JPS63162081A (ja) | 1988-07-05 |
Family
ID=17984629
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61308733A Pending JPS63162081A (ja) | 1986-12-26 | 1986-12-26 | 酸化錫透明導電膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63162081A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5061416A (ja) * | 1973-10-02 | 1975-05-27 |
-
1986
- 1986-12-26 JP JP61308733A patent/JPS63162081A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5061416A (ja) * | 1973-10-02 | 1975-05-27 |
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