JPH0481133B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0481133B2 JPH0481133B2 JP59153753A JP15375384A JPH0481133B2 JP H0481133 B2 JPH0481133 B2 JP H0481133B2 JP 59153753 A JP59153753 A JP 59153753A JP 15375384 A JP15375384 A JP 15375384A JP H0481133 B2 JPH0481133 B2 JP H0481133B2
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- JP
- Japan
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- temperature
- radiant energy
- silicon photovoltaic
- photovoltaic element
- holder
- Prior art date
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
- G01J5/02—Constructional details
- G01J5/04—Casings
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
- G01J5/02—Constructional details
- G01J5/0215—Compact construction
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
- G01J5/02—Constructional details
- G01J5/06—Arrangements for eliminating effects of disturbing radiation; Arrangements for compensating changes in sensitivity
- G01J5/064—Ambient temperature sensor; Housing temperature sensor; Constructional details thereof
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
- G01J5/02—Constructional details
- G01J5/08—Optical arrangements
- G01J5/0801—Means for wavelength selection or discrimination
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
- G01J5/02—Constructional details
- G01J5/08—Optical arrangements
- G01J5/0801—Means for wavelength selection or discrimination
- G01J5/0802—Optical filters
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
- G01J5/70—Passive compensation of pyrometer measurements, e.g. using ambient temperature sensing or sensing of temperature within housing
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
- G01J5/02—Constructional details
- G01J5/04—Casings
- G01J5/046—Materials; Selection of thermal materials
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Radiation Pyrometers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
(1) 発明の分野
この発明は、シリコン光起電力素子、シリコン
太陽電池、シリコン素子(以下Si素子という。)
を使用した赤外線放射エネルギー検出器に関する
ものである。
太陽電池、シリコン素子(以下Si素子という。)
を使用した赤外線放射エネルギー検出器に関する
ものである。
(2) 従来技術
出願人は、実公昭51−1839において、Si素子の
受光面に略1μmより長い波長領域の放射エネル
ギーを選択的に吸収する光学フイルタを設けると
ともに、Si素子に並列または直列に温度検出抵抗
を接続してなる温度補償回路を設けた放射エネル
ギー検出器を提案している。
受光面に略1μmより長い波長領域の放射エネル
ギーを選択的に吸収する光学フイルタを設けると
ともに、Si素子に並列または直列に温度検出抵抗
を接続してなる温度補償回路を設けた放射エネル
ギー検出器を提案している。
また、近年、マイクロコンピユータ、パソコン
等のデジタル技術が進展し、小型、軽量、高精度
化が求められている。
等のデジタル技術が進展し、小型、軽量、高精度
化が求められている。
(3) 発明の目的
この発明の目的は、以上の点に鑑み、より小
型、高精度の放射エネルギー検出器を提供するこ
とである。
型、高精度の放射エネルギー検出器を提供するこ
とである。
(4) 発明の概要
この発明は、シリコン光起電力素子(Si素子)
およびこのシリコン光起電力素子の前面に設けら
れた少くとも略1μmより長い波長領域の放射エ
ネルギーを選択的に吸収する光学フイルタを保持
体により一体に保持し、保持体またはシリコン光
起電力素子の温度を検出器で検出し演算手段によ
りシリコン光起電力素子の出力の温度補償を行う
ようにした放射エネルギー検出器である。
およびこのシリコン光起電力素子の前面に設けら
れた少くとも略1μmより長い波長領域の放射エ
ネルギーを選択的に吸収する光学フイルタを保持
体により一体に保持し、保持体またはシリコン光
起電力素子の温度を検出器で検出し演算手段によ
りシリコン光起電力素子の出力の温度補償を行う
ようにした放射エネルギー検出器である。
(5) 発明の実施例
第1図は、この発明の一実施例を示す構成説明
図である。
図である。
図において、1は、放射エネルギーを検出する
Si素子2の前面に設けられた少くとも略1μmより
長い波長領域の放射エネルギーを選択的に吸収す
る光学フイルタで、これら光学フイルタ1、Si素
子2は熱伝導の良好な金属ブロツク等よりなる保
持体4に保持手段41,42でそれぞれ抜け止め
されて一体に保持されている。保持体4の所要箇
所にサーミスタ、測温抵抗体、あるいは熱電対等
の温度検出器5が設けられており、その出力etは
Si素子2の出力eiとともに演算手段6に供給さ
れ、温度補償演算が行われる。
Si素子2の前面に設けられた少くとも略1μmより
長い波長領域の放射エネルギーを選択的に吸収す
る光学フイルタで、これら光学フイルタ1、Si素
子2は熱伝導の良好な金属ブロツク等よりなる保
持体4に保持手段41,42でそれぞれ抜け止め
されて一体に保持されている。保持体4の所要箇
所にサーミスタ、測温抵抗体、あるいは熱電対等
の温度検出器5が設けられており、その出力etは
Si素子2の出力eiとともに演算手段6に供給さ
れ、温度補償演算が行われる。
なお、この演算手段6は、実公昭51−1839で示
すような温度補償回路でもよく、また、マイクロ
コンピユータ、パーソナルコンピユータのような
デジタル演算手段その他のものでもよい。
すような温度補償回路でもよく、また、マイクロ
コンピユータ、パーソナルコンピユータのような
デジタル演算手段その他のものでもよい。
つまり、光学フイルタ1により長波長側の放射
エネルギーは透過されず、ほぼ1μm以下、ある
いは、中心波長0.65μmというような放射エネル
ギーがSi素子2に入射する。これにより、Si素子
2の温度ドリフトは一定方向に軽減される。この
Si素子2の出力eiは、更に温度検出器5の出力et
に基いて、演算手段6により、温度補償演算が行
われ、温度補償された正しい出力e0が得られる。
なお、演算手段6により温度Tへの変換、リニア
ライズ変換その他の演算を行つてもよい。
エネルギーは透過されず、ほぼ1μm以下、ある
いは、中心波長0.65μmというような放射エネル
ギーがSi素子2に入射する。これにより、Si素子
2の温度ドリフトは一定方向に軽減される。この
Si素子2の出力eiは、更に温度検出器5の出力et
に基いて、演算手段6により、温度補償演算が行
われ、温度補償された正しい出力e0が得られる。
なお、演算手段6により温度Tへの変換、リニア
ライズ変換その他の演算を行つてもよい。
このように、光学フイルタ1とSi素子2とは保
持体4に両者一体に保持されているので、小型、
軽量であり、また、Si素子2と温度検出器5とは
近接して配置されているので、温度変化に対して
同じように変化し、このため、温度安定性がよ
く、高精度の放射エネルギー検出が可能となる。
持体4に両者一体に保持されているので、小型、
軽量であり、また、Si素子2と温度検出器5とは
近接して配置されているので、温度変化に対して
同じように変化し、このため、温度安定性がよ
く、高精度の放射エネルギー検出が可能となる。
第2図は、この発明の他の実施例を示し、第1
図と同一符号は同等の構成要素を示す。この例で
は温度検出器5が保持体4内のプリント基板3に
Si素子2とともに載置され、Si素子2の温度に、
より等しい温度を検出する構成とされている。ま
た、プリント基板3に、増幅器等の電子部品7を
載置し、いつそう小型化を図つている。
図と同一符号は同等の構成要素を示す。この例で
は温度検出器5が保持体4内のプリント基板3に
Si素子2とともに載置され、Si素子2の温度に、
より等しい温度を検出する構成とされている。ま
た、プリント基板3に、増幅器等の電子部品7を
載置し、いつそう小型化を図つている。
(6) 発明の効果
以上述べたように、この発明は、光学フイルタ
とSi素子を保持体に一体に保持しているので、光
学フイルターおよびSi素子の温度変化に対する温
度特性、温度ドリフトの影響を軽減でき、小型、
軽量で、温度安定性が良く、いつそう高精度の放
射エネルギーの検出が可能となる。
とSi素子を保持体に一体に保持しているので、光
学フイルターおよびSi素子の温度変化に対する温
度特性、温度ドリフトの影響を軽減でき、小型、
軽量で、温度安定性が良く、いつそう高精度の放
射エネルギーの検出が可能となる。
第1図、第2図は、この発明の一実施例を示す
構成説明図である。 1……光学フイルタ、2……Si素子、3……プ
リント基板、4……保持体、5……温度検出器、
6……演算手段。
構成説明図である。 1……光学フイルタ、2……Si素子、3……プ
リント基板、4……保持体、5……温度検出器、
6……演算手段。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 放射エネルギーを受光するシリコン光起電力
素子およびこのシリコン光起電力素子の受光面の
前面に設けられた少くとも略1μmより長い波長
領域の放射エネルギーを選択的に吸収する光学フ
イルターを一体に保持する熱伝導の良好な金属ブ
ロツクよりなる保持体と、この保持体または前記
シリコン光起電力素子の温度を検出する温度検出
器の出力に基き前記シリコン光起電力素子の出力
の温度補償を行う演算手段とを備えた放射エネル
ギー検出器。 2 前記シリコン光起電力素子を載置したプリン
ト基板を前記保持体に設けたことを特徴とする特
許請求の範囲第1項記載の放射エネルギー検出
器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15375384A JPS6130731A (ja) | 1984-07-24 | 1984-07-24 | 放射エネルギ−検出器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15375384A JPS6130731A (ja) | 1984-07-24 | 1984-07-24 | 放射エネルギ−検出器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6130731A JPS6130731A (ja) | 1986-02-13 |
| JPH0481133B2 true JPH0481133B2 (ja) | 1992-12-22 |
Family
ID=15569365
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15375384A Granted JPS6130731A (ja) | 1984-07-24 | 1984-07-24 | 放射エネルギ−検出器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6130731A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4895164A (en) * | 1988-09-15 | 1990-01-23 | Telatemp Corp. | Infrared clinical thermometer |
| CN102057495B (zh) * | 2008-06-04 | 2013-10-09 | 旭化成微电子株式会社 | 量子型红外线传感器以及使用该量子型红外线传感器的量子型红外线气体浓度仪 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5028782U (ja) * | 1973-07-09 | 1975-04-02 | ||
| JPS569028U (ja) * | 1979-06-30 | 1981-01-26 | ||
| JPS59107650A (ja) * | 1982-12-11 | 1984-06-21 | Anritsu Corp | 光電変換装置のドリフト補償回路 |
-
1984
- 1984-07-24 JP JP15375384A patent/JPS6130731A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6130731A (ja) | 1986-02-13 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |