JPH0481316B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0481316B2 JPH0481316B2 JP60169892A JP16989285A JPH0481316B2 JP H0481316 B2 JPH0481316 B2 JP H0481316B2 JP 60169892 A JP60169892 A JP 60169892A JP 16989285 A JP16989285 A JP 16989285A JP H0481316 B2 JPH0481316 B2 JP H0481316B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- electrodes
- front electrode
- elements
- light emitting
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 9
- 238000000605 extraction Methods 0.000 claims description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 7
- 239000010408 film Substances 0.000 description 3
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はEL（エレクトロルミネツセンス）表示
パネルに関するものである。
パネルに関するものである。
一般に薄膜EL素子は、カードエツジ部に電極
の引き出し部を形成するため、第４図に示すよう
に絶縁基板１上に形成した前面電極２の引き出し
部を基板ホルダ３によつて隠した状態でスパツタ
リング、蒸着等により絶縁層や発光層等の薄膜４
を順次形成し、前面電極２の引き出しは第５図に
示すようにその薄膜４から絶縁基板１端部に露出
した部分で行なつている。なお、図中５は第２絶
縁層、６は発光層、７は第１絶縁層、８は背面電
極、９はボンデイングワイヤ、１０は蒸発源であ
り、２Ａは前面電極引き出し部である（例えば特
開昭59−27497号公報（第１図）、特開昭59−5594
号公報（第２，４図）、特開昭60−91595号公報な
ど）。
の引き出し部を形成するため、第４図に示すよう
に絶縁基板１上に形成した前面電極２の引き出し
部を基板ホルダ３によつて隠した状態でスパツタ
リング、蒸着等により絶縁層や発光層等の薄膜４
を順次形成し、前面電極２の引き出しは第５図に
示すようにその薄膜４から絶縁基板１端部に露出
した部分で行なつている。なお、図中５は第２絶
縁層、６は発光層、７は第１絶縁層、８は背面電
極、９はボンデイングワイヤ、１０は蒸発源であ
り、２Ａは前面電極引き出し部である（例えば特
開昭59−27497号公報（第１図）、特開昭59−5594
号公報（第２，４図）、特開昭60−91595号公報な
ど）。
しかし、このように形成したXYマトリツクス
タイプのチツプ状のEL素子１１を第６図に示す
ように複数つなぎ合せて大面積化をはかろうとす
る場合、上述した構造では接続に用いられるエツ
ジ部のスペースがかなり大きくなり、線間が例え
ば数mm以下のXYマトリツクスEL素子のチツプ相
互を、電極間のピツチがチツプ間のつなぎめでも
他と等しく維持されるように接続することは困難
である。
タイプのチツプ状のEL素子１１を第６図に示す
ように複数つなぎ合せて大面積化をはかろうとす
る場合、上述した構造では接続に用いられるエツ
ジ部のスペースがかなり大きくなり、線間が例え
ば数mm以下のXYマトリツクスEL素子のチツプ相
互を、電極間のピツチがチツプ間のつなぎめでも
他と等しく維持されるように接続することは困難
である。
このような問題点を解決するために、本発明
は、EL素子間の前面電極相互の接続を背面電極
と同一面上に形成しスルホールを介して前面電極
に接続した引き出し用電極間で行なつたものであ
る。
は、EL素子間の前面電極相互の接続を背面電極
と同一面上に形成しスルホールを介して前面電極
に接続した引き出し用電極間で行なつたものであ
る。
各素子端部に前面電極相互の接続部を特に設け
る必要がなくなる。
る必要がなくなる。
第１図ａは本発明の一実施例を示す断面図、同
図ｂはその平面図（第１図ａは同図ｂのａ−ａ断
面図）である。
図ｂはその平面図（第１図ａは同図ｂのａ−ａ断
面図）である。
次に第２図および第３図を用いてその製造方法
を説明する。まず、従来と同様の工程でコーニン
グ＃7059ガラス（コーニング社）のような無アル
カリガラスからなる絶縁基板１上にストライプ状
のITO，SnO2などからなる透明前面電極２，Al2
O3，Si3N4などからなる第１絶縁層５、ZnS：
Mn，ZnS：TbF2などからなる発光層６、第１絶
縁層と同じ材料からなる第２絶縁層７を、電子ビ
ーム（EB）蒸着法あるいはスパツタリング法な
どの膜形成技術を用いて順次形成する。
を説明する。まず、従来と同様の工程でコーニン
グ＃7059ガラス（コーニング社）のような無アル
カリガラスからなる絶縁基板１上にストライプ状
のITO，SnO2などからなる透明前面電極２，Al2
O3，Si3N4などからなる第１絶縁層５、ZnS：
Mn，ZnS：TbF2などからなる発光層６、第１絶
縁層と同じ材料からなる第２絶縁層７を、電子ビ
ーム（EB）蒸着法あるいはスパツタリング法な
どの膜形成技術を用いて順次形成する。
次に、従来であれば背面電極を形成するのであ
るが、本実施例ではそれに先立ち、ドライエツチ
ング法を用いてチツプ端部の、前面電極２上では
あるが、発光ドツト以外部分にスルホール１２を
形成する（第２図）。この場合、リアクテイブイ
オンエツチング法もしくはスパツタエツチング法
または両者を併用することにより、前面電極２と
第１絶縁層５との界面に達する孔を形成できる。
るが、本実施例ではそれに先立ち、ドライエツチ
ング法を用いてチツプ端部の、前面電極２上では
あるが、発光ドツト以外部分にスルホール１２を
形成する（第２図）。この場合、リアクテイブイ
オンエツチング法もしくはスパツタエツチング法
または両者を併用することにより、前面電極２と
第１絶縁層５との界面に達する孔を形成できる。
次にスパツタリング法などにより電極用Al薄
膜をスルホール１２内を含めて全面に形成し、フ
オトリングラフイにより前面電極２に直交する背
面電極８およびスルホール１２上には前面電極引
き出し用ボンデイングパツド１３を同時形成す
る。前面電極２と背面電極８との交差部（第１図
ｂ上で斜線を付した範囲）が発光ドツトとなる。
最後に、このチツプ状の薄膜EL素子の端部を第
２図に破線で示したように端部電極の中心位置か
らの距離ｄがチツプ上の電極ピツチＰの1/2以下
となるような面で切断する（第３図）。
膜をスルホール１２内を含めて全面に形成し、フ
オトリングラフイにより前面電極２に直交する背
面電極８およびスルホール１２上には前面電極引
き出し用ボンデイングパツド１３を同時形成す
る。前面電極２と背面電極８との交差部（第１図
ｂ上で斜線を付した範囲）が発光ドツトとなる。
最後に、このチツプ状の薄膜EL素子の端部を第
２図に破線で示したように端部電極の中心位置か
らの距離ｄがチツプ上の電極ピツチＰの1/2以下
となるような面で切断する（第３図）。
このような構造にすることにより、前面電極２
の引き出しがボンデイングパツド１３により、背
面電極８と同一面上で行なえるようになつて、従
来必要であつたカードエツジ部の電極露出部（引
き出し部）が不要となるため、絶縁層、発光層な
どの薄膜の形成部分を予め広めにとつておき、後
で所定の寸法にカツテイングすることによつて、
エツジ部まで均一な特性のEL素子が得られる。
つまり、一般に前述したような方法で薄膜を形成
すると、どうしてもエツジ部で膜厚が薄くなり、
発光層にかかる電界強度が不均一となつて輝度む
らや絶縁破壊等による絵素欠けなどが発生すると
いう問題があるが、予めこの部分を見込んで大き
く形成し、当該部分を切除することにより全体に
均一な特性が得られる。また、上述したようにｄ
≦Ｐとしたことにより、チツプ相互のつなぎめに
おいても電極相互間の間隔がチツプ上の電極ピツ
チと等しくなるようにチツプ相互を配列接続する
ことができる。
の引き出しがボンデイングパツド１３により、背
面電極８と同一面上で行なえるようになつて、従
来必要であつたカードエツジ部の電極露出部（引
き出し部）が不要となるため、絶縁層、発光層な
どの薄膜の形成部分を予め広めにとつておき、後
で所定の寸法にカツテイングすることによつて、
エツジ部まで均一な特性のEL素子が得られる。
つまり、一般に前述したような方法で薄膜を形成
すると、どうしてもエツジ部で膜厚が薄くなり、
発光層にかかる電界強度が不均一となつて輝度む
らや絶縁破壊等による絵素欠けなどが発生すると
いう問題があるが、予めこの部分を見込んで大き
く形成し、当該部分を切除することにより全体に
均一な特性が得られる。また、上述したようにｄ
≦Ｐとしたことにより、チツプ相互のつなぎめに
おいても電極相互間の間隔がチツプ上の電極ピツ
チと等しくなるようにチツプ相互を配列接続する
ことができる。
次に、このようなチツプ状のEL素子２１を、
共通の透明な基板２２上に多数縦横に配列固定
し、電極相互をボンデイングワイヤ９によつて接
続するが、その場合、発光ドツト上でワイヤボン
デイングを行なうと、ボンデイングミスなどによ
る電極の損傷で絵素欠けの発生につながる可能性
があるため、接続はすべて発光ドツト部以外、つ
まり前面電極２と背面電極８との非交差部分で行
なう。また、エツジ部の上記非交差部分は面積が
エツジ部以外に比較して1/2以下であるため、一
般にはエツジ部を避けて接続を行なうが、第１図
ｂに示したように１点Ａを中心に４個のチツプを
相互接続する場合には、縦方向のボンデイングワ
イヤと横方向のボンデイングワイヤとが交差し接
触するのを避けるため、その中心部に限つて、い
ずれか一方向の接続をエツジ部で行なう。第１図
中ボンデイングワイヤ９Ａによる接続がこれに当
る。
共通の透明な基板２２上に多数縦横に配列固定
し、電極相互をボンデイングワイヤ９によつて接
続するが、その場合、発光ドツト上でワイヤボン
デイングを行なうと、ボンデイングミスなどによ
る電極の損傷で絵素欠けの発生につながる可能性
があるため、接続はすべて発光ドツト部以外、つ
まり前面電極２と背面電極８との非交差部分で行
なう。また、エツジ部の上記非交差部分は面積が
エツジ部以外に比較して1/2以下であるため、一
般にはエツジ部を避けて接続を行なうが、第１図
ｂに示したように１点Ａを中心に４個のチツプを
相互接続する場合には、縦方向のボンデイングワ
イヤと横方向のボンデイングワイヤとが交差し接
触するのを避けるため、その中心部に限つて、い
ずれか一方向の接続をエツジ部で行なう。第１図
中ボンデイングワイヤ９Ａによる接続がこれに当
る。
以上、発光層が第１および第２の絶縁層で挾ま
れた構造の薄膜EL素子を用いた例について説明
したが、本発明はこれに限定されるものではな
く、少なくとも発光層を挾んで前面電極と背面電
極とを交差させた構造のEL素子を用いたすべて
の場合に適用できる。
れた構造の薄膜EL素子を用いた例について説明
したが、本発明はこれに限定されるものではな
く、少なくとも発光層を挾んで前面電極と背面電
極とを交差させた構造のEL素子を用いたすべて
の場合に適用できる。
以上説明したように、本発明によれば、EL素
子間の前面電極相互の接続を背面電極と同一面上
に形成しかつスルホールを介して前面電極に接続
した引き出し用電極間で行なうようにしたことに
より、EL素子相互を、EL素子間の電極間隔が各
EL素子上の電極ピツチに等しくなるように配列
接続することが可能となり、また、各素子端部を
切除して均一部のみ使用することが可能となり、
つなぎ合せ方式による大面積・高解像度のXYマ
トリツクスEL表示パネルの実現が可能となる。
子間の前面電極相互の接続を背面電極と同一面上
に形成しかつスルホールを介して前面電極に接続
した引き出し用電極間で行なうようにしたことに
より、EL素子相互を、EL素子間の電極間隔が各
EL素子上の電極ピツチに等しくなるように配列
接続することが可能となり、また、各素子端部を
切除して均一部のみ使用することが可能となり、
つなぎ合せ方式による大面積・高解像度のXYマ
トリツクスEL表示パネルの実現が可能となる。
第１図ないし第３図は本発明の一実施例を示
し、第１図ａはその断面図、同図ｂは平面図、第
２図および第３図は製造途中の断面図、第４図な
いし第６図は従来例を示す断面図である。 １……絶縁基板、２……前面電極、６……発光
層、８……背面電極、９……ボンデイングワイ
ヤ、１２……スルホール、１３……前面電極引き
出し用ボンデイングパツド、２１……EL素子、
２２……透明基板。
し、第１図ａはその断面図、同図ｂは平面図、第
２図および第３図は製造途中の断面図、第４図な
いし第６図は従来例を示す断面図である。 １……絶縁基板、２……前面電極、６……発光
層、８……背面電極、９……ボンデイングワイ
ヤ、１２……スルホール、１３……前面電極引き
出し用ボンデイングパツド、２１……EL素子、
２２……透明基板。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 透明な絶縁基板上に形成した前面電極と、
EL発光層を介して、前面電極に対向する背面電
極とを備えたEL素子を複数個同一の透明基板上
に前面電極側を透明基板側にして並べ、EL素子
相互の対応する電極間をワイヤボンデイングによ
り接続してなるEL表示パネルにおいて、EL素子
間の前面電極相互の接続を、背面電極と同一面上
に形成しスルホールを介して前面電極に接続した
引き出し用電極間で行ない、かつ背面電極相互の
接続は、当該背面電極の前面電極と交差しない部
分間で行なつたことを特徴とするEL表示パネル。 ２ 前面電極間を接続するボンデイングワイヤ
と、背面電極間を接続するボンデイングワイヤと
を相互に立体的に交差しないように配置したこと
を特持とする特特請求の範囲第１項記載のEL表
示パネル。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60169892A JPS6231989A (ja) | 1985-08-02 | 1985-08-02 | Ｅｌ表示パネル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60169892A JPS6231989A (ja) | 1985-08-02 | 1985-08-02 | Ｅｌ表示パネル |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6231989A JPS6231989A (ja) | 1987-02-10 |
| JPH0481316B2 true JPH0481316B2 (ja) | 1992-12-22 |
Family
ID=15894893
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60169892A Granted JPS6231989A (ja) | 1985-08-02 | 1985-08-02 | Ｅｌ表示パネル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6231989A (ja) |
-
1985
- 1985-08-02 JP JP60169892A patent/JPS6231989A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6231989A (ja) | 1987-02-10 |
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