JPH0481745B2 - - Google Patents
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- JPH0481745B2 JPH0481745B2 JP60113671A JP11367185A JPH0481745B2 JP H0481745 B2 JPH0481745 B2 JP H0481745B2 JP 60113671 A JP60113671 A JP 60113671A JP 11367185 A JP11367185 A JP 11367185A JP H0481745 B2 JPH0481745 B2 JP H0481745B2
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Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は電源遮断期間中における記憶部の記憶
内容をバツテリで保持する情報処理装置に係わ
り、特にバツテリの電圧低下を検出する記憶保持
用バツテリの電圧低下検出回路に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to an information processing device that uses a battery to retain the memory contents of a storage unit during a power-off period, and particularly relates to a memory retention battery that detects a voltage drop in the battery. This invention relates to a voltage drop detection circuit.
[従来の技術]
電子キヤツシユレジスタ等の情報処理装置にお
いては、一般にこの装置を動作させる制御プログ
ラム等の固定データはROM(リード・オンリ・
メモリ)等の不揮発性の記憶部に記憶させている
が、外部から入力された処理すべきデータ等は
RAM(ランダム・アクセス・メモリ)等の揮発
性の記憶部に記憶させるようにしている。したが
つて、装置の電源が遮断されるとRAM等に記憶
されたデータは消滅する。このような事態を避け
るために一般に上記RAM等の記憶部にバツクア
ツプ用のバツテリを取付け、電源が遮断されると
このバツテリから記憶保持用の電圧を供給するよ
うにしている。そして、電源が再び投入される
と、バツテリに代り電源回路から駆動電圧を
RAMへ供給するとともに、電源回路からバツテ
リに電流を供給して、バツテリを充電するように
している。[Prior Art] In information processing devices such as electronic cash registers, fixed data such as control programs that operate the device is generally stored in ROM (read-only).
(memory), etc., but data input from outside that should be processed is
The data is stored in a volatile storage unit such as RAM (Random Access Memory). Therefore, when the power to the device is cut off, the data stored in the RAM or the like disappears. In order to avoid such a situation, a backup battery is generally attached to the memory section such as the RAM, and when the power is cut off, the battery supplies voltage for memory retention. When the power is turned on again, the drive voltage is supplied from the power supply circuit instead of the battery.
In addition to supplying current to the RAM, the power supply circuit also supplies current to the battery to charge the battery.
[発明が解決しようとする問題点]
しかしながら、上記のように電源遮断期間中に
記憶部の記憶内容をバツテリで保持するようにし
た情報処理装置においてもまだ解消する必要のあ
る次のような問題があつた。すなわち、バツテリ
は長時間放電すると端子電圧が徐々に低下する。
そして、充電をすると元の規定電圧に復帰する。
また、バツテリは電子部品等の他の構成部材に比
較して寿命が短いので、長期間使用すると充電効
率が低下しすぐに規定電圧に復帰しない場合があ
る。[Problems to be Solved by the Invention] However, the following problems still need to be solved even in the information processing device in which the storage contents of the storage unit are retained by the battery during the power cut-off period as described above. It was hot. That is, when a battery is discharged for a long time, the terminal voltage gradually decreases.
When the battery is charged, it returns to the original specified voltage.
Furthermore, since batteries have a shorter lifespan than other components such as electronic components, charging efficiency decreases when used for a long period of time, and the battery may not return to the specified voltage immediately.
従来の情報処理装置においてはバツテリの端子
電圧を直接測定する装置は組込まれていなかつ
た。すなわち、前述したように電源遮断期間中に
おいては全ての電源が遮断されているので、バツ
テリの端子電圧を測定する術もなく、電源投入期
間中においてはバツテリは充電中であるので、バ
ツテリの端子電圧を測定しても充電電圧を測定す
ることになり、真のバツテリの端子電圧とはなら
ない。したがつて、バツテリの端子電圧が正確に
把握されないので、電源遮断期間中にバツテリの
端子電圧が低下してRAMの記憶内容が消滅する
懸念がある。 Conventional information processing devices have not incorporated a device that directly measures the terminal voltage of the battery. In other words, as mentioned above, during the power-off period, all power supplies are cut off, so there is no way to measure the terminal voltage of the battery, and during the power-on period, the battery is charging, so the terminal voltage of the battery is Even if you measure the voltage, you are only measuring the charging voltage, and it is not the true terminal voltage of the battery. Therefore, since the terminal voltage of the battery cannot be accurately grasped, there is a concern that the terminal voltage of the battery decreases during the power-off period and the memory contents of the RAM are erased.
このような事態を避けるために、ROMと
RAMの一部に同一データを記憶させ、電源投入
に同期して両者のデータが一致することを検出す
るとによつて、RAMの記憶内容が正確に保持さ
れていたことを確認するようにした装置が考えら
れている。しかし、この装置であれば、データが
一致しなくなつて始めてバツテリの電圧低下が確
認できるもので、その時点ではRAMに記憶され
た他のデータも消滅してしまつている。したがつ
て事前にバツテリの電圧低下を検出できない。 To avoid this situation, ROM and
A device that stores the same data in a part of the RAM and detects that the two data match in synchronization with power-on, thereby confirming that the memory contents of the RAM have been accurately maintained. is being considered. However, with this device, a drop in battery voltage can only be confirmed when the data no longer match, and at that point the other data stored in the RAM has also disappeared. Therefore, battery voltage drop cannot be detected in advance.
本発明はこのような事情に基づいてなされたも
のであり、その目的とするところは、電源投入時
におけるバツテリ充電開始を若干遅延させること
によつて、バツテリの電圧低下を事前に検出で
き、記憶部の記憶内容の消滅を防止でき、情報処
理装置の信頼性を向上できる記憶保持用バツテリ
の電圧低下選出回路を提供することにある。 The present invention was developed based on the above circumstances, and its purpose is to detect battery voltage drop in advance by slightly delaying the start of battery charging when the power is turned on. An object of the present invention is to provide a voltage drop selection circuit for a memory retention battery that can prevent the storage contents of the memory from disappearing and improve the reliability of the information processing device.
[問題点を解決するための手段]
本発明の記憶保持用バツテリの電圧低下検出回
路は、電源投入時に電源回路から供給される記憶
部を含む各構成部材を駆動する駆動電圧が規定電
圧に上昇したことを示す電圧制御信号の入力時刻
に同期して起動され、源投入期間中に電源回路か
らデータを記憶する記憶部へ駆動電圧が供給さ
れ、電源遮断期間中にバツテリにて記憶部の記憶
内容が保持され、さらに電源投入期間中に電源回
路からバツテリを充電するようにした情報処理装
置において、バツテリに対する電源回路からの充
電路に電圧制御信号で導通されるスイツチング回
路を介挿し、遅延回路でもつて電圧制御信号スイ
ツチング回路への入力時刻を一定時間遅延させ、
比較回路でもつて電圧制御信号出力時刻からスイ
ツチング回路導通時刻までの期間におけるバツテ
リの端子電圧と予め定められた下限許容電圧とを
比較し、この比較回路において端子電圧が下限許
容電圧を下回つたときバツテリ電圧低下を表示す
るようにしたものである。[Means for Solving the Problems] The voltage drop detection circuit for a memory retention battery of the present invention detects that when the power is turned on, the drive voltage supplied from the power supply circuit for driving each component including the memory section increases to a specified voltage. During the power-on period, drive voltage is supplied from the power supply circuit to the memory section that stores data, and during the power-off period, the memory section is powered up by the battery. In an information processing device in which the contents are retained and the battery is charged from the power supply circuit during the power-on period, a switching circuit that is made conductive by a voltage control signal is inserted in the charging path from the power supply circuit to the battery, and a delay circuit is used. With this, the input time to the voltage control signal switching circuit is delayed for a certain period of time,
The comparison circuit also compares the battery terminal voltage with a predetermined lower limit allowable voltage during the period from the voltage control signal output time to the switching circuit conduction time, and when the terminal voltage falls below the lower limit allowable voltage in this comparison circuit. It is designed to display battery voltage drop.
また、別の発明は上記発明に加えて、バツテリ
と比較回路との間に、バツテリが接続されること
によつて導通する複数の接点を有するバツテリ接
続装置を介挿し、下限許容電圧設定用の分圧抵抗
の一端をバツテリ接続装置の接点を介して接地
し、他端を比較回路の下限許容電圧入力端子に接
続したものである。 Further, in addition to the above invention, another invention includes a battery connecting device having a plurality of contacts that become conductive when the battery is connected between the battery and the comparison circuit, and a battery connecting device for setting the lower limit allowable voltage. One end of the voltage dividing resistor is grounded via the contact of the battery connection device, and the other end is connected to the lower limit permissible voltage input terminal of the comparator circuit.
[作用]
このように構成された記憶保持用バツテリの電
圧低下検出回路であれば、電源が投入され、電源
回路から供給される駆動電圧が規定電圧に上昇し
たことを示す電圧制御信号が入力すると情報処理
装置は起動する。また、バツテリの電源回路から
の充電路に介挿されたスイツチング回路は遅延回
路によつて電圧制御信号入力時刻から一定時間遅
延された後に導通する。そして、比較回路によつ
て電圧制御信号入力時刻からバツテリが充電開始
時刻までのバツテリの端子電圧が下限許容電圧と
比較される。そして端子電圧が下限許容電圧を下
回る比較結果であればバツテリ電圧低下が表示さ
れる。[Function] With the memory retention battery voltage drop detection circuit configured as described above, when the power is turned on and a voltage control signal indicating that the drive voltage supplied from the power supply circuit has increased to the specified voltage is input, The information processing device starts up. Further, the switching circuit inserted in the charging path from the battery power supply circuit becomes conductive after being delayed for a certain period of time from the voltage control signal input time by the delay circuit. Then, the terminal voltage of the battery from the voltage control signal input time to the battery charging start time is compared with the lower limit allowable voltage by the comparison circuit. If the comparison result shows that the terminal voltage is lower than the lower limit allowable voltage, a battery voltage drop is displayed.
また、別の発明の作用は上記作用に加えて、電
源投入期間中にバツテリがバツテリ接続装置から
外れると、下限許容電圧設定用の分圧抵抗の一端
が接地されなくなるので、比較回路の下限許容電
圧入力端子の入力電圧が上昇して、この比較回路
の他方の入力端子へ入力されているバツテリの端
子電圧、すなわちバツテリの充電電圧より高くな
り、前述のバツテリ電圧低下が表示される。 In addition to the above-mentioned effects, another aspect of the present invention is that if the battery is disconnected from the battery connection device during the power-on period, one end of the voltage dividing resistor for setting the lower limit permissible voltage will not be grounded. The input voltage at the voltage input terminal increases and becomes higher than the battery terminal voltage input to the other input terminal of the comparison circuit, that is, the battery charging voltage, and the aforementioned battery voltage drop is displayed.
[実施例]
以下本発明の一実施例を図面を用いて説明す
る。[Example] An example of the present invention will be described below with reference to the drawings.
第1図は実施例の記憶保持用バツテリの電圧低
下検出回路を示す回路図であり、図中1は図示し
ない商用電源に接続されるプラグであり、このプ
ラグ1を介して電源回路2へ入力された交流電圧
は例えば直流+5Vの駆動電圧に変換されて情報
処理装置本体3へ供給される。また、電源スイツ
チ4が投入されて前記+5Vの駆動電圧が5Vの規
定電圧に上昇すると、この電源回路2から情報処
理装置本体3へ電圧制御信号AVCが送出される。
情報処理装置本体3はこの電圧制御信号AVCを
受信すると起動して、動作状態に移行する。 FIG. 1 is a circuit diagram showing a voltage drop detection circuit for a memory retention battery according to an embodiment. In the figure, 1 is a plug connected to a commercial power supply (not shown), and input is input to a power supply circuit 2 through this plug 1. The resulting AC voltage is converted into, for example, a DC +5V drive voltage and supplied to the information processing device main body 3. Further, when the power switch 4 is turned on and the drive voltage of +5V rises to the specified voltage of 5V, a voltage control signal AVC is sent from the power supply circuit 2 to the information processing device main body 3.
When the information processing device main body 3 receives this voltage control signal AVC, it is activated and shifts to an operating state.
前記情報処理装置本体3は、図示するように、
例えば各種演算回路等を内蔵して各種情報処理業
務を実行するCPU(中央処理装置)5、制御プロ
グラム等の固定データを記憶するROM6、各種
データや制御信号が入力したり処理結果を出力す
るためのI/Oポート7、I/Oポート7から入
力したデータ等の可変データを一時記憶する
RAM8、これ等各構成部材間を互いに接続する
データバス9等で構成されている。 The information processing device main body 3 includes, as shown in the figure,
For example, a CPU (Central Processing Unit) 5 that incorporates various arithmetic circuits and the like to execute various information processing tasks, a ROM 6 that stores fixed data such as control programs, and a ROM 6 that inputs various data and control signals and outputs processing results. Temporarily stores variable data such as data input from I/O port 7 of I/O port 7.
It is composed of a RAM 8, a data bus 9, etc., which connect these components to each other.
前記電源回路2の出力端子から出力される5V
の駆動電圧は前記情報処理装置本体3へ供給され
ると共に、逆流防止用のダイオード10を介して
記憶部としてのRAM8の電圧入力端子へ供給さ
れる。さらに、ダイオード11を介してスイツチ
ング回路としてのpnp型のスイツチングトランジ
スタ12のエミツタへ供給される。また、電源回
路2から出力される電圧制御信号AVCは前記情
報処理装置本体3へ送出されるとともに、抵抗1
3と、抵抗14およびコンデンサ15とで形成さ
れた積分回路を介してnpn型のトランジスタ16
のベースへ入力される。このトランジスタ16の
コレクタは抵抗17を介して前記スイツチングト
ランジスタ12のベースへ接続されている。した
がつて、抵抗14、コンデンサ15、トランジス
タ16および抵抗17とで電圧制御信号AVCに
対する遅延回路を構成する。 5V output from the output terminal of the power supply circuit 2
The drive voltage is supplied to the information processing device main body 3, and is also supplied to the voltage input terminal of the RAM 8, which serves as a storage section, via a backflow prevention diode 10. Furthermore, it is supplied via a diode 11 to the emitter of a pnp type switching transistor 12 serving as a switching circuit. Further, the voltage control signal AVC output from the power supply circuit 2 is sent to the information processing device main body 3, and the resistor 1
3, an npn transistor 16 via an integrating circuit formed by a resistor 14 and a capacitor 15.
input to the base of The collector of this transistor 16 is connected to the base of the switching transistor 12 via a resistor 17. Therefore, resistor 14, capacitor 15, transistor 16, and resistor 17 constitute a delay circuit for voltage control signal AVC.
また図中18は記憶保持用のバツテリであり、
このバツテリ18の(+)端子は3個の接点a,
b,cを有したバツテリ接続装置19の(+)接
点a、抵抗20および図示極性のダイオード21
を介して前記RAM8の電圧入力端子に接続され
ている。また、ダイオード21と抵抗20との接
続点に前記スイツチングトランジスタ12のコレ
クタが接続されている。したがつて、ダイオード
11、スイツチングトランジスタ12および抵抗
20は電源回路2からバツテリ18に対する充電
路を形成する。 In addition, 18 in the figure is a battery for memory retention,
The (+) terminal of this battery 18 has three contacts a,
(+) contact a of battery connection device 19 with b, c, resistor 20 and diode 21 of the polarity shown
It is connected to the voltage input terminal of the RAM 8 via. Further, the collector of the switching transistor 12 is connected to the connection point between the diode 21 and the resistor 20. Therefore, diode 11, switching transistor 12 and resistor 20 form a charging path from power supply circuit 2 to battery 18.
さらにバツテリ18の(−)端子は、バツテリ
接続装置19の(−)接点bおよび下限許容電圧
設定用の分圧抵抗22を介して比較回路23の
(+)側入力端子へ接続されるとともに、短絡線
24によつてバツテリ接続装置19のもう一つの
接点cを介して接地されている。なお、この短絡
線24は、バツテリ18がバツテリ接続装置19
から取外されると、このバツテリ18の取外し動
作に同期して取外される。 Further, the (-) terminal of the battery 18 is connected to the (+) side input terminal of the comparator circuit 23 via the (-) contact b of the battery connection device 19 and the voltage dividing resistor 22 for setting the lower limit allowable voltage. It is grounded via another contact c of the battery connection device 19 by means of a short-circuit wire 24 . Note that this shorting line 24 connects the battery 18 to the battery connection device 19.
When the battery 18 is removed from the battery 18, it is removed in synchronization with the removal operation of the battery 18.
比較回路23の(+)側入力端子は抵抗25を
介して前記電源回路2の+5Vの出力端子に接続
されている。そして、バツテリ18が図示するよ
うにバツテリ接続装置19に取付けられている状
態においては、比較回路23の(−)側入力端子
には抵抗25と分圧抵抗22とで分圧設定された
下限許容電圧ERが入力される。この下限許容電
圧ERはRAM8の記憶内容を保持するための限界
電圧より若干高い値に設定されている。また、比
較回路23の(−)側入力端子は抵抗26および
バツテリ接続装置19の(+)接点aを介してバ
ツテリ18の(+)端子に接続されている。さら
にこの比較回路23は前記電源回路2から供給さ
れる+5Vの駆動電圧にて動作する。そして、比
較回路23の出力端子は抵抗27を介して電源回
路2の+5Vの出力端子に接続されると共に、情
報処理装置本体3のI/Oポート7の入力端子に
接続されている。したがつて、比較回路23は
(−)側入力端子に入力される抵抗26を介した
バツテリ18の端子電圧EBが(+)側入力端子
に入力される下限許容電圧ER以下に低下すると
Hレベルの出力信号をI/Oポート7へ送出す
る。 The (+) side input terminal of the comparator circuit 23 is connected to the +5V output terminal of the power supply circuit 2 via a resistor 25. When the battery 18 is attached to the battery connection device 19 as shown in the figure, the (-) side input terminal of the comparator circuit 23 has a lower limit tolerance set by the resistor 25 and the voltage dividing resistor 22. Voltage E R is input. This lower limit allowable voltage E R is set to a value slightly higher than the limit voltage for retaining the memory contents of the RAM 8. Further, the (-) side input terminal of the comparison circuit 23 is connected to the (+) terminal of the battery 18 via the resistor 26 and the (+) contact a of the battery connection device 19. Furthermore, this comparison circuit 23 operates with a drive voltage of +5V supplied from the power supply circuit 2. The output terminal of the comparator circuit 23 is connected to the +5V output terminal of the power supply circuit 2 via the resistor 27, and is also connected to the input terminal of the I/O port 7 of the information processing device main body 3. Therefore, when the terminal voltage E B of the battery 18 via the resistor 26 inputted to the (-) side input terminal falls below the lower limit allowable voltage E R inputted to the (+) side input terminal, the comparator circuit 23 Sends an H level output signal to I/O port 7.
I/Oポート7の出力端子は抵抗28を介して
npn型のトランジスタ29のベースへ接続されて
おり、このトランジスタ29のコレクタは電圧低
下表示手段としての発光ダイオード(LED)3
0、電流制限用抵抗31を介して前記電源回路2
の+5Vの出力端子に接続されている。また、ト
ランジスタ29のエミツタは接地されている。 The output terminal of I/O port 7 is connected via resistor 28.
It is connected to the base of an npn type transistor 29, and the collector of this transistor 29 is connected to a light emitting diode (LED) 3 as a voltage drop indicating means.
0, the power supply circuit 2 via the current limiting resistor 31
is connected to the +5V output terminal of the Further, the emitter of the transistor 29 is grounded.
前記情報処理装置本体3のCPU5は電源回路
2から電源制御信号AVCが入力されると、通常
のデータ処理業務を開始する前に第2図の流れ図
に従つて、バツテリ18の電圧低下を表示する表
示処理を実行する。すなわち、電源制御信号
AVCがHレベルになると、I/Oポート7の出
力端子をクリアする。次に同じくI/Oポート7
の比較回路23の出力信号が入力された入力端子
の信号レベルを読む。そして、信号レベルがHレ
ベルであれば、バツテリ18の端子電圧EBが下
限許容電圧ERより低下したと判断してI/Oポ
ート7の出力端子からHレベルの信号を送出し
て、トランジスタ29を導通させる。トランジス
タ29が導通すると、発光ダイオード(LED)
30が点灯する。一方、入力端子の信号レベルが
Lレベルであれば正常であると判断してそのまま
メインルーチンへ進む。 When the CPU 5 of the information processing device body 3 receives the power control signal AVC from the power supply circuit 2, it displays the voltage drop of the battery 18 according to the flowchart of FIG. 2 before starting normal data processing operations. Execute display processing. That is, the power control signal
When AVC becomes H level, the output terminal of I/O port 7 is cleared. Next, I/O port 7
The signal level of the input terminal to which the output signal of the comparison circuit 23 is input is read. If the signal level is H level, it is determined that the terminal voltage E B of the battery 18 has fallen below the lower limit allowable voltage E R , and an H level signal is sent from the output terminal of the I/O port 7, and the transistor 29 is made conductive. When the transistor 29 becomes conductive, the light emitting diode (LED)
30 lights up. On the other hand, if the signal level of the input terminal is L level, it is determined to be normal and the process directly proceeds to the main routine.
次のこのように構成された記憶保持用バツテリ
の電圧低下検出回路の動作説明を第3図のタイム
チヤートを用いて説明する。すなわち、時刻t0に
て電源スイツチ4を投入する以前において電源回
路2から+5Vの駆動電圧は供給されていないの
で、RAM8の電圧入力端子にはバツテリ18か
ら抵抗20、ダイオード21を介して記憶保持用
電圧ECが供給されている。またバツテリ18の
端子電圧は抵抗26を介して比較回路23の
(−)側入力端子へ入力されている。したがつて
この状態においてはバツテリ18は放電状態であ
る。時刻t0にて電源スイツチ4が投入されると、
電源回路2から出力される駆動電圧は上昇を開始
する。そして、一定時間経過後の時刻t1にて駆動
電圧の電圧値がバツテリ18による記憶保持電圧
ECを越えると、ダイオード10が導通し、ダイ
オード21が逆バイアスになるので、RAM8の
電圧入力端子には電源回路2からの上昇中の駆動
電圧が印加される。そして、バツテリ18からの
記憶保持電圧ECはダイオード21にて遮断され
る。 The operation of the storage battery voltage drop detection circuit configured as described above will be explained below using the time chart shown in FIG. That is, before the power switch 4 is turned on at time t 0 , the +5V driving voltage is not supplied from the power supply circuit 2 , so the memory is stored from the battery 18 to the voltage input terminal of the RAM 8 via the resistor 20 and the diode 21 . voltage E C is supplied. Further, the terminal voltage of the battery 18 is inputted to the (-) side input terminal of the comparator circuit 23 via a resistor 26. Therefore, in this state, the battery 18 is in a discharged state. When the power switch 4 is turned on at time t 0 ,
The drive voltage output from the power supply circuit 2 starts to rise. Then, at time t 1 after a certain period of time has elapsed, the voltage value of the drive voltage becomes the memory retention voltage due to the battery 18.
When E C is exceeded, the diode 10 becomes conductive and the diode 21 becomes reverse biased, so that the increasing drive voltage from the power supply circuit 2 is applied to the voltage input terminal of the RAM 8 . Then, the memory holding voltage E C from the battery 18 is cut off by the diode 21 .
さらに、時間が経過して時刻t2にて電源回路2
から出力される駆動電圧が正規の5Vに達すると、
比較回路23は正常動作を開始する。さらに、電
源回路2から抵抗25および分圧抵抗22に5V
の駆動電圧が印加されるので、比較回路23の
(+)側入力端子の端子電圧は正規の下限許容電
圧ERになる。その結果、比較回路23はLレベ
ルの出力信号をI/Oポート7の入力端子へ送出
する。 Furthermore, after time has elapsed, at time t2 , power supply circuit 2
When the drive voltage output from reaches the regular 5V,
Comparison circuit 23 starts normal operation. Furthermore, 5V is applied from the power supply circuit 2 to the resistor 25 and voltage dividing resistor 22.
, the terminal voltage of the (+) side input terminal of the comparator circuit 23 becomes the normal lower limit allowable voltage ER . As a result, the comparison circuit 23 sends an L level output signal to the input terminal of the I/O port 7.
駆動電圧が正規の5Vに達したのち一定の猶予
時間経過後の時刻t3にて電源回路2からHレベル
の電圧制御信号AVCが出力される。情報処理装
置本体3はこの電圧制御信号AVCの入力時刻t3
に同期して起動する。時刻t3にて情報処理装置本
体3が起動されると、前記CPU5は第2図の流
れ図を実行するので、この場合発光ダイオード3
0は点灯することはない。 At time t3 after a certain grace period has elapsed after the drive voltage reached the regular 5V, the voltage control signal AVC at H level is output from the power supply circuit 2. The information processing device main body 3 receives the input time t 3 of this voltage control signal AVC.
Start in sync with. When the information processing device main body 3 is started at time t3 , the CPU 5 executes the flowchart shown in FIG.
0 is never lit.
また時刻t3にてHレベルの電圧制御信号AVC
が出力されると、積分回路のコンデンサ15が充
電を開始し、一定時間後、すなわち一定の遅延時
間T1が経過した時刻t4にトランジスタ16が導通
する。トランジスタ16が導通すると、スイツチ
ングトランジスタ12が導通する。したがつて、
5Vの駆動電圧がバツテリ18による記憶保持電
圧ECより高いので、電圧制御信号AVC出力時刻
t3からの一定の遅延時間T1の経過後の時刻t4から
電源回路2からスイツチングトランジスタ12を
介してバツテリ18に充電電圧が印加される。し
たがつて、バツテリ18は時刻t4以降充電状態に
なる。 Also, at time t3 , the voltage control signal AVC at H level
When is output, the capacitor 15 of the integrating circuit starts charging, and the transistor 16 becomes conductive after a certain period of time, that is, at time t4 after a certain delay time T1 has elapsed. When transistor 16 becomes conductive, switching transistor 12 becomes conductive. Therefore,
Since the drive voltage of 5V is higher than the memory retention voltage E C by the battery 18, the voltage control signal AVC output time
A charging voltage is applied to the battery 18 from the power supply circuit 2 via the switching transistor 12 from time t 4 after a certain delay time T 1 has elapsed from t 3 . Therefore, the battery 18 is in a charged state after time t4 .
時刻t4にてバツテリ18が充電開始されると、
比較回路23の(−)側入力端子にはバツテリ1
8の端子電圧EBに代わつて電源回路2から抵抗
20を介した充電電圧が印加される。この充電電
圧は当然下限許容電圧ERより大きいので、比較
回路23の出力信号がHレベルとなることはな
い。 When the battery 18 starts charging at time t4 ,
Battery 1 is connected to the (-) side input terminal of the comparator circuit 23.
In place of the terminal voltage E B of 8, a charging voltage is applied from the power supply circuit 2 via the resistor 20. Since this charging voltage is naturally higher than the lower limit allowable voltage ER , the output signal of the comparator circuit 23 never becomes H level.
次に電源スイツチ4が遮断期間中にバツテリ1
8の抵抗26を介した端子電圧EBが下限許容電
圧ERを下回つた場合は、第4図に示すように時
刻t2から時刻t5までの期間において比較回路23
の(−)側入力端子の印加電圧が(+)側入力端
子の印加電圧より小さくなるので、比較回路23
はHレベルの出力信号をI/Oポート7の入力端
子へ送出する。したがつて、時刻t3にて情報処理
装置本体3が起動されると、I/Oポート7の入
力端子がレベルであるので、発光ダイオード30
が点灯する。 Next, power switch 4 discharges battery 1 during the cut-off period.
When the terminal voltage E B through the resistor 26 of No. 8 falls below the lower limit allowable voltage E R , the comparator circuit 23
The voltage applied to the (-) side input terminal of the comparator circuit 23 is smaller than the voltage applied to the (+) side input terminal.
sends an H level output signal to the input terminal of I/O port 7. Therefore, when the information processing device main body 3 is started at time t3, the input terminal of the I/O port 7 is at level, so the light emitting diode 30
lights up.
このように電源スイツチ4が投入されて、駆動
電圧が正規の5Vに上昇したことを示す電圧制御
信号AVCが入力した時刻t3から遅延回路で設定
された遅延時間T1が経過するまでの期間は電源
回路2からバツテリ18への充電動作を停止する
ことによつて、バツテリ18の端子電圧EBが下
限許容電圧ER以下に低下しているか否かを発光
ダイオード30の点灯状態によつて確認すること
が可能である。この下限許容電圧ERをRAM8の
記憶保持限界電圧より若干高い値に設定すること
によつて、バツテリ18の電圧低下を事前に確認
することが可能である。このバツテリ電圧低下を
確認すると、例えば充電時間の延長とかバツテリ
18の交換等の対策を実施することが可能である
ので、RAM8等の記憶部の記憶内容を確実に保
護することが可能であり、情報処理装置全体の信
頼性を向上させることができる。 The period from time t 3 when the power switch 4 is turned on and the voltage control signal AVC indicating that the drive voltage has increased to the normal 5V is input until the delay time T 1 set in the delay circuit elapses. By stopping the charging operation from the power supply circuit 2 to the battery 18, it is possible to determine whether the terminal voltage E B of the battery 18 has decreased below the lower limit allowable voltage E R by checking the lighting state of the light emitting diode 30. It is possible to confirm. By setting this lower limit allowable voltage E R to a value slightly higher than the storage retention limit voltage of the RAM 8, it is possible to confirm a voltage drop in the battery 18 in advance. If this battery voltage drop is confirmed, it is possible to take measures such as extending the charging time or replacing the battery 18, so it is possible to reliably protect the stored contents of the memory unit such as the RAM 8, etc. The reliability of the entire information processing device can be improved.
また、電源スイツチ4を投入して情報処理装置
本体3が動作中に、バツテリ18がバツテリ接続
装置19から例えば点検補修等のために取外され
ると、短絡線24が同時に取外されるので分圧抵
抗22の一端が接地から離れることになる。その
結果比較回路23の(+)側入力端子の電位が+
5Vに上昇するので、比較回路23の出力信号は
Hレベルとなる。したがつて発光ダイオード30
が点灯する。 Furthermore, if the battery 18 is removed from the battery connection device 19 for inspection or repair while the power switch 4 is turned on and the information processing device main body 3 is in operation, the shorting wire 24 is removed at the same time. One end of the voltage dividing resistor 22 will be separated from ground. As a result, the potential of the (+) side input terminal of the comparator circuit 23 becomes +
Since the voltage rises to 5V, the output signal of the comparison circuit 23 becomes H level. Therefore, the light emitting diode 30
lights up.
このように電源投入期間中において、バツテリ
18をバツテリ接続装置19から取外すと直ちに
発光ダイオード30が点灯して、バツテリ18が
取外されたことが確認できるので、間違つてバツ
テリ18を取外したままで電源スイツチ4を遮断
することを極力防止できる。したがつて、前述と
同様に装置全体の信頼性をさらに向上させること
が可能である。 In this way, during the power-on period, when the battery 18 is removed from the battery connection device 19, the light emitting diode 30 lights up immediately, confirming that the battery 18 has been removed. It is possible to prevent the power switch 4 from being shut off as much as possible. Therefore, as described above, it is possible to further improve the reliability of the entire device.
[発明の効果]
以上説明したように本発明によれば、電源投入
時におけるバツテリ充電開始を若干遅延させるよ
うにしている。したがつて、バツテリの電圧低下
を事前に検出でき、記憶部の記憶内容の消滅を防
止でき、情報処理装置の信頼性を向上できる。[Effects of the Invention] As explained above, according to the present invention, the start of battery charging when the power is turned on is slightly delayed. Therefore, a battery voltage drop can be detected in advance, content stored in the storage section can be prevented from disappearing, and the reliability of the information processing device can be improved.
さらに、電源投入期間中にバツテリが取外され
ると取外されたことが表示されるので、上記信頼
性をさらに向上させることが可能である。 Furthermore, if the battery is removed during the power-on period, a message indicating that the battery has been removed is displayed, making it possible to further improve the reliability.
図は本発明の一実施例に係わる記憶保持用ハツ
テリの電圧低下検出回路を示すものであり、第1
図は全体を示す回路図、第2図は動作を示す流れ
図、第3図および第4図は動作を示すタイムチヤ
ートである。
2……電源回路、3……情報処理装置本体、4
……電源スイツチ、5……CPU、7……I/O
ポート、8……RAM(記憶部)、10,11,2
1……ダイオード、12……スイツチングトラン
ジスタ、16,29……トランジスタ、18……
バツテリ、19……バツテリ接続装置、22……
分圧抵抗、23……比較回路、24……短絡線、
30……発光ダイオード(電圧低下表示手段)。
The figure shows a voltage drop detection circuit for a memory retention battery according to an embodiment of the present invention.
The figure is an overall circuit diagram, FIG. 2 is a flowchart showing the operation, and FIGS. 3 and 4 are time charts showing the operation. 2... Power supply circuit, 3... Information processing device main body, 4
...Power switch, 5...CPU, 7...I/O
Port, 8...RAM (storage unit), 10, 11, 2
1... Diode, 12... Switching transistor, 16, 29... Transistor, 18...
Battery, 19... Battery connection device, 22...
Voltage dividing resistor, 23... Comparison circuit, 24... Short circuit wire,
30... Light emitting diode (voltage drop display means).
Claims (1)
を含む各構成部材を駆動する駆動電圧が規定電圧
に上昇したことを示す電圧制御信号の入力時刻に
同期して起動され、源投入期間中に前記電源回路
からデータを記憶する記憶部へ前記駆動電圧が供
給され、電源遮断期間中にバツテリにて前記記憶
部の記憶内容が保持され、さらに前記電源投入期
間中に前記電源回路から前記バツテリを充電する
ようにした情報処理装置において、前記バツテリ
に対する前記電源回路からの充電路に介挿され、
前記電圧制御信号で導通されるスイツチング回路
と、前記電圧制御信号の前記スイツチング回路へ
の入力時刻を一定時間遅延させる遅延回路と、前
記電圧制御信号出力時刻から前記スイツチング回
路導通時刻までの期間における前記バツテリの端
子電圧と予め定められた下限許容電圧とを比較す
る比較回路と、この比較回路において前記端子電
圧が前記下限許容電圧を下回つたときバツテリ電
圧低下を表示する電圧低下表示手段とを備えたこ
とを特徴とする記憶保持用バツテリの電圧低下検
出回路。 2 電源投入時に電源回路から供給される記憶部
を含む各構成部材を駆動する駆動電圧が規定電圧
に上昇したことを示す電圧制御信号の入力時刻に
同期して起動され、源投入期間中に前記電源回路
からデータを記憶する記憶部へ前記駆動電圧が供
給され、電源遮断期間中にバツテリにて前記記憶
部の記憶内容が保持され、さらに前記電源投入期
間中に前記電源回路から前記バツテリを充電する
ようにした情報処理装置において、前記バツテリ
に対する前記電源回路からの充電路に介挿され、
前記電圧制御信号で導通されるスイツチング回路
と、前記電圧制御信号の前記スイツチング回路へ
の入力時刻を一定時間遅延させる遅延回路と、前
記電圧制御信号出力時刻から前記スイツチング回
路導通時刻までの期間における前記バツテリの端
子電圧と予め定められた下限許容電圧とを比較す
る比較回路と、この比較回路において前記端子電
圧が前記下限許容電圧を下回つたときバツテリ電
圧低下を表示する電圧低下表示手段と、前記バツ
テリと前記比較回路との間に介挿され、前記バツ
テリが接続されることによつて導通する複数の接
点を有するバツテリ接続装置と、一端が前記バツ
テリ接続装置の接点を介して接地され、他端が前
記比較回路の下限許容電圧入力端子に接続された
下限許容電圧設定用の分圧抵抗とを備えたことを
特徴とする記憶保持用バツテリの電圧低下検出回
路。[Claims] 1. Started in synchronization with the input time of a voltage control signal indicating that the drive voltage for driving each component including the storage unit supplied from the power supply circuit when the power is turned on has increased to a specified voltage, During the power-on period, the drive voltage is supplied from the power supply circuit to the storage section that stores data, and during the power-off period, the storage contents of the storage section are held by the battery, and further during the power-on period, the drive voltage is supplied from the power supply circuit to the storage section that stores data. In an information processing device configured to charge the battery from a circuit, the battery is inserted into a charging path from the power supply circuit to the battery,
a switching circuit that is turned on by the voltage control signal; a delay circuit that delays the input time of the voltage control signal to the switching circuit for a certain period of time; A comparison circuit that compares a battery terminal voltage with a predetermined lower limit allowable voltage, and a voltage drop display means that displays a battery voltage drop when the terminal voltage falls below the lower limit allowable voltage in this comparison circuit. A voltage drop detection circuit for a memory retention battery. 2. It is activated in synchronization with the input time of a voltage control signal indicating that the drive voltage that drives each component including the storage unit supplied from the power supply circuit when the power is turned on has increased to a specified voltage, and the The drive voltage is supplied from the power supply circuit to the storage section that stores data, the storage contents of the storage section are held by the battery during the power-off period, and the battery is further charged from the power supply circuit during the power-on period. In the information processing device, the battery is inserted into a charging path from the power supply circuit to the battery;
a switching circuit that is turned on by the voltage control signal; a delay circuit that delays the input time of the voltage control signal to the switching circuit for a certain period of time; a comparison circuit that compares a battery terminal voltage with a predetermined lower limit allowable voltage; a voltage drop display means that displays a battery voltage drop when the terminal voltage falls below the lower limit allowable voltage in the comparison circuit; a battery connection device that is inserted between a battery and the comparison circuit and has a plurality of contacts that become conductive when the battery is connected; one end is grounded through the contact of the battery connection device; A voltage drop detection circuit for a memory holding battery, comprising a voltage dividing resistor for setting a lower limit allowable voltage, the end of which is connected to the lower limit allowable voltage input terminal of the comparison circuit.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60113671A JPS61271473A (en) | 1985-05-27 | 1985-05-27 | Memory retention battery voltage drop detection circuit |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60113671A JPS61271473A (en) | 1985-05-27 | 1985-05-27 | Memory retention battery voltage drop detection circuit |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61271473A JPS61271473A (en) | 1986-12-01 |
| JPH0481745B2 true JPH0481745B2 (en) | 1992-12-24 |
Family
ID=14618207
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60113671A Granted JPS61271473A (en) | 1985-05-27 | 1985-05-27 | Memory retention battery voltage drop detection circuit |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61271473A (en) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0310178A (en) * | 1989-06-07 | 1991-01-17 | Fujitsu Ltd | Voltage measuring system for backup battery |
| JPH062948U (en) * | 1992-06-10 | 1994-01-14 | 三菱自動車工業株式会社 | Car charger |
| CN121150078B (en) * | 2025-11-20 | 2026-03-03 | 上海思源弘瑞自动化有限公司 | Delay-free voltage sag method and device |
-
1985
- 1985-05-27 JP JP60113671A patent/JPS61271473A/en active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61271473A (en) | 1986-12-01 |
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