JPH0481842B2 - - Google Patents
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- JPH0481842B2 JPH0481842B2 JP2230884A JP2230884A JPH0481842B2 JP H0481842 B2 JPH0481842 B2 JP H0481842B2 JP 2230884 A JP2230884 A JP 2230884A JP 2230884 A JP2230884 A JP 2230884A JP H0481842 B2 JPH0481842 B2 JP H0481842B2
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Landscapes
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Manufacturing Cores, Coils, And Magnets (AREA)
- Coils Or Transformers For Communication (AREA)
- Printing Elements For Providing Electric Connections Between Printed Circuits (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
発明の分野
この発明は、セラミツクス電子部品に関し、特
に、セラミツクス基体の一部に該セラミツクス基
体の表面と裏面とを電気的に接続する貫通孔（ス
ルーホール）と同じような役割を果たす領域を有
するセラミツクス電子部品に関するものである。
に、セラミツクス基体の一部に該セラミツクス基
体の表面と裏面とを電気的に接続する貫通孔（ス
ルーホール）と同じような役割を果たす領域を有
するセラミツクス電子部品に関するものである。
従来技術
第１図は、この発明の先行技術となる従来のセ
ラミツクス電子部品１の斜視図である。第１図に
示すように、セラミツクス基体２の表面と裏面と
を電気的に接続するために、表面から裏面に貫通
するスルーホール３を形成し、該スルーホール３
を介して表面と裏面とを電気的に接続する場合が
多い。
ラミツクス電子部品１の斜視図である。第１図に
示すように、セラミツクス基体２の表面と裏面と
を電気的に接続するために、表面から裏面に貫通
するスルーホール３を形成し、該スルーホール３
を介して表面と裏面とを電気的に接続する場合が
多い。
このような構造のセラミツクス電子部品１は、
たとえばソリツドインダクタンスや同一平面上に
引出リードを有するチツプコンデンサその他多く
の電子部品に活用されている。
たとえばソリツドインダクタンスや同一平面上に
引出リードを有するチツプコンデンサその他多く
の電子部品に活用されている。
ところで、セラミツクス基体２に上述のよう
なスルーホール３を形成するためには多くの手間
を要すること、スルーホールをドリル等により
形成する際に、セラミツクス基体２が割れやすい
こと、さらには、形成されたスルーホール３を
介してセラミツクス基体２の表裏面を電気的に接
続するのにも手間を要すること等の種々の欠点が
あり、セラミツクス電子部品１がコスト高になる
という欠点があつた。
なスルーホール３を形成するためには多くの手間
を要すること、スルーホールをドリル等により
形成する際に、セラミツクス基体２が割れやすい
こと、さらには、形成されたスルーホール３を
介してセラミツクス基体２の表裏面を電気的に接
続するのにも手間を要すること等の種々の欠点が
あり、セラミツクス電子部品１がコスト高になる
という欠点があつた。
発明の目的
それゆえに、この発明は、セラミツクス基体の
表裏面を電気的に接続するようなセラミツクス電
子部品において、導体を通すためのスルーホール
を形成する代わりに、セラミツクス基板を部分的
に導通または導通に近い状態に変え、それによつ
てセラミツクス基板の表裏面を電気的に接続でき
るようにしたセラミツクス電子部品を提供するこ
とを目的としている。
表裏面を電気的に接続するようなセラミツクス電
子部品において、導体を通すためのスルーホール
を形成する代わりに、セラミツクス基板を部分的
に導通または導通に近い状態に変え、それによつ
てセラミツクス基板の表裏面を電気的に接続でき
るようにしたセラミツクス電子部品を提供するこ
とを目的としている。
発明の構成
この発明は、セラミツクス基体の表裏対向する
面のそれぞれ一部に、互いに対向する焼付電極が
形成され、該対向する焼付電極で挟まれた部分の
セラミツクス基体が、還元されて相対的に低抵抗
化された状態となつており、前記対向する焼付電
極が形成されている個所以外のセラミツクス基体
に、他の焼付電極が形成され、該他の焼付電極の
形成個所のセラミツクス基体は高抵抗状態となつ
ているセラミツクス電子部品である。
面のそれぞれ一部に、互いに対向する焼付電極が
形成され、該対向する焼付電極で挟まれた部分の
セラミツクス基体が、還元されて相対的に低抵抗
化された状態となつており、前記対向する焼付電
極が形成されている個所以外のセラミツクス基体
に、他の焼付電極が形成され、該他の焼付電極の
形成個所のセラミツクス基体は高抵抗状態となつ
ているセラミツクス電子部品である。
この発明の適用されるセラミツクス基体は、結
晶粒子内部が相対的に低抵抗で、結晶粒界が相対
的に高抵抗化されている粒界絶縁型半導体セラミ
ツクスである。このようなセラミツクスの場合
は、還元して相対的に低抵抗化すべき領域が結晶
粒界であり、還元領域の容積が少ないので還元が
容易であるという利点を有する。
晶粒子内部が相対的に低抵抗で、結晶粒界が相対
的に高抵抗化されている粒界絶縁型半導体セラミ
ツクスである。このようなセラミツクスの場合
は、還元して相対的に低抵抗化すべき領域が結晶
粒界であり、還元領域の容積が少ないので還元が
容易であるという利点を有する。
また、上記対向して形成される焼付電極は、
AlまたはZnを主体とし、ガラスフリツトをたと
えば300重量％程含むものであることが好ましい。
このように、電極の主成分をAlまたはZnとした
場合、電極の焼付に伴ないセラミツクス基体の還
元を良好に行なうことができる。なお、電極の主
成分としては、Al、Znのほか、Ni、Cu等のイオ
ン化傾向の強い卑金属が適している。
AlまたはZnを主体とし、ガラスフリツトをたと
えば300重量％程含むものであることが好ましい。
このように、電極の主成分をAlまたはZnとした
場合、電極の焼付に伴ないセラミツクス基体の還
元を良好に行なうことができる。なお、電極の主
成分としては、Al、Znのほか、Ni、Cu等のイオ
ン化傾向の強い卑金属が適している。
また、上記ガラスフリツトは、その含有量が少
ない場合還元力が小さく、その含有量が多すぎる
と焼付電極全体が酸化されて電極として好ましい
特性が得られないので、その兼ね合いで適当な量
が選ばれる。
ない場合還元力が小さく、その含有量が多すぎる
と焼付電極全体が酸化されて電極として好ましい
特性が得られないので、その兼ね合いで適当な量
が選ばれる。
この発明の上述の特徴をより一層明確にするた
めに、以下に図面を参照してこの発明の一実施例
について説明する。
めに、以下に図面を参照してこの発明の一実施例
について説明する。
発明の実施例
第２図は、この発明の一実施例を示す斜視図で
ある。図において、１はセラミツクス電子部品、
２はセラミツクス基体、４，４′，５，５′は電
極、６は還元されて相対的に低抵抗化された領域
である。
ある。図において、１はセラミツクス電子部品、
２はセラミツクス基体、４，４′，５，５′は電
極、６は還元されて相対的に低抵抗化された領域
である。
このような構造のセラミツクス電子部品１は、
次のようにして製造される。
次のようにして製造される。
SrTiO3：99.6モル％、Y2O3：0.4モル％からな
る組成物を、縦横12mm×12mm、厚み１mmの寸法の
角板状になるように成形し、1100℃で予備焼成を
行ない、その後1420℃の還元性雰囲気中で焼成す
る。焼成された素子は、比抵抗ρが0.1Ωcm前後
の半導体セラミツクスである。
る組成物を、縦横12mm×12mm、厚み１mmの寸法の
角板状になるように成形し、1100℃で予備焼成を
行ない、その後1420℃の還元性雰囲気中で焼成す
る。焼成された素子は、比抵抗ρが0.1Ωcm前後
の半導体セラミツクスである。
この半導体セラミツクスの表面に、CuO、
Pb3O4、Bi2O3などからなる酸化物ペーストを塗
布し、1100℃で熱拡散させると、結晶粒界が絶縁
化されて、粒界絶縁型半導体セラミツクスが得ら
れる。
Pb3O4、Bi2O3などからなる酸化物ペーストを塗
布し、1100℃で熱拡散させると、結晶粒界が絶縁
化されて、粒界絶縁型半導体セラミツクスが得ら
れる。
この粒界絶縁型半導体セラミツクスの表面に、
３mmの間隔において、直径１mmのパターンで２個
の円状電極を形成する。同様に、半導体セラミツ
クスの裏面にも、上記表面に形成した円状電極と
対向する位置に、２個の円状電極を形成する。
３mmの間隔において、直径１mmのパターンで２個
の円状電極を形成する。同様に、半導体セラミツ
クスの裏面にも、上記表面に形成した円状電極と
対向する位置に、２個の円状電極を形成する。
該形成する電極は、アルミニウム粉末：70重量
％、ガラスフリツト：30重量％の混合物に、有機
ワニスを混ぜたペースト状のものを用い、それを
上記のパターンにスクリーン印刷して、800℃で
焼付ける。
％、ガラスフリツト：30重量％の混合物に、有機
ワニスを混ぜたペースト状のものを用い、それを
上記のパターンにスクリーン印刷して、800℃で
焼付ける。
このようにして第２図に示すセラミツクス電子
部品１が得られる。第２図のセラミツクス電子部
品１において、その表面電極４，５と裏面電極
４′，５′との間の抵抗値は0.1Ωであり、同一面
上の電極４と電極５との間の抵抗値は100MΩ以
上であることが測定された。したがつて、対向す
る電極４，４′，５，５′で挾まれた領域６は、他
の部分に比べて相対的に低抵抗化され、導電性を
有する領域となつていることがわかる。
部品１が得られる。第２図のセラミツクス電子部
品１において、その表面電極４，５と裏面電極
４′，５′との間の抵抗値は0.1Ωであり、同一面
上の電極４と電極５との間の抵抗値は100MΩ以
上であることが測定された。したがつて、対向す
る電極４，４′，５，５′で挾まれた領域６は、他
の部分に比べて相対的に低抵抗化され、導電性を
有する領域となつていることがわかる。
次に、このようになる理由について、第３図お
よび第４図を参照して考察する。
よび第４図を参照して考察する。
第３図および第４図は、この実施例に用いられ
る粒界絶縁型半導体セラミツクス基体の構造をミ
クロ的に捉えた部分断面図である。第３図に示す
ように、粒界絶縁型半導体セラミツクス基板１
は、半導体セラミツクスの結晶粒子１０が縦横に
並んだ構造となつている。この実施例では、結晶
粒子１０は、チタン酸ストロンチウムを主体とす
る材料にて構成されている。結晶粒子１０の間に
は、絶縁体化部分、すなわち絶縁体化された結晶
粒界１１が存在する。このような構造の粒界絶縁
型半導体セラミツクス基体１の表面および裏面の
対向する領域に、第４図に示すように、アルミニ
ウムを主体とする焼付電極４，４′，５，５′を形
成する。すると、電極４，４′，５，５′の焼付時
に、Al→Al2O3の酸化反応が起こり、この酸化反
応に必要な酸素が電極４，４′，５，５′直下の絶
縁体化部分から取除かれる。すなわち、電極４，
４′，５，５′直下の絶縁体化部分１１が還元され
る。そして、この還元された絶縁体化部分は半導
体化（相対的に低抵抗化）された領域領域１１′
（ハツチングで示す）となる。よつて、電極４，
４′間の抵抗値が、上述のように、他の部分に比
べて小さいものとなるのである。
る粒界絶縁型半導体セラミツクス基体の構造をミ
クロ的に捉えた部分断面図である。第３図に示す
ように、粒界絶縁型半導体セラミツクス基板１
は、半導体セラミツクスの結晶粒子１０が縦横に
並んだ構造となつている。この実施例では、結晶
粒子１０は、チタン酸ストロンチウムを主体とす
る材料にて構成されている。結晶粒子１０の間に
は、絶縁体化部分、すなわち絶縁体化された結晶
粒界１１が存在する。このような構造の粒界絶縁
型半導体セラミツクス基体１の表面および裏面の
対向する領域に、第４図に示すように、アルミニ
ウムを主体とする焼付電極４，４′，５，５′を形
成する。すると、電極４，４′，５，５′の焼付時
に、Al→Al2O3の酸化反応が起こり、この酸化反
応に必要な酸素が電極４，４′，５，５′直下の絶
縁体化部分から取除かれる。すなわち、電極４，
４′，５，５′直下の絶縁体化部分１１が還元され
る。そして、この還元された絶縁体化部分は半導
体化（相対的に低抵抗化）された領域領域１１′
（ハツチングで示す）となる。よつて、電極４，
４′間の抵抗値が、上述のように、他の部分に比
べて小さいものとなるのである。
上記実施例では、セラミツクス基体２を構成す
る材料として、SrTiO3を主体とする組成物で構
成した。しかし、セラミツクス材料はこれに限ら
ず、たとえばBaTiO3、ZnO、Mn−Znフエライ
ト、Ni−Znフエライト、YIGなどの結晶粒子内
が相対的に低抵抗で、結晶粒界が相対的に高抵抗
のものであれば、いずれも好ましい材料として用
いることができる。
る材料として、SrTiO3を主体とする組成物で構
成した。しかし、セラミツクス材料はこれに限ら
ず、たとえばBaTiO3、ZnO、Mn−Znフエライ
ト、Ni−Znフエライト、YIGなどの結晶粒子内
が相対的に低抵抗で、結晶粒界が相対的に高抵抗
のものであれば、いずれも好ましい材料として用
いることができる。
最後に、この発明の用途の一例について、具体
的に説明しておく。
的に説明しておく。
第５図は、この発明の一実施例を用いたソリツ
ドインダクタンス７の斜視図である。ソリツドイ
ンダクタンスを構成するセラミツクス基体２の表
面には、３列２行の配置で６つの電極７１〜７６
が形成されている。同様に、各電極に対向するよ
うに、裏面にも６つの電極７１′〜７６′が形成さ
れている。そして、各電極７１−７１′，７２−
７２′、…７６−７６′間の領域が半導体化された
低抵抗の領域となつている。したがつて、表面お
よび裏面のアルミニウム電極を、図示のようなパ
ターンのたとえば銀電極で接続すれば、従来のイ
ンダクタンスのようにセラミツクス基体２にスル
ーホールを形成することなく、インダクタンスを
構成することができる。
ドインダクタンス７の斜視図である。ソリツドイ
ンダクタンスを構成するセラミツクス基体２の表
面には、３列２行の配置で６つの電極７１〜７６
が形成されている。同様に、各電極に対向するよ
うに、裏面にも６つの電極７１′〜７６′が形成さ
れている。そして、各電極７１−７１′，７２−
７２′、…７６−７６′間の領域が半導体化された
低抵抗の領域となつている。したがつて、表面お
よび裏面のアルミニウム電極を、図示のようなパ
ターンのたとえば銀電極で接続すれば、従来のイ
ンダクタンスのようにセラミツクス基体２にスル
ーホールを形成することなく、インダクタンスを
構成することができる。
第６Ａ図ないし第６Ｃ図は、この実施例を用い
たチツプコンデンサ８を示す図である。特に、第
６Ａ図は平面図、第６Ｂ図は底面図、第６Ｃ図は
斜視図である。このチツプコンデンサ８は、セラ
ミツクス基体２の両側主面にそれぞれ銀電極８
１，８１′が形成されており、これら電極の対向
部分がコンデンサとして働く、さらに、セラミツ
クス基体２の表面および裏面に、対向するアルミ
ニウム電極８２，８２′が形成されており、これ
ら電極８２，８２′で挾まれた領域が半導体化さ
れている。そして、裏面側では銀電極８１′とア
ルミニウム電極８２′とが電気的に接続されてい
る。よつて、第６Ｃ図で示すように、セラミツク
ス基体２の裏面側電極を、スルーホールを設ける
ことなく表面側に取出すことができ、接続リード
等の接続しやすいチツプコンデンサ８とされてい
る。
たチツプコンデンサ８を示す図である。特に、第
６Ａ図は平面図、第６Ｂ図は底面図、第６Ｃ図は
斜視図である。このチツプコンデンサ８は、セラ
ミツクス基体２の両側主面にそれぞれ銀電極８
１，８１′が形成されており、これら電極の対向
部分がコンデンサとして働く、さらに、セラミツ
クス基体２の表面および裏面に、対向するアルミ
ニウム電極８２，８２′が形成されており、これ
ら電極８２，８２′で挾まれた領域が半導体化さ
れている。そして、裏面側では銀電極８１′とア
ルミニウム電極８２′とが電気的に接続されてい
る。よつて、第６Ｃ図で示すように、セラミツク
ス基体２の裏面側電極を、スルーホールを設ける
ことなく表面側に取出すことができ、接続リード
等の接続しやすいチツプコンデンサ８とされてい
る。
発明の効果
以上のように、この発明は、セラミツクス電子
部品の表裏面等を電気的に接続する場合に、スル
ーホールを形成することなく、セラミツクス基体
を部分的に低抵抗化して電気的に接続できる構造
としたので、製造が簡単で、製造時の手間が少な
く、かつ構造的にも丈夫なセラミツクス電子部品
を提供することができる。
部品の表裏面等を電気的に接続する場合に、スル
ーホールを形成することなく、セラミツクス基体
を部分的に低抵抗化して電気的に接続できる構造
としたので、製造が簡単で、製造時の手間が少な
く、かつ構造的にも丈夫なセラミツクス電子部品
を提供することができる。
第１図は、従来のスルーホールを形成したセラ
ミツクス電子部品を示す斜視図である。第２図
は、この発明の一実施例を示す斜視図である。第
３図および第４図は、この発明の原理を説明する
ために描いた粒界絶縁型半導体セラミツクス基体
の部分断面図である。第５図は、この発明を利用
して作つたリソツドインダクタンスを示す斜視図
である。第６Ａ図〜第６Ｃ図は、同様にこの発明
を利用して作つたチツプコンデンサである。 図において、１はセラミツクス電子部品、２は
セラミツクス基体、３はスルーホール、４，４′，
５，５′は焼付電極、６は還元されて相対的に低
抵抗化された領域を示す。
ミツクス電子部品を示す斜視図である。第２図
は、この発明の一実施例を示す斜視図である。第
３図および第４図は、この発明の原理を説明する
ために描いた粒界絶縁型半導体セラミツクス基体
の部分断面図である。第５図は、この発明を利用
して作つたリソツドインダクタンスを示す斜視図
である。第６Ａ図〜第６Ｃ図は、同様にこの発明
を利用して作つたチツプコンデンサである。 図において、１はセラミツクス電子部品、２は
セラミツクス基体、３はスルーホール、４，４′，
５，５′は焼付電極、６は還元されて相対的に低
抵抗化された領域を示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 結晶粒子内が相対的に低抵抗であり、結晶粒
界が相対的に高抵抗化されている粒界絶縁型半導
体セラミツクスを基体とし、 該セラミツクス基体の表裏対向する面のそれぞ
れ一部に、互いに対向する焼付電極が形成され、
該対向する焼付電極で挟まれた部分のセラミツク
ス基体が、還元されて相対的に低抵抗化された状
態となつており、 前記対向する焼付電極が形成されている個所以
外のセラミツクス基体に、他の焼付電極が形成さ
れ、該他の焼付電極の形成個所のセラミツクス基
体は高抵抗状態であることを特徴とする、セラミ
ツクス電子部品。 ２ 前記対向する焼付電極は、AlまたはZnを主
体とする電極であることを特徴とする、特許請求
の範囲第１項記載のセラミツクス電子部品。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2230884A JPS60165704A (ja) | 1984-02-08 | 1984-02-08 | セラミツクス電子部品 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2230884A JPS60165704A (ja) | 1984-02-08 | 1984-02-08 | セラミツクス電子部品 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60165704A JPS60165704A (ja) | 1985-08-28 |
| JPH0481842B2 true JPH0481842B2 (ja) | 1992-12-25 |
Family
ID=12079110
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2230884A Granted JPS60165704A (ja) | 1984-02-08 | 1984-02-08 | セラミツクス電子部品 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60165704A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63262815A (ja) * | 1987-04-20 | 1988-10-31 | 株式会社村田製作所 | セラミツクコンデンサの電極形成方法 |
-
1984
- 1984-02-08 JP JP2230884A patent/JPS60165704A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60165704A (ja) | 1985-08-28 |
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