JPH0481850B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0481850B2 JPH0481850B2 JP59223956A JP22395684A JPH0481850B2 JP H0481850 B2 JPH0481850 B2 JP H0481850B2 JP 59223956 A JP59223956 A JP 59223956A JP 22395684 A JP22395684 A JP 22395684A JP H0481850 B2 JPH0481850 B2 JP H0481850B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- chuck
- chuck plate
- base
- substrate
- Prior art date
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- Expired - Lifetime
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P95/00—Generic processes or apparatus for manufacture or treatments not covered by the other groups of this subclass
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、半導体ウエハ、バブルメモリウエハ
等に微細パターンを露光する露光装置において、
特に、ウエハ等の基板表面を平坦化するのに好適
な基板変形チヤツクに関する。[Detailed Description of the Invention] [Field of Application of the Invention] The present invention relates to an exposure apparatus that exposes fine patterns on semiconductor wafers, bubble memory wafers, etc.
In particular, the present invention relates to a substrate deforming chuck suitable for flattening the surface of a substrate such as a wafer.
従来の装置は、特開昭59−106118号に記載され
ているように、ウエハを変形するピエゾ素子とウ
エハ吸着用薄板とを真空圧により接触させ、ピエ
ゾ素子を伸縮させることによりウエハ吸着用薄板
に吸着されたウエハを部分的に変形する構造とな
つていた。しかし、この装置では、ウエハ全面を
平坦化するためには、ピエゾ素子の配列密度を高
くする必要があり、構造が複雑になるという問題
があつた。また、ウエハ吸着用薄板とピエゾ素子
間が真空吸着されており、かつこの薄板は、ウエ
ハより大きくなくてはならないためウエハの裏面
を吸着して、ウエハチヤツクに、ローデイング又
はアンローデイングすることが構造的に困難であ
るという問題があつた。
As described in Japanese Unexamined Patent Publication No. 106118/1983, the conventional device uses vacuum pressure to bring a piezo element that deforms the wafer into contact with a thin plate for wafer suction, and expands and contracts the piezo element to create a thin plate for wafer suction. It was designed to partially deform the wafer that was attracted to it. However, in this device, in order to flatten the entire surface of the wafer, it is necessary to increase the arrangement density of the piezo elements, resulting in a problem that the structure becomes complicated. Furthermore, since the wafer suction thin plate and the piezo element are vacuum suctioned, and this thin plate must be larger than the wafer, it is structurally difficult to suction the back side of the wafer and load or unload it into the wafer chuck. The problem was that it was difficult to
本発明の目的は、従来技術の問題点を解決すべ
く、基板を表面に真空吸着し、且つ可撓性を有す
るチヤツク板を変形させて基板を変形させるピエ
ゾ素子からなる各上下動駆動素子の構造を簡素化
すると共に該複数の上下動駆動素子を配置させた
基板変形チヤツクの全体の構成をも簡素化し、更
にチヤツク板の周辺部に、基板の裏面を吸着した
ハンドラーが入り込めるようにして該ハンドラー
によつてチヤツク板の表面に基板を搬送して載置
可能した基板変形チヤツクを提供することにあ
る。
An object of the present invention is to solve the problems of the prior art by vacuum suctioning a substrate onto its surface, and by deforming a flexible chuck plate to deform the substrate. In addition to simplifying the structure, the overall configuration of the board deforming chuck in which the plurality of vertical movement driving elements are arranged is also simplified, and furthermore, the handler that has sucked the back side of the board can enter the periphery of the chuck board. It is an object of the present invention to provide a substrate deformable chuck in which a substrate can be transferred and placed on the surface of a chuck board by a handler.
本発明は、上記目的を達成するために、基板を
表面に真空吸着し、且つ可撓性を有するチヤツク
板と、該チヤツク板の裏面側に所定の間隔を設け
て配置されたベースと、該ベースに所定の間隔で
締着された複数のベースリングと、前記チヤツク
板と前記ベースリングとの間に該ベースリングに
対応させて設置し、且つ前記チヤツク板の裏面に
一端を締着固定すると共に該一端付近に微回動変
形し得るようにくびれ部を有し、更に前記ベース
リングとの間で軸方向に微動できるように連結す
る複数の連結ロツドと、前記各連結ロツドのくび
れ部の鍔と前記各ベースリングとの間で絶縁プレ
ートを介して各連結ロツドを貫挿させて挟み込む
ようにして取り付けられ、リング板状のピエゾ素
子を多数枚積層して形成された複数の積層ピエゾ
素子とを備え、該各積層ピエゾ素子に印加する印
加電圧を制御駆動して各積層ピエゾ素子を伸縮さ
せて前記ベースリングに対して前記連結ロツドを
軸方向に微動させると共にくびれ部を微回動変形
させて前記チヤツク板を変形させ、該変形したチ
ヤツク板に倣つて真空吸着した基板を変形させる
ように構成したことを特徴とする基板変形チヤツ
クである。
In order to achieve the above-mentioned object, the present invention includes: a flexible chuck plate on which a substrate is vacuum-adsorbed; a base disposed at a predetermined interval on the back side of the chuck plate; A plurality of base rings are fastened to the base at predetermined intervals, and are installed between the chuck plate and the base ring so as to correspond to the base rings, and one end is fastened and fixed to the back surface of the chuck plate. and a plurality of connecting rods having constricted portions near the one end so as to be capable of slight rotational deformation, and further connected to the base ring so as to be capable of slight movement in the axial direction; and a constricted portion of each of the connecting rods. A plurality of laminated piezo elements formed by laminating a large number of ring plate-shaped piezo elements, which are attached by penetrating and sandwiching each connecting rod between the collar and each of the base rings via an insulating plate. and controlling and driving the applied voltage applied to each laminated piezo element to expand and contract each laminated piezo element to slightly move the connecting rod in the axial direction with respect to the base ring and slightly rotationally deform the constriction part. This substrate deforming chuck is characterized in that the chuck plate is deformed by deforming the chuck plate, and the vacuum-adsorbed substrate is deformed to follow the deformed chuck plate.
以下、本発明の一実施例を図面に従つて説明す
る。
An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.
第1図、第2図は、本発明のウエハ平坦化チヤ
ツクの一実施例を示す構成図である。本ウエハチ
ヤツクは、ウエハ1を真空吸着するウエハチヤツ
ク板2と弾性支持部3をもつ多数の上下動素子
4、及びベース5から構成されている。ウエハ吸
着板2と上下動素子4とは、弾性支持部3を介し
て直結されており、上下動素子4を上下すること
により、ウエハチヤツク板2を変形することがで
きる。ウエハチヤツク板2は、アルミニウム、ガ
ラス板、シリコン、ステンレスあるいはリン青銅
製の薄板を用い、表面にはウエハ1を吸着するた
めのランド部6と、真空吸引口7を設けている。 FIGS. 1 and 2 are block diagrams showing one embodiment of the wafer planarization chuck of the present invention. This wafer chuck is comprised of a wafer chuck plate 2 for vacuum suctioning a wafer 1, a number of vertically moving elements 4 having elastic support portions 3, and a base 5. The wafer suction plate 2 and the vertical movement element 4 are directly connected through the elastic support part 3, and by moving the vertical movement element 4 up and down, the wafer chuck plate 2 can be deformed. The wafer chuck plate 2 is a thin plate made of aluminum, glass, silicon, stainless steel, or phosphor bronze, and has a land portion 6 for sucking the wafer 1 and a vacuum suction port 7 on its surface.
上下動素子4は、ウエハ1を平坦化するのに充
分なストロークをもつことが必要である。ウエハ
1のそり、うねり(厚さむら)は、10〜20μm以
下であるため、上下動素子4のストロークは、30
〜50μmで十分である。この上下動素子4とし
て、本発明の用途に最適なものに、印加電圧によ
り伸縮するピエゾ素子がある。 The vertical movement element 4 needs to have a stroke sufficient to flatten the wafer 1. Since the warpage and waviness (thickness unevenness) of the wafer 1 is less than 10 to 20 μm, the stroke of the vertical motion element 4 is 30 μm or less.
~50 μm is sufficient. As the vertically moving element 4, a piezo element that expands and contracts depending on an applied voltage is most suitable for the use of the present invention.
第3図は、本ウエハチヤツクの上下動素子4と
して、ピエゾ素子を用いた時の構成を示してい
る。 FIG. 3 shows a configuration in which a piezo element is used as the vertical movement element 4 of the present wafer chuck.
ピエゾ素子10には、リング板状のピエゾ素子
を複数枚積層し、DC500V印加でストローク30〜
50μm発生するものを使用する。このピエゾ素子
10は、上下2枚の絶縁プレート11を介して、
接続ロツド12と、ベースリング13の間に取り
つけられている。なお、接続ロツド12と、ベー
スリング13とを、サラバネ14を介して、ナツ
ト15で固定することにより、ピエゾ素子10
に、上下方向以外の力が加わつた時のピエゾ素子
10の破損を防ぐ構造とした。ベースリング13
は、ベース5と取付ボルト16により固定されて
いる。 The piezo element 10 is made by stacking multiple ring plate-shaped piezo elements, and when DC500V is applied, the stroke is 30 ~
Use one that generates 50 μm. This piezo element 10 is connected via two upper and lower insulating plates 11.
It is attached between the connecting rod 12 and the base ring 13. Note that by fixing the connecting rod 12 and the base ring 13 with a nut 15 via a counter spring 14, the piezo element 10
In addition, it has a structure that prevents damage to the piezo element 10 when force other than in the vertical direction is applied. base ring 13
is fixed to the base 5 with mounting bolts 16.
接続ロツド12の上端部には、くびれを持つ弾
性支持部3を設け、この先端を、ウエハチヤツク
板2とネジ17により接続する構造となつてい
る。この弾性支持部3は、各上下動素子の上下変
位により変形するウエハチヤツク板2の傾きに対
して剛性が低く、反面、上下方向の剛性が高い接
続部となるように、設計したくびれ3を有するも
のである。 An elastic support portion 3 having a constriction is provided at the upper end of the connecting rod 12, and the tip thereof is connected to the wafer chuck plate 2 by a screw 17. This elastic support part 3 has a constriction 3 designed to have low rigidity against the inclination of the wafer chuck plate 2 that is deformed by the vertical displacement of each vertical movement element, but on the other hand, to form a connection part with high rigidity in the vertical direction. It is something.
第4,5図は、以上述べたウエハ平坦化チヤツ
クによりウエハを平坦化する方法を示したもので
ある。 4 and 5 show a method of planarizing a wafer using the wafer planarizing chuck described above.
まず、第4図に示すように、そりあるいはうね
り(厚さむら)のあるウエハ1を、ウエハチヤツ
ク板2に固定する。ウエハ1のそりは、ウエハチ
ヤツク板2に真空吸着することにより、なくなる
が、うねり(厚さむら)は、残るため、ウエハ1
の平坦度は、第4図の如くなる。ウエハ1の表面
の平坦度は、ウエハ平坦度測定器20で測定す
る。ウエハ平坦度測定器20は、公知技術である
レーザ干渉稿法あるいは、静電容量形センサによ
る平坦度測定器を用いる。 First, as shown in FIG. 4, a wafer 1 having warps or undulations (uneven thickness) is fixed to a wafer chuck plate 2. As shown in FIG. Although the warpage of the wafer 1 is eliminated by vacuum adsorption to the wafer chuck plate 2, the waviness (thickness unevenness) remains.
The flatness is as shown in Fig. 4. The flatness of the surface of the wafer 1 is measured by a wafer flatness measuring device 20. The wafer flatness measuring device 20 uses a known technique such as a laser interference method or a flatness measuring device using a capacitive sensor.
第5図は、第4図で測定したウエハ平坦度測定
結果より、各上下動素子4(ピエゾ素子)の伸縮
量をコンピユータで演算し、ピエゾドライバ22
より各上下動素子4に電圧を印加して、ウエハ1
を平坦化した状態を示している。 FIG. 5 shows that the amount of expansion and contraction of each vertically moving element 4 (piezo element) is calculated using a computer based on the wafer flatness measurement results measured in FIG.
By applying a voltage to each vertically moving element 4, the wafer 1
The figure shows a flattened state.
ウエハチヤツク板2は、上下動素子4の伸縮に
より、弾性変形し、ウエハ1は、ウエハチヤツク
板2とともに変形される。この時、上下動素子2
はベース5に固定されているため、ウエハチヤツ
ク面2と上下動素子2との間の傾斜は、弾性支持
部3で吸収される。 The wafer chuck plate 2 is elastically deformed by the expansion and contraction of the vertical movement element 4, and the wafer 1 is deformed together with the wafer chuck plate 2. At this time, vertical movement element 2
is fixed to the base 5, the inclination between the wafer chuck surface 2 and the vertical movement element 2 is absorbed by the elastic support portion 3.
次に、本ウエハ平坦化チヤツクにウエハ1をロ
ーデイングする方法の一実施例を第6図、第7図
に示す。 Next, an embodiment of the method of loading the wafer 1 into the present wafer planarization chuck is shown in FIGS. 6 and 7.
本ウエハチヤツクには、中央部に、リフター
(例えば小形シリンダ、DCソレノイド、あるいは
モータとネジによる直進機構、カム機構等)30
を設け、この先端にウエハ1の裏面を吸着する真
空パツド31を有している。ウエハチヤツク板2
とリフター30との間には、シールリング32を
設けている。 This wafer chuck has a lifter (for example, a small cylinder, a DC solenoid, a linear mechanism using a motor and a screw, a cam mechanism, etc.) 30 in the center.
A vacuum pad 31 is provided at the tip of the wafer 1 to attract the back surface of the wafer 1. Uehachiku board 2
A seal ring 32 is provided between the lifter 30 and the lifter 30.
第6図は、ウエハ1をウエハチヤツクにニロー
デイングする状態を示している。まず、ウエハハ
ンドラー33でウエハ1の左右端裏面を真空チヤ
ツク34で吸着し、ウエハチヤツクの上に移動す
る。次にリフタ30により上昇した真空パツド3
1に、ウエハ1を受けわたす。 FIG. 6 shows the state in which the wafer 1 is loaded onto a wafer chuck. First, the wafer handler 33 picks up the left and right rear surfaces of the wafer 1 with the vacuum chuck 34, and moves it onto the wafer chuck. Next, the vacuum pad 3 lifted by the lifter 30
The wafer 1 is transferred to the wafer 1.
第7図は、ウエハローデイングを完了した状態
を示している。 FIG. 7 shows a state in which wafer loading has been completed.
ウエハ1が、真空パツド31に吸着されると、
ウエハハンドラー33は、ウエハ1の真空吸着を
解除し、ウエハ1の裏面から左右に退避し、次
に、ウエハ1は、リフター30の下降とともに、
ウエハチヤツク板2上に下降する。ウエハ1は、
ウエハチヤツク板2上に、真空吸着され、ローデ
イングを完了する。なお、ウエハのアンローデイ
ングは、以上の逆のシーケンスをたどることによ
り可能である。 When the wafer 1 is attracted to the vacuum pad 31,
The wafer handler 33 releases the vacuum suction of the wafer 1 and retreats from the back side of the wafer 1 to the left and right, and then, as the lifter 30 descends, the wafer 1
The wafer is lowered onto the chuck board 2. Wafer 1 is
The wafer is vacuum-adsorbed onto the chuck plate 2, and loading is completed. Note that the wafer can be unloaded by following the above sequence in reverse.
このように、本ウエハ平坦化チヤツクは、ウエ
ハ1の表面へ接触することなく、ウエハ1をロー
デイング、アンローデイングすることができる。 In this manner, the present wafer planarization chuck can load and unload the wafer 1 without contacting the surface of the wafer 1.
第8図、第9図は、ウエハ平坦化チヤツクにウ
エハ1をローデイングするもう1つの方法を示し
ている。 8 and 9 illustrate another method of loading a wafer 1 into a wafer planarization chuck.
ウエハチヤツク板2の両端に、ウエハハンドラ
ー33が下降できる切り欠き35を設けている。 Cutouts 35 are provided at both ends of the wafer chuck plate 2 so that the wafer handler 33 can be lowered.
まず、ウエハ1は、左右両端の裏面をウエハハ
ンドラー33の真空チヤツク34で支持された状
態でウエハチヤツク板2上に上方からセツトされ
る。 First, the wafer 1 is set from above on the wafer chuck plate 2 with the back surfaces of both left and right ends supported by the vacuum chucks 34 of the wafer handler 33.
次に、ウエハチヤツク板2にウエハ1を真空吸
着すると同時に、ウエハハンドラー33の真空吸
着を解除することにより、ウエハローデイングが
完了する。本方法は、第6、第7図に示す方法と
異なり、ウエハチヤツク内にリフター30のよう
な機構が不要であるが、反面、ウエハハンドラー
33の動作が複雑になる。 Next, wafer loading is completed by vacuum suctioning the wafer 1 to the wafer chuck plate 2 and simultaneously releasing the vacuum suction of the wafer handler 33. Unlike the methods shown in FIGS. 6 and 7, this method does not require a mechanism such as the lifter 30 in the wafer chuck, but on the other hand, the operation of the wafer handler 33 becomes complicated.
本発明によれば、基板を表面に真空吸着し、且
つ可撓性を有するチヤツク板を変形させて基板を
変形させるピエゾ素子からなる各上下動駆動素子
を前記チヤツク板に直接結合支持するように構成
したので、前記ピエゾ素子からなる各上下動駆動
素子の構造を簡素化すると共に該複数の上下動駆
動素子を配置させた基板変形チヤツクの全体の構
成をも簡素化し、更にチヤツク板の周辺部に、基
板の裏面を吸着したハンドラーが入り込めるよう
にして該ハンドラーによつてチヤツク板の表面に
基板を搬送して載置可能した効果を奏する。また
本発明をX線露光装置等のプロキシミテイ露光装
置に適用した場合、微細な回路パターンを高解像
度で露光することができる。
According to the present invention, each vertical movement driving element, which is a piezo element that vacuum-chucks a substrate onto the surface and deforms a flexible chuck plate to deform the substrate, is directly connected and supported to the chuck plate. This structure simplifies the structure of each vertically movable drive element made of the piezo element, and also simplifies the overall structure of the substrate deformable chuck in which the plurality of vertically movable drive elements are arranged, and furthermore, the peripheral part of the chuck plate is simplified. Another advantage is that the handler that has sucked the back side of the substrate can enter the handler, and the handler can transport and place the substrate on the front surface of the chuck board. Furthermore, when the present invention is applied to a proximity exposure apparatus such as an X-ray exposure apparatus, fine circuit patterns can be exposed with high resolution.
第1図は、ウエハ平坦化チヤツクの平面図、第
2図は、第1図の中央断面図、第3図は、第1図
の上下動素子の詳細断面図、第4,5図は、ウエ
ハ平坦化の方法を示す説明図、第6,7図は、ウ
エハローデイング方法の一実施例を示す断面図、
第8図は、ウエハローデイング方法の他の実施例
を示す平面図、第9図は、第8図の中央断面図で
ある。
1……ウエハ、2……ウエハチヤツク板、3…
…弾性支持部、4……上下動素子、5……ベー
ス、10……ピエゾ素子、20……ウエハ平坦度
測定器、30……リフタ、33……ウエハハンド
ラー。
FIG. 1 is a plan view of the wafer flattening chuck, FIG. 2 is a central sectional view of FIG. 1, FIG. 3 is a detailed sectional view of the vertical movement element of FIG. 1, and FIGS. An explanatory diagram showing a wafer flattening method, FIGS. 6 and 7 are cross-sectional views showing an example of a wafer loading method,
FIG. 8 is a plan view showing another embodiment of the wafer loading method, and FIG. 9 is a sectional view at the center of FIG. 1... Wafer, 2... Wafer chuck board, 3...
. . . elastic support portion, 4 . . . vertical movement element, 5 . . . base, 10 . . . piezo element, 20 .
Claims (1)
るチヤツク板と、該チヤツク板の裏面側に所定の
間隔を設けて配置されたベースと、該ベースに所
定の間隔で締着された複数のベースリングと、前
記チヤツク板と前記ベースリングとの間に該ベー
スリングに対応させて配置し、且つ前記チヤツク
板の裏面に一端を締着固定すると共に該一端付近
に微回動変形し得るようにくびれ部を有し、更に
前記ベースリングとの間で軸方向に微動できるよ
うに連結する複数の連結ロツドと、前記各連結ロ
ツドのくびれ部の鍔と前記各ベースリングとの間
で絶縁プレートを介して各連結ロツドを貫挿させ
て挟み込むようにして取り付けられ、リング板状
のビエゾ素子を多数枚積層して形成された複数の
積層ピエゾ素子とを備え、該各積層ピエゾ素子に
印加する印加電圧を制御駆動して各積層ピエゾ素
子を伸縮させて前記ベースリングに対して前記連
結ロツドを軸方向に微動させると共にくびれ部を
微回動変形させて前記チヤツク板を変形させ、該
変形したチヤツク板に倣つて真空吸着した基板を
変形させるように構成したことを特徴とする基板
変形チヤツク。 2 前記チヤツク板の中央位置に、該チヤツク板
の下方から該チヤツク板を通して上下動するリフ
ト機構を備え、該リフト機構の上端に前記基板の
裏面を吸着して前記基板をチヤツク板の表面に対
して昇降可能に構成したことを特徴とする特許請
求の範囲第1項記載の基板変形チヤツク。[Scope of Claims] 1. A flexible chuck plate on which a substrate is vacuum-adsorbed, a base disposed at a predetermined interval on the back side of the chuck plate, and a predetermined interval at the base. A plurality of base rings are arranged between the chuck plate and the base ring to correspond to the base rings, and one end is fastened and fixed to the back surface of the chuck plate, and a plurality of base rings are fastened to the base ring, and a plurality of connecting rods having constricted portions so as to be capable of slight rotational deformation and further connected to the base ring so as to be capable of slight movement in the axial direction; a flange of the constricted portion of each of the connecting rods; and each of the bases; A plurality of laminated piezo elements formed by laminating a large number of ring plate-shaped piezo elements, each connecting rod being inserted and sandwiched between the piezo ring and the ring through an insulating plate. The applied voltage applied to each laminated piezo element is controlled and driven to expand and contract each laminated piezo element, thereby slightly moving the connecting rod in the axial direction with respect to the base ring, and slightly rotationally deforming the constricted portion to remove the chuck plate. 1. A substrate deforming chuck characterized in that it is configured to deform a chuck plate and deform a vacuum-adsorbed substrate to follow the deformed chuck plate. 2. A lift mechanism is provided at the center of the chuck plate and moves up and down through the chuck plate from below the chuck plate, and the lift mechanism attracts the back side of the substrate to the upper end of the lift mechanism to lift the substrate against the surface of the chuck plate. 2. The substrate deformable chuck according to claim 1, characterized in that the chuck is configured to be able to be raised and lowered.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59223956A JPS61102735A (en) | 1984-10-26 | 1984-10-26 | Flattening chuck for thin board |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59223956A JPS61102735A (en) | 1984-10-26 | 1984-10-26 | Flattening chuck for thin board |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61102735A JPS61102735A (en) | 1986-05-21 |
| JPH0481850B2 true JPH0481850B2 (en) | 1992-12-25 |
Family
ID=16806328
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59223956A Granted JPS61102735A (en) | 1984-10-26 | 1984-10-26 | Flattening chuck for thin board |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61102735A (en) |
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1984
- 1984-10-26 JP JP59223956A patent/JPS61102735A/en active Granted
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61102735A (en) | 1986-05-21 |
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