JPH0481850B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0481850B2 JPH0481850B2 JP59223956A JP22395684A JPH0481850B2 JP H0481850 B2 JPH0481850 B2 JP H0481850B2 JP 59223956 A JP59223956 A JP 59223956A JP 22395684 A JP22395684 A JP 22395684A JP H0481850 B2 JPH0481850 B2 JP H0481850B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- chuck
- chuck plate
- base
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P95/00—Generic processes or apparatus for manufacture or treatments not covered by the other groups of this subclass
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、半導体ウエハ、バブルメモリウエハ
等に微細パターンを露光する露光装置において、
特に、ウエハ等の基板表面を平坦化するのに好適
な基板変形チヤツクに関する。
等に微細パターンを露光する露光装置において、
特に、ウエハ等の基板表面を平坦化するのに好適
な基板変形チヤツクに関する。
従来の装置は、特開昭59−106118号に記載され
ているように、ウエハを変形するピエゾ素子とウ
エハ吸着用薄板とを真空圧により接触させ、ピエ
ゾ素子を伸縮させることによりウエハ吸着用薄板
に吸着されたウエハを部分的に変形する構造とな
つていた。しかし、この装置では、ウエハ全面を
平坦化するためには、ピエゾ素子の配列密度を高
くする必要があり、構造が複雑になるという問題
があつた。また、ウエハ吸着用薄板とピエゾ素子
間が真空吸着されており、かつこの薄板は、ウエ
ハより大きくなくてはならないためウエハの裏面
を吸着して、ウエハチヤツクに、ローデイング又
はアンローデイングすることが構造的に困難であ
るという問題があつた。
ているように、ウエハを変形するピエゾ素子とウ
エハ吸着用薄板とを真空圧により接触させ、ピエ
ゾ素子を伸縮させることによりウエハ吸着用薄板
に吸着されたウエハを部分的に変形する構造とな
つていた。しかし、この装置では、ウエハ全面を
平坦化するためには、ピエゾ素子の配列密度を高
くする必要があり、構造が複雑になるという問題
があつた。また、ウエハ吸着用薄板とピエゾ素子
間が真空吸着されており、かつこの薄板は、ウエ
ハより大きくなくてはならないためウエハの裏面
を吸着して、ウエハチヤツクに、ローデイング又
はアンローデイングすることが構造的に困難であ
るという問題があつた。
本発明の目的は、従来技術の問題点を解決すべ
く、基板を表面に真空吸着し、且つ可撓性を有す
るチヤツク板を変形させて基板を変形させるピエ
ゾ素子からなる各上下動駆動素子の構造を簡素化
すると共に該複数の上下動駆動素子を配置させた
基板変形チヤツクの全体の構成をも簡素化し、更
にチヤツク板の周辺部に、基板の裏面を吸着した
ハンドラーが入り込めるようにして該ハンドラー
によつてチヤツク板の表面に基板を搬送して載置
可能した基板変形チヤツクを提供することにあ
る。
く、基板を表面に真空吸着し、且つ可撓性を有す
るチヤツク板を変形させて基板を変形させるピエ
ゾ素子からなる各上下動駆動素子の構造を簡素化
すると共に該複数の上下動駆動素子を配置させた
基板変形チヤツクの全体の構成をも簡素化し、更
にチヤツク板の周辺部に、基板の裏面を吸着した
ハンドラーが入り込めるようにして該ハンドラー
によつてチヤツク板の表面に基板を搬送して載置
可能した基板変形チヤツクを提供することにあ
る。
本発明は、上記目的を達成するために、基板を
表面に真空吸着し、且つ可撓性を有するチヤツク
板と、該チヤツク板の裏面側に所定の間隔を設け
て配置されたベースと、該ベースに所定の間隔で
締着された複数のベースリングと、前記チヤツク
板と前記ベースリングとの間に該ベースリングに
対応させて設置し、且つ前記チヤツク板の裏面に
一端を締着固定すると共に該一端付近に微回動変
形し得るようにくびれ部を有し、更に前記ベース
リングとの間で軸方向に微動できるように連結す
る複数の連結ロツドと、前記各連結ロツドのくび
れ部の鍔と前記各ベースリングとの間で絶縁プレ
ートを介して各連結ロツドを貫挿させて挟み込む
ようにして取り付けられ、リング板状のピエゾ素
子を多数枚積層して形成された複数の積層ピエゾ
素子とを備え、該各積層ピエゾ素子に印加する印
加電圧を制御駆動して各積層ピエゾ素子を伸縮さ
せて前記ベースリングに対して前記連結ロツドを
軸方向に微動させると共にくびれ部を微回動変形
させて前記チヤツク板を変形させ、該変形したチ
ヤツク板に倣つて真空吸着した基板を変形させる
ように構成したことを特徴とする基板変形チヤツ
クである。
表面に真空吸着し、且つ可撓性を有するチヤツク
板と、該チヤツク板の裏面側に所定の間隔を設け
て配置されたベースと、該ベースに所定の間隔で
締着された複数のベースリングと、前記チヤツク
板と前記ベースリングとの間に該ベースリングに
対応させて設置し、且つ前記チヤツク板の裏面に
一端を締着固定すると共に該一端付近に微回動変
形し得るようにくびれ部を有し、更に前記ベース
リングとの間で軸方向に微動できるように連結す
る複数の連結ロツドと、前記各連結ロツドのくび
れ部の鍔と前記各ベースリングとの間で絶縁プレ
ートを介して各連結ロツドを貫挿させて挟み込む
ようにして取り付けられ、リング板状のピエゾ素
子を多数枚積層して形成された複数の積層ピエゾ
素子とを備え、該各積層ピエゾ素子に印加する印
加電圧を制御駆動して各積層ピエゾ素子を伸縮さ
せて前記ベースリングに対して前記連結ロツドを
軸方向に微動させると共にくびれ部を微回動変形
させて前記チヤツク板を変形させ、該変形したチ
ヤツク板に倣つて真空吸着した基板を変形させる
ように構成したことを特徴とする基板変形チヤツ
クである。
以下、本発明の一実施例を図面に従つて説明す
る。
る。
第１図、第２図は、本発明のウエハ平坦化チヤ
ツクの一実施例を示す構成図である。本ウエハチ
ヤツクは、ウエハ１を真空吸着するウエハチヤツ
ク板２と弾性支持部３をもつ多数の上下動素子
４、及びベース５から構成されている。ウエハ吸
着板２と上下動素子４とは、弾性支持部３を介し
て直結されており、上下動素子４を上下すること
により、ウエハチヤツク板２を変形することがで
きる。ウエハチヤツク板２は、アルミニウム、ガ
ラス板、シリコン、ステンレスあるいはリン青銅
製の薄板を用い、表面にはウエハ１を吸着するた
めのランド部６と、真空吸引口７を設けている。
ツクの一実施例を示す構成図である。本ウエハチ
ヤツクは、ウエハ１を真空吸着するウエハチヤツ
ク板２と弾性支持部３をもつ多数の上下動素子
４、及びベース５から構成されている。ウエハ吸
着板２と上下動素子４とは、弾性支持部３を介し
て直結されており、上下動素子４を上下すること
により、ウエハチヤツク板２を変形することがで
きる。ウエハチヤツク板２は、アルミニウム、ガ
ラス板、シリコン、ステンレスあるいはリン青銅
製の薄板を用い、表面にはウエハ１を吸着するた
めのランド部６と、真空吸引口７を設けている。
上下動素子４は、ウエハ１を平坦化するのに充
分なストロークをもつことが必要である。ウエハ
１のそり、うねり（厚さむら）は、10〜20μｍ以
下であるため、上下動素子４のストロークは、30
〜50μｍで十分である。この上下動素子４とし
て、本発明の用途に最適なものに、印加電圧によ
り伸縮するピエゾ素子がある。
分なストロークをもつことが必要である。ウエハ
１のそり、うねり（厚さむら）は、10〜20μｍ以
下であるため、上下動素子４のストロークは、30
〜50μｍで十分である。この上下動素子４とし
て、本発明の用途に最適なものに、印加電圧によ
り伸縮するピエゾ素子がある。
第３図は、本ウエハチヤツクの上下動素子４と
して、ピエゾ素子を用いた時の構成を示してい
る。
して、ピエゾ素子を用いた時の構成を示してい
る。
ピエゾ素子１０には、リング板状のピエゾ素子
を複数枚積層し、DC500V印加でストローク30〜
50μｍ発生するものを使用する。このピエゾ素子
１０は、上下２枚の絶縁プレート１１を介して、
接続ロツド１２と、ベースリング１３の間に取り
つけられている。なお、接続ロツド１２と、ベー
スリング１３とを、サラバネ１４を介して、ナツ
ト１５で固定することにより、ピエゾ素子１０
に、上下方向以外の力が加わつた時のピエゾ素子
１０の破損を防ぐ構造とした。ベースリング１３
は、ベース５と取付ボルト１６により固定されて
いる。
を複数枚積層し、DC500V印加でストローク30〜
50μｍ発生するものを使用する。このピエゾ素子
１０は、上下２枚の絶縁プレート１１を介して、
接続ロツド１２と、ベースリング１３の間に取り
つけられている。なお、接続ロツド１２と、ベー
スリング１３とを、サラバネ１４を介して、ナツ
ト１５で固定することにより、ピエゾ素子１０
に、上下方向以外の力が加わつた時のピエゾ素子
１０の破損を防ぐ構造とした。ベースリング１３
は、ベース５と取付ボルト１６により固定されて
いる。
接続ロツド１２の上端部には、くびれを持つ弾
性支持部３を設け、この先端を、ウエハチヤツク
板２とネジ１７により接続する構造となつてい
る。この弾性支持部３は、各上下動素子の上下変
位により変形するウエハチヤツク板２の傾きに対
して剛性が低く、反面、上下方向の剛性が高い接
続部となるように、設計したくびれ３を有するも
のである。
性支持部３を設け、この先端を、ウエハチヤツク
板２とネジ１７により接続する構造となつてい
る。この弾性支持部３は、各上下動素子の上下変
位により変形するウエハチヤツク板２の傾きに対
して剛性が低く、反面、上下方向の剛性が高い接
続部となるように、設計したくびれ３を有するも
のである。
第４，５図は、以上述べたウエハ平坦化チヤツ
クによりウエハを平坦化する方法を示したもので
ある。
クによりウエハを平坦化する方法を示したもので
ある。
まず、第４図に示すように、そりあるいはうね
り（厚さむら）のあるウエハ１を、ウエハチヤツ
ク板２に固定する。ウエハ１のそりは、ウエハチ
ヤツク板２に真空吸着することにより、なくなる
が、うねり（厚さむら）は、残るため、ウエハ１
の平坦度は、第４図の如くなる。ウエハ１の表面
の平坦度は、ウエハ平坦度測定器２０で測定す
る。ウエハ平坦度測定器２０は、公知技術である
レーザ干渉稿法あるいは、静電容量形センサによ
る平坦度測定器を用いる。
り（厚さむら）のあるウエハ１を、ウエハチヤツ
ク板２に固定する。ウエハ１のそりは、ウエハチ
ヤツク板２に真空吸着することにより、なくなる
が、うねり（厚さむら）は、残るため、ウエハ１
の平坦度は、第４図の如くなる。ウエハ１の表面
の平坦度は、ウエハ平坦度測定器２０で測定す
る。ウエハ平坦度測定器２０は、公知技術である
レーザ干渉稿法あるいは、静電容量形センサによ
る平坦度測定器を用いる。
第５図は、第４図で測定したウエハ平坦度測定
結果より、各上下動素子４（ピエゾ素子）の伸縮
量をコンピユータで演算し、ピエゾドライバ２２
より各上下動素子４に電圧を印加して、ウエハ１
を平坦化した状態を示している。
結果より、各上下動素子４（ピエゾ素子）の伸縮
量をコンピユータで演算し、ピエゾドライバ２２
より各上下動素子４に電圧を印加して、ウエハ１
を平坦化した状態を示している。
ウエハチヤツク板２は、上下動素子４の伸縮に
より、弾性変形し、ウエハ１は、ウエハチヤツク
板２とともに変形される。この時、上下動素子２
はベース５に固定されているため、ウエハチヤツ
ク面２と上下動素子２との間の傾斜は、弾性支持
部３で吸収される。
より、弾性変形し、ウエハ１は、ウエハチヤツク
板２とともに変形される。この時、上下動素子２
はベース５に固定されているため、ウエハチヤツ
ク面２と上下動素子２との間の傾斜は、弾性支持
部３で吸収される。
次に、本ウエハ平坦化チヤツクにウエハ１をロ
ーデイングする方法の一実施例を第６図、第７図
に示す。
ーデイングする方法の一実施例を第６図、第７図
に示す。
本ウエハチヤツクには、中央部に、リフター
（例えば小形シリンダ、DCソレノイド、あるいは
モータとネジによる直進機構、カム機構等）３０
を設け、この先端にウエハ１の裏面を吸着する真
空パツド３１を有している。ウエハチヤツク板２
とリフター３０との間には、シールリング３２を
設けている。
（例えば小形シリンダ、DCソレノイド、あるいは
モータとネジによる直進機構、カム機構等）３０
を設け、この先端にウエハ１の裏面を吸着する真
空パツド３１を有している。ウエハチヤツク板２
とリフター３０との間には、シールリング３２を
設けている。
第６図は、ウエハ１をウエハチヤツクにニロー
デイングする状態を示している。まず、ウエハハ
ンドラー３３でウエハ１の左右端裏面を真空チヤ
ツク３４で吸着し、ウエハチヤツクの上に移動す
る。次にリフタ３０により上昇した真空パツド３
１に、ウエハ１を受けわたす。
デイングする状態を示している。まず、ウエハハ
ンドラー３３でウエハ１の左右端裏面を真空チヤ
ツク３４で吸着し、ウエハチヤツクの上に移動す
る。次にリフタ３０により上昇した真空パツド３
１に、ウエハ１を受けわたす。
第７図は、ウエハローデイングを完了した状態
を示している。
を示している。
ウエハ１が、真空パツド３１に吸着されると、
ウエハハンドラー３３は、ウエハ１の真空吸着を
解除し、ウエハ１の裏面から左右に退避し、次
に、ウエハ１は、リフター３０の下降とともに、
ウエハチヤツク板２上に下降する。ウエハ１は、
ウエハチヤツク板２上に、真空吸着され、ローデ
イングを完了する。なお、ウエハのアンローデイ
ングは、以上の逆のシーケンスをたどることによ
り可能である。
ウエハハンドラー３３は、ウエハ１の真空吸着を
解除し、ウエハ１の裏面から左右に退避し、次
に、ウエハ１は、リフター３０の下降とともに、
ウエハチヤツク板２上に下降する。ウエハ１は、
ウエハチヤツク板２上に、真空吸着され、ローデ
イングを完了する。なお、ウエハのアンローデイ
ングは、以上の逆のシーケンスをたどることによ
り可能である。
このように、本ウエハ平坦化チヤツクは、ウエ
ハ１の表面へ接触することなく、ウエハ１をロー
デイング、アンローデイングすることができる。
ハ１の表面へ接触することなく、ウエハ１をロー
デイング、アンローデイングすることができる。
第８図、第９図は、ウエハ平坦化チヤツクにウ
エハ１をローデイングするもう１つの方法を示し
ている。
エハ１をローデイングするもう１つの方法を示し
ている。
ウエハチヤツク板２の両端に、ウエハハンドラ
ー３３が下降できる切り欠き３５を設けている。
ー３３が下降できる切り欠き３５を設けている。
まず、ウエハ１は、左右両端の裏面をウエハハ
ンドラー３３の真空チヤツク３４で支持された状
態でウエハチヤツク板２上に上方からセツトされ
る。
ンドラー３３の真空チヤツク３４で支持された状
態でウエハチヤツク板２上に上方からセツトされ
る。
次に、ウエハチヤツク板２にウエハ１を真空吸
着すると同時に、ウエハハンドラー３３の真空吸
着を解除することにより、ウエハローデイングが
完了する。本方法は、第６、第７図に示す方法と
異なり、ウエハチヤツク内にリフター３０のよう
な機構が不要であるが、反面、ウエハハンドラー
３３の動作が複雑になる。
着すると同時に、ウエハハンドラー３３の真空吸
着を解除することにより、ウエハローデイングが
完了する。本方法は、第６、第７図に示す方法と
異なり、ウエハチヤツク内にリフター３０のよう
な機構が不要であるが、反面、ウエハハンドラー
３３の動作が複雑になる。
本発明によれば、基板を表面に真空吸着し、且
つ可撓性を有するチヤツク板を変形させて基板を
変形させるピエゾ素子からなる各上下動駆動素子
を前記チヤツク板に直接結合支持するように構成
したので、前記ピエゾ素子からなる各上下動駆動
素子の構造を簡素化すると共に該複数の上下動駆
動素子を配置させた基板変形チヤツクの全体の構
成をも簡素化し、更にチヤツク板の周辺部に、基
板の裏面を吸着したハンドラーが入り込めるよう
にして該ハンドラーによつてチヤツク板の表面に
基板を搬送して載置可能した効果を奏する。また
本発明をＸ線露光装置等のプロキシミテイ露光装
置に適用した場合、微細な回路パターンを高解像
度で露光することができる。
つ可撓性を有するチヤツク板を変形させて基板を
変形させるピエゾ素子からなる各上下動駆動素子
を前記チヤツク板に直接結合支持するように構成
したので、前記ピエゾ素子からなる各上下動駆動
素子の構造を簡素化すると共に該複数の上下動駆
動素子を配置させた基板変形チヤツクの全体の構
成をも簡素化し、更にチヤツク板の周辺部に、基
板の裏面を吸着したハンドラーが入り込めるよう
にして該ハンドラーによつてチヤツク板の表面に
基板を搬送して載置可能した効果を奏する。また
本発明をＸ線露光装置等のプロキシミテイ露光装
置に適用した場合、微細な回路パターンを高解像
度で露光することができる。
第１図は、ウエハ平坦化チヤツクの平面図、第
２図は、第１図の中央断面図、第３図は、第１図
の上下動素子の詳細断面図、第４，５図は、ウエ
ハ平坦化の方法を示す説明図、第６，７図は、ウ
エハローデイング方法の一実施例を示す断面図、
第８図は、ウエハローデイング方法の他の実施例
を示す平面図、第９図は、第８図の中央断面図で
ある。 １……ウエハ、２……ウエハチヤツク板、３…
…弾性支持部、４……上下動素子、５……ベー
ス、１０……ピエゾ素子、２０……ウエハ平坦度
測定器、３０……リフタ、３３……ウエハハンド
ラー。
２図は、第１図の中央断面図、第３図は、第１図
の上下動素子の詳細断面図、第４，５図は、ウエ
ハ平坦化の方法を示す説明図、第６，７図は、ウ
エハローデイング方法の一実施例を示す断面図、
第８図は、ウエハローデイング方法の他の実施例
を示す平面図、第９図は、第８図の中央断面図で
ある。 １……ウエハ、２……ウエハチヤツク板、３…
…弾性支持部、４……上下動素子、５……ベー
ス、１０……ピエゾ素子、２０……ウエハ平坦度
測定器、３０……リフタ、３３……ウエハハンド
ラー。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 基板を表面に真空吸着し、且つ可撓性を有す
るチヤツク板と、該チヤツク板の裏面側に所定の
間隔を設けて配置されたベースと、該ベースに所
定の間隔で締着された複数のベースリングと、前
記チヤツク板と前記ベースリングとの間に該ベー
スリングに対応させて配置し、且つ前記チヤツク
板の裏面に一端を締着固定すると共に該一端付近
に微回動変形し得るようにくびれ部を有し、更に
前記ベースリングとの間で軸方向に微動できるよ
うに連結する複数の連結ロツドと、前記各連結ロ
ツドのくびれ部の鍔と前記各ベースリングとの間
で絶縁プレートを介して各連結ロツドを貫挿させ
て挟み込むようにして取り付けられ、リング板状
のビエゾ素子を多数枚積層して形成された複数の
積層ピエゾ素子とを備え、該各積層ピエゾ素子に
印加する印加電圧を制御駆動して各積層ピエゾ素
子を伸縮させて前記ベースリングに対して前記連
結ロツドを軸方向に微動させると共にくびれ部を
微回動変形させて前記チヤツク板を変形させ、該
変形したチヤツク板に倣つて真空吸着した基板を
変形させるように構成したことを特徴とする基板
変形チヤツク。 ２ 前記チヤツク板の中央位置に、該チヤツク板
の下方から該チヤツク板を通して上下動するリフ
ト機構を備え、該リフト機構の上端に前記基板の
裏面を吸着して前記基板をチヤツク板の表面に対
して昇降可能に構成したことを特徴とする特許請
求の範囲第１項記載の基板変形チヤツク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59223956A JPS61102735A (ja) | 1984-10-26 | 1984-10-26 | 基板変形チャック |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59223956A JPS61102735A (ja) | 1984-10-26 | 1984-10-26 | 基板変形チャック |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61102735A JPS61102735A (ja) | 1986-05-21 |
| JPH0481850B2 true JPH0481850B2 (ja) | 1992-12-25 |
Family
ID=16806328
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59223956A Granted JPS61102735A (ja) | 1984-10-26 | 1984-10-26 | 基板変形チャック |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61102735A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20150034262A (ko) * | 2010-12-20 | 2015-04-02 | 에베 그룹 에. 탈너 게엠베하 | 웨이퍼의 장착을 위한 수용 수단 |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01220440A (ja) * | 1988-02-29 | 1989-09-04 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | ウエハ平坦度制御方法及びその装置 |
| JPH0720267U (ja) * | 1993-09-17 | 1995-04-11 | 株式会社東日製作所 | トルクレンチ |
| JP3940823B2 (ja) * | 1994-12-26 | 2007-07-04 | 株式会社ニコン | ステージ装置及びその制御方法 |
| JP2010182866A (ja) * | 2009-02-05 | 2010-08-19 | Nikon Corp | 静電吸着保持装置、露光装置、露光方法及びデバイスの製造方法 |
| JP5524577B2 (ja) * | 2009-11-11 | 2014-06-18 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
| DE102012105218A1 (de) * | 2012-06-15 | 2013-12-19 | Epcos Ag | Haltevorrichtung zum Festhalten eines Wafers und Verfahren zur Befestigung eines Wafers |
| JP6178683B2 (ja) * | 2013-09-25 | 2017-08-09 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | 吸着ステージ、貼合装置、および貼合方法 |
| US11938563B2 (en) | 2016-10-20 | 2024-03-26 | Jsw Aktina System Co., Ltd. | Annealed workpiece manufacturing method, laser anneal base stage, and laser anneal processing apparatus |
| CN116403929A (zh) * | 2021-12-28 | 2023-07-07 | 拓荆键科(海宁)半导体设备有限公司 | 调整卡盘形变的系统及装置 |
-
1984
- 1984-10-26 JP JP59223956A patent/JPS61102735A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20150034262A (ko) * | 2010-12-20 | 2015-04-02 | 에베 그룹 에. 탈너 게엠베하 | 웨이퍼의 장착을 위한 수용 수단 |
| KR101866622B1 (ko) * | 2010-12-20 | 2018-06-11 | 에베 그룹 에. 탈너 게엠베하 | 웨이퍼의 장착을 위한 수용 수단 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61102735A (ja) | 1986-05-21 |
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