JPH0482055B2 - - Google Patents
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- JPH0482055B2 JPH0482055B2 JP60243051A JP24305185A JPH0482055B2 JP H0482055 B2 JPH0482055 B2 JP H0482055B2 JP 60243051 A JP60243051 A JP 60243051A JP 24305185 A JP24305185 A JP 24305185A JP H0482055 B2 JPH0482055 B2 JP H0482055B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electroplating
- coupling element
- substrate
- plate
- manufacturing
- Prior art date
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-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K7/00—Constructional details common to different types of electric apparatus
- H05K7/02—Arrangements of circuit components or wiring on supporting structure
- H05K7/10—Plug-in assemblages of components, e.g. IC sockets
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01R—ELECTRICALLY-CONDUCTIVE CONNECTIONS; STRUCTURAL ASSOCIATIONS OF A PLURALITY OF MUTUALLY-INSULATED ELECTRICAL CONNECTING ELEMENTS; COUPLING DEVICES; CURRENT COLLECTORS
- H01R43/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing, assembling, maintaining, or repairing of line connectors or current collectors or for joining electric conductors
- H01R43/16—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing, assembling, maintaining, or repairing of line connectors or current collectors or for joining electric conductors for manufacturing contact members, e.g. by punching and by bending
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01R—ELECTRICALLY-CONDUCTIVE CONNECTIONS; STRUCTURAL ASSOCIATIONS OF A PLURALITY OF MUTUALLY-INSULATED ELECTRICAL CONNECTING ELEMENTS; COUPLING DEVICES; CURRENT COLLECTORS
- H01R12/00—Structural associations of a plurality of mutually-insulated electrical connecting elements, specially adapted for printed circuits, e.g. printed circuit boards [PCB], flat or ribbon cables, or like generally planar structures, e.g. terminal strips, terminal blocks; Coupling devices specially adapted for printed circuits, flat or ribbon cables, or like generally planar structures; Terminals specially adapted for contact with, or insertion into, printed circuits, flat or ribbon cables, or like generally planar structures
- H01R12/50—Fixed connections
- H01R12/51—Fixed connections for rigid printed circuits or like structures
- H01R12/52—Fixed connections for rigid printed circuits or like structures connecting to other rigid printed circuits or like structures
- H01R12/523—Fixed connections for rigid printed circuits or like structures connecting to other rigid printed circuits or like structures by an interconnection through aligned holes in the boards or multilayer board
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01R—ELECTRICALLY-CONDUCTIVE CONNECTIONS; STRUCTURAL ASSOCIATIONS OF A PLURALITY OF MUTUALLY-INSULATED ELECTRICAL CONNECTING ELEMENTS; COUPLING DEVICES; CURRENT COLLECTORS
- H01R13/00—Details of coupling devices of the kinds covered by groups H01R12/70 or H01R24/00 - H01R33/00
- H01R13/02—Contact members
- H01R13/03—Contact members characterised by the material, e.g. plating, or coating materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01R43/02—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing, assembling, maintaining, or repairing of line connectors or current collectors or for joining electric conductors for soldered or welded connections
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
- Micromachines (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明はマイクロエレクトロニツク素子を電気
的に接続するための変形可能のマルチ結合の製法
に関する。
的に接続するための変形可能のマルチ結合の製法
に関する。
従来の技術
モノリシツク集積マイクロ回路のマイクロ接触
部を製造するため細かい金属線の一端をチツプの
接触部と結合し、チツプと結合すべきチツプホル
ダの接続電極を他端と結合することは公知であ
り、その際変形可能のマルチ結合が形成する（ケ
ストナ（Kaestner）著、“Halbleiter−
Technologie”，Vogel出版、ウルツブルク在、
1980年、第88頁〜第89頁参照）。この場合チツプ
ホルダ上の接続電極はチツプの接触部より著しく
大きい間隔を有することができ、したがつて接続
電極はプラグ接触として形成することができる。
それによつて大きい電子回路ユニツトへ容易に組
込および取りはずししうる差込可能のパーツが得
られるけれど、そのために必要な組込面積はチツ
プ面積の数倍になる。
部を製造するため細かい金属線の一端をチツプの
接触部と結合し、チツプと結合すべきチツプホル
ダの接続電極を他端と結合することは公知であ
り、その際変形可能のマルチ結合が形成する（ケ
ストナ（Kaestner）著、“Halbleiter−
Technologie”，Vogel出版、ウルツブルク在、
1980年、第88頁〜第89頁参照）。この場合チツプ
ホルダ上の接続電極はチツプの接触部より著しく
大きい間隔を有することができ、したがつて接続
電極はプラグ接触として形成することができる。
それによつて大きい電子回路ユニツトへ容易に組
込および取りはずししうる差込可能のパーツが得
られるけれど、そのために必要な組込面積はチツ
プ面積の数倍になる。
さらに接触部をチツプの全表面にわたつて分布
させ、多数のチツプを接触部によつて直接結合導
線を多層に含む共通のセラミツク基板へはんだ付
けすることが公知である（Flip−Chip bonding、
たとえばL.S.ゴルドマン（Goldman）、P.A.トツ
タ（Totta）、“Solid Stata Technology”第26
巻、第６版、1983年、第91頁〜第97頁参照）。そ
れによつて他の組込法より著しく高い集積密度お
よび著しく早い信号伝送時間を達成することがで
きる。この組込法の場合チツプの裏面は機械的ま
たは電気的構造物がないので、付加的に裏面を圧
着した金属円筒を介して水で冷却する可能性が生
ずる。
させ、多数のチツプを接触部によつて直接結合導
線を多層に含む共通のセラミツク基板へはんだ付
けすることが公知である（Flip−Chip bonding、
たとえばL.S.ゴルドマン（Goldman）、P.A.トツ
タ（Totta）、“Solid Stata Technology”第26
巻、第６版、1983年、第91頁〜第97頁参照）。そ
れによつて他の組込法より著しく高い集積密度お
よび著しく早い信号伝送時間を達成することがで
きる。この組込法の場合チツプの裏面は機械的ま
たは電気的構造物がないので、付加的に裏面を圧
着した金属円筒を介して水で冷却する可能性が生
ずる。
しかしチツプをセラミツク基板へ直接はんだ付
けすることはチツプと基板材料の膨張係数が異な
るため、温度変化の再チツプが大きいほどはんだ
結合の機械的負荷が大きくなる。それゆえさらに
チツプ表面を拡大し、導体および結合構造をさら
に微細にしようとする場合、固いはんだ結合破壊
の危険が著しく増大する。
けすることはチツプと基板材料の膨張係数が異な
るため、温度変化の再チツプが大きいほどはんだ
結合の機械的負荷が大きくなる。それゆえさらに
チツプ表面を拡大し、導体および結合構造をさら
に微細にしようとする場合、固いはんだ結合破壊
の危険が著しく増大する。
発明が解決しようとする問題点
本発明の目的はできるだけ小さい所要スペース
でチツプおよび基板または互いに結合すべき他の
同様に形成したエレクトロニツク素子の熱膨張の
差を補償する、マイクロエレクトロニツク素子を
電気的に接続するための、一定限度内で変形しう
るマルチ結合を製造することである。
でチツプおよび基板または互いに結合すべき他の
同様に形成したエレクトロニツク素子の熱膨張の
差を補償する、マイクロエレクトロニツク素子を
電気的に接続するための、一定限度内で変形しう
るマルチ結合を製造することである。
問題点を解決するための手段
この目的は本発明により特許請求の範囲第１項
特徴部に記載の手段によつて解決される。
特徴部に記載の手段によつて解決される。
本発明方法によれば、断面が高さ全体にわたつ
て一定でありかつ少なくとも１つの端部断面範囲
が残りの範囲よりも大きい断面を有する変形可能
な結合素子を製造することができる。
て一定でありかつ少なくとも１つの端部断面範囲
が残りの範囲よりも大きい断面を有する変形可能
な結合素子を製造することができる。
作 用
本発明によれば十分な限度内で変形しうる多数
の結合要素を、マイクロエレクトロニツク素子の
スペースの小さい組込に必要なきわめて小さい寸
法及び間隔をもつて、いつしよに製造して固定す
ることが可能になる。臨界的熱膨張平面内の十分
な変形性にもかかわらず、このように製造したマ
ルチ結合はこれと垂直の方向には十分に剛性であ
り、たとえば前記水冷の際冷却円筒の圧着圧力を
吸収することができる。さらに本発明により製造
した電気的マルチ結合によれば結合要素によつて
得られるチツプと基板の間の空間へガスを吹込む
強制冷却の可能性が開かれる。
の結合要素を、マイクロエレクトロニツク素子の
スペースの小さい組込に必要なきわめて小さい寸
法及び間隔をもつて、いつしよに製造して固定す
ることが可能になる。臨界的熱膨張平面内の十分
な変形性にもかかわらず、このように製造したマ
ルチ結合はこれと垂直の方向には十分に剛性であ
り、たとえば前記水冷の際冷却円筒の圧着圧力を
吸収することができる。さらに本発明により製造
した電気的マルチ結合によれば結合要素によつて
得られるチツプと基板の間の空間へガスを吹込む
強制冷却の可能性が開かれる。
実施例
次に本発明の実施例を図面により説明する。
第１図はポリメチルメタクリラート（PMMA）
からなる、以下にレジスト板１と称する板状材料
の断面を大きく拡大して示す。レジスト板１は約
500μｍの厚さを有し、Ｘ線マスク（図示されず）
を介してシンクロトロンのエネルギーの高いＸ線
により所定の約300μｍのラスタ間隔で局部的に
照射され、直径約30μｍの円筒形範囲１ａが発生
し、その溶解性はレジスト板１の照射されない範
囲より著しく上昇する。次にレジスト板の両側か
らそれぞれもう１回局部照射が同じラスタで行わ
れるけれど、その浸透深さは小さく、その直径は
約70μｍである。このように照射して可溶性にな
つた範囲１ａ，１ｂ，１ｃはたとえばドイツ連邦
共和国特許出願公開第3039110号明細書に記載さ
れた現像剤によつて除去されるので、結合要素の
パターン２を有する型が形成し、この場合パター
ン２は端部に短い拡大部（第２図）を有する。次
の工程でパターン２は電気メツキによりニツケル
で充填されるので、細い変形可能の中間部３ａお
よび太い端部３ｂ，３ｃを有する結合要素３が形
成する（第３図）。さらに第３図から明らかなよ
うに、レジスト板１の１面の一部１ｄは適当な浸
透深さの放射線照射および引続く溶出によつて除
去されるので、結合要素の太い端部範囲３ｃが露
出する。結合要素３の太い端部範囲３ｃをセラミ
ツク基板４の相当する嵌合孔４ａへ差込み、それ
によつて固定する（第４図）。嵌合孔４ａは一部
鉛／スズ合金４ｂで充填され、この合金は後の加
熱の際結合要素３と多層からなる基板４の導体路
５の間の電気的結合を保証する。次にレジスト板
１の残りの材料は溶剤で除去される。基板４に固
定した結合要素３の太い端部範囲３ｂへ同じラス
タに配置したはんだビードを備える接続部６を有
するチツプ７を配置し、全体を炉内で加熱する。
結合要素３は基板４の導体路５および接続部６と
はんだ結合される。
からなる、以下にレジスト板１と称する板状材料
の断面を大きく拡大して示す。レジスト板１は約
500μｍの厚さを有し、Ｘ線マスク（図示されず）
を介してシンクロトロンのエネルギーの高いＸ線
により所定の約300μｍのラスタ間隔で局部的に
照射され、直径約30μｍの円筒形範囲１ａが発生
し、その溶解性はレジスト板１の照射されない範
囲より著しく上昇する。次にレジスト板の両側か
らそれぞれもう１回局部照射が同じラスタで行わ
れるけれど、その浸透深さは小さく、その直径は
約70μｍである。このように照射して可溶性にな
つた範囲１ａ，１ｂ，１ｃはたとえばドイツ連邦
共和国特許出願公開第3039110号明細書に記載さ
れた現像剤によつて除去されるので、結合要素の
パターン２を有する型が形成し、この場合パター
ン２は端部に短い拡大部（第２図）を有する。次
の工程でパターン２は電気メツキによりニツケル
で充填されるので、細い変形可能の中間部３ａお
よび太い端部３ｂ，３ｃを有する結合要素３が形
成する（第３図）。さらに第３図から明らかなよ
うに、レジスト板１の１面の一部１ｄは適当な浸
透深さの放射線照射および引続く溶出によつて除
去されるので、結合要素の太い端部範囲３ｃが露
出する。結合要素３の太い端部範囲３ｃをセラミ
ツク基板４の相当する嵌合孔４ａへ差込み、それ
によつて固定する（第４図）。嵌合孔４ａは一部
鉛／スズ合金４ｂで充填され、この合金は後の加
熱の際結合要素３と多層からなる基板４の導体路
５の間の電気的結合を保証する。次にレジスト板
１の残りの材料は溶剤で除去される。基板４に固
定した結合要素３の太い端部範囲３ｂへ同じラス
タに配置したはんだビードを備える接続部６を有
するチツプ７を配置し、全体を炉内で加熱する。
結合要素３は基板４の導体路５および接続部６と
はんだ結合される。
その際結合要素３はその変形可能の中間部３ａ
によりチツプと基板の異なる熱膨張を補償する。
前記固定法の代りに基板４の導体路５を電気メツ
キ電極（陰極）として使用することもできる。こ
の場合、結合要素のパターン２を有する型を、パ
ターン２と基板４の嵌合孔４ａとの中心線が一致
するように基板４上へ直接に載置する。パターン
２の金属による充填後、レジスト板１の材料を除
去し、結合要素３を上述したようにチツプ７の接
続部６とはんだ付けする。いずれの場合にもチツ
プと基板の間に冷却ガスの吹抜けを可能にする中
間空間が形成する。
によりチツプと基板の異なる熱膨張を補償する。
前記固定法の代りに基板４の導体路５を電気メツ
キ電極（陰極）として使用することもできる。こ
の場合、結合要素のパターン２を有する型を、パ
ターン２と基板４の嵌合孔４ａとの中心線が一致
するように基板４上へ直接に載置する。パターン
２の金属による充填後、レジスト板１の材料を除
去し、結合要素３を上述したようにチツプ７の接
続部６とはんだ付けする。いずれの場合にもチツ
プと基板の間に冷却ガスの吹抜けを可能にする中
間空間が形成する。
本発明のもう１つの実施例によれば結合要素
は、母型（ないしはもと型）を型取り材料
（Abformmaterial）を用いて多数回型取りし、
その後こうして作つた二次型を電気メツキにより
金属で充填することによつて製造される。この方
法は、いわゆる電鋳法（Galvanoplastik）と呼
ばれ、この場合二次型と結合した電極が陰極とし
て接続され、メツキ浴（電解液）に溶解した金属
が陰極の上方で型内に沈殿（電着）し、こうして
金属での型の充填が行われる。その際第２図のよ
うにPMMAからなる板状材料１０ｂに局部照射
および材料の局部除去によつてパターン１０がつ
くられ、その際このパターンは型取りを考慮して
１端のみに太い端部範囲１０ａを有する。パター
ン１０は電気メツキにより電着でニツケルにより
充填され、その際電気メツキ電極はこのように製
造した一次結合要素１２に支持板１１として残る
（第６図）。部分１１および１２からなるこの母型
を使用してエネルギーに富む放射線によつてその
性質を変化しうる型取り材料、たとえば上記と同
様にPMMAによつて多数回型取りし、それによ
つて互いに隣接配置した変形可能の結合要素のパ
ターン１４を含む板状の二次型が得られる。この
型を第３図に準じて電気メツキにより電着で金属
たとえばニツケルで充填し、二次結合要素１５が
形成する（第７図）。この二次結合要素１５は細
い変形可能範囲１５ｂおよび太い端部範囲１５ａ
を有し、この太い範囲は二次型の一部１３ｂを適
当な浸透深さの放射線の照射および引続く溶出に
よつて除去した後、第４図のように基板に固定さ
れる。型の表面１３ａを超える過剰メツキによつ
てこの方法の場合も後にチツプ７の接続部６とは
んだ付けされる上側の太い端部範囲１５ｃをつく
ることができる。端部範囲１５ａを基板４（第４
図）に固定した後、残りの型取り材料１３を除去
する。
は、母型（ないしはもと型）を型取り材料
（Abformmaterial）を用いて多数回型取りし、
その後こうして作つた二次型を電気メツキにより
金属で充填することによつて製造される。この方
法は、いわゆる電鋳法（Galvanoplastik）と呼
ばれ、この場合二次型と結合した電極が陰極とし
て接続され、メツキ浴（電解液）に溶解した金属
が陰極の上方で型内に沈殿（電着）し、こうして
金属での型の充填が行われる。その際第２図のよ
うにPMMAからなる板状材料１０ｂに局部照射
および材料の局部除去によつてパターン１０がつ
くられ、その際このパターンは型取りを考慮して
１端のみに太い端部範囲１０ａを有する。パター
ン１０は電気メツキにより電着でニツケルにより
充填され、その際電気メツキ電極はこのように製
造した一次結合要素１２に支持板１１として残る
（第６図）。部分１１および１２からなるこの母型
を使用してエネルギーに富む放射線によつてその
性質を変化しうる型取り材料、たとえば上記と同
様にPMMAによつて多数回型取りし、それによ
つて互いに隣接配置した変形可能の結合要素のパ
ターン１４を含む板状の二次型が得られる。この
型を第３図に準じて電気メツキにより電着で金属
たとえばニツケルで充填し、二次結合要素１５が
形成する（第７図）。この二次結合要素１５は細
い変形可能範囲１５ｂおよび太い端部範囲１５ａ
を有し、この太い範囲は二次型の一部１３ｂを適
当な浸透深さの放射線の照射および引続く溶出に
よつて除去した後、第４図のように基板に固定さ
れる。型の表面１３ａを超える過剰メツキによつ
てこの方法の場合も後にチツプ７の接続部６とは
んだ付けされる上側の太い端部範囲１５ｃをつく
ることができる。端部範囲１５ａを基板４（第４
図）に固定した後、残りの型取り材料１３を除去
する。
選択した例では結合すべきマイクロエレクトロ
ニツク素子がチツプおよび基板であることを前提
にした。同様の方法で他のマイクロエレクトロニ
ツク素子を結合しうることは明らかである。たと
えばマイクロ回路の集積密度をさらに上昇するた
め、第４図に示す基板を、周縁に設けた接触部を
介して基板と結合しているもう１つのチツプと置
替えることができる。
ニツク素子がチツプおよび基板であることを前提
にした。同様の方法で他のマイクロエレクトロニ
ツク素子を結合しうることは明らかである。たと
えばマイクロ回路の集積密度をさらに上昇するた
め、第４図に示す基板を、周縁に設けた接触部を
介して基板と結合しているもう１つのチツプと置
替えることができる。
第１図、第２図、第３図および第４図は本発明
による製法の工程を示す概略断面図、第５図、第
６図および第７図は製法のもう１つの実施例の概
略断面図である。 １…レジスト板、１ａ…円筒形範囲、１ｂ，１
ｃ…太い範囲、２，１０，１４…パターン、３，
１２，１５…結合要素、４…セラミツク基板、４
ａ…嵌合孔、５…導体路、６…接続部、７…チツ
プ、１１…支持板、１３…型取り材料。
による製法の工程を示す概略断面図、第５図、第
６図および第７図は製法のもう１つの実施例の概
略断面図である。 １…レジスト板、１ａ…円筒形範囲、１ｂ，１
ｃ…太い範囲、２，１０，１４…パターン、３，
１２，１５…結合要素、４…セラミツク基板、４
ａ…嵌合孔、５…導体路、６…接続部、７…チツ
プ、１１…支持板、１３…型取り材料。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ マイクロエレクトロニツク素子を電気的に接
続するための変形可能のマルチ結合の製法におい
て、エネルギーの高い放射線によつてその性質が
変化する板状材料からこの材料の局部照射および
照射により生じた材料性質の差を利用した局部除
去によつて、所定の位置に高さが最小横方向寸法
の数倍である結合要素のパターン２を含む板状の
型をつくり、パターン２を電気メツキにより金属
で充填し、電気メツキにより得た結合要素３を基
板４または支持板１１に固定し、型を除去するこ
とを特徴とするマイクロエレクトロニツク素子を
電気的に接続するための変形可能のマルチ結合の
製法。 ２ エネルギーの高い放射線としてシンクロトロ
ン放射線を使用し、材料の局部的除去を液体現像
剤によつて行う特許請求の範囲第１項記載の製
法。 ３ 支持板１１に固定した結合要素１２の型取り
材料１３により繰返し型取りによつて変形可能の
結合要素のパターン１４を含む多数の板状の型を
製造し、これを電気メツキにより金属で充填し、
電気メツキにより製造した二次結合要素１５ａを
基板４に固定し、二次型を除去する特許請求の範
囲第１項または第２項記載の製法。 ４ 結合要素または二次結合要素を電気メツキに
より結合要素を製造した後に基板４に固定し、そ
のためエネルギーに富む放射線によつてその性質
を変化しうる板状材料または型取り材料のさらに
一部を新たな照射によつて形成した異なる材料性
質を使用して除去する特許請求の範囲第１項から
第３項までのいずれか１項記載の製法。 ５ 結合要素または二次結合要素の固定を、基板
４を電気メツキ電極として使用することによつて
実施する特許請求の範囲第１項から第３項までの
いずれか１項記載の製法。 ６ 局部照射を順次に続く多数工程で実施し、そ
の際板状材料１の異なる範囲１ａ，１ｃを浸透深
さの異なる放射線で照射する特許請求の範囲第１
項から第５項までのいずれか１項記載の製法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE3440109.1 | 1984-11-02 | ||
| DE19843440109 DE3440109A1 (de) | 1984-11-02 | 1984-11-02 | Verfahren zur herstellung verformbarer vielfach-verbindungen fuer den elektrischen anschluss mikroelektronischer bauelemente und nach diesem verfahren hergestellte vielfachverbindungen |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61110441A JPS61110441A (ja) | 1986-05-28 |
| JPH0482055B2 true JPH0482055B2 (ja) | 1992-12-25 |
Family
ID=6249359
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60243051A Granted JPS61110441A (ja) | 1984-11-02 | 1985-10-31 | マイクロエレクトロニツク素子を電気的に接続するための変形可能のマルチ結合の製法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0183910A3 (ja) |
| JP (1) | JPS61110441A (ja) |
| DE (1) | DE3440109A1 (ja) |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2738711B2 (ja) * | 1987-10-28 | 1998-04-08 | 株式会社日立製作所 | 電子部品の接続構造及びそれを用いた電子装置 |
| JPH01170035A (ja) * | 1987-12-02 | 1989-07-05 | Amp Inc | マイクロ入出力ピンおよびその製造方法 |
| JPH01155633A (ja) * | 1987-12-14 | 1989-06-19 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
| DE68926258T2 (de) * | 1988-02-05 | 1996-10-02 | Raychem Ltd | Verfahren zum Herstellen eines uniaxial elektrisch leitenden Artikels |
| FR2643754B1 (fr) * | 1989-02-28 | 1993-09-17 | Thomson Brandt Armements | Procede de realisation d'une connexion a plat |
| US6129559A (en) * | 1996-01-19 | 2000-10-10 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Microconnector and method of manufacturing the same |
| US6853067B1 (en) | 1999-10-12 | 2005-02-08 | Microassembly Technologies, Inc. | Microelectromechanical systems using thermocompression bonding |
| US20020096421A1 (en) | 2000-11-29 | 2002-07-25 | Cohn Michael B. | MEMS device with integral packaging |
| US7692521B1 (en) | 2005-05-12 | 2010-04-06 | Microassembly Technologies, Inc. | High force MEMS device |
| CH708113B1 (de) | 2007-09-13 | 2014-12-15 | Stéphane Von Gunten | Anker für eine Uhrenhemmung. |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB1387587A (en) * | 1971-07-22 | 1975-03-19 | Plessey Co Ltd | Electrical interconnectors and connector assemblies |
| US4067104A (en) * | 1977-02-24 | 1978-01-10 | Rockwell International Corporation | Method of fabricating an array of flexible metallic interconnects for coupling microelectronics components |
| DE3039110A1 (de) * | 1980-10-16 | 1982-05-13 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verfahren fuer die spannungsfreie entwicklung von bestrahlten polymethylmetacrylatschichten |
-
1984
- 1984-11-02 DE DE19843440109 patent/DE3440109A1/de active Granted
-
1985
- 1985-07-20 EP EP85109108A patent/EP0183910A3/de not_active Withdrawn
- 1985-10-31 JP JP60243051A patent/JPS61110441A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61110441A (ja) | 1986-05-28 |
| DE3440109C2 (ja) | 1987-05-27 |
| EP0183910A2 (de) | 1986-06-11 |
| DE3440109A1 (de) | 1986-05-07 |
| EP0183910A3 (de) | 1989-01-04 |
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