JPH0543189B2 - - Google Patents
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- JPH0543189B2 JPH0543189B2 JP60243052A JP24305285A JPH0543189B2 JP H0543189 B2 JPH0543189 B2 JP H0543189B2 JP 60243052 A JP60243052 A JP 60243052A JP 24305285 A JP24305285 A JP 24305285A JP H0543189 B2 JPH0543189 B2 JP H0543189B2
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- plate
- irradiation
- socket
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01R—ELECTRICALLY-CONDUCTIVE CONNECTIONS; STRUCTURAL ASSOCIATIONS OF A PLURALITY OF MUTUALLY-INSULATED ELECTRICAL CONNECTING ELEMENTS; COUPLING DEVICES; CURRENT COLLECTORS
- H01R43/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing, assembling, maintaining, or repairing of line connectors or current collectors or for joining electric conductors
- H01R43/16—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing, assembling, maintaining, or repairing of line connectors or current collectors or for joining electric conductors for manufacturing contact members, e.g. by punching and by bending
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- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K7/00—Constructional details common to different types of electric apparatus
- H05K7/02—Arrangements of circuit components or wiring on supporting structure
- H05K7/10—Plug-in assemblages of components, e.g. IC sockets
- H05K7/1053—Plug-in assemblages of components, e.g. IC sockets having interior leads
- H05K7/1076—Plug-in assemblages of components, e.g. IC sockets having interior leads co-operating by sliding
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01R—ELECTRICALLY-CONDUCTIVE CONNECTIONS; STRUCTURAL ASSOCIATIONS OF A PLURALITY OF MUTUALLY-INSULATED ELECTRICAL CONNECTING ELEMENTS; COUPLING DEVICES; CURRENT COLLECTORS
- H01R12/00—Structural associations of a plurality of mutually-insulated electrical connecting elements, specially adapted for printed circuits, e.g. printed circuit boards [PCB], flat or ribbon cables, or like generally planar structures, e.g. terminal strips, terminal blocks; Coupling devices specially adapted for printed circuits, flat or ribbon cables, or like generally planar structures; Terminals specially adapted for contact with, or insertion into, printed circuits, flat or ribbon cables, or like generally planar structures
- H01R12/50—Fixed connections
- H01R12/51—Fixed connections for rigid printed circuits or like structures
- H01R12/52—Fixed connections for rigid printed circuits or like structures connecting to other rigid printed circuits or like structures
- H01R12/523—Fixed connections for rigid printed circuits or like structures connecting to other rigid printed circuits or like structures by an interconnection through aligned holes in the boards or multilayer board
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01R—ELECTRICALLY-CONDUCTIVE CONNECTIONS; STRUCTURAL ASSOCIATIONS OF A PLURALITY OF MUTUALLY-INSULATED ELECTRICAL CONNECTING ELEMENTS; COUPLING DEVICES; CURRENT COLLECTORS
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- H01R12/70—Coupling devices
- H01R12/71—Coupling devices for rigid printing circuits or like structures
- H01R12/712—Coupling devices for rigid printing circuits or like structures co-operating with the surface of the printed circuit or with a coupling device exclusively provided on the surface of the printed circuit
- H01R12/714—Coupling devices for rigid printing circuits or like structures co-operating with the surface of the printed circuit or with a coupling device exclusively provided on the surface of the printed circuit with contacts abutting directly the printed circuit; Button contacts therefore provided on the printed circuit
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01R—ELECTRICALLY-CONDUCTIVE CONNECTIONS; STRUCTURAL ASSOCIATIONS OF A PLURALITY OF MUTUALLY-INSULATED ELECTRICAL CONNECTING ELEMENTS; COUPLING DEVICES; CURRENT COLLECTORS
- H01R13/00—Details of coupling devices of the kinds covered by groups H01R12/70 or H01R24/00 - H01R33/00
- H01R13/02—Contact members
- H01R13/03—Contact members characterised by the material, e.g. plating, or coating materials
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01R—ELECTRICALLY-CONDUCTIVE CONNECTIONS; STRUCTURAL ASSOCIATIONS OF A PLURALITY OF MUTUALLY-INSULATED ELECTRICAL CONNECTING ELEMENTS; COUPLING DEVICES; CURRENT COLLECTORS
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- H01R43/02—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing, assembling, maintaining, or repairing of line connectors or current collectors or for joining electric conductors for soldered or welded connections
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Coupling Device And Connection With Printed Circuit (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
- Connections Effected By Soldering, Adhesion, Or Permanent Deformation (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、マイクロエレクトロニツク素子を電
気的に接続するための機械的に切離し可能なマル
チコネクタの製造並びにそれによつて製造された
マルチコネクタに関する。
気的に接続するための機械的に切離し可能なマル
チコネクタの製造並びにそれによつて製造された
マルチコネクタに関する。
従来の技術
最近の電子大型機械においては、簡単な補修、
ユニツトの容易な互換性及び簡便な拡張ができる
ようにするためには、機械的に切離し可能な機能
群に分割することが必要である〔カイル（A.
Keil）、メルル（W.A.Merl）、バイナリツキー
（E.Vinaricky）著“エレクトリツシエ・コンタ
クテ・ウント・イーレ・ベルクスシトツプ
（Elektrische Kontakte und ihre
Werkstoffe）”、スプリンガー出版社、1984年、
317頁降〕。機械的切離し可能性はマルチコネクタ
又は圧力結合によつて達成される。
ユニツトの容易な互換性及び簡便な拡張ができる
ようにするためには、機械的に切離し可能な機能
群に分割することが必要である〔カイル（A.
Keil）、メルル（W.A.Merl）、バイナリツキー
（E.Vinaricky）著“エレクトリツシエ・コンタ
クテ・ウント・イーレ・ベルクスシトツプ
（Elektrische Kontakte und ihre
Werkstoffe）”、スプリンガー出版社、1984年、
317頁降〕。機械的切離し可能性はマルチコネクタ
又は圧力結合によつて達成される。
機械的分離可能性は個々の集積回路、いわゆる
チツプを組込む際にも付与されるべきであるの
で、今日の技術水準においては集積密度に対して
著しい容認が行なわれねばならない、それという
のも従来の機械的に切離し可能なコネクタを備え
たチツプ支持体は、それに属するコンタクトソケ
ツトと一緒に、チツプ面積の数倍を必要とするか
らである。この場合、チツプ支持体のコネクタは
チツプに取付けられた接点位置と、例えばワイヤ
ボンデイング法に基づき、比較的長いリード線を
介して接続される〔ケストナー（Ka¨stner）、”ハ
ルプライターテヒノロギー（Halbleiter−
Technologie）、”フオーゲル出版社、ヴイルツブ
ルグ、1980年、88〜89頁〕。この場合には、チツ
プ支持体上の接続電極はチツプの接点位置よりも
著しく大きな対向間隔を有することができ、この
形式でのみマイクロエレクトロニツク素子を電気
的に接続するためのマルチコネクタが機械的に接
続及び切離し可能である。
チツプを組込む際にも付与されるべきであるの
で、今日の技術水準においては集積密度に対して
著しい容認が行なわれねばならない、それという
のも従来の機械的に切離し可能なコネクタを備え
たチツプ支持体は、それに属するコンタクトソケ
ツトと一緒に、チツプ面積の数倍を必要とするか
らである。この場合、チツプ支持体のコネクタは
チツプに取付けられた接点位置と、例えばワイヤ
ボンデイング法に基づき、比較的長いリード線を
介して接続される〔ケストナー（Ka¨stner）、”ハ
ルプライターテヒノロギー（Halbleiter−
Technologie）、”フオーゲル出版社、ヴイルツブ
ルグ、1980年、88〜89頁〕。この場合には、チツ
プ支持体上の接続電極はチツプの接点位置よりも
著しく大きな対向間隔を有することができ、この
形式でのみマイクロエレクトロニツク素子を電気
的に接続するためのマルチコネクタが機械的に接
続及び切離し可能である。
従つて、例えば特に高速及び高性能コンピユー
タにおいて所望されるような特に高い集積密度が
所望される場合には、今日の技術水準ではチツプ
接続部の機械的切離しを断念せざるを得ない。
タにおいて所望されるような特に高い集積密度が
所望される場合には、今日の技術水準ではチツプ
接続部の機械的切離しを断念せざるを得ない。
高い集積密度用の特殊な組込法では、接点位置
がチツプ全面にわたつて分配された多数のチツプ
が、上記接点位置と共に直接的に、必要な接続リ
ード線を多層で含有する共通のセラミツク基板上
にはんだ付けされる〔“フリツプ−チツプ・ボン
デング（Flip−Chip bonding）”法、例えばゴー
ルドマン（L.S.Goldmann）、トロツタ（P.A.
Trotta）著、“ソリツド・ステート・テクノロジ
ー（Solid State Technology）”第26巻、第６
版、1983年、91〜97頁参照〕。この技術において
は、補修目的又は後からの機能変換のためには必
須の、個々のチツプの互換性は、熱いガス流で作
業する特殊なはんだ付け装置を調達することによ
つてのみ可能になる〔例えばプツツリツツ（K.I.
Putt−Litz）著、“ソリツド・ステート・テクノ
ロジー”1980年11月、48〜50頁参照〕。この場合、
基板内の許容されない温度応力を確実回避するた
め及び古いはんだ付け位置の必要な平滑化のため
には、著しい設備及び時間的費用が必要である。
がチツプ全面にわたつて分配された多数のチツプ
が、上記接点位置と共に直接的に、必要な接続リ
ード線を多層で含有する共通のセラミツク基板上
にはんだ付けされる〔“フリツプ−チツプ・ボン
デング（Flip−Chip bonding）”法、例えばゴー
ルドマン（L.S.Goldmann）、トロツタ（P.A.
Trotta）著、“ソリツド・ステート・テクノロジ
ー（Solid State Technology）”第26巻、第６
版、1983年、91〜97頁参照〕。この技術において
は、補修目的又は後からの機能変換のためには必
須の、個々のチツプの互換性は、熱いガス流で作
業する特殊なはんだ付け装置を調達することによ
つてのみ可能になる〔例えばプツツリツツ（K.I.
Putt−Litz）著、“ソリツド・ステート・テクノ
ロジー”1980年11月、48〜50頁参照〕。この場合、
基板内の許容されない温度応力を確実回避するた
め及び古いはんだ付け位置の必要な平滑化のため
には、著しい設備及び時間的費用が必要である。
発明が解決しようとする問題点
本発明の課題は、公知の技術に比較してスペー
スを必要としない、マイクロエレクトロニツク素
子を接続するための機械的に切離し可能なマルチ
コネクタを製造することであつた。
スを必要としない、マイクロエレクトロニツク素
子を接続するための機械的に切離し可能なマルチ
コネクタを製造することであつた。
問題点を解決するための手段
前記課題は、本発明の第１番目の発明によれ
ば、マイクロエレクトロニツク素子を電気的に接
続するための機械的に切離し可能な多重結合部材
を製造する方法において、高エネルギビームによ
つてその特性の可変な板状の電気絶縁材料から、
照射によつて生ぜしめられる材料特性差異を利用
して、該材料を部分的に照射しかつ部分的に除去
することにより、所定の位置にコネクタのパター
ンを含み、その高さが最小横寸法の数倍である板
状版を製造し、かつ該パターンに電気メツキによ
り金属を充填し、それにより金属コネクタを生ぜ
しめ、次いで板状型の部分を、照射によつて生ぜ
しめられる材料特性差異を利用して、新たに部分
的照射することにより除去することにより、かつ
第２番目の発明によれば、高エネルギビームによ
つてその特性の可変な板状の電気絶縁材料から、
照射によつて生ぜしめられる材料特性差異を利用
して、該材料を部分的に照射しかつ部分的に除去
することにより、所定の位置にコネクタのパター
ンを含み、その高さが最小横寸法の数倍である板
状版を製造し、かつ該パターンに電気メツキによ
り金属を充填し、それにより一次金属コネクタを
生ぜしめ、該コネクタを保持板上に固定し、かつ
板状材料を除去し、次いで高エネルギービームに
よつてその特性が可変な電気絶縁性型取り材料を
用いて上記一次コネクタを繰返し型取りすること
により、コネクタのパターンを含有する多数の二
次型板を製造し、該パターンに電気メツキにより
金属を充填し、それにより二次金属コネクタを生
ぜしめ、次いで二次型板の部分を、照射によつて
生ぜしめられる型取り材料特性差異を利用して、
新たに部分的照射することにより除去することに
より解放される。
ば、マイクロエレクトロニツク素子を電気的に接
続するための機械的に切離し可能な多重結合部材
を製造する方法において、高エネルギビームによ
つてその特性の可変な板状の電気絶縁材料から、
照射によつて生ぜしめられる材料特性差異を利用
して、該材料を部分的に照射しかつ部分的に除去
することにより、所定の位置にコネクタのパター
ンを含み、その高さが最小横寸法の数倍である板
状版を製造し、かつ該パターンに電気メツキによ
り金属を充填し、それにより金属コネクタを生ぜ
しめ、次いで板状型の部分を、照射によつて生ぜ
しめられる材料特性差異を利用して、新たに部分
的照射することにより除去することにより、かつ
第２番目の発明によれば、高エネルギビームによ
つてその特性の可変な板状の電気絶縁材料から、
照射によつて生ぜしめられる材料特性差異を利用
して、該材料を部分的に照射しかつ部分的に除去
することにより、所定の位置にコネクタのパター
ンを含み、その高さが最小横寸法の数倍である板
状版を製造し、かつ該パターンに電気メツキによ
り金属を充填し、それにより一次金属コネクタを
生ぜしめ、該コネクタを保持板上に固定し、かつ
板状材料を除去し、次いで高エネルギービームに
よつてその特性が可変な電気絶縁性型取り材料を
用いて上記一次コネクタを繰返し型取りすること
により、コネクタのパターンを含有する多数の二
次型板を製造し、該パターンに電気メツキにより
金属を充填し、それにより二次金属コネクタを生
ぜしめ、次いで二次型板の部分を、照射によつて
生ぜしめられる型取り材料特性差異を利用して、
新たに部分的照射することにより除去することに
より解放される。
発明の効果
本発明によれば、寸法及びコネクタの対向位置
において、スペースを取らない組込みにおいて必
要な著しく小さい許容誤差を経済的に代替可能な
費用で維持することが可能である。
において、スペースを取らない組込みにおいて必
要な著しく小さい許容誤差を経済的に代替可能な
費用で維持することが可能である。
実施例
次に図示の実施例につき本発明を詳細に説明す
る。
る。
第１図〜第４図に示した実施例は、チツプを基
板状に取付けるための、マルチプラグ及びマルチ
ソケツトから成る機械的に切離し可能なマルチコ
ネクタに関する。
板状に取付けるための、マルチプラグ及びマルチ
ソケツトから成る機械的に切離し可能なマルチコ
ネクタに関する。
第１ａ図及び第１ｂ図は、以下にはレジスト板
１及び４として示す、ポリエメチルメタクリレー
ト（PMMA）から成る２つの板状の電気絶縁性
材料を略示する。レジスト板１及び４は約0.5mm
の厚さを有する。レジスト板１はＸ線マイク（図
示せず）を介してシンクロトロンの高エネルギー
Ｘ線が部分的に透過せしめられ、それによつて所
定のラスタ間隔ｒで、直径約30μｍを有し、かつ
溶解度がレジスト板１の照射されなかつた領域に
比較して強度に高められた円筒状領域が生じる。
次いで、同じラスタ間隔ｒで一方側からレジスト
板１のもう１回の照射を行なう、但しこの場合に
はビームの侵入深さはレジスト板厚さよりも小さ
くかつ照射領域の直径は約70μｍである、従つて
太く、短い円筒状照射領域１ｂが生じる。このよ
うに照射しかつ可溶性になつた領域を、西独国特
許出願公開第3039110号明細書に記載の液状現像
剤で除去する。それにより細い孔２ａ及び太い孔
２ｂ（第２ａ図）を有する、マルチコネクタの柱
状構造を有する型板が生じる。
１及び４として示す、ポリエメチルメタクリレー
ト（PMMA）から成る２つの板状の電気絶縁性
材料を略示する。レジスト板１及び４は約0.5mm
の厚さを有する。レジスト板１はＸ線マイク（図
示せず）を介してシンクロトロンの高エネルギー
Ｘ線が部分的に透過せしめられ、それによつて所
定のラスタ間隔ｒで、直径約30μｍを有し、かつ
溶解度がレジスト板１の照射されなかつた領域に
比較して強度に高められた円筒状領域が生じる。
次いで、同じラスタ間隔ｒで一方側からレジスト
板１のもう１回の照射を行なう、但しこの場合に
はビームの侵入深さはレジスト板厚さよりも小さ
くかつ照射領域の直径は約70μｍである、従つて
太く、短い円筒状照射領域１ｂが生じる。このよ
うに照射しかつ可溶性になつた領域を、西独国特
許出願公開第3039110号明細書に記載の液状現像
剤で除去する。それにより細い孔２ａ及び太い孔
２ｂ（第２ａ図）を有する、マルチコネクタの柱
状構造を有する型板が生じる。
相応して、第１ｂ図のレジスト板４も部分的に
透過せしめられる、この場合も同じラスタ間隔ｒ
で透過された領域は三角形の基本形４ｃを有す
る、従つて照射した領域の溶解除去後にマルチソ
ケツトの三角形パターン３を有する型が生じる。
パターン３はマルチプラグのパターン２の太い孔
２ｂに適合する（第２ｂ図）。このことはこの実
施例では、パターン３が三角形の中空プリズムの
形態を有し、該中空プリズムの内側接触円がパタ
ーン２の太い孔２ｂの直径よりも幾分か小さい直
径を有することを意味する。パターン３は縁部に
沿つて中断部４ａを有する、従つて照射領域の溶
解除去後にコア材料４ｂはレジスト板４の残りの
材料と結合されたままである。次いで、パターン
２，３に電気メツキによりニツケルを充填する。
それにより、第３ａ図から明らかなように、太い
孔５ａ、細い孔５ｂ、及び超過電気めつきにより
レジスト板の表面（一点鎖線）上に形成されたレ
ンズ状のろう着ヘツド５ｃを有する、ラスタ間隔
ｒで相互に平行に配置された柱状プラグ５が生じ
る。
透過せしめられる、この場合も同じラスタ間隔ｒ
で透過された領域は三角形の基本形４ｃを有す
る、従つて照射した領域の溶解除去後にマルチソ
ケツトの三角形パターン３を有する型が生じる。
パターン３はマルチプラグのパターン２の太い孔
２ｂに適合する（第２ｂ図）。このことはこの実
施例では、パターン３が三角形の中空プリズムの
形態を有し、該中空プリズムの内側接触円がパタ
ーン２の太い孔２ｂの直径よりも幾分か小さい直
径を有することを意味する。パターン３は縁部に
沿つて中断部４ａを有する、従つて照射領域の溶
解除去後にコア材料４ｂはレジスト板４の残りの
材料と結合されたままである。次いで、パターン
２，３に電気メツキによりニツケルを充填する。
それにより、第３ａ図から明らかなように、太い
孔５ａ、細い孔５ｂ、及び超過電気めつきにより
レジスト板の表面（一点鎖線）上に形成されたレ
ンズ状のろう着ヘツド５ｃを有する、ラスタ間隔
ｒで相互に平行に配置された柱状プラグ５が生じ
る。
次いで、レジスト板１に両側から、レジスト板
１の中央領域に照射されなかつた板状領域１ｃが
残るように所定の侵入深さの電子ビームを照射す
る。この照射されなかつたレジスト板１（プラグ
板）の領域により、プラグ５は固定され、かつ照
射された領域が上記液状現像剤で溶解除去された
後に、相互に電気絶縁される。
１の中央領域に照射されなかつた板状領域１ｃが
残るように所定の侵入深さの電子ビームを照射す
る。この照射されなかつたレジスト板１（プラグ
板）の領域により、プラグ５は固定され、かつ照
射された領域が上記液状現像剤で溶解除去された
後に、相互に電気絶縁される。
第３ｂ図から明らかなように、パターン３の電
気メツキ的充填により、三角形の横断面、縦スリ
ツト６ａ及び第３ａ図におけるプラグ５と同じラ
スタ間隔ｒを有するピラミツド状の相互に平行な
ソケツト６が生じる。レジスト板４の両面照射及
び照射した材料の除去はプラグ５におけると同じ
方法で行なう、それによつて照射されなつた領域
４ｄ（ソケツト板）は残こり、それによりソケツ
ト６は固定されかつ相互に電気絶縁される。
気メツキ的充填により、三角形の横断面、縦スリ
ツト６ａ及び第３ａ図におけるプラグ５と同じラ
スタ間隔ｒを有するピラミツド状の相互に平行な
ソケツト６が生じる。レジスト板４の両面照射及
び照射した材料の除去はプラグ５におけると同じ
方法で行なう、それによつて照射されなつた領域
４ｄ（ソケツト板）は残こり、それによりソケツ
ト６は固定されかつ相互に電気絶縁される。
第４図は、本発明に基づき製造されたマルチコ
ネクタのための適用実施例を略示するものであ
る。プラグ５はその太い端部５ａでソケツト６に
嵌合されており、この場合ソケツトはその弾性的
に柔軟性の側壁で必要な接触圧でもつてプラグ５
の太い端部５ａに接触する。そのレンズ状ヘツド
５ｃと、プラグ５はチツプ７の接触位置７ａには
んだ付けされている。この場合、細い孔５ｂは、
これらが温度変化の際にチツプ７及びプラグ板１
ｃの異なつた熱膨張を補償することができるよう
に変形可能である。
ネクタのための適用実施例を略示するものであ
る。プラグ５はその太い端部５ａでソケツト６に
嵌合されており、この場合ソケツトはその弾性的
に柔軟性の側壁で必要な接触圧でもつてプラグ５
の太い端部５ａに接触する。そのレンズ状ヘツド
５ｃと、プラグ５はチツプ７の接触位置７ａには
んだ付けされている。この場合、細い孔５ｂは、
これらが温度変化の際にチツプ７及びプラグ板１
ｃの異なつた熱膨張を補償することができるよう
に変形可能である。
ソケツト６の端部はセラミツク製基板８の孔８
ａ内は差込まれかつそこでその導体路８ｂとはん
だ付けされている。このことはソケツト６が基板
８上にソケツト板４ｄと共に、チツプにはんだ付
けされかつソケツト板１ｃによつて固定されたソ
ケツト５を有するチツプのための差込ソケツトを
形成する。チツプ７とソケツト板１ｃの間隙はは
んだ付け中並びにまた動作中に冷却ガスを貫通さ
せるために利用することができる。ソケツトへの
プラグの導入を簡単にするために、プラグのソケ
ツトに面した端部を部分的電解削除によつて丸味
を付けた。さらに、ソケツトのプラグに面し端部
を相応するマルチ工具で一緒に拡開した。さら
に、プラグ及びソケツト板の縁部に、図示されて
いない相互に相応する案内部を設けた。
ａ内は差込まれかつそこでその導体路８ｂとはん
だ付けされている。このことはソケツト６が基板
８上にソケツト板４ｄと共に、チツプにはんだ付
けされかつソケツト板１ｃによつて固定されたソ
ケツト５を有するチツプのための差込ソケツトを
形成する。チツプ７とソケツト板１ｃの間隙はは
んだ付け中並びにまた動作中に冷却ガスを貫通さ
せるために利用することができる。ソケツトへの
プラグの導入を簡単にするために、プラグのソケ
ツトに面した端部を部分的電解削除によつて丸味
を付けた。さらに、ソケツトのプラグに面し端部
を相応するマルチ工具で一緒に拡開した。さら
に、プラグ及びソケツト板の縁部に、図示されて
いない相互に相応する案内部を設けた。
第５図及び第６図に示した実施例は、基板上に
チツプを取付けるための、マルチプラグ及びマル
チソケツトから成る、機械的に切離し可能なマル
チコネクタに関し、この場チツプの接点位置はチ
ツプの縁部に沿つて位置する。
チツプを取付けるための、マルチプラグ及びマル
チソケツトから成る、機械的に切離し可能なマル
チコネクタに関し、この場チツプの接点位置はチ
ツプの縁部に沿つて位置する。
ナイフ状のプラグ１０及びクランプ状のソケツ
ト１１は、PMMAレジスト板毎に部分的照射
（照射方向は第４図の矢印Ａ参照）及び材料の除
去、引続いてのこうして得られたパターンへの電
気メツキによる充填によつて製造することができ
る。この場合には、同時にマルチコネクタの接合
（接合方向は矢印Ｂ参照）を簡単にする金属案内
部１４及び１５も製造する。レジスト板に固定す
るために、プラグ１０、クランプ状ソケツト１１
及び案内部１４及び１５は歯１０ａ，１１ａ，１
４ａ及び１５ａを備えている。レジスト板の材料
の新たな照射及び除去により、機械的に切離し可
能なコネクタ及び案内のために設けられた部材１
０，１１，１４及び１５の領域を、プラグ板１２
及びソケツト板１３が残こるように露出される。
これらの板１２及び１３では、所定のラスタ間隔
ｒで部材１０，１１及び案内部１４，１５が固定
されかつ相互に電気絶縁されている。
ト１１は、PMMAレジスト板毎に部分的照射
（照射方向は第４図の矢印Ａ参照）及び材料の除
去、引続いてのこうして得られたパターンへの電
気メツキによる充填によつて製造することができ
る。この場合には、同時にマルチコネクタの接合
（接合方向は矢印Ｂ参照）を簡単にする金属案内
部１４及び１５も製造する。レジスト板に固定す
るために、プラグ１０、クランプ状ソケツト１１
及び案内部１４及び１５は歯１０ａ，１１ａ，１
４ａ及び１５ａを備えている。レジスト板の材料
の新たな照射及び除去により、機械的に切離し可
能なコネクタ及び案内のために設けられた部材１
０，１１，１４及び１５の領域を、プラグ板１２
及びソケツト板１３が残こるように露出される。
これらの板１２及び１３では、所定のラスタ間隔
ｒで部材１０，１１及び案内部１４，１５が固定
されかつ相互に電気絶縁されている。
プラグ板及びソケツト板のために、PMMAの
代りに別の絶縁材料、例えばより温度安定性のポ
リイミドを使用したい場合には、電気メツキ後に
まずPMMAレジスト板のプラグ及びソケツト板
のために設けられた領域を照射し、溶解除去しか
つ別の絶縁材料と交換する。引続き、レジスト板
の残りのPMMA材料の除去を行なう。
代りに別の絶縁材料、例えばより温度安定性のポ
リイミドを使用したい場合には、電気メツキ後に
まずPMMAレジスト板のプラグ及びソケツト板
のために設けられた領域を照射し、溶解除去しか
つ別の絶縁材料と交換する。引続き、レジスト板
の残りのPMMA材料の除去を行なう。
チツプ１６はその縁部に位置する接点位置１６
ａでソケツト板１２内の接点位置と固定し、ナイ
フ状プラグ１０をはんだ付けする。付加的に、プ
ラグ板１２をチツプ１６と接着する（接着位置１
２ａ）。ソケツト板１３はチツプ１６の向かい側
に、接触範囲内に切欠き１７ａを有する電気絶縁
材料から成るストツパ板１７を支持する。
ａでソケツト板１２内の接点位置と固定し、ナイ
フ状プラグ１０をはんだ付けする。付加的に、プ
ラグ板１２をチツプ１６と接着する（接着位置１
２ａ）。ソケツト板１３はチツプ１６の向かい側
に、接触範囲内に切欠き１７ａを有する電気絶縁
材料から成るストツパ板１７を支持する。
ソケツト１１はその弾性接続薄片１１ｃで基板
１８の導体路１８ａとはんだ付けされている。こ
の場合、案内部１５は同時に基板１８上のストツ
パとして役立ちかつ該基板と接着によつて結合さ
れる。弾性接続薄片１１ｃは基板１８の導体路１
８ａの幾分かの非平坦性を補償する。
１８の導体路１８ａとはんだ付けされている。こ
の場合、案内部１５は同時に基板１８上のストツ
パとして役立ちかつ該基板と接着によつて結合さ
れる。弾性接続薄片１１ｃは基板１８の導体路１
８ａの幾分かの非平坦性を補償する。
マルチプラグ１０，１２，１４はストツパ板１
７に沿つて上から（矢印Ｂ）マルチソケツト１
１，１３，１５に嵌入され、この際クランプ状ソ
ケツト１１の端部１１ｂは必要な接触圧を保証す
る。プラグ板１２は付加的にかぶせ嵌られるＵ字
形部材１９によつてストツパ板１７に保持され
る。
７に沿つて上から（矢印Ｂ）マルチソケツト１
１，１３，１５に嵌入され、この際クランプ状ソ
ケツト１１の端部１１ｂは必要な接触圧を保証す
る。プラグ板１２は付加的にかぶせ嵌られるＵ字
形部材１９によつてストツパ板１７に保持され
る。
基板１８に対してチツプ１６を垂直に配置する
ことにより、特に高い集積密度を達成することが
できる。
ことにより、特に高い集積密度を達成することが
できる。
第７図及び第８図に示した実施例は、基板上に
チツプを取付けるための機械的に切離し可能なマ
ルチコネクタに関し、この場合にはチツプの接触
位置はチツプの向かい合つた縁部に沿つて配置さ
れている。
チツプを取付けるための機械的に切離し可能なマ
ルチコネクタに関し、この場合にはチツプの接触
位置はチツプの向かい合つた縁部に沿つて配置さ
れている。
長方形状の基本形を有する剛性コネクタ２０及
び弾性コネクタ２１は、レジスト板毎に材料を部
分的に照射しかつ除去し、引続きこうして製造し
たパターンに電気めつきにより金属を充填するこ
とにより製造される。次いで、レジスト板の、部
材２０及び２１を固定するために特定した領域を
照射し、溶解除去しかつ除去したレジスト材料を
別の電気絶縁物質例えばエポキシ樹脂と交換す
る。その後、残りのレジスト材料を、コネクタ２
０，２１の接点形成のために特定した領域が露出
するように除去する。こうしてチツプ支持板２２
及び該支持板を包囲するエポキシ樹脂から成る枠
２３が生じ、これらにコネクタ２０，２１が特定
のラスタ間隔ｒで埋込まれている。この場合に
は、枠２３のエポキシ樹脂は、第８図から明らか
なように、コネクタ２１は片面側でおおうことが
できる（被覆２３ａ）。コネクタ２０，２１は歯
２０ａ，２１ａを備えている。チツプ２４はその
向かい合つた接点位置２４ａを列でチツプ支持板
２２の剛性コネクタ２０とはんだ付けされる。
び弾性コネクタ２１は、レジスト板毎に材料を部
分的に照射しかつ除去し、引続きこうして製造し
たパターンに電気めつきにより金属を充填するこ
とにより製造される。次いで、レジスト板の、部
材２０及び２１を固定するために特定した領域を
照射し、溶解除去しかつ除去したレジスト材料を
別の電気絶縁物質例えばエポキシ樹脂と交換す
る。その後、残りのレジスト材料を、コネクタ２
０，２１の接点形成のために特定した領域が露出
するように除去する。こうしてチツプ支持板２２
及び該支持板を包囲するエポキシ樹脂から成る枠
２３が生じ、これらにコネクタ２０，２１が特定
のラスタ間隔ｒで埋込まれている。この場合に
は、枠２３のエポキシ樹脂は、第８図から明らか
なように、コネクタ２１は片面側でおおうことが
できる（被覆２３ａ）。コネクタ２０，２１は歯
２０ａ，２１ａを備えている。チツプ２４はその
向かい合つた接点位置２４ａを列でチツプ支持板
２２の剛性コネクタ２０とはんだ付けされる。
枠２３内の弾性コネクタ２１は基板２５の導体
路２５ａとはんだ付けされる。弾性コネクタ２１
は、枠２３のエポキシ樹脂内に埋込まれた領域
21bと、それに引続いた接触のために役立つ領域
21cを有する。該領域21cは内部が開いた８字の形
を有する、それにより矢印ｃ方向のばね作用が得
られる。
路２５ａとはんだ付けされる。弾性コネクタ２１
は、枠２３のエポキシ樹脂内に埋込まれた領域
21bと、それに引続いた接触のために役立つ領域
21cを有する。該領域21cは内部が開いた８字の形
を有する、それにより矢印ｃ方向のばね作用が得
られる。
チツプ２４はチツプ支持板２２と一緒に上から
枠２３内に押込まれ、それによつてばね作用方向
（矢印Ｃ）は接合方向（矢印Ｄ）に対して垂直に
延びる。この場合、コネクタ２１はその自由弾性
端部２１ｃで剛性コネクタの接接面に押付けられ
る。
枠２３内に押込まれ、それによつてばね作用方向
（矢印Ｃ）は接合方向（矢印Ｄ）に対して垂直に
延びる。この場合、コネクタ２１はその自由弾性
端部２１ｃで剛性コネクタの接接面に押付けられ
る。
係脱の際にチツプを保護するために、チツプを
包囲し、取手として役立つ枠を設け、該枠には付
加的にチツプを埋込むプラスチツクを充填するこ
とができる。
包囲し、取手として役立つ枠を設け、該枠には付
加的にチツプを埋込むプラスチツクを充填するこ
とができる。
第２番目の発明による方法は、次のようにして
実施する。電気めつきで製造したコネクタを、電
気めつきによりレジスト板の高さを越えて形成し
た共通の保持板上に固定する。レジスト材料の除
去後に、コネクタ及び保持板から成る母型が得ら
れ、該母型を繰上しメタクリレートベースの注型
樹脂で型取りする。こうして作つた硬化した板上
型取り材料内のパターンに前記のように電気めつ
きで充填し、次いでこの二次型の、コネクタの接
点形成のために特定された領域内にある部分を新
たな部分的照射及び溶解により型取り材料から除
去する。
実施する。電気めつきで製造したコネクタを、電
気めつきによりレジスト板の高さを越えて形成し
た共通の保持板上に固定する。レジスト材料の除
去後に、コネクタ及び保持板から成る母型が得ら
れ、該母型を繰上しメタクリレートベースの注型
樹脂で型取りする。こうして作つた硬化した板上
型取り材料内のパターンに前記のように電気めつ
きで充填し、次いでこの二次型の、コネクタの接
点形成のために特定された領域内にある部分を新
たな部分的照射及び溶解により型取り材料から除
去する。
もちろん、この場合に、コネクタの向かい合つ
た固定のために残つた型取り材料（プラグ板又は
ソケツト板）を前記のように別の絶縁材料、例え
ばポリイミドと交換することも可能である。
た固定のために残つた型取り材料（プラグ板又は
ソケツト板）を前記のように別の絶縁材料、例え
ばポリイミドと交換することも可能である。
ここに記載した機械的に切離し可能なマルチコ
ネクタは、チツプを接続するためだけでなく、同
様に別のマイクロエレクトロニツク素子、例えば
センサアレイ又は液晶デスプレイを接続するため
にも使用することができる。
ネクタは、チツプを接続するためだけでなく、同
様に別のマイクロエレクトロニツク素子、例えば
センサアレイ又は液晶デスプレイを接続するため
にも使用することができる。
第１ａ図、第１ｂ図、第２ａ図、第２ｂ図、第
３ａ図及び第３ｂ図は、本発明によるマルチプラ
グ及びマルチソケツト用の主製造工程を示す略示
図、第４図は本発明方法で製造したマルチプラグ
及びマルチソケツトを用いて基板上にチツプを取
付けた状態を示す断面図、第５図は第４図のマル
チコネクタの１変更実施例を示す略面図、第６図
は第５図の−線に沿つた断面図、第７図は第
４図のマルチコネクタのもう１つの変更実施例の
断面図及び第８図は第７図の−線に沿つた断
面図である。 １，４……レジスト板、２，３……パターン、
５，１０……プラグ、６，１１……ソケツト、
７，１６，２４……チツプ、８，１８，２５……
基板、１２……プラグ板、１３……ソケツト板、
１４，１５……案内部、１７……ストツパ板、１
９……Ｕ字形部材、２０……剛性コネクタ、２１
……弾性コネクタ、２２……チツプ支持板、２３
……枠、ｒ……ラスタ間隔。
３ａ図及び第３ｂ図は、本発明によるマルチプラ
グ及びマルチソケツト用の主製造工程を示す略示
図、第４図は本発明方法で製造したマルチプラグ
及びマルチソケツトを用いて基板上にチツプを取
付けた状態を示す断面図、第５図は第４図のマル
チコネクタの１変更実施例を示す略面図、第６図
は第５図の−線に沿つた断面図、第７図は第
４図のマルチコネクタのもう１つの変更実施例の
断面図及び第８図は第７図の−線に沿つた断
面図である。 １，４……レジスト板、２，３……パターン、
５，１０……プラグ、６，１１……ソケツト、
７，１６，２４……チツプ、８，１８，２５……
基板、１２……プラグ板、１３……ソケツト板、
１４，１５……案内部、１７……ストツパ板、１
９……Ｕ字形部材、２０……剛性コネクタ、２１
……弾性コネクタ、２２……チツプ支持板、２３
……枠、ｒ……ラスタ間隔。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ マイクロエレクトロニツク素子を電気的に接
続するための機械的に切離し可能なマルチコネク
タを製造する方法において、高エネルギビームに
よつてその特性の可変な板状の電気絶縁材料か
ら、照射によつて生ぜしめられる材料特性差異を
利用して、該材料を部分的に照射しかつ部分的に
除去することにより、所定の位置にコネクタのパ
ターンを含み、その高さが最小横寸法の数倍であ
る板状型を製造し、かつ該パターンに電気メツキ
により金属を充填し、それにより金属コネクタを
生ぜしめ、次いで板状型の部分を、照射によつて
生ぜしめられる材料特性差異を利用して、新たに
部分的照射することにより除去することを特徴と
する、マイクロエレクトロニツク素子を電気的に
接続するための機械的に切離し可能なマルチコネ
クタの製法。 ２ 高エネルギビームとしてシンクロトロンビー
ムを使用し、かつ材料の部分的除去を液状現像剤
で行なう、特許請求の範囲第１項記載の方法。 ３ 板状型の部分の新たな部分的照射及び相応す
る型部分の除去を、接点形成のために特定された
コネクタ領域が露出されるように実施する、特許
請求の範囲第１項又は第２項記載の方法。 ４ 板状型の新たな部分的照射及び相応する型部
分の除去を、コネクタの対向した固定のために設
けられた領域が露出されるように実施し、次いで
この領域にコネクタの対向した固定を保証する別
の電気絶縁物質を充填し型の残りの部分を除去す
る、特許請求の範囲第１項又は第２項記載の方
法。 ５ マルチプラグ及びマルチソケツトから成る、
マイクロエレクトロニツク素子を電気的に接続す
るための機械的に切離し可能なマルチコネクタで
あつて、プラグ及びソケツトがマイクロエレクト
ロニツク素子の接点位置と直接的にかつ同時に固
定結合可能であるものを製造する、特許請求の範
囲第１項から第４項までのいずれか１項記載の方
法。 ６ マイクロエレクトロニツク素子を電気的に接
続するための機械的に切離し可能なマルチコネク
タを製造する方法において、高エネルギビームに
よつてその特性の可変な板状の電気絶縁材料か
ら、照射によつて生ぜしめられる材料特性差異を
利用して、該材料を部分的に照射しかつ部分的に
除去することにより、所定の位置にコネクタのパ
ターンを含み、その高さが最小横寸法の数倍であ
る板状版を製造し、かつ該パターンに電気メツキ
により金属を充填し、それにより一次金属コネク
タを生ぜしめ、該コネクタを保持板上に固定し、
かつ板状材料を除去し、次いで高エネルギビーム
によつてその特性が可変な電気絶縁性型取り材料
を用いて上記一次コネクタを繰返し型取りするこ
とにより、コネクタのパターンを含有する多数の
二次型板を製造し、該パターン内に電気メツキに
より金属を充填し、それにより二次金属コネクタ
を生ぜしめ、次いで二次型板の部分を、照射によ
つて生ぜしめられる型取り材料特性差異を利用し
て、新たに部分的照射することにより除去するこ
とを特徴とする、マイクロエレクトロニツク素子
を電気的に接続するための機械的に切離し可能な
マルチコネクタの製法。 ７ 高エネルギビームとしてシンクロトロンビー
ムを使用し、かつ材料の部分的除去を液状現像剤
で行なう、特許請求の範囲第６項記載の方法。 ８ 二次型の照射及び相応する型部分の除去を、
接点形成のために特定されたコネクタ領域が露出
されるように実施する、特許請求の範囲第６項又
は第７項記載の方法。 ９ 板状型の新たな部分的照射及び相応する型部
分の除去を、コネクタの対向した固定のために設
けられた領域が露出されるように実施し、次いで
この領域にコネクタの対向した固定を保証する別
の電気絶縁物質を充填し型の残りの部分を除去す
る、特許請求の範囲第６項又は第７項記載の方
法。 １０ マルチプラグ及びマルチソケツトから成
る、マイクロエレクトロニツク素子を電気的に接
続するための機械的に切離し可能なマルチコネク
タであつて、プラグ及びソケツトがマイクロエレ
クトロニツク素子の接点位置と直接的にかつ同時
に固定可能であるものを製造する、特許請求の範
囲第６項から第９項までのいずれか１項記載の方
法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE3440110.5 | 1984-11-02 | ||
| DE3440110A DE3440110C1 (de) | 1984-11-02 | 1984-11-02 | Verfahren zur Herstellung mechanisch trennbarer Vielfach-Verbindungen fuer den elektrischen Anschluss mikroelektronischer Bauelemente |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61110452A JPS61110452A (ja) | 1986-05-28 |
| JPH0543189B2 true JPH0543189B2 (ja) | 1993-06-30 |
Family
ID=6249360
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60243052A Granted JPS61110452A (ja) | 1984-11-02 | 1985-10-31 | マイクロエレクトロニツク素子を電気的に接続するための機械的に切離し可能なマルチコネクタの製法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0184608B1 (ja) |
| JP (1) | JPS61110452A (ja) |
| AT (1) | ATE83877T1 (ja) |
| DE (1) | DE3440110C1 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3623637A1 (de) * | 1986-07-12 | 1988-01-21 | Kernforschungsz Karlsruhe | Verfahren zur herstellung von mikrostrukturen unterschiedlicher strukturhoehe mittels roentgentiefenlithographie |
| DE4126877C1 (en) * | 1991-08-14 | 1992-11-26 | Kernforschungszentrum Karlsruhe Gmbh, 7500 Karlsruhe, De | Plastic microstructure prodn. for high temp. resistance - by forming poly:methyl methacrylate] mould unit, filling with plastic resin and dissolving in solvent, for high accuracy moulds |
| US6129559A (en) * | 1996-01-19 | 2000-10-10 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Microconnector and method of manufacturing the same |
| DE102012024185A1 (de) * | 2012-12-11 | 2014-06-12 | Rosenberger Hochfrequenztechnik Gmbh & Co. Kg | Kontaktelement und Verfahren zu seiner Herstellung |
| DE102015004151B4 (de) * | 2015-03-31 | 2022-01-27 | Feinmetall Gmbh | Verfahren zur Herstellung einer Federkontaktstift-Anordnung mit mehreren Federkontaktstiften |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3851221A (en) * | 1972-11-30 | 1974-11-26 | P Beaulieu | Integrated circuit package |
| US3956052A (en) * | 1974-02-11 | 1976-05-11 | International Business Machines Corporation | Recessed metallurgy for dielectric substrates |
| US3953924A (en) * | 1975-06-30 | 1976-05-04 | Rockwell International Corporation | Process for making a multilayer interconnect system |
| DE3039110A1 (de) * | 1980-10-16 | 1982-05-13 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verfahren fuer die spannungsfreie entwicklung von bestrahlten polymethylmetacrylatschichten |
-
1984
- 1984-11-02 DE DE3440110A patent/DE3440110C1/de not_active Expired
-
1985
- 1985-07-20 EP EP85109107A patent/EP0184608B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1985-07-20 AT AT85109107T patent/ATE83877T1/de active
- 1985-10-31 JP JP60243052A patent/JPS61110452A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0184608A2 (de) | 1986-06-18 |
| EP0184608B1 (de) | 1992-12-23 |
| ATE83877T1 (de) | 1993-01-15 |
| JPS61110452A (ja) | 1986-05-28 |
| EP0184608A3 (en) | 1989-01-04 |
| DE3440110C1 (de) | 1986-05-28 |
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