JPH0482855U - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0482855U JPH0482855U JP12791690U JP12791690U JPH0482855U JP H0482855 U JPH0482855 U JP H0482855U JP 12791690 U JP12791690 U JP 12791690U JP 12791690 U JP12791690 U JP 12791690U JP H0482855 U JPH0482855 U JP H0482855U
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transistor
- integrated circuit
- hybrid integrated
- perspective
- view
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- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
Description
第１図は、この考案の一実施例による混成集積
回路基板の斜視図、第２図はこの考案によるトラ
ンジスタの斜視図、第３図は従来の混成集積回路
基板の斜視図、第４図は従来のトランジスタの斜
視図である。 図において、１は基板、２，３，５，７は導体
パターン、４，６はスルーホール、８は放熱板、
１２はトランジスタ、９，１１はエミツタ端子、
１０はコレクタ端子、１３はベース端子、１４は
トランジスタ収納部である。なお、図中、同一符
号は同一、又は相当部分を示す。
回路基板の斜視図、第２図はこの考案によるトラ
ンジスタの斜視図、第３図は従来の混成集積回路
基板の斜視図、第４図は従来のトランジスタの斜
視図である。 図において、１は基板、２，３，５，７は導体
パターン、４，６はスルーホール、８は放熱板、
１２はトランジスタ、９，１１はエミツタ端子、
１０はコレクタ端子、１３はベース端子、１４は
トランジスタ収納部である。なお、図中、同一符
号は同一、又は相当部分を示す。
Claims (1)
- 高周波厚膜混成集積回路において、接地面と導
通した３本以上のリード端子を有するトランジス
タを、基板に融着したことを特徴とする厚膜混成
集積回路装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12791690U JPH0482855U (ja) | 1990-11-28 | 1990-11-28 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12791690U JPH0482855U (ja) | 1990-11-28 | 1990-11-28 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0482855U true JPH0482855U (ja) | 1992-07-20 |
Family
ID=31875398
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12791690U Pending JPH0482855U (ja) | 1990-11-28 | 1990-11-28 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0482855U (ja) |
-
1990
- 1990-11-28 JP JP12791690U patent/JPH0482855U/ja active Pending