JPH0483231A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH0483231A JPH0483231A JP2200250A JP20025090A JPH0483231A JP H0483231 A JPH0483231 A JP H0483231A JP 2200250 A JP2200250 A JP 2200250A JP 20025090 A JP20025090 A JP 20025090A JP H0483231 A JPH0483231 A JP H0483231A
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Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野コ
本発明は、蓄積容量を具備ししかも平面的にアレイ状に
多数配置される順スタが一部及び逆スタが一型薄膜トラ
ンジスタに間し、特に蓄積容量部の眉間短絡不良を低減
させて高画品質を具備する液晶パネル等を高製造歩留ま
りで提供することのできる半導体装置に間する。
多数配置される順スタが一部及び逆スタが一型薄膜トラ
ンジスタに間し、特に蓄積容量部の眉間短絡不良を低減
させて高画品質を具備する液晶パネル等を高製造歩留ま
りで提供することのできる半導体装置に間する。
［従来の技術］
従来、この種の半導体装置は、例えば逆スタが一型薄膜
トランジスタを備えたものとして第３図に模式的平面図
及び第４図に模式的断面図を示すように、ガラス基板１
上にＩＴＯやクロム等の膜を所望の形状に付着形成させ
てゲート電極２を形成すると共に蓄積容量のための下部
電極８をも形成する。次に、ゲート絶縁膜及び蓄積容量
のための絶縁膜として二酸化シリコンや窒化シリコン等
の眉間絶縁膜３を所望の厚みに付着形成させ、しかる後
に能動素子として機能する非晶質シリコン４あるいは多
結晶シリコン、さらには次工程で形成されるドレイン５
やソース６等の電極とオーミックコンタクトを得るため
の高濃度のリンやボロン等を含むシリコン薄膜（図示省
略）を所望の形状に付着させて薄膜トランジスタ祁を形
成する。
トランジスタを備えたものとして第３図に模式的平面図
及び第４図に模式的断面図を示すように、ガラス基板１
上にＩＴＯやクロム等の膜を所望の形状に付着形成させ
てゲート電極２を形成すると共に蓄積容量のための下部
電極８をも形成する。次に、ゲート絶縁膜及び蓄積容量
のための絶縁膜として二酸化シリコンや窒化シリコン等
の眉間絶縁膜３を所望の厚みに付着形成させ、しかる後
に能動素子として機能する非晶質シリコン４あるいは多
結晶シリコン、さらには次工程で形成されるドレイン５
やソース６等の電極とオーミックコンタクトを得るため
の高濃度のリンやボロン等を含むシリコン薄膜（図示省
略）を所望の形状に付着させて薄膜トランジスタ祁を形
成する。
薄膜トランジスタ部のドレイン電極５やソース電極６の
ための金属材料は一般に良導電体で不透明なりロムスパ
ッタ膜で構成され、液晶を表示するためのピクセル電極
７は、例えばソース電極６に電気的に接続されたスパッ
タＩＴＯ膜、酸化スズ等の透明電極で構成される。この
ピクセル電極７の一部領域は絶縁膜３を介して下部電極
８を対向しており、ピクセル電極７と蓄積容量下部電極
８との積Ｎ額域に挟まれた層間絶縁膜３の領域が蓄積容
量として機能し、薄膜トランジスタの動作によってドレ
イン電極５からソース電極６へ移送された電荷を長時間
ソース電極（ピクセル電極）に保存する機能を担う。
ための金属材料は一般に良導電体で不透明なりロムスパ
ッタ膜で構成され、液晶を表示するためのピクセル電極
７は、例えばソース電極６に電気的に接続されたスパッ
タＩＴＯ膜、酸化スズ等の透明電極で構成される。この
ピクセル電極７の一部領域は絶縁膜３を介して下部電極
８を対向しており、ピクセル電極７と蓄積容量下部電極
８との積Ｎ額域に挟まれた層間絶縁膜３の領域が蓄積容
量として機能し、薄膜トランジスタの動作によってドレ
イン電極５からソース電極６へ移送された電荷を長時間
ソース電極（ピクセル電極）に保存する機能を担う。
［発明が解決しようとする課題］
上述した従来の半導体装置は、例えば蓄積容量形成領域
の眉間絶縁膜３に欠陥があった場合には容易に下部電極
８とピクセル電極７とが電気的に短絡し、ドレイン電極
からソース電極（ピクセル電極）へ書き込まれた電荷が
この結果として容易にピクセル電極部７から失われるも
のであった。
の眉間絶縁膜３に欠陥があった場合には容易に下部電極
８とピクセル電極７とが電気的に短絡し、ドレイン電極
からソース電極（ピクセル電極）へ書き込まれた電荷が
この結果として容易にピクセル電極部７から失われるも
のであった。
従って、これらの欠陥を具備する半導体装置を用いて液
晶パネルを駆動させた際に、例えば「黒」の画面をパネ
ル全体に表示させた場合には、上記の欠陥蓄積容量部を
具備する薄膜トランジスタ相当部は「白」の画面を表示
することになり、液晶パネルの画像品質は著しく低下す
るものであった。
晶パネルを駆動させた際に、例えば「黒」の画面をパネ
ル全体に表示させた場合には、上記の欠陥蓄積容量部を
具備する薄膜トランジスタ相当部は「白」の画面を表示
することになり、液晶パネルの画像品質は著しく低下す
るものであった。
これらの画像品質低下は、人間の視覚に直接的に訴える
液晶パネルの場合にはぜひとも避けなければならない課
題であった。
液晶パネルの場合にはぜひとも避けなければならない課
題であった。
しかも、前記絶縁膜３は一般に下部電極８やピクセル電
極７と共に透明な材料となっており、たとえ特定の薄膜
トランジスタの蓄積容量部に欠陥が存在することが電気
的に確認されたとしても、材質の透明性故に下層の下部
電極８の欠陥部確認や絶縁膜３の欠損部の固定が困難と
なるものであった。
極７と共に透明な材料となっており、たとえ特定の薄膜
トランジスタの蓄積容量部に欠陥が存在することが電気
的に確認されたとしても、材質の透明性故に下層の下部
電極８の欠陥部確認や絶縁膜３の欠損部の固定が困難と
なるものであった。
［課題を解決するための手段］
本発明の半導体装置は、薄膜トランジスタを介してデー
タ信号線に接続されるピクセル電極と、ピクセル電極の
一部領域と絶縁膜を介して対向する蓄積容量用の下部電
極とを有する半導体装置において、前記ピクセル電極の
下部電極と重なる領域の境界部にスリットを設けたこと
を特徴とする。
タ信号線に接続されるピクセル電極と、ピクセル電極の
一部領域と絶縁膜を介して対向する蓄積容量用の下部電
極とを有する半導体装置において、前記ピクセル電極の
下部電極と重なる領域の境界部にスリットを設けたこと
を特徴とする。
すなわち、前記蓄積容量用下部電極近傍上のピクセル電
極部にスリットを設けることを特徴とするものであり、
蓄積容量を提供する下部電極とピクセル電極とが絶縁膜
等の欠陥によって電気的に短絡した場合には、このスリ
ット部によって狭くなったピクセル電極を切断して短絡
不良の影響を低減させるものである。すなわち、透明な
下部電極上に積層された透明な絶縁膜と透明なピクセル
電極部とからなる蓄積容量部近傍においては、最も上層
に配置されたピクセル電極が最も視認性が高くなる。従
って、ピクセル電極のスリット部を下層の視認性の低い
下部電極に対応した位置近傍に配置することによって、
容易に下部電極の存在位置を推定することが可能になる
。それ故、ピクセル電極に設けられたスリット部を切断
することによって、下部電極を損傷させることなくピク
セル電極と下部電極とを電気的に分離することができる
。これは取りも直さず前記の下部電極とピクセル電極と
の電気的短絡を修復したことに外ならない。このように
修復した薄膜トランジスタは蓄積容量を失ったために、
ピクセル電極上の電荷保持時間が正常晶の半分程度に短
くなるものの、液晶パネルの全黒表示面においては灰黒
色の表示を示すために、欠陥による画像品質の低下は最
小に抑えられる。
極部にスリットを設けることを特徴とするものであり、
蓄積容量を提供する下部電極とピクセル電極とが絶縁膜
等の欠陥によって電気的に短絡した場合には、このスリ
ット部によって狭くなったピクセル電極を切断して短絡
不良の影響を低減させるものである。すなわち、透明な
下部電極上に積層された透明な絶縁膜と透明なピクセル
電極部とからなる蓄積容量部近傍においては、最も上層
に配置されたピクセル電極が最も視認性が高くなる。従
って、ピクセル電極のスリット部を下層の視認性の低い
下部電極に対応した位置近傍に配置することによって、
容易に下部電極の存在位置を推定することが可能になる
。それ故、ピクセル電極に設けられたスリット部を切断
することによって、下部電極を損傷させることなくピク
セル電極と下部電極とを電気的に分離することができる
。これは取りも直さず前記の下部電極とピクセル電極と
の電気的短絡を修復したことに外ならない。このように
修復した薄膜トランジスタは蓄積容量を失ったために、
ピクセル電極上の電荷保持時間が正常晶の半分程度に短
くなるものの、液晶パネルの全黒表示面においては灰黒
色の表示を示すために、欠陥による画像品質の低下は最
小に抑えられる。
［実施例コ
次に本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例の平面図である。蓄積容量の
ための下部電極８及び下部電極パスライン８′として厚
み］ ０ＯＯＡのＩＴＯ膜をガラス基板上に所望の形状
に付着形成させ、次にゲート電極２及びゲート電極パス
ライン２′として厚み２０００へのクロムを所望の形状
に付着形成させる。しかる後にゲート絶縁膜及び層間絶
縁膜として厚み２００ＯＡの二酸化シリコンと厚み５０
００Ａの窒化シリコンを積層させて所望の形状に付着形
成させる（図示省略）。能動素子領域には厚み５００Ｏ
Ａの非晶質シリコン薄膜４、並びに次工程で形成される
トレイン電極とソース電極とのコンタクト用としてのリ
ンを含有する厚み１０００へのシリコン薄ｇ（図示省略
）を付着させ所望の形状に形成する。次にドレイン電極
５及びデータ信号線としてのトレイン電極パスライン５
′さらにはソース電極６として厚み２０００へのクロム
薄膜を所望の形状に付着形成させ、更にスリット９を具
備する厚み１０００へのＩＴＯ膜をソース電極と一部積
層させて所望の形状に付着形成されてピクセル電極７を
構成する。このスリット９はピクセル電極７の下部電極
８と重なる領域の境界部に設けられている。
ための下部電極８及び下部電極パスライン８′として厚
み］ ０ＯＯＡのＩＴＯ膜をガラス基板上に所望の形状
に付着形成させ、次にゲート電極２及びゲート電極パス
ライン２′として厚み２０００へのクロムを所望の形状
に付着形成させる。しかる後にゲート絶縁膜及び層間絶
縁膜として厚み２００ＯＡの二酸化シリコンと厚み５０
００Ａの窒化シリコンを積層させて所望の形状に付着形
成させる（図示省略）。能動素子領域には厚み５００Ｏ
Ａの非晶質シリコン薄膜４、並びに次工程で形成される
トレイン電極とソース電極とのコンタクト用としてのリ
ンを含有する厚み１０００へのシリコン薄ｇ（図示省略
）を付着させ所望の形状に形成する。次にドレイン電極
５及びデータ信号線としてのトレイン電極パスライン５
′さらにはソース電極６として厚み２０００へのクロム
薄膜を所望の形状に付着形成させ、更にスリット９を具
備する厚み１０００へのＩＴＯ膜をソース電極と一部積
層させて所望の形状に付着形成されてピクセル電極７を
構成する。このスリット９はピクセル電極７の下部電極
８と重なる領域の境界部に設けられている。
さて第１図において、蓄積容量部の下部電極８とピクセ
ル電極７とが層間短絡している場合には、前記スリット
部９においてピクセル電極７を図中矢印で示す方向にレ
ーザ光によって切断する。この操作によってピクセル電
極７と下部電極８との眉間短絡不良は修復される。
ル電極７とが層間短絡している場合には、前記スリット
部９においてピクセル電極７を図中矢印で示す方向にレ
ーザ光によって切断する。この操作によってピクセル電
極７と下部電極８との眉間短絡不良は修復される。
第２図は本発明の他の実施例を示す平面図である。本発
明においてはピクセル電極７に設けたスリット部９を２
箇所としたものであり、第】の実施例に較べてピクセル
電極７の切断位置を更に明確にしたものである。
明においてはピクセル電極７に設けたスリット部９を２
箇所としたものであり、第】の実施例に較べてピクセル
電極７の切断位置を更に明確にしたものである。
尚、本発明が上記した効果を呈するものであれば、本発
明の半導体装置は発明の範囲を逸脱しない範囲で形状や
寸法、材料等の制限を受けるものではない。また本発明
においては逆スタが一型薄膜トランジスタを例にとって
説明したが、本発明は当然のことながら順スタが一型薄
膜トランジスタに対しても適用することができる。さら
にはまた、本発明のスリット部のピクセル電極切断を液
晶が充填されたパネル内において実施した場合には、切
断によるピクセル電極材料の液晶中への混合量が少なく
てすみ、液晶の物理的特性の劣化が最小となる効果も現
れる。
明の半導体装置は発明の範囲を逸脱しない範囲で形状や
寸法、材料等の制限を受けるものではない。また本発明
においては逆スタが一型薄膜トランジスタを例にとって
説明したが、本発明は当然のことながら順スタが一型薄
膜トランジスタに対しても適用することができる。さら
にはまた、本発明のスリット部のピクセル電極切断を液
晶が充填されたパネル内において実施した場合には、切
断によるピクセル電極材料の液晶中への混合量が少なく
てすみ、液晶の物理的特性の劣化が最小となる効果も現
れる。
［発明の効果］
以上説明したように本発明は、透明な蓄積容量用下部電
極の存在する近傍上の透明なピクセル電極部にスリット
を設けたので、上層に配置されしかもスリットを備えた
ピクセル電極部の視認性は下部電極の視認性よりも高く
なっている。従ってそのスリット部の位置から容易に下
部電極の存在位置を推定することができる。その故、本
発明の半導体装置は視認性の困難な蓄積−容量用下部電
極を損傷することなく、スリット部の切断によってピク
セル電極の最も小さな面積の領域だけ無機能電極として
切断することができるという効果を有する。すなわち本
発明の薄膜トランジスタを液晶パネル駆動用に応用した
場合には、ドレインからソースへ注入された電荷を保持
するピクセル電極は対向するカラーフィルタ電極との間
にコンデンサを形成し、このコンデンサ領域内に存在す
る液晶はピクセル電極上の電荷に応じて液晶パネル内に
おいて配向する。従って、ピクセル電極の面積が大きい
ほど、駆動する液晶の領域が広がって液晶駆動効率は増
す。一方、前記蓄積容量部の絶縁膜に視認性の困難な欠
損部が存在してピクセル電極部の電荷が流出する場合に
は、修復の安全性を高めるためにピクセル電極のできる
だけ広い面積の領域を無機能電極として切断することが
必要になる。本発明の薄膜トランジスタはこれら相矛盾
する両者の要求を共に満足させる効果があり、例えば、
本発明の半導体装置を用いた液晶パネルは全黒表示画面
において白点欠陥が著しく少なくなり、高画像品質を提
供するものである。
極の存在する近傍上の透明なピクセル電極部にスリット
を設けたので、上層に配置されしかもスリットを備えた
ピクセル電極部の視認性は下部電極の視認性よりも高く
なっている。従ってそのスリット部の位置から容易に下
部電極の存在位置を推定することができる。その故、本
発明の半導体装置は視認性の困難な蓄積−容量用下部電
極を損傷することなく、スリット部の切断によってピク
セル電極の最も小さな面積の領域だけ無機能電極として
切断することができるという効果を有する。すなわち本
発明の薄膜トランジスタを液晶パネル駆動用に応用した
場合には、ドレインからソースへ注入された電荷を保持
するピクセル電極は対向するカラーフィルタ電極との間
にコンデンサを形成し、このコンデンサ領域内に存在す
る液晶はピクセル電極上の電荷に応じて液晶パネル内に
おいて配向する。従って、ピクセル電極の面積が大きい
ほど、駆動する液晶の領域が広がって液晶駆動効率は増
す。一方、前記蓄積容量部の絶縁膜に視認性の困難な欠
損部が存在してピクセル電極部の電荷が流出する場合に
は、修復の安全性を高めるためにピクセル電極のできる
だけ広い面積の領域を無機能電極として切断することが
必要になる。本発明の薄膜トランジスタはこれら相矛盾
する両者の要求を共に満足させる効果があり、例えば、
本発明の半導体装置を用いた液晶パネルは全黒表示画面
において白点欠陥が著しく少なくなり、高画像品質を提
供するものである。
第１図は本発明の一実施例を模式的に表す平面図、第２
図は本発明の他の一実施例を模式的に表す平面図、第３
図は従来例を模式的に表す平面図、第４図は第３図中の
ＩＶ−ＩＶ線断面図である。 ２・・・・・・・・・ゲート電極、 ２′ ・・・・・・・・ゲート電極パスライン、３・・
・・・・・・・ゲート絶縁膜、層間絶縁膜、４・・・・
・・・・・非晶質シリコン、５・・・・・・・・・ドレ
イン電極、 ５′ ・・・・・・・・ドレイン電極パスライン、６・
・・・・・・・・ソース電極、 ７・・・・・・・・・ピクセル電極、 ８ ・ ・下部電極、 ８′ ・下部電極パスライン、 ・スリット部。
図は本発明の他の一実施例を模式的に表す平面図、第３
図は従来例を模式的に表す平面図、第４図は第３図中の
ＩＶ−ＩＶ線断面図である。 ２・・・・・・・・・ゲート電極、 ２′ ・・・・・・・・ゲート電極パスライン、３・・
・・・・・・・ゲート絶縁膜、層間絶縁膜、４・・・・
・・・・・非晶質シリコン、５・・・・・・・・・ドレ
イン電極、 ５′ ・・・・・・・・ドレイン電極パスライン、６・
・・・・・・・・ソース電極、 ７・・・・・・・・・ピクセル電極、 ８ ・ ・下部電極、 ８′ ・下部電極パスライン、 ・スリット部。
Claims (1)
- 薄膜トランジスタを介してデータ信号線に接続される
ピクセル電極と、ピクセル電極の一部領域と絶縁膜を介
して対向する蓄積容量用の下部電極とを有する半導体装
置において、前記ピクセル電極の下部電極と重なる領域
の境界部にスリットを設けたことを特徴とする半導体装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2200250A JPH0483231A (ja) | 1990-07-26 | 1990-07-26 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2200250A JPH0483231A (ja) | 1990-07-26 | 1990-07-26 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0483231A true JPH0483231A (ja) | 1992-03-17 |
Family
ID=16421268
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2200250A Pending JPH0483231A (ja) | 1990-07-26 | 1990-07-26 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0483231A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5520676A (en) * | 1991-10-01 | 1996-05-28 | The Procter & Gamble Company | Absorbent article having a unitary release member joined to a flap retaining member |
| US5578026A (en) * | 1992-06-30 | 1996-11-26 | The Procter & Gamble Company | Absorbent article having a unitary release material |
| WO2003014817A1 (en) * | 2001-08-08 | 2003-02-20 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Liquid crystal display device |
| JP2006047957A (ja) * | 2004-08-05 | 2006-02-16 | Au Optronics Corp | 薄膜トランジスタアレイ基板とその修復方法 |
| US7733433B2 (en) | 2005-09-15 | 2010-06-08 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Liquid crystal display having a reduced number of data driving circuit chips |
-
1990
- 1990-07-26 JP JP2200250A patent/JPH0483231A/ja active Pending
Cited By (9)
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