JPH0483380A - 半導体ｘ線検出器 - Google Patents
半導体ｘ線検出器Info
- Publication number
- JPH0483380A JPH0483380A JP2198135A JP19813590A JPH0483380A JP H0483380 A JPH0483380 A JP H0483380A JP 2198135 A JP2198135 A JP 2198135A JP 19813590 A JP19813590 A JP 19813590A JP H0483380 A JPH0483380 A JP H0483380A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor
- magnet
- positive electrode
- block
- detector
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Measurement Of Radiation (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は半導体Ｘ線検出器に関する。
［従来の技術］
従来、第４図に示すような構成の半導体Ｘ線検出器が知
られている。第４図において、半導体検出器はｐｉｎ接
合形半導体１のｐ形層側端部に金を蒸着した受光面２と
、ｎ形層側端部に金蒸着した正電極面３を有し、前記受
光面２にはバイアス電圧Ｖｓ （５００Ｖ程度）が印
加されている。
られている。第４図において、半導体検出器はｐｉｎ接
合形半導体１のｐ形層側端部に金を蒸着した受光面２と
、ｎ形層側端部に金蒸着した正電極面３を有し、前記受
光面２にはバイアス電圧Ｖｓ （５００Ｖ程度）が印
加されている。
同図に示すｐｉｎ接合形半導体１は例えば、ｐ形シリコ
ン基板を約数百度に加熱した状態で、リチウム（Ｌｉ）
を蒸着して該リチウムをシリコン基板内に熱拡散させる
ことにより、該リチウム拡散面をｎ＋層としてｐｉｎ接
合を実現したものである。［発明が解決しようとする課
題］ 上述した検出器の受光面２にＸ線が入射することにより
、半導体部において電子／正孔対が発生され、電子はバ
イアス電圧に抗してｎ形層側端部の正電極方向へ移動し
、該正電極に接続されたプリアンプ４を介し信号として
出力される。
ン基板を約数百度に加熱した状態で、リチウム（Ｌｉ）
を蒸着して該リチウムをシリコン基板内に熱拡散させる
ことにより、該リチウム拡散面をｎ＋層としてｐｉｎ接
合を実現したものである。［発明が解決しようとする課
題］ 上述した検出器の受光面２にＸ線が入射することにより
、半導体部において電子／正孔対が発生され、電子はバ
イアス電圧に抗してｎ形層側端部の正電極方向へ移動し
、該正電極に接続されたプリアンプ４を介し信号として
出力される。
さて、この半導体検出器に印加されたバイアス電圧によ
って半導体素子内部に生じる電界は、受光面及び正電極
面の面積や介在される半導体素子の形状によって均一性
を失なう。そのため、発生した電子は、第５図に示され
るような電気力線に沿って素子内部を移動するため、正
電極面３に補足されずに素子外側面にリークしたり、正
電極面に到達する前に半導体内原子にトラップされる等
して、検出器の検出効率を低下させて計数処理時に測定
誤差を生じさせることが問題とされている。
って半導体素子内部に生じる電界は、受光面及び正電極
面の面積や介在される半導体素子の形状によって均一性
を失なう。そのため、発生した電子は、第５図に示され
るような電気力線に沿って素子内部を移動するため、正
電極面３に補足されずに素子外側面にリークしたり、正
電極面に到達する前に半導体内原子にトラップされる等
して、検出器の検出効率を低下させて計数処理時に測定
誤差を生じさせることが問題とされている。
本発明は、上述した問題点を考慮し、素子外側面への電
子流のリークを防止することのできる半導体Ｘ線検出器
を提供することを目的としている。
子流のリークを防止することのできる半導体Ｘ線検出器
を提供することを目的としている。
［課題を解決するための手段〕
本発明は、被測定物から放出されたＸ線を検出する半導
体Ｘｌｌ検出器において、半導体ブロックの外周に該半
導体ブロックの検出軸に沿う方向に磁界を発生するマグ
ネットを配置したことを特徴としている。
体Ｘｌｌ検出器において、半導体ブロックの外周に該半
導体ブロックの検出軸に沿う方向に磁界を発生するマグ
ネットを配置したことを特徴としている。
［実施例コ
以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明する。第１
図は本発明の一実施例による半導体Ｘ線検出器の構成を
説明するための図、第２図は動作を説明するための図、
第３図は他の実施例を説明するための図である。
図は本発明の一実施例による半導体Ｘ線検出器の構成を
説明するための図、第２図は動作を説明するための図、
第３図は他の実施例を説明するための図である。
第１図において、第５図と同一の構成要素には同一番号
を付すと共に説明を省略する。
を付すと共に説明を省略する。
第１図に示す実施例が従来例と異なるのは、半導体ブロ
ック１の外周に該半導体ブロックの検出軸Ｘに沿う方向
に磁界Ｂを発生する環状マグネット５を配置した点であ
る。
ック１の外周に該半導体ブロックの検出軸Ｘに沿う方向
に磁界Ｂを発生する環状マグネット５を配置した点であ
る。
該マグネット５の配置により、半導体素子内の電界が矯
正されるため、Ｘ線の入射によって発生された電子は、
第２図に示されるような電気力線に沿って素子内部を移
動して正電極面２に補足される。ここで、環状マグネッ
ト５の励磁を強めれば、半導体内部を移動する電子流は
正電極面３に向けて収束され、該素子側面へのリークを
防止することができる。
正されるため、Ｘ線の入射によって発生された電子は、
第２図に示されるような電気力線に沿って素子内部を移
動して正電極面２に補足される。ここで、環状マグネッ
ト５の励磁を強めれば、半導体内部を移動する電子流は
正電極面３に向けて収束され、該素子側面へのリークを
防止することができる。
ところで、半導体Ｘ線検出器は通常極低温度（−１８０
℃程度）に冷却された状態で使用されている。そこで、
第３図に示す第２の実施例においては、半導体ブロック
１の外周に配置されるマグネットを低温伝導材料によっ
て形成し、該マグネット５を半導体Ｘ線検出器を収容す
る検出器保持ブロック８と共に熱伝導棒７に接続して冷
却するようにしている。第３図において、７は冷媒槽（
図示せず）に接続された熱伝導棒、８は検出器保持ブロ
ック、９はヨーク、１０は磁極片、１１は励磁コイルで
ある。
℃程度）に冷却された状態で使用されている。そこで、
第３図に示す第２の実施例においては、半導体ブロック
１の外周に配置されるマグネットを低温伝導材料によっ
て形成し、該マグネット５を半導体Ｘ線検出器を収容す
る検出器保持ブロック８と共に熱伝導棒７に接続して冷
却するようにしている。第３図において、７は冷媒槽（
図示せず）に接続された熱伝導棒、８は検出器保持ブロ
ック、９はヨーク、１０は磁極片、１１は励磁コイルで
ある。
［発明の効果］
以上の説明から明らかなように、本発明によれば、被測
定物から放出されたＸ線を検出する半導体Ｘ線検出器に
おいて、半導体ブロックの外周に該半導体ブロックの検
出軸に沿う方向に磁界を発生するマグネットを配置した
ことにより、半導体素子内の電界分布を矯正することが
可能となり、Ｘ線の入射によって素子内部に発生された
電子流を正電極面に向けて収束させることができる。そ
のため、検出器の検出効率が向上し、計数処理時におけ
る測定誤差を防ぐことができる。
定物から放出されたＸ線を検出する半導体Ｘ線検出器に
おいて、半導体ブロックの外周に該半導体ブロックの検
出軸に沿う方向に磁界を発生するマグネットを配置した
ことにより、半導体素子内の電界分布を矯正することが
可能となり、Ｘ線の入射によって素子内部に発生された
電子流を正電極面に向けて収束させることができる。そ
のため、検出器の検出効率が向上し、計数処理時におけ
る測定誤差を防ぐことができる。
第１図は本発明の一実施例による半導体Ｘ線検出器の構
成を説明するための図、第２図は動作を説明するための
図、第３図は他の実施例を説明するための図、第４図及
び第５図は従来例を説明するための図である。 １：ｐｉｎ接合形半導体 ２：受光面 ３：正電極面 ４：プリアンプ ５：マグネット ＶＢ＝バイアス電源
成を説明するための図、第２図は動作を説明するための
図、第３図は他の実施例を説明するための図、第４図及
び第５図は従来例を説明するための図である。 １：ｐｉｎ接合形半導体 ２：受光面 ３：正電極面 ４：プリアンプ ５：マグネット ＶＢ＝バイアス電源
Claims (1)
- 被測定物から放出されたＸ線を検出する半導体Ｘ線検
出器において、半導体ブロックの外周に該半導体ブロッ
クの検出軸に沿う方向に磁界を発生するマグネットを配
置したことを特徴とする半導体Ｘ線検出器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2198135A JPH0483380A (ja) | 1990-07-26 | 1990-07-26 | 半導体ｘ線検出器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2198135A JPH0483380A (ja) | 1990-07-26 | 1990-07-26 | 半導体ｘ線検出器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0483380A true JPH0483380A (ja) | 1992-03-17 |
Family
ID=16386033
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2198135A Pending JPH0483380A (ja) | 1990-07-26 | 1990-07-26 | 半導体ｘ線検出器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0483380A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2009141760A3 (en) * | 2008-05-19 | 2010-07-29 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | A photon detector with converter unit |
| JP2024109785A (ja) * | 2018-07-30 | 2024-08-14 | アップル インコーポレイテッド | 補助レンズを備える電子デバイスシステム |
-
1990
- 1990-07-26 JP JP2198135A patent/JPH0483380A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2009141760A3 (en) * | 2008-05-19 | 2010-07-29 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | A photon detector with converter unit |
| JP2024109785A (ja) * | 2018-07-30 | 2024-08-14 | アップル インコーポレイテッド | 補助レンズを備える電子デバイスシステム |
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