JPH0484748A - 湿度センサ - Google Patents

湿度センサ

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Publication number
JPH0484748A
JPH0484748A JP2199905A JP19990590A JPH0484748A JP H0484748 A JPH0484748 A JP H0484748A JP 2199905 A JP2199905 A JP 2199905A JP 19990590 A JP19990590 A JP 19990590A JP H0484748 A JPH0484748 A JP H0484748A
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JP
Japan
Prior art keywords
humidity
insulating substrate
water molecules
humidity sensor
sensor
Prior art date
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Pending
Application number
JP2199905A
Other languages
English (en)
Inventor
Nobutoshi Sasaki
佐々木 信俊
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Marcon Electronics Co Ltd
Original Assignee
Marcon Electronics Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Marcon Electronics Co Ltd filed Critical Marcon Electronics Co Ltd
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  • Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Fluid Adsorption Or Reactions (AREA)
  • Non-Adjustable Resistors (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は、湿度を検出するための湿度センサに関する。
[従来の技術] 現在、湿度センサとしては、相対湿度を電極間に塗布し
た感湿体の電気抵抗を含むインピーダンス、または静電
容量の変化として捕え、検知する湿度センサが使用され
ており、一般に高い感度を有し、安定性に優れ、また、
比較的容易に使用することができることから、ニアコン
ディショナ、加湿器、除湿器、或いは工業プロセスにお
ける湿度計測などにおいて高い需要を有している。
このような湿度センサは、通常、アルミナやガラス基板
上に、金、白金、銀パラジウム、或いは銀などの金属薄
膜によって、対向する一対のくし形電極を形成し、この
電極上に、感湿体である酸化亜鉛を主成分とした導電性
セラミック粉末を混練したものを塗布後焼成したり、或
いは、この電極上にアクリル系導電性高分子などの被膜
を形成し、架橋し、相対湿度の変化を電気抵抗及びイン
ピーダンスの変化として捕えたり、前記電極上にポリイ
ミド樹脂などの被膜を形成し、相対湿度の変化を静電容
量の変化として捕えたりしていた。
[発明が解決しようとする課題] ところで、湿度センサを低湿度雰囲気中に放置した状態
から次第に湿度を上げて高湿状態とし、次いで、高湿状
態から低湿状態に戻していった時、同じ相対湿度でも低
湿から高湿に向かう時と高湿から低湿に戻る時では、湿
度センサからの出力が異なるが、このような特性は、ヒ
ステリシス特性と称されている。
このヒステリシス特性(ヒステリシス幅)は、湿度の測
定値における再現性を損い、測定精度を低下させるため
、できるだけ小さくしなければならないが、前述した構
造の従来の湿度センサにあっては、相対湿度換算で通常
7%RH以上と大きく、問題となっていた。
また、湿度の変化に対するセンサ出力の追従性を表す応
答時間も、前記構造の従来の湿度センサにあっては、5
〜15分と遅く、その改善が要求されていた。
本発明は、上記のような従来技術の課題を解決するため
に提案されたものであり、その目的は、ヒステリシス特
性を格段に改善して、測定精度が高く、且つ湿度の変化
に対する応答速度の速い、優れた湿度センサを提供する
ことである。
[課題を解決するための手段] 本発明による湿度センサは、絶縁基板と、この絶縁基板
の一面に対向して形成された一対のくし形電極と、この
くし形電極上に形成された感湿体、及びくし形電極対の
それぞれから引出された外部リード線を有してなる湿度
センサにおいて、絶縁基板が、空孔率15%以上である
ことを特徴としている。
[作用] 以上のような構成を有する本発明の湿度センサの作用を
以下に説明する。
まず、湿度センサにおけるヒステリシス特性の発生は、
感湿体への水分子の吸着性と、感湿体からの水分子の離
脱性が異なることに起因するが、このような感湿体にお
ける吸着性・離脱性の差異は、絶縁基板が水分子を吸着
する一方で、吸着した水分子を離脱し難いことにさらに
起因する。すなわち、湿度センサが高湿度雰囲気中に放
置された後、低湿度雰囲気中に置かれると、感湿体は、
薄い被膜状のため、水分子を離脱し易いが、逆に絶縁基
板に吸着された水分子は離脱し難い上、この絶縁基板に
吸着された水分子が、感湿体側に移動し、感湿体がこの
水分子を再び吸着することにより、実際の低湿度雰囲気
とは異なる、高湿度雰囲気に相当する出力が湿度センサ
から発せられることになり、このことが、ヒステリシス
特性を高くしている。
本発明は、このような考察を前提とし、絶縁基板におけ
る水分子の離脱性を高めることで、感湿体の再吸着を防
止し、ヒステリシス特性の低下を図ったものである。
すなわち、空孔率15%以上の多孔質体を絶縁基板とし
て使用してなる本発明においては、絶縁基板に対して水
分子が吸着、離脱し易くなり、周囲雰囲気が、高湿度雰
囲気から低湿度雰囲気に変化した場合にも、絶縁基板に
吸着された水分子は絶縁基板から速やかに離脱するため
、感湿体が絶縁基板の水分子を再吸着することも少なく
、また、再吸着しても速やかに離脱するため、ヒステリ
シス特性が格段に改善される。
また、絶縁基板が多孔質であるため、感湿体の絶縁基板
に密着している側でも、水分子の吸着性・離脱性が高く
なり、吸着・離脱の実効表面積が広くなり、湿度の変化
に対する応答速度が速くなる利点もある。
[実施例] 以下に、本発明による一実施例(第1実施例)を、第1
図を参照して具体的に説明する。
まず、第1図に示すように、空孔率15%〜20%を有
する厚み0.63mmのアルミナまたはマグネシア製多
孔質絶縁基板1に、金、白金、銀パラジウム、或いは銀
などの金属ペーストを使用し、スクリーン印刷法により
、所定の対向するくし形電極対パターンを塗布し、この
後、金属ペーストの種類に応じて600〜1200℃で
焼成し、くし形電極対2を形成した。続いて、このくし
形電極対20表面に、予め粉砕し、有機溶剤でスラリー
状に混練したZnCr2O4を主成分とする感湿体3を
電極と同じスクリーン印刷法により印刷した後、500
〜1000℃で焼成した。さらに、くし形電極2の各々
に、外部リード線4を接続した。
以上のような構成を有する第1実施例の湿度センサの作
用を、第2図及び第3図を参照して説明する。
第2図は、本発明の第1実施例の湿度センサと従来の湿
度センサの相対湿度換算における湿度抵抗特性を示す図
である。すなわち、第2図に示すように、低湿から高湿
に向かう場合の湿度−抵抗特性曲線C(L−H)に対し
て、従来の湿度センサにおける高湿から低湿に戻る場合
の湿度−抵抗特性曲線Co    は、大きな幅を有し
て下方に位(H−L) 置しているのに比べ、本発明の第1実施例における高湿
から低湿に戻る場合の湿度−抵抗特性曲線C1(11−
L)は、曲線Cにはるかに接近して(L−11) おり、第1実施例のヒステリシス特性が、従来に比べて
大幅に改善されていることが明らかである。
より具体的には、従来の湿度センサにおけるヒステリシ
ス幅は、はぼ7%RHであったのに対し、本発明の第1
実施例の湿度センサにおけるヒステリシス幅は、はぼ3
%RHと、格段に低減されている。
第3図は、第1実施例の湿度センサと従来の湿度センサ
の応答速度特性を示す図である。すなわち、この第3図
に示すように、従来の湿度センサの応答速度(特性曲線
Co)は、センサ抵抗の増大時(90%RH−30%R
H時)及びセンサ抵抗の低減時(30%RH−90%R
H時)のいずれにおいても、はぼ8分程度と遅いのに対
し、第1実施例の湿度センサの応答速度(特性曲線C+
)は、センサ抵抗の増大時(90%RH−30%RH時
)及びセンサ抵抗の低減時(30%RH→90%RH時
)のいずれにおいても、はぼ3分程度と、格段に早くな
っている。
続いて、本発明による第2実施例を、前記第1実施例と
同様に、第1図を参照して具体的に説明する。
すなわち、第1図に示すように、空孔率15%〜20%
を有する厚み0.63mmのアルミナまたはマグネシア
性多孔質絶縁基板1に、金、白金、銀パラジウム、或い
は銀などの金属ペーストを使用し、スクリーン印刷法に
より、所定の対向するくし形電極対パターンを塗布し、
この後、金属ペーストの種類に応じて600〜1200
℃で焼成し、くし形電極対2を形成した。続いて、この
くし形電極対2の表面に、アクリル系ポリマーに官能基
として第4級アンモニウム塩を付加した高分子と架橋剤
を添加したものを溶剤に希釈した溶液を塗布して、加熱
架橋し、感湿体3を形成した後、くし形電極2の各々に
、外部リード線4を接続した。
以上のような構成を有する第2実施例の湿度センサの作
用を、第4図及び第5図を参照して説明する。この場合
、第4図は、前述の第2図に対応する図面であり、第2
実施例の湿度センサと従来の湿度センサの相対湿度換算
における湿度−抵抗特性を示す図である。同様に、第5
図は、前述の第3図に対応する図面であり、第2実施例
の湿度センサと従来の湿度センサの応答速度特性を示す
図である。
すなわち、第4図に示すように、低湿から高湿に向かう
場合の湿度−抵抗特性曲線C(L−11)に対して、従
来の湿度センサにおける高湿から低湿に戻る場合の湿度
−抵抗特性曲線Co    は、大(11−L) きな幅を有して下方に位置しているのに比べ、本発明の
第2実施例における高湿から低湿に戻る場合の湿度−抵
抗特性曲線C2(II−L)は、はるかに曲線C(L−
IOに接近しており、前述の第1実施例と同様に、ヒス
テリシス特性が従来に比べて大幅に改善されていること
は明らかである。
また、第5図に示すように、従来の湿度センサの応答速
度(特性曲線Co)は、センサ抵抗の増大時(90%R
H→30%RH時)及びセンサ抵抗の低減時(30%R
H−90%RH時)のいずれにおいても、はぼ5分程度
と遅いのに対し、第2実施例の湿度センサの応答速度(
特性曲線C2)は、センサ抵抗の増大時(90%RH−
30%RH時)及びセンサ抵抗の低減時(30%RH→
90%RH時)のいずれにおいても、はぼ2.5分程度
と、格段に早くなっている。
なお、本発明は前記各実施例に限定されるものではなく
、具体的に使用する各構成要素、すなわち絶縁基板、く
し形電極、感湿体、リード線などの寸法形状及び使用す
る材料は適宜選択可能である。
[発明の効果コ 以上説明したように、本発明においては、絶縁基板を空
孔率15%以上とすることにより、絶縁基板に対して水
分子が吸着、離脱し易くなり、また、吸着・離脱の実効
表面積が広くなるため、従来に比べて、ヒステリシス特
性が格段に改善され、測定精度が高く、且つ湿度の変化
に対する応答速度の速い、優れた湿度センサを提供する
ことができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は、本発明による湿度センサの一実施例を示す斜
視図、第2図は、本発明による第1実施例の湿度センサ
と従来の湿度センサの相対湿度換算における湿度−抵抗
特性を比較的に示すグラフ、第3図は、本発明による第
1実施例の湿度センサと従来の湿度センサの応答速度特
性を比較的に示すグラフ、第4図は、本発明による第2
実施例の湿度センサと従来の湿度センサの相対湿度換算
における湿度−抵抗特性を比較的に示すグラフ、第5図
は、本発明による第2実施例の湿度センサと従来の湿度
センサの応答速度特性を比較的に示すグラフである。 1・・・多孔質絶縁基板、2・・・くし形電極対、3・
・・感湿体、4・・・外部リード線。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】  絶縁基板と、この絶縁基板の一面に対向して形成され
    た一対のくし形電極と、このくし形電極上に形成された
    感湿体、及びくし形電極対のそれぞれから引出された外
    部リード線を有してなる湿度センサにおいて、 前記絶縁基板が、空孔率15%以上であることを特徴と
    する湿度センサ。
JP2199905A 1990-07-26 1990-07-26 湿度センサ Pending JPH0484748A (ja)

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