JPH0485311A - シンジオタクチック構造を有するアルキルスチレン系重合体及び該重合体を含む樹脂組成物 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、主としてシンジオタクチック構造を有するア
ルキルスチレン系重合体及び該重合体を含む樹脂組成物
に関する。

〔従来の技術及び発明が解決しようとする課題〕従来か
らラジカル重合法等により製造されるスチレン系重合体
は、種々の成形法によって様々な形状のものに成形され
、家庭電気器具、事務機器家庭用品、包装容器、玩具、
家具２合成紙その他産業資材などとして幅広く用いられ
ているが、その立体構造がアククチツク構造を有してお
り、耐熱性、耐薬品性に劣るという欠点があった。

本発明者らのグループは、このようなアククチツク構造
のスチレン系重合体の欠点を解消したものとして、これ
までに主としてシンジオタクチック構造であるスチレン
系重合体の開発に成功し、特開昭６２−１０４８１８号
公報、同６２−１８７７０８号公報などに開示した。こ
れらの重合体は、耐熱性、耐薬品性及び電気的特性に優
れたものであるが、低温金型成形をする際には、そのエ
ネルギー効率の面からガラス転移温度を低くすることが
好ましい。

この要求を満足する方法としては、共重合による手法が
一般的に用いられるが、結晶性高分子である主としてシ
ンジオタクチック構造を有するスチレン系重合体の場合
には、上記のような共重合法では、主としてシンジオタ
クチック構造を有するスチレン系重合体の結晶化度が阻
害される欠点がある。

そこで、本発明者らは、上記従来技術の欠点を解消し、
シンジオタクチック構造を有するスチレン系重合体の結
晶化度を阻害することなく、ガラス転移温度を下げるこ
とができる技術を開発すべく、鋭意研究を重ねた。

〔課題を解決するだめの手段］ その結果、特定のアルキルスチレン系重合体を用いると
上記の課題が効果的に達成できることを見出した。本発
明はかかる知見に基づいて完成したものである。

すなわち、本発明は、 一般式〔Ｉ〕 （Ｒ’）。

（式中、Ｒ’は炭素数５〜２０の直鎖又は分岐鎖アルキ
ル基を示し、ｐは１〜５の整数を示す。

但し、Ｐが複数のとき、各Ｒ’　は同一でも異なるもの
であってもよい。〕 で表される繰り返し単位ＣＩ）及び 一般式（Ｉ［） （Ｒ”）Ｑ 〔式中、ＲＺは、水素原子、ハロゲン原子又は炭素原子
、酸素原子、窒素原子、硫黄原子、リン原子、セレン原
子、珪素原子及び錫原子のいずれか一種以上を含む置換
基を示し、ｑは１〜５の整数を示す。但し、ｑが複数の
とき、各Ｒ２は、同一でも異なるものであってもよい。

〕で表される繰り返し単位（■〕　（但し、前記繰り返
し単位（１）と同一の場合を除く）を有し、かつ前記繰
り返し単位（１）を０．１〜１００モル％、前記繰り返
し単位ＣＩ［）を０〜９９．９モル％含む重合体であっ
て、その立体規則性が、主としてシンジオタクチック構
造を有するアルキルスチレン系重合体を提供するととも
に、該アルキルスチレン系重合体１〜９９重量％及び 一般式（ＩＩ［） （Ｒ’）。

〔式中、Ｒ３は、水素原子２ハロゲン原子又は炭素原子
、酸素原子、窒素原子、硫黄原子、リン原子、セレン原
子、珪素原子及び錫原子のいずれか一種以上を含む置換
基を示し、ｒは１〜５の整数を示す。但し、ｒが複数の
とき、各Ｒ３は、同一でも異なるものであってもよい。

〕で表される繰り返し単位ＣＩＩ［）を有し、その立体
規則性が、主としてシンジオタクチック構造を有するス
チレン系重合体（但し、上記アルキルスチレン系重合体
と同一の場合を除く。）９９〜１重量％からなるシンジ
オタクチック構造を有するスチレン系重合体（但し、ア
ルキルスチレン系重合体と同一の場合を除く。）９９〜
１重量％からなる樹脂組成物を提供するものである。

本発明におけるアルキルスチレン系重合体は、前記のよ
うに一般式（１）で表される繰り返し単位［ＩＩ及び一
般式（ＩＩ）で表される繰り返し単位ＣＩＩ）を有する
ものであるが、上記の繰り返し単位ＣＩ）と（ＩＩ）の
組合せにより一種、二種あるいはそれ以上の種類の繰り
返し単位からなる重合体が構成される。また、上記の繰
り返し単位〔Ｉ〕と（Ｉｆ）とは必ずしも一種のみを示
すものではなく、二種類以上の繰り返し単位をも示すこ
とから、本発明の重合体は、単独重合体、二元共重合体
の他、三元共重合体、四元共重合体等の多元共重合体を
も包含する。したがって、本明細書において、アルキル
スチレン系重合体とは、特に共重合体と区別して説明す
る必要がある場合を除き、単に重合体と記しても、共重
合体をも含むものとする。

上記の繰り返し単位を有する本発明のアルキルスチレン
系重合体は、各種の方法で製造することができ、例えば
、 一般式〔ビ〕 （Ｒ’）ｐ 〔式中、Ｒ’及びｐは前記と同しである。〕で表される
アルキルスチレン系モノマー及び一般式〔■゛］ （Ｒ２）ｑ ［式中、Ｒ２及びｑは前記と同じである。］で表される
スチレン系モノマーを、触媒成分として（ａ）遷移金属
成分及び（ｂ）有機アルミニウム化合物と縮合剤との接
触生成物（反応生成物）を用いて共重合させることによ
って製造される。

ここで、繰り返し単位ＣＩ）を与える一般式〔■°］で
表されるスチレン系モノマーにおいて、Ｒ１は炭素数５
〜２０の直鎖又は分岐鎖アルキル基、例えばｎ−ペンチ
ルＬ　５ｅｃ−ペンチル基。

ネオペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基
、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、ト
リデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基、ヘキサ
デシル基などを示し、ｐは１〜５の整数を示す。なお、
ｐが複数を示すとき、各Ｒ１は同一でも異なっていても
よい。

このようなアルキルスチレンモノマーの具体例としては
、ｐ−ｎ−ペンチルスチレン、ρ−５ｅｃペンチルスチ
レン、ｐ−ネオペンチルスチレンｐ−ｎ−ヘプチルスチ
レン、ｐ−ｎ−オクチルスチレン、　　ｐ−ｎ−ノニル
スチレン、ｐ−ｎ−デシルスチレン、　　ｐ−ｎ−ウン
デシルスチレン、ｐｎ−ドデシルスチレン、ｐ−ｎ−）
リデシルスチレ７．ｐ−ｎ−テトラデシルスチレン、ｐ
−ｎ−ペンタデシルスチレン、　　ｐ−ｎ−ヘキサデシ
ルスチレン、　　ｐ−ｎ−ヘプタデシルスチレン、　　
ｐ−ｎ−オクタデシルスチレン、ｐ−ｎ−ノナデシルス
チレン、　　ｐ−ｎ−エイコシルスチレン、ｍ−ｎ−ヘ
キシル−ｐ−ｎ−ノニルスチレンなどが挙げられる。

また、上記の繰り返し単位（Ｉ［）を与える一般式［■
゛］で表されるスチレン系モノマーにおいて、Ｒ２は、
水素原子、ハロゲン原子又は炭素原子、酸素原子、窒素
原子、硫黄原子、リン原子。

セレン原子、珪素原子及び錫原子のいずれか一種以上を
含む置換基を示す。

ここでハロゲン原子としては、塩素、弗素、臭素、沃素
を挙げることができる。また、炭素原子を含む置換基の
具体例としては、メチル基、エチル基、イソプロピル基
、ターシャリ−ブチル基などの炭素数１〜２０のアルキ
ル基；ベンゼン環に水素原子、ハロゲン原子または炭素
原子、酸素原子、窒素原子、硫黄原子、リン原子、セレ
ン原子。

珪素原子あるいは錫原子などを含む置換基を持フ炭素数
６〜３０のアリール基；クロロエチル基。

ブロモエチル基などの炭素数１〜２０のハロゲン置換ア
ルキル基などが挙げられる。

また、ベンゼン環に水素原子、ハロゲン原子又は炭素原
子、酸素原子、窒素原子、硫黄原子、リン原子、セレン
原子、珪素原子あるいは錫原子などを含む置換基を持つ
炭素数６〜３０のアリール基としては、例えば、ベンゼ
ン環、ナフタレン環。

フェナントレン環、アントラセン環、インデン環。

アズレン環、ヘプタレン環、ビフェニレン環。

ａＳ−インダセン環　Ｓ−インダセン環、アセナフチレ
ン環、フェナレン環、フルオランテン環。

アセフェナントレン環、ナフタセン環、プレイアゾン環
、ピセン環、ペリレン環、ペンタセン環。

ルビセン環、コロセン環、ビラントレン環、オパレン環
及びこれらのアルキル置換基（メチル基。

エチル基、イソプロピル基、ターシャリ−ブチル基など
）、ハロゲン置換基アルキル基（クロロエチル基、ブロ
モエチル基など）、酸素原子を含む置換基（メトキシ基
、エトキシ基、イソプロポキシ基、メトキシカルボニル
基、アセチルオキシ基など）、珪素原子を含む置換基（
トリメチルシリル基など）、錫原子を含む置換基（トリ
メチルスタンニル基、トリブチルスタンニル基、トリフ
ェニルスタンニル基など）、窒素原子を含む置換基（ジ
メチルアミノ基、ジアゾ基、ニトロ基、シアノ基など）
、硫黄原子を含む置換基（スルホン基。

スルホン酸メチルエステル基、フェニルチオ基。

メチルチオ基、メルカプト基なと）、セレン原子ヲ含む
置換基（メチルセレノ基、フェニルセレノキシル基など
、リン原子を含む置換基（リン酸メチルエステル基、亜
すン酸エステル基、ジメチルホスフィノ基、フェニルホ
スフィニル基など）を任意の位置に置換したものが含ま
れる。

また、酸素原子を含む置換基としては、メトキシ基、エ
トキシ基、イソプロポキシ基、メトキンカルボニル基、
アセチルオキシ基などが挙げられ、珪素原子を含む置換
基としては、トリメチルシリル基などが挙げられる。錫
原子を含む置換基としては、トリメチルスタンニル基、
トリブチルスタンニル基、トリフェニルスタンニル基な
どが挙ケられる。さらに、窒素原子を含む置換基として
は、ジメチルアミノ基、ジアゾ基、ニトロ基、シアノ基
などが挙げられ、硫黄原子を含む置換基としては、スル
ホン基、スルホン酸メチルエステル基フェニルチオ基、
メチルチオ基、メルカプト基などが挙げられる。また、
セレン原子を含む置換基としては、メチルセレノ基、フ
ェニルセレノキシル基などが挙げられ、リン原子を含む
置換基としては、リン酸メチルエステル基、亜すン酸エ
ステル基、ジメチルホスフィノ基、フェニルホスフィニ
ル基などが挙げられる。

また、一般式〔■“〕で表わされるスチレン系モノマー
において、ｑは１〜５の整数であり、このうちｑが複数
のときは、９個のＲ２が、それぞれ同一であっても、異
なるものであっても良い。

このようなスチレン系モノマーとしては、スチレン、ｐ
−メチルスチレン、Ｏ−メチルスチレンｍ−メチルスチ
レン；２，４−ジメチルスチレン；２．５−ジメチルス
チレン；３，４−ジメチルスチレン；３，５−ジメチル
スチレン；ｐ−ターシャリ−ブチルスチレンなどのアル
キルスチレン、ｐ−クロロスチレン、ｍ−クロロスチレ
ン、　　０−クロロスチレン、ｐ−ブロモスチレン、ｍ
−ブロモスチレン、０−フロモスチレン、Ｐ−フルオロ
スチレン、ｍ−フルオロスチレン、０−フルオロスチレ
ン、０−メチル−ｐ−フルオロスチレンなどのハロゲン
化スチレン、４−ビニルビフェニル。

３−ビニルビフェニル、２−ビニルビフェニルなどのビ
ニルビフェニル類、１−（４−ビニルフェニル）−ナフ
タレン、２−（４−ビニルフェニル）−ナフタレン、１
−（３−ビニルフェニル）−ナフタレン、２−（３−ビ
ニルフェニル）−ナフタレン、１−（２−ビニルフェニ
ル）−ナフタレン２−　（２−ビニルフェニル）−ナフ
タレンなどのビニルフェニルナフタレンｆｌＮ、１−（
４−ビニルフェニル）−アントラセン、２−（４−ビニ
ルフェニル）−アントラセン、９−（４−ビニルフェニ
ル）−アントラセン、１−（３−ビニルフェニル）−ア
ントラセン、２−（３−ビニルフェニル）−アントラセ
ン、９−（３−ビニルフェニル）−アントラセン、１−
（２−ビニルフェニル）〜アントラセン、２−（２−ビ
ニルフェニル）−アントラセン、９−（２−ビニルフェ
ニル）−アントラセンなどのビニルフェニルアントラセ
ン類、１−（４−ビニルフェニル）−フェナントレン２
−（４−ビニルフェニル）−フェナントレン。

３−（４−ビニルフェニル）−フェナントレン４−　（
４−ビニルフェニル）−フェナントレン。

９−　（４−ビニルフェニル）−フェナントレン２ｌ−
（３−ビニルフェニル）−フェナントレン２−　（３−
ビニルフェニル）−フェナントレン。

３−（３−ビニルフェニル）−フェナントレン。

４−（３−ビニルフェニル）−フェナントレン。

９−　（３−ビニルフェニル）−フェナントレン。

１−（２−ビニルフェニル）−フェナントレン。

２−　（２−ビニルフェニル）−フェナントレン。

３−（２−ビニルフェニル）−フェナントレン。

４−（２−ビニルフェニル）−フェナントレン。

９−＜２−ビニルフェニル）−フェナントレンなどのビ
ニルフェニルフェナントレン類、１−（４−ビニルフェ
ニル）−ピレン、２−（４−ビニルフェニル）−ピレン
、１−（３−ビニルフェニル）−ピレン、２−（３−ビ
ニルフェニル）−ピレン。

１−（２−ビニルフェニル）−ピレン、２−（２−ビニ
ルフェニル）−ピレンなどのビニルフェニルピレン類、
４−ビニル−ｐ−ターフェニル、４ビニル−ｍ−ターフ
ェニル、４−ビニル−〇ターフェニル、３−ビニル−ｐ
−ターフェニル。

３−ビニル−ｍ−ターフェニル、３−ビニル−〇ターフ
ェニル、２−ビニル−ｐ−ターフェニル。

２−ビニル−ｍ−９−フェニル　２−ビニル−〇ターフ
ェニルなどのビニルターフェニル類、４（４−ビニルフ
ェニル）−ｐ−ターフェニルなどのビニルフェニルター
フェニル類、４−ビニル４゛−メチルビフェニル、４−
ビニル−３゛−メチルビフェニル、４−ビニル−２′−
メチルビフェニル、２−メチル−４−ビニルビフェニル
　３メチル−４−ビニルビフェニルなどのビニルアルキ
ルビフェニル類、４−ビニル−４゛−フルオロビフェニ
ル、４−ビニル−３”−フルオロビフェニル、４−ビニ
ル−２′−フルオロビフェニル。

４−ビニル−２−フルオロビフェニル　４−ビニル−３
−フルオロビフェニル、４−ビニル−４１−クロロビフ
ェニル、４−ビニル−３＋−クロロビフェニル、４−ビ
ニル−２’−クロロビフェニル、４−ビニル−２−クロ
ロビフェニル、４−ビニル−３−クロロビフェニル、４
−ビニル−４゛−ブロモビフェニル、４−ビニル−３′
−ブロモビフェニル、４−ビニル−２°−ブロモビフェ
ニル、４−ビニル−２−ブロモビフェニル、４−ビニル
−３−ブロモビフェニルなどのハロゲン化ビニルビフェ
ニル類、４−ビニル−４゛−メトキシビフェニル　４−
ビニル−３°−メトキシビフェニル、４−ビニル−２゛
−メトキシビフェニル。

４−ビニル−２−メトキシビフェニル　４−ビニル−３
−メトキシビフェニル、４−ビニル−４−エトキシビフ
ェニル、４−ビニル−３゛−エトキシビフェニル、４−
ビニル−２゛−エトキシビフェニル、４−ビニル−２−
エトキシビフェニル。

４−ビニル−３−エトキシビフェニルなどのアルコキシ
ビニルビフェニル類、４−ビニル−４メトキシカルボニ
ルビフエニル、４−ビニル−４゛エトキシカルボニルビ
フエニルなどのアルコキシカルボニルビニルビフェニル
類、４−ビニル４−メトキシメチルビフェニルなどのア
ルコキシアルキルビニルビフェニル類、４−ビニル−４
”トリメチルシリルビフェニルなどのトリアルキルシリ
ルビニルビフェニル類、４−ビニル−４＋−トリメチル
スタンニルビフェニル、４−ビニル４゛−トリブチルス
タンニルビフェニルなどのトリアルキルスタンニルビニ
ルビフェニル類、４ビニル−４”−トリメチルシリルメ
チルビフェニルなどのトリアルキルシリルメチルビニル
ビフェニル類、４−ビニル−４゛−トリメチルスタンニ
ルメチルビフェニル　４−ビニル−４゛−トリエチルス
タンニルメチルビフェニルなどのトリアルキルスタンニ
ルメチルビニルビフェニル類、ｐクロロエチルスチレン
、ｍ−クロロエチルスチレン、０−クロロエチルスチレ
ンなどのハロゲン置換アルキルスチレン、Ｐ−メトキシ
スチレン。

ｍ−メトキシスチレン、０−メトキシスチレン。

ｐ−エトキシスチレン、ｍ−エトキシスチレン０−エト
キシスチレンなどのアルコキシスチレン、Ｐ−メトキシ
カルボニルスチレン、ｍ−メトキシカルボニルスチレン
などのアルコキシカルボニルスチレン、アセチルオキシ
スチレン、エタノイルオキシスチレン　ヘンジイルオキ
シスチレンなどのアシルオキシスチレン、Ｐ−ビニルヘ
ンシルプロピルエーテルなどのアルキルエーテルスチレ
ン、ｐ−ｔ−リメチルシリルスチレンなどのトリアルキ
ルシリルスチレン、ｐ−１−リメチルスクンニルスチレ
ン、Ｐ−トリブチルスタンニルスチレンなどのトリアル
キルスタンニルスチレン、ｐ−トリフェニルスタンニル
スチレンなどのトリアリールスタンニルスチレン、ビニ
ルヘンゼンスルホン酸エチル　ビニルヘンシルジメトキ
シホスファイドＰ−ビニルスチレンなどのビニルスチレ
ン類等が挙げられる。

本発明のスチレン系共重合体は、以上のような繰り返し
単位を有するものであるが、さらに、その立体規則性が
、主としてシンジオタクチック構造を有するものである
。ここで、スチレン系重合体におけるシンジオタクチッ
ク構造とは、立体化学構造が主としてシンジオタクチッ
ク構造、即ち炭素−炭素結合から形成される主鎖に対し
て側鎖であるフェニル基や置換フェニル基が交互に反対
方向に位置する立体構造を有することを意味し、そのタ
フティシティ−は同位体炭素による核磁気共鳴法（”Ｃ
−ＮＭＲ法）により定量される。

”Ｃ−ＮＭＲ法により測定されるタフティシティ−は、
連続する複数個の構成単位の存在割合、例えば２個の場
合はダイアシＦ、３個の場合はトリアンド、５個の場合
はペンタッドによって示すことができるが、本発明に言
う「主としてシンジオタクチック構造を有する」とは、
置換基の種類や各繰り返し単位の連鎖によってシンジオ
タクテイシテイ−の度合いは若干変動するか、スチレン
系繰り返し単位の連鎖において、通常は、ラセミダイア
ツドで７５％以上、好ましくは８５％以上、若しくはラ
セミペンタッドで３０％以上、好ましくは５０％以上の
シンジオタクテイシテイ−を有するものをいう。

また、本発明のアルキルスチレン系重合体においては、
結合している繰り返し単位〔■〕相互間のみならず、繰
り返し単位Ｈ〕、　　［Ｉ［）の相互間がそれぞれシン
ジオタクチック構造（共シンジオタクチック構造）とな
っている。また、この共重合体には、繰り返し単位（Ｉ
）、（ＩＦ）のブロック共重合、ランダム共重合あるい
は交互共重合の種々の態様のものがある。

なお、本発明にいう主としてシンジオタクチック構造の
アルキルスチレン系重合体は、必ずしも単一の共重合体
である必要はない。シンジオタクテイシテイ−が上記範
囲に存する限り、アイソタクチフクあるいはアタクチッ
ク構造のスチレン系重合体との混合物や重合鎖中に組み
込まれたものであっても良い。また、本発明のアルキル
スチレン系重合体は、分子量が異なるものの混合物であ
っても良く、重合度は少なくとも５以上、好ましくは１
０以上のものをいう。重量平均分子量でいうと、好まし
くはｓ、ｏｏｏ〜８００，０００のものである。重合度
が５未満であると、ブリードが生じ組成物としての長期
安定性に欠けるという不都合が生ずる。なお、分子量分
布に特に制限はない。

また、触媒成分である（ａ）遷移金属成分に用いる遷移
金属化合物としては、各種のものがあるが、特に、一般
式 ％式％（） Ｍ　３　ＲＩ　Ｉ　、　ＲＩ　２．２イ。

］１ ・・・　［Ｖｌ） 又は Ｍ’　Ｒ１３ｇ　Ｒ”）、　Ｒ”　［：ｌ−ｆ９４ｈ１
・・・　〔■〕 ［式中、Ｒ４〜ＲＩ５はそれぞれ独立に水素原子。

ハロゲン原子、炭素数１〜２０のアルキル基炭素数１〜
２０のアルコキシ基、炭素数６〜２０のアリール基、炭
素数７〜２０のアリールアルキル基、炭素数１〜２０の
アシルオキシ基。

アセチルアセトニル基、シクロペンタジェニル基、置換
シクロペンタジェニル基又はインデニル基を表わす。ま
た、ａ、ｂ、ｃはＯ≦ａ＋ｂ＋Ｃ≦４を満たす０以上の
整数を示し、ｄ、　　ｅは、０≦ｄ＋ｅ≦３を満たす０
以上の整数を示し、ｆは、０≦ｆ≦２を満たす０以上の
整数を示し、ｇ、ｈは、０≦ｇ＋ｈ≦３を満たす０以上
の整数を示す。さらに、Ｍｌ、Ｍ２は、チタンジルコニ
ウム、ハフニウム又はバナジウムを示し、Ｍ３．Ｍ’は
、バナジウムを示す。〕で表されるものを用いることが
好ましい。上記−般式（ＩＶ）、　　（Ｖ）、　　（Ｖ
［）又は〔■〕で表わされる遷移金属化合物の中でも、
特に、一般式（ＩＶ）で表されるチタン化合物あるいは
ジルコニウム化合物を用いることが好ましい。

上記一般式［ＩＶ）、　　〔Ｖ）、　　（Ｖｌ）又は〔
■］中のＲ４〜ＲＩＳで示されるもののうち、ハロゲン
原子として具体的には、塩素、弗素、臭素あるいは沃素
がある。炭素数１〜２０のアルキル基としては、具体的
には、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル
基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、アミル基、イソアミ
ル基、オクチル基、２エチルヘキシル基などを挙げるこ
とができる。

また、炭素数１〜２０のアルコキシ基として具体的には
、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基
、アミルオキシ基、ヘキシルオキシ基、オクチルオキシ
基、２−エチルへキシルオキシ基などを挙げることがで
きる。さらに、炭素数６〜２０のアリール基として具体
的には、フェニル基、ナフチル基などを挙げることがで
きる。

次に、炭素数７〜２０のアリールアルキル基として具体
的には、ヘンシル基、フェネチル基、９アントリルメチ
ル基などを挙げることができる。

また、炭素数１〜２０のアシルオキシ基として具体的に
は、アセチルオキシ基、ステアロイルオキシ基などを挙
げることができる。さらに、置換シクロペンタジェニル
基としては、例えば、炭素数１〜６のアルキル基で１個
以上置換されたシクロペンタジェニル基、具体的には、
メチルシクロペンタジェニル基、ペンタメチルシクロペ
ンタジェニル基などを挙げることができる。これらＲ４
〜ＲＩ５は、上記条件を具備するかぎり、同一であって
も異なっていても良い。

このような、前記一般式（ＴＶ）　、　　（Ｖ）　、　
　（■）又は［■〕で表わされる遷移金属化合物のうち
チタン化合物の具体例としては、テトラメトキシチタン
、テトラエトキシチタン、テトラ−ｎ−ブトキシチタン
、テトライソプロポキシチタン、シクロヘンタシエニル
トリメチルチタン、シクロペンタジェニルトリエチルチ
タン、シクロペンタジェニルトリプロピルチタン、シク
ロペンタジェニルトリブチルチタン、メチルシクロペン
タジェニルトリメチルチタン、１，２−ジメチルシクロ
ペンタジェニルトリメチルチタン、ペンタメチルシクロ
ペンタジェニルトリメチルチタン、ペンタメチルシクロ
ペンタジェニルトリエチルチタン、ペンタメチルシクロ
ペンタジェニルトリプロビルチタン、ペンタメチルシク
ロペンタジェニルトリブチルチタン、シクロペンタジェ
ニルメチルチタンジクロリド　ペンタメチルシクロペン
タジェニルメチルチタンジクロリド、ペンタメチルシク
ロペンタジェニルエチルチタンジクロリド、ペンタメチ
ルシクロペンタジェニルジメチルチタンモノクロリド、
シクロペンタジェニルジエチルチタンモノクロリド、シ
クロペンタジェニルチタントリメトキシド　シクロペン
タジェニルチタントリエトキシド、シクロペンタジェニ
ルチタントリプロポキシド、シクロペンタジェニルチタ
ントリフェノキシド、ペンタメチルシクロペンタジェニ
ルチタントリメトキシド、ペンタメチルシク口ペンタジ
エニルチタントリエトキシド、ペンタメチルシクロペン
タジェニルチタントリブトキシド、ペンタメチルシクロ
ペンタジェニルチタントリブトキシド、ペンタメチルシ
クロペンタジェニルチタントリフェノキシド、シクロペ
ンタジェニルチタントリクロリド、ペンタメチルシクロ
ペンタジェニルチタントリクロリド、シクロペンタジェ
ニルメトキシチタンジクロリド、シクロペンタジェニル
メトキシチタンクロリド、ペンタメチルシクロペンタジ
ェニルメトキシチタンジクロリド、シクロペンタジェニ
ルトリベンジルチタン、ペンタメチルシクロペンタジェ
ニルメチルジェトキシチタンインデニルチタントリクロ
リド、インデニルチタントリメトキシド、インデニルチ
タントリエトキシド、インデニルトリメチルチタン、イ
ンデニルトリベンジルチタンなどが挙げられる。

これらチタン化合物のうち、ハロゲン原子を含まない化
合物が好適であり、特に、上述したごとき少なくとも一
配位子が不飽和なπ電子系配位子であるような四配位型
のチタン化合物が好ましい。

また、前記一般式（ＩＶ）、　　〔Ｖ］、Ｃ■；又は（
■〕で表わされる遷移金属化合物のうち、ジルコニウム
化合物の具体例としては、ンクロペンタジエニルジルコ
ニウムトリメトキシド、ペンタメチルシクロペンタジェ
ニルジルコニウムトリメトキシド、シクロペンタジェニ
ルトリヘンジルジルコニウム、ペンタメチルシクロペン
タジェニルトリベンジルジルコニウム、ビスインデニル
ジルコニウムジクロリド、ジルコニウムジベンジルジク
ロリド、ジルコニウムテトラベンジル、トリブトキシジ
ルコニウムクロリド、トリイソプロポキシジルコニウム
クロリドなどが挙げられる。

さらに、同様にハフニウム化合物の具体例としては、シ
クロペンタジェニルハフニウムトリメトキシド　ペンタ
メチルシクロペンタジェニルハフニウムトリメトキシド
、シクロペンタジェニルトリベンジルハフニウム、ペン
タメチルシクロペンタジエニルトリベジルハフニウム、
ビスインデニルハフニウムジクロリド、ハフニウムジベ
ンジルジクロリド。ハフニウムテトラベンジル、ドリフ
トキシハフニウムクロリド　トリイソプロポキシハフニ
ウムクロリドなどが挙げられる。

さらに、同様にバナジウム化合物の具体例としては、バ
ナジウムトリクロリド、バナジルトリクロリド、バナジ
ウムトリアセチルアセトナートバナジウムテトラクロリ
ド、バナジウムトリブトキシド　バナジルジクロリド、
バナジルビスアセチルアセトナート、バナジルトリアセ
チルアセトナートなどが挙げられる。

一方、触媒の他の成分であるΦ）有機アルミニウムと縮
合剤との接触生成物は、例えば特開昭６２−１８７７０
８号公報に記載されたものと同種のものであるが、詳し
くは下記の通りである。

即ち、この接触生成物は、各種の有機アルミニウムと縮
合剤とを接触させて得られるものである。

ここで、有機アルミニウム化合物としては、通常、一般
式、 Ａ　Ｉ　Ｒ”３ 〔式中、Ｒ１ｂは炭素数１〜２０のアルキル基を示す。

］ で表わされる有機アルミニウム、具体的には、トリメチ
ルアルミニウム、トリエチルアルミニウムトリイソブチ
ルアルミニウムなどのトリアルキルアルミニウムが挙げ
られ、中でもトリメチルアルミニウムが最も好ましい。

一方、縮合剤としては、典型的には水が挙げられるが、
この他にトリアルキルアルミニウムが縮合反応する任意
のもの、例えば、硫酸銅５水塩。

無機物や有機物への吸着水など各種のものが挙げられる
。

本発明において用いる触媒の（ｂ）成分である有機アル
ミニウムと縮合剤との接触生成物の代表例としては、前
記一般式Ａ　ｆｆｉ　Ｒｌｔｈ＋で表わされるトリアル
キルアルミニウムと水との接触生成物があるが、具体的
には、一般式 〔式中、ＲＩ６は前記と同じであり、ｎは重合度を示し
、２〜５０の数である。〕 で表わされる鎖状アルキルアルミノキサンあるいは一般
式 ＋Ａ　！　−０−ｈ 〔式中、Ｒ１１１及びｎは前記と同しである。〕で表わ
される繰り返し単位を有する環状アルキルアルミノキサ
ンなどがある。このようなアルキルアルミノキサンのう
ち、ＲＩｂがメチル基であるもの、すなわちメチルアル
ミノキサンが特に好ましい。

一般に、トリアルキルアルミニウムなどの有機アルミニ
ウム化合物と水との接触生成物は、上述の鎖状アルキル
アルミノキサンや環状アルキルアルミノキサンとともに
、未反応のトリアルキルアルミニウム、各種の縮合生成
物の混合物、さらには、これらが複雑に会合した分子で
あり、これらはトリアルキルアルミニウムと水との接触
条件によって様々な生成物となる。

この際の有機アルミニウム化合物と水との接触方法には
特に限定はなく、公知の手法に準して反応させれば良い
。例えば、■有機アルミニウム化合物を有機溶剤に溶解
しておき、これを水と接触させる方法、■重合時に当初
有機アルミニウム化合物を加えておき、後で水を添加す
る方法、さらには■金属塩などに含有されている結晶水
、無機物や有機物への吸着水を有機アルミニウム化合物
と反応させる方法などがある。なお、上記の水にはアン
モニア、エチルアミン等のアミン、硫化水素等の硫黄化
合物、亜燐酸エステル等の燐化合物などが２０％程度ま
で含有されていてもよい。また、上記の接触反応は無溶
媒下でも進行するが、溶媒中で行うことが好ましく、好
ましくは、好適な溶媒として、ヘキサン、ヘプタン、デ
カリンなどの脂肪族炭化水素、ベンゼン、トルエン、キ
シレンなどの芳香族炭化水素などを挙げることができる
。

本発明において触媒の（ｂ）成分として用いる有機アル
ミニウムと縮合剤との接触生成物は（例えばアルキルア
ルミノキサン）、上記の接触反応後、含水化合物を使用
した場合には、固体残渣を濾別し、濾液を常圧下あるい
は減圧下で３０〜２００°Ｃの温度、好ましくは４０〜
１５０°Ｃの温度で、２０分〜８時間、好ましくは３０
分〜５時間の範囲で溶媒を留去しつつ熱処理したものが
好ましい。

この熱処理にあたっては、温度は各種の状況によって適
宜定めれば良いが、通常は、上記範囲で行なう。一般に
、３０°Ｃ未満の温度では、効果が発現せず、また、２
００℃を超えるとアルキルアルミノキサン自体の熱分解
が起こり、いずれも好ましくない。

熱処理の処理条件により反応生成物は、無色の固体また
は溶液状態で得られる。このようにして得られた生成物
を、必要に応じて炭化水素溶媒で溶解あるいは希釈して
触媒溶液として使用することができる。

このような触媒ら）成分として用いる有機アルミニウム
と縮合剤との接触生成物、特に、アルキルアルミノキサ
ンの好適な例は、プロトン核磁気共鳴スペクトルで観測
されるアルミニウムーメチル基（Ａｎ　　ＣＨ３）結合
に基づくメチルプロトンシグナル領域における高磁場成
分が５０％以下のものである。つまり、上記の接触生成
物を室温下、トルエン溶媒中でそのプロトン核磁気共鳴
（’ＨＮＭＲ）スペクトルを観測すると、ＡＩ！　　Ｃ
Ｈ３に基づくメチルプロトンシグナルはテトラメチルシ
ラン（ＴＭＳ）基準において１．０〜−０．５　ｐｐｍ
の範囲に見られる。ＴＭＳのプロトンシグナル（Ｏｐｐ
ｍ　）がＡ１．　　ＣＨ３に基づくメチルプロトン観測
領域にあるため、このＡｆ−ＣＨ３に基づくメチルプロ
トンシグナルを、７ＭＳ基準におけるトルエンのメチル
プロトンシグナル２．３５　ｐｐｍを基準に測定し高磁
場成分（即ち、−〇、１〜−０．５ｐｐｍ）と他の磁場
成分（即ち、０．１〜−０．１　ｐｐｍ）とに分けたと
きに、該高磁場成分が全体の５０％以下、好ましくは４
５〜５％のものが触媒の（ｂ）成分として好適に使用で
きる。

ここに使用する触媒は、前記（ａ）、　（ｂ）成分を主
成分とするものであるが、前記の他にさらに所望により
他の触媒成分（Ｃ）を加えることができ、これにより触
媒成分（Ｃ）を加えることにより触媒活性を著しく向上
させることができる。

二の触媒成分（Ｃ）は、例えば一般式 ＡＩＲ” 〔式中、ＲＩ７は水素原子、ハロゲン原子又は炭素数１
〜８のアルキル基を示す。］ で表わされる有機アルミニウム化合物を示す。

この有機アルミニウム化合物として具体的には、トリイ
ソブチルアルミニウム、水素化イソブチルアルミニウム
、トリメチルアルミニウム、トリエチルアルミニウム、
ジエチルアルミニウムクロリドなどが挙げられる。

本発明のアルキルスチレン系重合体は、上記のごとき触
媒を用いて製造されるが、重合方法は、塊状重合、溶液
重合、懸濁重合などいずれの方法を用いてもよい。溶媒
としては、ペンタン、ヘキサン、ヘプタンなどの脂肪族
炭化水素、シクロヘキサンなどの脂環式炭化水素、ベン
ゼン、トルエン、キシレンなどの芳香族炭化水素などが
用いられる。モノマー／溶媒比は任意であるが、生産性
の点でスチレン系モノマーを高濃度として重合するのが
好ましい。

重合条件は、特に制限されるものではなく、従来と同様
に行うことができ、例えば適度に撹拌しなから０〜１２
０°Ｃ１好ましくは１０〜８０°Ｃの温度で５分〜２４
時間、好ましくは１時間以上行うことができる。また、
重合圧力には特に制限はないが、分子量を調節するため
に水素の存在下で行なうことが効果的である。

また、重合終了後は、従来と同様にアルコールなどで触
媒を失活することができる。

さらに、この触媒を使用するにあたって、触媒中の（ａ
）成分、　（ｂ）成分、（Ｃ）成分の割合、これらの溶
媒との割合、さらには（ａ）成分、　（ｂ）成分、（Ｃ
）成分溶媒及びモノマーの仕込み順序は、その組合せに
より異なり、一義的に定めることは困難であるが、通常
は、触媒成分（ｂ）中のアルミニウムと触媒成分（ａ）
中の遷移金属のモル比、すなわちアルミニウム／遷移金
属（モル比）を　２０／１〜１０，０００／１、好まし
くは１００／１〜１，０００／１とする。

また、モノマーと触媒成分（ｂ）中のアルミニウムとの
モル比、すなわちモノマー／アルミニウム（モル比）を
１０，０００／１〜０．０１／１、好ましくは２００／
１〜０．５　／　１とする。

さらに、触媒成分（Ｃ）中のアルミニウムと触媒成分（
ｂ）中のアルミニウムとのモル比は、〔触媒成分（Ｃ）
中のアルミニウム〕／〔触媒成分（ｂ）中のアルミニウ
ム〕　（モル比）として１００／１〜０／１、好ましく
は１０／１〜０／１である。

以上のようにして得られたアルキルスチレン系重合体は
、前記のごとくシンジオタクテイシテイ−の高いもので
あるが、重合後、必要に応じて塩酸等を含む洗浄液で脱
灰処理し、さらに洗浄して可溶分を除去すれば、極めて
シンジオタフティーシティ−の高純度のアルキルスチレ
ン系重合体を入手することができる。

本発明のアルキルスチレン系重合体においては前記の繰
り返し単位（１）を０．１〜１００モル％含み、繰り返
し単位（ＩＩ）を０〜９９．９モル％含むものであり、
好ましくは繰り返し単位（１）を２モル％以上含むもの
、特に好ましくは繰り返し単位〔Ｉ〕を８〜１００モル
％、繰り返し単位（ＩＮを０〜９２モル％含むものであ
る。

このようなアルキルスチレン系重合体は、スチレン−低
級アルキルスチレン共重合体に比べて熱的性質に優れて
いる。

本発明は、上記アルキルスチレン系重合体１〜９９重量
％及び 一般式（ＩＩＩ） （Ｒ”）。

〔式中、Ｒ３は、水素原子、ハロゲン原子又は炭素原子
、酸素原子、窒素原子、硫黄原子、リン原子、セレン原
子、珪素原子及び錫原子のいずれか１種以上を含む置換
基を示し、ｒは１〜５の整数を示す。但し、ｒが複数の
とき、各Ｒ３は、同一でも異なるものであってもよい。

］で表わされる繰り返し単位（Ｉ［［）を有し、その立
体規則性が、主としてシンジオタクチック構造を有する
スチレン系重合体（但し、アルキルスチレン系重合体と
同一の場合を除く。）９９〜１重量％からなる樹脂組成
物をも提供する。

ここで、Ｒ３については、ハロゲン原子としては、塩素
、弗素、臭素、沃素を挙げることができる。また、炭素
原子を含む置換基の具体例としては、メチル基、エチル
基、イソプロピル基、ターシャリ−ブチル基などの炭素
数１〜２０のアルキル基；ベンゼン環に水素原子、ハロ
ゲン原子または炭素原子、酸素原子、窒素原子、硫黄原
子、リン原子、セレン原子、珪素原子あるいは錫原子な
どを含む置換基を持つ炭素数６〜３０のアリール基；ク
ロロエチル基、ブロモエチル基などの炭素数１〜２０の
ハロゲン置換アルキル基などが挙げられる。

また、ベンゼン環に水素原子、ハロゲン原子又は炭素原
子、酸素原子、窒素原子、硫黄原子、リン原子、セレン
原子、珪素原子あるいは錫原子などを含む置換基を持つ
炭素数６〜３０のアリール基としては、例えば、ヘンゼ
ン環、ナフタレン環。

フェナントレン環、アントラセン環、インデン環。

アズレン環、ヘブタレン環、ビフェニレン環ａＳ−イン
ダセン環、Ｓ−インダセン環、アセナフチレン環、フェ
ナレン環、フルオランテン環。

アセフェナントレン環、ナフタセン環、プレイアゾン環
、ピセン環、ペリレン環、ペンタセン環。

ルビセン環、コロセン環、ビラントレン環、オハレン環
及びこれらのアルキル置換基（メチル基。

エチル基、イソプロピル基、ターシャリ−ブチル基など
）、ハロゲン置換基アルキル基（クロロエチル基、ブロ
モエチル基など）、酸素原子を含む置換基（メトキシ基
、エトキシ基、イソプロポキシ基、メトキシカルボニル
基、アセチルオキシ基など）、珪素原子を含む置換基（
トリメチルシリル基など）、錫原子を含む置換基（トリ
メチルスタンニル基、トリブチルスタンニル基、トリフ
ェニルスタンニル基など）、窒素原子を含む置換基（ジ
メチルアミノ基、ジアゾ基、ニトロ基、シアノ基など）
、硫黄原子を含む置換基（スルホン基スルホン酸メチル
エステル基、フェニルチオ基。

メチルチオ基、メルカプト基など）、セレン原子を含む
置換基（メチルセレノ基、フェニルセレノキシル基など
、リン原子を含む置換基（リン酸メチルエステル基、亜
すン酸エステル基、ジメチルホスフィノ基、フェニルホ
スフィニル基など）を任意の位置に置換したものが含ま
れる。

また、酸素原子を含む置換基としては、メトキシ基、エ
トキシ基、イソプロポキシ基、メトキシカルボニル基、
アセチルオキシ基などが挙げられ、珪素原子を含む置換
基としては、トリメチルシリル基などが挙げられる。錫
原子を含む置換基としては、トリメチルスタンニル基、
トリブチルスタンニル基、トリフェニルスタンニル基な
どが挙ケられる。さらに、窒素原子を含む置換基として
は、ジメチルアミノ基、ジアゾ基、ニトロ基、シアノ基
などが挙げられ、硫黄原子を含む置換基としては、スル
ホン基、スルホン酸メチルエステル基フェニルチオ基、
メチルチオ基、メルカプト基などが挙げられる。また、
セレン原子を含む置換基としては、メチルセレノ基、フ
ェニルセレノキシル基などが挙げられ、リン原子を含む
置換基としては、リン酸メチルエステル基、亜すン酸エ
ステル基、ジメチルホスフィノ基、フェニルホスフィニ
ル基などが挙げられる。

また、一般式（１）で表わされる繰り返し単位において
、ｒは１〜５の整数であり、このうちｒが複数のときは
、ｒ個のＲ３が、それぞれ同一であっても、異なるもの
であっても良い。

このような置換基を有する繰り返し単位（１）からなる
スチレン系重合体は、分子量が異なるものの混合物であ
ってもよく、重合度は少なくとも５以上、好ましくは１
０以上のものをいう。重量平均分子量でいうと、好まし
くは８，０００〜ｓｏｏ、ｏｏｏのものをいう。なお、
分子量分布については特に制限はない。

上記のようなスチレン系重合体の具体例としては、ポリ
スチレン、ポリ（ｐ−メチルスチレン）。

ポリ（ｍ−メチルスチレン）、ポリ（２，４−ジメチル
スチレン）、ポリ（２，５−ジメチルスチレン）、ポリ
（３，４−ジメチルスチレン）、ポリ（３５−ジメチル
スチレン）、ポリ（ｐ−タ−シャリーブチルスチレン）
などのポリ（アルキルスチレン）、ポリ（ｐ−クロロス
チレン）、ポリ（ｍ−クロロスチレン）、ポリ（０−ク
ロロスチレン）、ポリ（ｐ−ブロモスチレン）、ポリ（
ｍ−ブロモスチレン）、ポリ（０−ブロモスチレン）、
ポリ（Ｐ−フルオロスチレン）、ポリ（ｍ−フルオロス
チレン）、ポリ（０−フルオロスチレン）、ポリ（０−
メチル−ｐ−フルオロスチレン）などのポリ（ハロゲン
化スチレン）、ポリ（４−ビニルビフェニル）、ポリ（
３−ビニルビフェニル）、ポリ（２−ビニルビフェニル
）なとのポリ（ビニルビフェニル類）、ポリ（１−（４
−ビニルフェニル）−ナフタレン）、ポリ（２−（４−
ビニルフェニル）−ナフタレン）。

ポリ（１−（３−ビニルフェニル）−ナフタレン）。

ポリ（２−（３−ビニルフェニル）−ナフタレン）ポリ
（１−（２−ビニルフェニル）−ナフタレン）。

ポリ（２−（２−ビニルフェニル）−ナフタレン）など
のポリ（ビニルフェニルナフタレン類）、ボＩＪ（１−
（４−ビニルフェニル）−アントラセン）。

ポリ（２−（４−ビニルフェニル）−アントラセン）、
ポリ（９−（４−ビニルフェニル）−アントラセン）、
ポリ（１−（３−ビニルフェニル）−アントラセン）、
ポリ（２−（３−ビニルフェニル）−アントラセン）、
ポリ（９−（３−ビニルフェニル）−アントラセン）、
ポリ（１−（２ビニルフエニル）−アントラセン）、ポ
リ（２−（２−ビニルフェニル）−アントラセン）、ホ
ＩＪ（９−（２−ビニルフェニル）−アントラセン）な
どのポリ（ビニルフェニルアントラセン類）、ポＩＪ（
１−（４−ビニルフェニル）−フェナントレン）、ポリ
（２−（４−ビニルフェニル）−フェナントレン）、ポ
リ（３−（４−ビニルフェニル）−フェナントレン）、
ポリ（４−（４−ビニルフェニル）−フェナントレン）
、ポリ（９−（４−ビニルフェニル）−フェナントレン
）、ポリ（１−（３−ビニルフェニル）−フェナントレ
ン）、ボ＋Ｊ（２−（３−ビニルフェニル）−フェナン
トレン）、ポリ（３−（３−ビニルフェニル）フェナン
トレン）、ポリ（４−（３−ビニルフェニル）−フェナ
ントレン）、ポリ（９−（３−ビニルフェニル）−フェ
ナントレン）、ポリ（１−（２−ビニルフェニル）−フ
ェナントレン）。

ボｌ７（２−（２−ビニルフェニル）−フェナントレン
）、ポリ（３−（２−ビニルフェニル）−フェナントレ
ン）、ポリ（４−（２−ビニルフェニル）−フェナント
レン）、ポリ（９−（２−ビニルフェニル）−フェナン
トレン）などのポリ（ビニルフェニルフェナントレン類
）、ポリ（１−（４−ビニルフェニル）−ピレン）、ポ
リ（２−（４−ビニルフェニル）−ピレン）、ポリ（１
（３−ビニルフェニル）−ピレン）、ポリ（２（３−ビ
ニルフェニル）−ピレン）、ポリ（１−（２−ビニルフ
ェニル）−ピレン）、ポリ（２−（２−ビニルフェニル
）−ピレン）などのポリ（ビニルフェニルピレン類）、
ポリ（４−ビニル−ｐ−ターフェニル）、ポリ（４−ビ
ニル−ｍ−ターフェニル）、ポリ（４−ビニル−〇−タ
ーフェニル）、ポリ（３−ビニル−ｐ−ターフェニル）
。

ポリ（３−ビニル−ｍ−ターフェニル）、ポリ（３−ビ
ニル−０−ターフェニル）、ポリ（２−ヒニルーｐ−タ
ーフェニル）、ポリ（２−ビニル−ｍ−ターフェニル）
、ポリ（２−ビニル−〇−ターフェニル）などのポリ（
ビニルターフェニル類）、ポリ（４−（４−ビニルフェ
ニル）−ｐ−ターフェニル）などのポリ（ビニルフェニ
ルターフェニル類）、ポリ（４−ビニル−４′〜メチル
ビフエニル）　ポリ（４−ビニル−３゛〜メチルビフエ
ニル）、ポリ（４−ビニル−２”−メチルビフェニル）
、ポリ（２−メチル−４−ビニルフェニル）、ポリ（３
−メチル−４−ビニルビフェニル）などのポリ（ビニル
アルキルビフェニル類）、ポリ（４−ビニル−４′−フ
ルオロビフェニル）。

ポリ（４−ビニル−３゛−フルオロビフェニル）。

ポリ（４−ビニル−２゛−フルオロビフェニル）ポリ（
４−ビニル−２−フルオロビフェニル）。

ポリ（４−ビニル−３−フルオロビフェニル）。

ポリ（４−ビニル−４゛−クロロビフェニル）ポリ（４
〜ビニル−３＋−クロロビフェニル）ポリ（４−ビニル
−２゛−クロロビフェニル）。

ポＩＪ（４−ビニル−２−クロロビフェニル）、ポリ（
４−ビニル−３−クロロビフェニル）、ポリ（４−ビニ
ル−４゛−ブロモビフェニル）、ポリ（４−ビニル−３
′−ブロモビフェニル）、ポリ（４−ビニル−２゛−ブ
ロモビフェニル）、ポリ（４−ビニル−２−ブロモビフ
ェニル）、ポリ（４−ビニル−３−ブロモビフェニル）
などのポリ（ハロゲン化ビニルビフェニル類）、ポリ（
４−ビニル−４゛−メトキシビフェニル）、ポリ（４−
ビニル−３゛−メトキシビフェニル）、ポリ（４−ビニ
ル−２゛−メトキシビフェニル）。

ポリ（４−ビニル−２−メトキシビフェニル）ポリ（４
−ビニル−３−メトキシビフェニル）。

ポリ（４−ビニル−４゛−エトキシビフェニル）ポリ（
４−ビニル−３”−エトキシビフェニル）ポリ（４−ビ
ニル−２”−エトキシビフェニル）。

ポリ（４−ビニル−２−エトキシビフェニル）。

ポリ（４−ビニル−３−エトキシビフェニル）などのポ
リ（アルコキシビニルビフェニル類）、ポリ（４−ビニ
ル−４゛−メトキシカルボニルビフェニル）　ポリ（４
−ビニル−４゛−エトキシカルポニルビフ２ニル）など
のポリ（アルコキシカルボニルビニルビフェニル類）、
ポリ（４−ビニル−４゛−メトキシメチルビフェニル）
などのポリ（アルコキシアルキルビニルビフェニル類）
、ポリ（４−ビニル−４゛−トリメチルシリルビフェニ
ル）などのポリ（トリアルキルシリルビニルビフェニル
類）、ポリ（４−ビニル−４’−）ＩＪメチルスタンニ
ルビフェニル）、ポリ（４−ビニル−４°−トリブチル
スタンニルビフェニル）などのポリ（トリアルキルスタ
ンニルビニルビフェニル類）、ポリ（４−ビニル−４“
−トリメチルシリルメチルビフェニル）などのポリ（ト
リアルキルシリルメチルビニルビフェニル類）、ポリ（
４−ビニル−４Ｉ−トリメチルスタンニルメチルビフェ
ニル）、ポリ（４−ビニル−４Ｉ−トリエチルスタンニ
ルメチルビフェニル）などのポリ（トリアルキルスタン
ニルメチルビニルビフェニル類）、ポリ（ｐ−クロロエ
チルスチレン）、ポＩＪ（ｍ−クロロエチルスチレン）
、ポリ（０−クロロエチルスチレン）などのポリ（ハロ
ゲン置換アルキルスチレン）、ポリ（ｐ−メトキシスチ
レン）、ポリ（ｍ−メトキシスチレン）、ポリ（Ｏ−メ
トキシスチレン）、ポリ（Ｐ−エトキシスチレン）、ポ
リ（ｍ−エトキシスチレン）、ポリ（０−エトキシスチ
レン）などのポリ（アルコキシスチレン類）、ポリ（Ｐ
−メトキシカルボニルスチレン）、ポリ（ｍ−メトキシ
カルボニルスチレン）などのポリ（アルコキシカルボニ
ルスチレン類）、ポリ（アセチルオキシスチレン）、ポ
リ（エタノイルオキシスチレン）、ポリ（ヘンジイルオ
キシスチレン）などのポリ（アシルオキシスチレン類）
、ポリ（ｐ−ビニルベンジルプロビルエーテル）などの
ポリ（アルキルエーテルスチレン類）、ポリ（ｐ−トリ
メチルシリルスチレン）などのポリ（トリアルキルシリ
ルスチレン類）、ポリ（ｐ−１リメチルスクンニルスチ
レン）、ポリ（ｐ−）リブチルスクンニルスチレン）な
どのポリ（トリアリールスタンニルスチレン類）、ポ’
Ｊ（ｐ−）’Ｊフェニルスクンニルスチレン）などのポ
リ（トリアリールスタンニルスチレン類）、ポリ（ビニ
ルヘンゼンスルホン酸エチル）、ポリ（ビニルヘンシル
ジメトキシホスファイド）、ポリ（ｐ−ビニルスチレン
）などのポリ（ビニルスチレン類）等が挙げられる。

本発明のアルキルスチレン系重合体を、結晶性高分子で
ある主としてシンジオタクチック構造を有するスチレン
系重合体と混合することにより、結晶性高分子である主
としてシンジオタクチック構造であるスチレン系重合体
の結晶化度を低下させずに融点及び／又はガラス転移温
度を下げることができる。この熱挙動は、具体的には示
差走査熱量測定（ＤＳＣ）により観測することができる
。

この配合割合は、シンジオタクチック構造を有するスチ
レン系重合体１〜９９重量％とシンジオタクチック構造
を有するアルキルスチレン系重合体９９〜１重量％の範
囲で任意に選択することができる。そのうち、好ましく
は前者２〜９０重量％、後者１０〜９８重量％、特に好
ましくは前者５〜６０重量％、後者４０〜９５重量％の
範囲に選定する。

［実施例］ 次に、本発明を実施例および比較例により更に詳しく説
明する。

実施例１ （１）メチルアルミノキサン アルゴン置換した内容積５００Ｗ１１のガラス容器にト
ルエン２００１Ｉｆｌ，硫酸銅５水塩（ＣｕＳ０４・５
Ｈ２０）１７．７　ｇ　（７　１ミリモル）及びトリメ
チルアルミニウム２４ｄ（２５０ミリモル）を入れ、４
０°Ｃで８時間反応させた。その後固体成分を除去し、
得られた溶液からさらにトルエンを減圧留去して接触生
成物６．７ｇを得た。このものの凝固点降下法により測
定した分子量は６１０であった・ また、’Ｈ−ＮＭＲ測定による高磁場成分，すなわち、
室温下、トルエン溶媒中でのそのプロトン核磁気共鳴ス
ペクトルでは、（Ａ　ｆ　−　Ｃ　Ｈ　３）結合に基づ
くメチルプロトンシグナルは、テトラメチルシラン（Ｔ
ＭＳ）基準において１．０〜−０．５ｐｐｍの範囲に見
られる。ＴＭＳのプロトンシグナル（Ｏｐｐｍ）がＡ１
−ＣＨ３に基づくメチルプロトン観測領域にあるため、
この１４２−ＣＨ３に基づくメチルプロトンシグナルを
、７ＭＳ基準におけるトルエンのメチルプロトンシグナ
ル２．３５ｐｐ−を基準に測定し、高磁場成分（即ち、
−〇．１〜−０．　５　ｐｐｍ）と他の磁場成分（即ち
、１．０〜−０．１ｐｐｍ）とに分けたときに、該高磁
場成分は全体の４３％であった。

（２）４−ｎ−オクチルスチレンの製造不活性ガス気流
下、攪拌させながら粒状金属マグネシウム１．７０ｇ（
０．０７モル）のジエチルエーテル（１００ｍ）溶液に
、１．２−ジブロモエタン１滴を滴下し、加温すること
によりグリニヤール試薬生成反応を開始させた。液温を
還流まで昇温し、続いて臭化−ｎ−オクチル１２．１１
１１（０．０７モｌし）のジエチルエーテル器を３０分
かけてゆっくり滴下した。滴下終了後、１時間還流下に
放置した。反応溶液を室温に冷却し、室温下、ｐ−ブロ
モスチレン６、５　５ｄ（　０．０　５モル）及ヒ塩化
ニッケルー（１．３−ジフェニルホスフィノプロパン）
錯体０．１６ｇ（０．３ミリモル）のジエチルエーテル
（ｌｏｏ＋ｔｅ）溶液に滴下した。滴下終了後、４時間
還流させた。

反応溶液を５００ｄの氷水に注ぎ、弱酸性になるように
ｐＨを調節した。ヘキサンによる抽出，洗浄，乾燥．溶
媒留去及びシリカゲルカラムクロマトグラフィーによる
精製を経て、４−ｎ−オクチルスチレン１２．　１　ｇ
　（収率８０％）を得た。

’Ｈ−ＮＭＲ　（溶媒；重クロロホルム、９０Ｍセ）；
δ　０．８９　（３Ｈ，ｔ，ＣＨ３）、　　６　１．０
０〜１．８　０　（　１　２　Ｈ，　ｍ，メチレン〔ベ
ンジル位以外］）、δ　２．６０　（２Ｈ，　　ｔ，メ
チレン〔ベンジル位〕）、６　５．１８　（２Ｈ，ｄｄ
，ＨＣ＝Ｃ−〔トランス〕）、６　５．７０　　（２Ｈ
，ｄｄ。

ＨＣ＝Ｃ−　Ｃシス〕）、６　６．７０　（ＩＨ，ｄｄ
。

Ｃ＝ＣＨ−　（α位〕）、６　７．１　１　（２Ｈ，　
ｄｄ。

ビニル基のメタ位）、６　７．３２　（２Ｈ，ｄｄ。

ビニル基のオルト位） （３）シンジオタクチック構造を有する４−ｎオクチル
スチレン重合体の製造 アルゴン雰囲気下、乾燥した反応容器に、７０°Ｃにお
いてトルエン１０ｄ、上記（１）で得られたメチルアル
ミノキサン　８Ｘ１０−”モル（２．６モル／１ートル
エン溶液〔アルミニウム原子あたり〕）を加え、７０°
Ｃで、この反応溶液に触媒成分（ａ）としてペンタメチ
ルシクロペンタジェニルチタントリメトキシド（Ｃｐ”
Ｔｉ　（ＯＭｅ）＋）　４ＸＩＯ−５モル（０．０１モ
ル／ｌートルエン溶液）汲び４−ｎ−オクチルスチレン
１９．　０　ｇ　（　８．　７　５ＸＩＯ−”モル）を
加え、４時間反応させた。

その後、メタノール−塩酸混合溶液に反応生成物を入れ
、反応を停止させ、脱灰，濾過後さらにメタノールで３
回洗浄した。減圧下で乾燥させて、４、０ｇの重合体を
得た。この分子量をＧＰＣ　（ゲル−パーミェーション
クロマトグラフィー）により測定したところ、ポリスチ
レン換算での重量平均分子量（Ｍｗ）は、２２０，００
０であり、数平均分子量（Ｍｎ）は、１００，０００で
あった。

なお、ＧＰＣの測定条件は下記の通りであった。

装置：ウォーターズＡＬＳ／’ＧＰＣ２４４型カラム：
ＴＳＫ　ＧＨ８Ｐ＋ＴＳＫ ＧＭＨ６＋日立ＧＬ−Ａ１２０＋日立 ＣＬ−Ａ１３０ 温度：室温 注入量：５００ｕｆ 濃度＝ｌＯ■１５戚 溶媒：クロロホルム 流量：１．４Ｉ１１／分 実施例２ モノマーとして４−ｎ〜オクチルスチレン１５．２ｇ（
７，００Ｘ　１０−”モル）とスチレン１．８２ｇ（８
，７５Ｘ１０−３モル）を用いた以外は、実施例１と同
様に操作し、２．７ｇの収量で重合体を得た。

この重合体のｃ、ｐｃ（測定条件は実施例１と同様）に
よるＭｗは、８５，０００．Ｍｎは、３５，０００であ
った。

ＩＨ−ＮＭＲ（４００Ｍセ；溶媒クロロホルム。

テトラメチルシランＯｐｐａ＋基準）から求めた４ｎ−
オクチルスチレン部／スチレン部のモル比は６６／３４
であった。

実施例３ モノマーとして４−ｎ−オクチルスチレン８．５ｇ（４
，３８ｘ　Ｉ　Ｏ−”モル）とスチレン４．６ｇ（４，
３８Ｘ１０−”モル）を用いた以外は、実施例１と同様
に操作し、２．７５　ｇの収量で重合体を得た。この重
合体のＧＰＣ（測定条件は実施例１と同様）によるＭｗ
は、６４，０００．Ｍｎは１３．０００であった。

’Ｈ−ＮＭＲ（測定条件は実施例２と同様）から求めた
４−ｎ−オクチルスチレン部／スチレン部のモル比は、
４８１５２であった。

実施例４ モノマーとして４−ｎ−オクチルスチレン７．６ｇ（３
，５Ｘ１０−”モル）とスチレン５．５ｇ（５，２５Ｘ
１０−”モル）を用いた以外は、実施例１と同様に操作
し、１．０４ｇの収量で重合体を得た。この重合体のＧ
ＰＣ（測定条件は実施例１と同様）によるＭｗは、７４
　０００、Ｍｎは２８．０００であった。

’Ｈ−ＮＭＲ（測定条件は実施例２と同様）から求めた
４−ｎ−オクチルスチレン部／スチレン部のモル比は、
２４／７６であった。

実施例５ モノマーとして４−ｎ−オクチルスチレン５．７ｇ（２
，６３Ｘ１０−”モル）とスチレン６．３７ｇ（６，１
３ｘｌＯ−２モル）を用いた以外は、実施例１と同様に
操作し、１．５７ｇの収量で重合体を得た。この重合体
のＧＰＣ（測定条件は実施例１と同様）によるＭｗは、
５２，０００、Ｍｎは、１４．０００であった。

’Ｈ−ＮＭＲ（測定条件は実施例２と同様）がら求めた
４−ｎ−オクチルスチレン部／スチレン部のモル比は、
２３／７７であった。

実施例６ モノマーとして４−ｎ−オクチルスチレン３．８ｇ（１
，７５Ｘ１０−”モル）とスチレン７．２８ｇ（７，０
ＯＸ１０−”モル）を用いた以外は、実施例１と同様に
操作し、０．６１ｇの収量で重合体を得た。この重合体
のＧＰＣ（測定条件は実施例１と同様）によるＭｗは、
７２，０００．Ｍｎは、３４．０００であった。

’Ｈ−ＮＭＲ（測定条件は実施例２と同様）から求めた
４−ｎ−オクチルスチレン部／スチレン部のモル比は、
１２／８８であった。

さらに、この重合体について、ＤＳＣ（示差走査熱量測
定）により、■−７０’Ｃ〜３００’Ｃ。

２０℃／分、昇温（ファーストヒーティング）、■３０
０”Ｃ，５分間保持、■３００”Ｃ〜−７０”Ｃ。

７°Ｃ／分、降温（ファーストクーリング）、■−７０
°Ｃ，５分間保持、■−７０’Ｃ〜３００’Ｃ。

２０℃／分、昇温（セカンドヒーティング）の測定条件
で測定したところ、セカンドヒーティング時に観測され
たガラス転移点（Ｔｇ）は、５４．７℃であり、また、
融点（Ｔｍ）は、存在しなかった。

実施例７ モノマーとして４−ｎ−オクチルスチレン１．９ｇ（０
，８８ｘｌＯペモル）とスチレン８．１９　ｇ（７，８
８Ｘ１０−”モル）を用いた以外は、実施例ｌと同様に
操作し、１．３１ｇの収量で重合体を得た。この重合体
のｃｐｃ　（測定条件は実施例１と同様）によるＭｗは
、１８０，０００、Ｍｎは、７４．０００であった。

’Ｈ−ＮＭＲ（測定条件は実施例２と同様）から求めた
４−ｎ−オクチルスチレン部／スチレン部のモル比は、
８／９２であった。

さらに、この重合体について、ＤＳＣ（示差走査熱量測
定）を行なったところ（測定条件は実施例６と同様）、
セカンドヒーティング時に観測されたガラス転移点（Ｔ
ｇ）は、７３．７°Ｃであり、また、融点（Ｔｍ）は、
存在しなかった。

実施例８ 七ツマ−として４−ｎ−オクチルスチレン０．９５ｇ（
０，４４Ｘ　１０−”モル）とスチレン８．６５ｇ＜８
．３１ｘｌＯ−２モル）を用いた以外は、実施例１と同
様に操作し、２．９８ｇの収量で重合体を得た。この重
合体のＧＰＣ（測定条件は実施例１と同様）によるＭｗ
は、３５０，０００．Ｍｎは、１８０．０００であった
。

’Ｈ−ＮＭＲ（測定条件は実施例２と同＃ｌ）から求め
た４−ｎ−オクチルスチレン部／スチレン部のモル比は
、６／９４であった。

さらに、この重合体について、ＤＳＣ（示差走査熱量測
定）を行なったところ（測定条件は実施例６と同様）、
セカンドヒーティング時に観測されたガラス転移点（Ｔ
ｇ）は、８２．４°Ｃであり、また、融点（Ｔｍ）は、
２２３．５°Ｃであり、その時の融解熱は、１３．４　
（Ｊ／ｇ）であった。

比較例１ ４−ｎ−オクチルスチレンをアゾイソブチロニトリル（
ＡＩＢＮ）を用いてラジカル重合させ、ＧＰＣ（測定条
件は実施例１と同様）によるＭｗが、１４，０００、Ｍ
ｎが、３７，０００である重合体を得た。

実施例１〜８及び比較例１で得られた重合体あるいは共
重合体の１３Ｃ−ＮＭＲ（１００ＭＨｚ：溶媒クロロホ
ルム、テトラメチルシランＯｐｐ＋ｍ基準）を第１図に
示す。実施例１で得られた重合体は、比較例１のような
ピークの広がりを持たないことから、主鎖が主としてシ
ンジオタクチック構造を有する共重合体であることが分
かる。

〈ピークの帰属〉 ４０〜４１ρｐ＋ｗ付近　主鎖メチン ４４〜４５ｐｐｍ付近　主鎖メチレン 実施例９ トルエン１０Ｍ１、触媒成分（ｂ）として、トリイソブ
チルアルミニウム（ＴＩＢＡ）４Ｘ１０−３モル（２モ
ル／！〜トルエン溶液）及びメチルアルミノキサン８Ｘ
１０−３モル（２，６モル／２−トルエン溶液）を用い
た以外は、実施例１と同様に操作し、８．５５ｇの収量
で重合体を得た。

この重合体のＧＰＣ（測定条件は実施例１と同様）によ
るＭｗは、１８０，０００、Ｍｎは、８４．０００であ
った。

また、′３Ｃ−ＮＭＲからこの主鎖は、主としてシンジ
オタクチック構造であることが分かった。

実施例１０ トルエン１０ｄ、触媒成分（ｂ）として、トリイソブチ
ルアルミニウム（ＴＩＢＡ）４Ｘ１０−”モル（２モル
／ｉ、−トルエン溶液）及びメチルアルミノキサン８Ｘ
１０−３モル（２，６モル／！−トルエン溶液）を用い
た以外は、実施例７と同様に操作し、２．４４ｇの収量
で重合体を得た。

この重合体のＧＰＣ（測定条件は実施例１と同様）によ
るＭｗは、１６０，０００、Ｍｎは、７６．０００であ
った。

ＩＨ−ＮＭＲ（測定条件は実施例２と同様）から求めた
４−ｎ−オクチルスチレン部／スチレン部のモル比は、
９／９１であった。

また、”Ｃ−ＮＭＲからこの主鎖は、主としてシンジオ
タクチック構造であることが分かった。

上記実施例１〜１０で用いた配合及び得られた重合体の
特性を第１表に示す。

（以下余白） 次に、上記実施例で得られた重合体あるいは共重合体と
、シンジオタクチックポリスチレンとの組成物の熱的性
質を、シンジオタクチックポリスチレン単独の場合と比
較する。

参考例１ シンジオタクチックポリスチレンの合成内容積５００ｄ
の反応容器に、ヘプタン２０〇−９実施例１（１）で得
られた接触生成物をアルミニウム原子として８ミリモル
、チタニウムテトラエトキシド０．０８ミリモル及びス
チレン５０戚を加え、５０°Ｃで２時間重合を行なった
。反応終了後、生成物を塩酸−メタノール混合液で洗浄
して触媒成分を分解除去し、乾燥して重合体３．０ｇを
得た。

この重合体のＧＰＣ（測定条件は実施例１と同様）によ
るＭｗは、２００，０００、Ｍｎは、８４．０００であ
った。

さらに、この重合体について、ＤＳＣ（示差走査熱量測
定）を行なったところ（測定条件は実施例６と同様）、
セカンドヒーティング時に観測されたガラス転移点（Ｔ
ｇ）は、９８．５°Ｃであり、また、融点（Ｔｍ）は、
２６７．８°Ｃであり、その時の融解熱は、１９．８（
Ｊ／ｇ）であった。

実施例１１ 実施例１（３）で得られた重合体１５■及び参考例１で
得られた重合体２８５■を１．２．４トリクロロヘンゼ
ン（ＴＣＢ）５０ｄに加熱溶解させ、完全に溶解後、メ
タノール５００１１ｄｌに滴下し、再沈澱させた。これ
を濾過・乾燥することにより組成物を調製した。

さらに、この組成物について、ＤＳＣ（示差走査熱量測
定）を行なったところ（測定条件は実施例６と同様）、
セカンドヒーティング時に観測されたガラス転移点（Ｔ
ｇ）は、９２．８°Ｃであり、また、融点（Ｔｍ）は、
２６６．２°Ｃであり、その時の融解熱は、１９．５　
（Ｊ／ｇ）であった。

実施例１２ 実施例１（３）で得られた重合体３０■及び参考例１で
得られた重合体２７０■を１．２．４トリクロロベンゼ
ン（ＴＣＢ）５０ａｆに加熱溶解させ、完全に溶解後、
メタノール５００戚に滴下し、再沈澱させた。これを濾
過・乾燥することにより組成物を調製した。

さらに、この組成物について、ＤＳＣ（示差走査熱量測
定）を行なったところ（測定条件は実施例６と同様）、
セカンドヒーティング時に観測されたガラス転移点（Ｔ
ｇ）は、９０．３℃であり、また、融点（Ｔｍ）は、２
６５．５°Ｃであり、その時の融解熱は、１８．９　（
Ｊ／ｇ）であった。

実施例１３ 実施例１（３）で得られた重合体６０■及び参考例１で
得られた重合体２４０■を１．２．４−トリクロロベン
ゼン（ＴＣＢ）５０ｄに加熱溶解させ、完全に溶解後、
メタノール５００ｍに滴下し、再沈澱させた。これを濾
過・乾燥することにより組成物を調製した。

さらに、この組成物について、ＤＳＣ（示差走査熱量測
定）を行なったところ（測定条件は実施例６と同様）、
セカンドヒーティング時に観測されたガラス転移点（Ｔ
ｇ）は、８６．０°Ｃであり、また、融点（Ｔｍ）は、
２６４．０°Ｃであり、その時の融解熱は、１６．９　
（Ｊ／ｇ）であった。

実施例１４ 実施例７で得られた重合体１５ｍｇ及び参考例１で得ら
れた重合体２８５■を１．２．４−１−リクロロヘンゼ
ン（ＴＣＢ）５０−に加熱溶解させ、完全に溶解後、メ
タノール５００−に滴下し、再沈澱させた。これを濾過
・乾燥することにより組成物を調製した。

さらに、この組成物について、ＤＳＣ（示差走査熱量測
定）を行なったところ（測定条件は実施例６と同様）、
セカンドヒーティング時に観測されたガラス転移点（Ｔ
ｇ）は、９６．８°Ｃであり、また、融点（Ｔｍ）は、
２６６．４℃であり、その時の融解熱は、１９．３　（
Ｊ／ｇ）であった。

実施例１５ 実施例７で得られた重合体３０■及び参考例１で得られ
た重合体２７０ｍｇを１．２．４−トリクロロベンゼン
（ＴＣＢ）５０ａｉ！に加熱溶解させ、完全に溶解後、
メタノール５００ｄに滴下し、再沈澱させた。これを濾
過・乾燥することにより組成物を調製した。

さらに、この組成物について、ＤＳＣ（示差走査熱量測
定）を行なったところ（測定条件は実施例６と同様）、
セカンドヒーティング時に観測されたガラス転移点（Ｔ
ｇ）は、９４．５°Ｃであり、また、融点（Ｔｍ）は、
２６７．４°Ｃであり、その時の融解熱は、１９．６　
（Ｊ／ｇ）であった。

実施例１６ 実施例７で得られた重合体６０■及び参考例１で得られ
た重合体２４０■を１．２．４−トリクロロベンゼン（
ＴＣＢ）５０ｉｄに加熱溶解させ、完全に溶解後、メタ
ノール５００ｄに滴下し、再沈澱させた。これを濾過・
乾燥することにより組成物を調製した。

さらに、この組成物について、ＤＳＣ（示差走査熱量測
定）を行なったところ（測定条件は実施例６と同様）、
セカンドヒーティング時に観測されたガラス転移点（Ｔ
ｇ）は、９３．５°Ｃであり、また、融点（Ｔｍ）は、
２６７．１°Ｃであり、その時の融解熱は、１７．０　
（Ｊ／ｇ）であった。

実施例１１〜１６で調製した組成物及び参考例１で製造
した重合体の熱的性質を第２表に示す。

なお、第２表において１は、実施例１で得られた重合体
を示し、■は、実施例７で得られた重合体を示し、■は
、参考例１で得られたシンジオタクチンクポリスチレン
を示す。

なお、融解熱は結晶化度を示す指標として用いた。

（以下余白） 〔発明の効果〕 本発明の主としてシンジオタクチック構造を有するアル
キルスチレン系重合体は、結晶性高分子である主として
シンジオタクチック構造を有するスチレン系重合体に添
加することにより、結晶性高分子である主としてシンジ
オタクチック構造を有するスチレン系重合体の結晶化度
を低下させることなく、ガラス転移温度を下げることが
でる。

これにより、結晶性高分子である主としてシンジオタク
チック構造を有するスチレン系重合体の低温金型成形の
際のエネルギー効率を高めることができる。

したがって、本発明のスチレン系重合体組成物は、低温
金型成形による各種成形品の製造に好適である。

【図面の簡単な説明】

第１図（ａ）〜（ｉ）は、それぞれ実施例１〜８及び比
較例１で得られた重合体あるいは共重合体の１３Ｃ−Ｎ
ＭＲスペクトルである。 ４１Ｊ

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼・・・〔 I 〕 〔式中、Ｒ＾１は炭素数５〜２０の直鎖又は分岐鎖アル
   キル基を示し、ｐは１〜５の整数を示す。 但し、ｐが複数のとき、各Ｒ＾１は同一でも異なるもの
   であってもよい。〕 で表される繰り返し単位〔 I 〕及び 一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼・・・〔II〕 〔式中、Ｒ＾２は、水素原子、ハロゲン原子又は炭素原
   子、酸素原子、窒素原子、硫黄原子、リン原子、セレン
   原子、珪素原子及び錫原子のいずれか一種以上を含む置
   換基を示し、ｑは１〜５の整数を示す。但し、ｑが複数
   のとき、各Ｒ＾２は、同一でも異なるものであってもよ
   い。〕で表される繰り返し単位〔II〕（但し、前記繰り
   返し単位〔 I 〕と同一の場合を除く）を有し、かつ前
   記繰り返し単位〔 I 〕を０．１〜１００モル％、前記
   繰り返し単位〔II〕を０〜９９．９モル％含む重合体で
   あって、その立体規則性が、主としてシンジオタクチッ
   ク構造を有するアルキルスチレン系重合体。
2. （２）請求項１の主としてシンジオタクチック構造を有
   するアルキルスチレン系重合体１〜９９重量％及び 一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼・・・〔III〕 〔式中、Ｒ＾３は、水素原子、ハロゲン原子又は炭素原
   子、酸素原子、窒素原子、硫黄原子、リン原子、セレン
   原子、珪素原子及び錫原子のいずれか一種以上を含む置
   換基を示し、ｒは１〜５の整数を示す。但し、ｒが複数
   のとき、各Ｒ＾３は、同一でも異なるものであってもよ
   い。〕で表わされる繰り返し単位〔III〕を有し、その
   立体規則性が、主としてシンジオタクチック構造を有す
   るスチレン系重合体（但し、上記アルキルスチレン系重
   合体と同一の場合を除く。）９９〜１重量％からなる樹
   脂組成物。