JPH0485826A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH0485826A JPH0485826A JP19884190A JP19884190A JPH0485826A JP H0485826 A JPH0485826 A JP H0485826A JP 19884190 A JP19884190 A JP 19884190A JP 19884190 A JP19884190 A JP 19884190A JP H0485826 A JPH0485826 A JP H0485826A
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- Japan
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- etching
- semiconductor device
- natural oxide
- oxide film
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Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置の製造方法に関し、特にドライエツ
チング方法に関する。
チング方法に関する。
従来、半導体装置の製造方法におけるドライエツチング
は例えば、第１図に示す平行平板型反応性イオンエツチ
ング装置においてシリコン基板（３０１）をエツチング
する場合、エツチング室（１０５）にＣＢｒＦ３ガスを
１００ （ＳＣＣＭ）を導入し、圧力を２００ （ｍＴ
ｏｒｒ）・高周波パワーを２５０（Ｗ）の条件で１ステ
ツプでエツチングを行っていた。
は例えば、第１図に示す平行平板型反応性イオンエツチ
ング装置においてシリコン基板（３０１）をエツチング
する場合、エツチング室（１０５）にＣＢｒＦ３ガスを
１００ （ＳＣＣＭ）を導入し、圧力を２００ （ｍＴ
ｏｒｒ）・高周波パワーを２５０（Ｗ）の条件で１ステ
ツプでエツチングを行っていた。
〔発明が解決しようとする課題及び目的〕ところが従来
の方法では被エツチング物の表面に形成された自然酸化
膜（３０２）の影響でエツチング時間が長くなったり、
自然酸化膜がエツチングマスクとなってスパイク状の残
渣（３０３）が発生する（第３図）といった課題を有し
ていた。
の方法では被エツチング物の表面に形成された自然酸化
膜（３０２）の影響でエツチング時間が長くなったり、
自然酸化膜がエツチングマスクとなってスパイク状の残
渣（３０３）が発生する（第３図）といった課題を有し
ていた。
そこで本発明は自然酸化膜の影響を受けないエツチング
方法を提供することを目的とする。
方法を提供することを目的とする。
本発明の半導体装置の製造方法は、反応室に導入したガ
スをマイクロ波によりプラズマ化し、必要に応じて高周
波を印加してエツチングを行うドライエツチング装置に
おいて、エツチング初期に高周波のみを印加して表面層
をエツチングし、その後、マイクロ波と高周波を印加し
て所望のエツチングを行うことを特徴とする特 〔作用〕 本発明はエツチング初期に高周波のみ印加することで物
理的なエツチングを行い、表面の自然酸化膜層を除去す
るという作用を有している。
スをマイクロ波によりプラズマ化し、必要に応じて高周
波を印加してエツチングを行うドライエツチング装置に
おいて、エツチング初期に高周波のみを印加して表面層
をエツチングし、その後、マイクロ波と高周波を印加し
て所望のエツチングを行うことを特徴とする特 〔作用〕 本発明はエツチング初期に高周波のみ印加することで物
理的なエツチングを行い、表面の自然酸化膜層を除去す
るという作用を有している。
以下、本発明について実施例に基づき詳細に説明する。
第２図は本実施例で使用したエツチング装置の構造であ
る。
る。
以下に第２図の装置を用いてシリコン基板をエツチング
した時の一実施例を明記する。
した時の一実施例を明記する。
まず、エツチング室（２０５）にＣＢｒＦ３ガスを１０
０ （ＳＣＣＭ）導入し、圧力１０ （ｍＴｏｒｒ）の
もとて高周波（２０３）を４００（Ｗ）印加しプラズマ
を発生させ、１０秒間エツチングを行う。この時のエツ
チング速度は材質によらずほぼ６００（人／ｍ ｉ ｎ
）程度である。これによってシリコン表面に形成されて
いる数十人の自然酸化膜がエツチング除去される。（第
４図（ａ））この際、エツチング時間を長くしすぎると
高周波をかなり高いパワーでかけているためシリコン基
板もエツチングされダメージが残るので気をつける必要
がある。その後、マイクロ波（２０７）を３００ （Ｗ
）−磁場（２０８）を８７５ （ＧａｕｓＳ）印加し、
高周波（２０３）を１５０（Ｗ）に下げ１２０秒エツチ
ングを行った。このエツチングは従来行われていたエツ
チングでエツチング速度が５０００ （人／ｍ１ｎ）・
均一性が±４（％）・レジストとの選択比が５程度で異
方性形状が得られるものである。（第４図（ｂ））この
様な２ステツプのエツチングシーケンスを組むことでス
ルーブツトをおとさずに処理できる。
０ （ＳＣＣＭ）導入し、圧力１０ （ｍＴｏｒｒ）の
もとて高周波（２０３）を４００（Ｗ）印加しプラズマ
を発生させ、１０秒間エツチングを行う。この時のエツ
チング速度は材質によらずほぼ６００（人／ｍ ｉ ｎ
）程度である。これによってシリコン表面に形成されて
いる数十人の自然酸化膜がエツチング除去される。（第
４図（ａ））この際、エツチング時間を長くしすぎると
高周波をかなり高いパワーでかけているためシリコン基
板もエツチングされダメージが残るので気をつける必要
がある。その後、マイクロ波（２０７）を３００ （Ｗ
）−磁場（２０８）を８７５ （ＧａｕｓＳ）印加し、
高周波（２０３）を１５０（Ｗ）に下げ１２０秒エツチ
ングを行った。このエツチングは従来行われていたエツ
チングでエツチング速度が５０００ （人／ｍ１ｎ）・
均一性が±４（％）・レジストとの選択比が５程度で異
方性形状が得られるものである。（第４図（ｂ））この
様な２ステツプのエツチングシーケンスを組むことでス
ルーブツトをおとさずに処理できる。
この方法によりエツチング初期の物理的エツチングによ
りシリコン表面上の自然酸化膜が除去され、次に行われ
るエツチングが自然酸化膜の影響を受けることなく正常
に行われる。
りシリコン表面上の自然酸化膜が除去され、次に行われ
るエツチングが自然酸化膜の影響を受けることなく正常
に行われる。
以上述べた実施例はいろいろあるプロセスの一実施例で
あり、これに限るものではなく、表面層にエツチングの
マスクになるようなものが存在するときには使用できる
ものである。
あり、これに限るものではなく、表面層にエツチングの
マスクになるようなものが存在するときには使用できる
ものである。
本発明によると自然酸化膜による残渣が発生しないし、
自然酸化膜を除去するためのウェットエツチング工程も
いらず、同じ装置で自然酸化膜の除去から通常のエツチ
ングまででき、歩留り向上にもスルーブツト向上にも効
果がある。
自然酸化膜を除去するためのウェットエツチング工程も
いらず、同じ装置で自然酸化膜の除去から通常のエツチ
ングまででき、歩留り向上にもスルーブツト向上にも効
果がある。
第１図は従来技術で使用したエツチング装置の概略図で
ある。 第２図は本実施例で使用したエツチング装置の概略図で
ある。 １０１．２０１・・・ガス導入口 １０２．２０２・・・ガス排気口 １０３．２０３・・・高周波電源 １０４．２０４・・・電極 １０５．２０５・・・エツチング室 １０６．２０６・・・ウェハー ２０７・・・マグネトロン ２０８・・・ソレノイドコイル ２０９・・・アース電極 ２１０・・・道波管 第３図は従来技術でエツチングを行ったときのエツチン
グ形状を示す図。 第４図は本実施例でエツチングを行ったときのエツチン
グ形状を示す図。 ３０１．４０１・・・シリコン基板 ３０２．４０２・・・自然酸化膜 ３０３ ・・・残渣 ４０４・・・レジストマスク 以上 出願人 セイコーエプソン株式会社 代理人 弁理士 鈴木喜三部 他１名 第２図 第３図 第４図（ａ） 第４図（ｂ）
ある。 第２図は本実施例で使用したエツチング装置の概略図で
ある。 １０１．２０１・・・ガス導入口 １０２．２０２・・・ガス排気口 １０３．２０３・・・高周波電源 １０４．２０４・・・電極 １０５．２０５・・・エツチング室 １０６．２０６・・・ウェハー ２０７・・・マグネトロン ２０８・・・ソレノイドコイル ２０９・・・アース電極 ２１０・・・道波管 第３図は従来技術でエツチングを行ったときのエツチン
グ形状を示す図。 第４図は本実施例でエツチングを行ったときのエツチン
グ形状を示す図。 ３０１．４０１・・・シリコン基板 ３０２．４０２・・・自然酸化膜 ３０３ ・・・残渣 ４０４・・・レジストマスク 以上 出願人 セイコーエプソン株式会社 代理人 弁理士 鈴木喜三部 他１名 第２図 第３図 第４図（ａ） 第４図（ｂ）
Claims (1)
- 反応室に導入したガスをマイクロ波によりプラズマ化し
、必要に応じて高周波を印加してエッチングを行うドラ
イエッチング装置において、エッチング初期に高周波の
みを印加して表面層をエッチングし、その後、マイクロ
波と高周波を印加して所望のエッチングを行うことを特
徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19884190A JPH0485826A (ja) | 1990-07-26 | 1990-07-26 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19884190A JPH0485826A (ja) | 1990-07-26 | 1990-07-26 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0485826A true JPH0485826A (ja) | 1992-03-18 |
Family
ID=16397810
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19884190A Pending JPH0485826A (ja) | 1990-07-26 | 1990-07-26 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0485826A (ja) |
-
1990
- 1990-07-26 JP JP19884190A patent/JPH0485826A/ja active Pending
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