JPH0485847A - 電子ビーム装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［概要コ 試料に照射すべき電子ビームを発生する電子ビーム発生
源と、ブランキングパルスを発生するブランキングパル
ス発生回路と、前記ブランキングパルスに基づいて前記
電子ビームを偏向して電子ビームパルスを形成する一対
の電極からなる静電偏向型のブランキング偏向器と、前
記試料に対する前記電子ビームパルスの照射により放出
される二次電子を検出する二次電子検出器と、サンプリ
ングパルスを発生するサンプリングパルス発生回路と、
前記二次電子検出器から出力される二次電子検出信号を
前記サンプリングパルスに基づいてサンプリングするサ
ンプリング回路とを設けてなる電子ビーム装置に関し、 精度の高い測定を行うことができるようにすることを目
的とし、 前記サンプリング回路に対する前記サンプリングパルス
の供給を、前記ブランキングパルス発生回路から出力さ
れるブランキングパルスのレベルが一定になった後に行
うように構成する。

［産業上の利用分野］ 本発明は、電子ビーム装置、より詳しくは、ブランキン
グパルス発生回路から出力されるブランキングパルスに
基づいて、電子ビーム発生源から発生される電子ビーム
を偏向して電子ビームパルスを形成する一対の電極から
なる静電偏向型のブランキング偏向器を備えて構成され
る電子ビームテスタ等、電子ビーム装置に関する。

［従来の技術］ 従来、電子ビームテスタとして、第６図にその要部を示
すようなものが提案されている。

図中、１はその周波数を、例えば、３０ＭＨｚとするＬ
ＳＩ駆動用のクロック信号が入力されるクロック信号入
力端子、２はこのクロック信号入力端子１に入力される
クロック信号を、例えば、５ＭＨｚに分周する分周回路
、３はゲート信号が入力されるゲート信号入力端子、４
は電子ビームパルス発生ストローブ信号く以下、ＥＢパ
ルス発生ストローブ信号という）を発生するＡＮＤゲー
ト、５はＡＮＤゲート４から供給されるＥＢパルス発生
ストローブ信号をトリガ信号としてブランキングパルス
を発生するパルスジェネレータ、６は一対の電極６Ａ、
６Ｂからなる静電偏向型のブランキング偏向器であり、
このブランキング偏向器６は、その一方の電ｆｉ６Ａを
パルスジェネレータ５の出力端子に接続され、その他方
の電極６Ｂを接地されている。

また、７は電子ビーム発生源、８は電子ビーム、９はア
パーチャ、ｌＯは試料、１１は二次電子であり、アパー
チャ９は、ブランキング偏向器６の一方の電極６Ａと他
方の電極６Ｂの電圧が同一の場合、即ち、一方の電極６
Ａの電圧が接地電圧、０　［Ｖ］の場合に、電子ビーム
８が、その円形スリット９Ａを通過するように構成され
ている。

また、１２はＥＢパルス発生ストローブ信号を遅延して
サンプリングパルスを発生する遅延回路、１３は試料１
０から放出される二次電子１１を検出する二次電子検出
器、１４は二次電子検出器１３により得られた二次電子
検出信号を遅延回路１２から供給されるサンプリングパ
ルスに基づいてサンプリングするサンプリング回路、１
５はサンプリング回路１４によってサンプリングされた
二次電子検出信号をアナログ・デジタル変換するＡ／Ｄ
コンバータ、１６はＡ／Ｄコンバータ１５によってアナ
ログ・デジタル変換された二次電子検出信号を信号処理
する信号処理回路である。

第７図は、かかる電子ビームテスタの動作を示すタイム
チャートであって、第７図Ａは分周回路２から出力され
る分周クロック信号、第７図Ｂはゲート信号を示してい
る。

ここに、ゲート信号がローレベル“Ｌ”からハイレベル
“Ｈ″に反転すると、ＡＮＤゲート４がディゼープル状
態からイネーブル状態に変化し、その出力端子には第７
図Ｃに示すようなＥＢパルス発生ストローブ信号が出力
され、これがパルスジェネレータ５に供給される。パル
スジェネレータ５においては、このＥＢパルス発生スト
ローブ信号をトリガ信号として第７図りに示すようなブ
ランキングパルスが出力され、これがブランキング偏向
器６の一方の電極６Ａに供給される。ここに、電子ビー
ムパルス１７が形成され、これが試料１０に照射される
。なお、第７図Ｅはブランキング偏向器６の他方のｔｉ
６Ｂの電位、第７図Ｆは遅延回路１２の出力端子に得ら
れるサンプリングパルスを示している。

このように、電子ビームパルス１７が試１１０に照射さ
れると、試料１０がら二次電子１１が放出され、これが
二次電子検出器１３によって検出され、二次電子検出器
１３の出力端子に二次電子検出信号が得られる。かがる
二次電子検出信号はサンプリング回路１４によってサン
プリングされな後、Ａ／Ｄコンバータ１５によってアナ
ログ信号からデジタル信号に変換され、その後、信号処
理回路１６によって信号処理される。

なお、サンプリング回路１４へのサンプリングパルスの
供給タイミング、即ち、遅延回路１２の遅延時間Ｔｏは
、ＥＢパルス発生ストローブ信号がパルスジェネレータ
５に供給されてからブランキングパルスが発生するまで
に要する時間Ｔ１、電子ビームパルス１７が試料１０に
達するまでの時間Ｔ２、試料１０から放出される二次電
子１１が二次電子検出器１３に達するまでの時間Ｔ３、
二次電子検出信号が二次電子検出器１３からサンプリン
グ回路１４に達するまでの時間Ｔ４の合計時間Ｔ１＋’
ｒ２＋’ｒ３＋”ｒ、、に設定される。

［発明が解決しようとする課題］ ところで、パルスジェネレータ５は、ＥＢパルス発生ス
トローブ信号を供給され始めた後、数十パルスのブラン
キングパルスを発生させた後でなければ、定常状態、即
ち、そのハイレベル値が一定にはならず、かかる定常状
態になるまでは、第７図りに示すように、そのハイレベ
ル値が０［■］以上になってしまう。即ち、ゲート信号
をハイレベル“Ｈ”に反転した直後から、そのハイレベ
ル値を０［■］とするブランキングパルスをブランキン
グ偏向器６の一方の電ｉ６Ａに供給することができず、
定常状態になるＪでは、正常な電子ビームパルス１７を
形成することができないという不都合があった。このた
め、かかる従来の電子ビームテスタにおいては、パルス
ジェネレータ５の立ち上がり時に測定したデータ、即ち
、ブランキングパルス発生開始後、定常状態になる前ま
でに測定したデータについては、これを信頼することが
できず、精度の高い測定を行うことができないという問
題点があった。

この点について更に詳しく説明すると、市販のパルスジ
ェネレータの中には、ＤＣ状態からパルスを発生した場
合（前例でいえば、ＡＮＤゲート４をディゼープル状態
からイネーブル状態に変化させて、ＥＢパルス発生スト
ローブ信号をパルスジェネレータ５に印加した直後の場
合）と、その後、数ＭＨｚの繰り返し周波数で定常的に
パルスを発生させている状態の場合とでは、出力パルス
のオフセット量がパルス振幅の３０〜５０％程度変化さ
せるものがある。

ちなみに、第８図は市販のパルスジェネレータの一例に
おけるオフセット電圧と出力パルスの繰り返し周波数と
の関係を示している。但し、この第８図は、第９図に示
すように、出力パルスのパルス幅を６０［ｎ５ｅｃ］、
振幅を１．７［Ｖ］、オフセット電圧を比カパルスのハ
イレベル値で定義し、かつ、出力パルスの繰り返し周波
数が１．３ＭＨｚの場合のオフセット電圧を０［■］と
した場合を例にして示している。

この例の場合、例えば、出力パルスの繰り返し周波数が
５ＭＨｚにおけるオフセット電圧をＯ［Ｖ］とした場合
、ＯＭＨｚでは、即ち、ｐｃ状態から最初のパルスを発
生させた状態では、そのオフセット電圧は、約＋０．８
　　［Ｖ］となってしまう、したがって、この市販のパ
ルスジェネレータを第６図従来例の電子ビームテスタに
適用し、出力パルスたるブランキングパルスの繰り返し
周波数を５ＭＨｚとする場合において、５ＭＨｚにおけ
るオフセット電圧を０［Ｖ］に調整した場合には、ＥＢ
パルス発生ストローブ信号が供給された直後のブランキ
ングパルスのハイレベル値は、約＋Ｑ、８　　［■］と
なってしまい、その後、徐々に、この電圧値を下げ、繰
り返し周波数が５ＭＨｚ、即ち、定常状態になるとブラ
ンキングパルスのハイレベル値が０［■］となり、この
時点において初めて正常な電子ビームパルス１７が形成
されることになる。

このように、かかる市販のパルスジェネレータを使用す
ると、それが立ち上がり後、定常状態になるまでは、正
常な電子ビームパルス１７を形成することができず、こ
の結果、パルスジェネレータの立ち上がり時に測定した
データを信頼することができず、精度の高い測定を行う
ことができないという問題点が生ずるところとなる。

本発明は、かかる点に鑑み、精度の高い測定を行うこと
ができるようにした電子ビームテスタ等、電子ビーム装
置を提供することを目的とする。

［課題を解決するための手段］ 本発明中、第１の発明による電子ビーム装置は、その構
成要素を実施例図面第１図に対応させて説明すると、試
料１０に照射すべき電子ビーム８を発生する電子ビーム
発生源７と、ブランキングパルスを発生するブランキン
グパルス発生回路２．４．５と、ブランキングパルスに
基づいて電子ビーム８を偏向して電子ビームパルス１７
を形成する一対の電極６Ａ、６Ｂからなる静電偏向型の
ブランキング偏向器６と、試料１０に対する電子ビーム
パルス１７の照射により放出される二次電子１１を検出
する二次電子検出器１３と、サンプリングパルスを発生
するサンプリングパルス発生回路１２．２０と、二次電
子検出器１３から出力される二次電子検出信号をサンプ
リングパルスに基づいてサンプリングするサンプリング
回路１４とを設けてなる電子ビーム装置において、サン
プリング回路１４に対するサンプリングパルスの供給を
、ブランキングパルス発生回路２．４．５がら出力され
るブランキングパルスのレベルが一定になった後に行う
ように構成する、というものである。

本発明中、第２の発明による電子ビーム装置は、その構
成要素を、例えば、実施例図面第４図に対応させて説明
すると、試料に照射すべき電子ビームを発生する電子ビ
ーム発生源７と、ブランキングパルスを発生するブラン
キングパルス発生回路２．４．５と、ブランキングパル
スに基づいて電子ビーム８を偏向して電子ビームパルス
１７を形成する一対の電極６Ａ、６Ｂからなる静電偏向
型のブランキング偏向器６と、ブランキングパルスのオ
フセット補正電圧を発生するオフセット補正電圧発生回
路２１とを設け、ブランキング偏向器６の一方の電極６
Ａにブランキングパルスを供給すると共にブランキング
偏向器６の他方の電極６Ｂにオフセット補正電圧を供給
するように構成する、というものである。

［作用］ 第１の発明においては、二次電子検出信号をサンプリン
グするサンプリング回路１４に対するサンプリングパル
スの供給を、ブランキングパルス発生回路２．４．５か
ら出力されるブランキングパルスのレベルが一定になっ
た後、即ち、正常な電子ビームパルス１７が発生される
ようになってから行うようにしている。したがって、有
効な測定データのみを得、精度の高い測定を行うことが
できる。

また、第２の発明においては、ブランキング偏向器６の
一方の電極６Ａにブランキングパルスが供給されると共
にブランキング偏向器６の他方の電極６Ｂにオフセット
補正電圧が供給されるので、ブランキングパルス発生直
後から、一方の電極６Ａに供給されるブランキングパル
スのピークにおける一方の電圧値と、他方の電極６Ｂの
電圧値とを等しくすることができる。したがって、パル
スジェネレータ５がブランキングパルスを発生した直後
から正常な電子ビームパルス１７を形成し、パルスジェ
ネレータ５がブランキングパルスを発生した直後から有
効な測定デ゛−夕を得、精度の高い測定を行うことがで
きる。

［実施例］ 以下、第１図〜第５図を参照して、本発明の各種実施例
につき説明する。なお、第１図、第３図、第４図におい
て、第６図に対応する部分には同一符号を付し、その重
複説明は省略する。

第１　　　（第１　、第２ 第１図は、本発明の第１実施例（第１の発明の一実施例
）の要部を示す図である。

かかる第１実施例では、第６図従来例におけるゲート信
号入力端子３に代わり、第１のゲート信号が入力される
第１のゲート信号入力端子１８が設けられているほか、
新たに、第２のゲート信号が入力される第２のゲート信
号入力端子１９と、ＡＮＤゲート２０とが設けられてい
る。

ここに、第１のゲート信号入力端子１８は、ＡＮＤゲー
ト４の他方の入力端子に接続されている。

また、遅延回路１２の出力端子は、ＡＮＤゲート２０の
一方の入力端子に接続され、第２のゲート信号入力端子
１９は、ＡＮＤゲート２０の他方の入力端子に接続され
ており、ＡＮＤゲート２０の出力端子は、サンプリング
回路１４のサンプリング信号入力端子に接続されている
。その他については、第６図従来例と同様に構成されて
いる。

第２図は、かかる第１実施例の動作を示すタイムチャー
トであって、第２図Ａは分周回路２から出力される分周
クロック信号、第２図Ｂは第１のゲート信号を示してい
る。ここに、第１のゲート信号がローレベル“Ｌ”から
ハイレベル′Ｈ”になると、ＡＮＤゲート４がディゼー
プル状態からイネーブル状態に変化し、その出力端子に
は第２図Ｃに示すようなＥＢパルス発生ストローブ信号
が発生され、これがパルスジェネレータ５及び遅延回路
１２に供給される。

パルスジェネレータ５においては、ＥＢパルス発生スト
ローブ信号をトリガ信号として、第２図りに示すような
ブランキングパルスが発生され、これがブランキング偏
向器６の一方の電極６Ａに供給される。

また、遅延回路１２の出力端子には、第２図Ｆに示すよ
うに、ＥＢパルス発生ストローブ信号を遅延させた信号
が出力される。そして、パルスジェネレータ５が定常状
態、即ち、ブランキングパルスのハイレベル値が０［Ｖ
］になると、第２図Ｇに示すように、第２のゲート信号
がローレベル“Ｌ”からハイレベル“Ｈ”に反転する。

この結果、ＡＮＤゲート２０の出力端子には、第２図Ｈ
に示すようなサンプリングパルスを得ることができる。

このように、この第１実施例においては、サンプリング
回路１４に対するサンプリングパルスの供給を、パルス
ジェネレータ５が定常状態、即ち、ブランキングパルス
のハイレベル値がＯ［Ｖ］になり、即ち、正常な電子ビ
ームパルス１７が発生するようになってから行うことが
できるように構成されている。

したがって、この第１実施例によれば、有効な測定デー
タのみを得、精度の高い測定を行うことができる。

第２　　　（第３゛） 第３図は、本発明の第２実施例（第１の発明の他の実施
例）の要部を示す図である。

かかる第２実施例においては、遅延回路１２の入力端子
は、分周回路２の出力端子に接続されており、その他に
ついては、第１実施例と同様に構成されている。

かかる第２実施例においても、第１実施例と同様の効果
を得ることができる。

３　　　（第４パ　第５図） 第４図は、本発明の第３実施例（第２の発明の一実施例
）の要部を示す図である。

本実施例においては、オフセット補正電圧発生回路２１
が設けられ、このオフセット補正電圧発生回路２１のオ
フセット補正電圧出力端子２２がブランキング偏向器６
の他方の電極６Ｂに接続されている。したがって、ブラ
ンキング偏向器６の他方の電極６Ｂは接地されていない
、その他については、第６図従来例の場合と同様に構成
されている。

ここに、オフセット補正電圧発生回路２１は、インバー
タ２３と、ｎチャネルの電界効果トランジスタ（以下、
ＦＥＴという）２４．２５と、直流電源２６と、抵抗器
２７と、コンデンサ２８とを設けて構成されており、イ
ンバータ２３は、その入力端子をゲート信号入力端子３
に接続され、その出力端子をＦＥＴ２４のゲートに接続
されている。

また、ＦＥＴ２４は、そのドレインをオフセット補正電
圧出力端子２２に接続され、そのソースを直流電源２６
に接続されている。また、抵抗器２７は、その一端をオ
フセット補正電圧出力端子２２に接続され、その他端を
ＦＥＴ２５のドレインに接続されている。

また、ＦＥＴ２５は、そのゲートをゲート信号入力端子
３に接続され、そのソースを接地されている。また、コ
ンデンサ２８は、その一端をオフセット補正電圧出力端
子２２に接続され、その他端を接地されている。

このオフセット補正電圧発生回路２１は、コンデンサ２
８の一端の電圧をオフセット補正電圧とするものである
。

なお、直流電源２６が出力する直流電圧は、パルスジェ
ネレータ５がＤＣ状態から最初に出力するブランキング
パルスのオフセット電圧よりもやや高い電圧に設定され
る。

第５図は本実施例の動作を示すタイムチャートであり、
第５図Ａは分周回路２から出力される分周クロック信号
、第５図Ｂはゲート信号を示している。

ここに、ゲート信号がローレベル″Ｌ”からハイレベル
°゛Ｈ”に反転すると、ＡＮＤゲート４がディゼープル
状態からイネーブル状態に変化し、その出力端子には、
第５図Ｃに示すようなＥＢパルス発生ストローブ信号が
出力され、これがパルスジェネレータ５に供給される。

パルスジェネレータ５においては、このＥＢパルス発生
ストローブ信号をトリガ信号として第５図りに示すよう
なブランキングパルスが出力され、これがブランキング
偏向器６の一方の電極６Ａに供給される。

また、本実施例においては、ゲート信号がローレベル“
Ｌ”にあるとき、ＦＥＴ２４がオン状態、ＦＥＴ２５が
オフ状態となっているので、この場合には、コンデンサ
２８は直流電源２６によって所定電圧に充電されている
。そして、ゲート信号がハイレベル“Ｈ”に反転すると
、ＦＥＴ２４がオフ状態、ＦＥＴ２５がオン状態となり
、この結果、コンデンサ２８は放電を開始し、コンデン
サ２８の一端の電圧、即ち、オフセット補正電圧は第５
図Ｅに示すように変化する。

この場合、ブランキングパルスの最初のパルスのオフセ
ット電圧■１と、オフセット補正電圧のうち、時刻Ｔに
おける電圧ｖ２とが同一電圧となるように直流電源１５
の電圧値が設定される。また、ブランキングパルスのハ
イレベル値の変化とオフセット補正電圧値の変化とが一
致する必要があるが、これは、抵抗器２７の抵抗値とコ
ンデンサ２８のキャパシティを適当な値に設定すること
によって達成することができる。

以上のように、この第３実施例においては、ブランキン
グ偏向器６の一方の電極６Ａにブランキングパルスを供
給すると共にブランキング偏向器６の他方の電極６Ｂに
オフセット補正電圧を供給するように構成されているの
で、ブランキングパルス発生直後から、ブランキング偏
向器６の一方の電極６Ａに供給されるブランキングパル
スのハイレベル値と、他方の電極６Ｂの電圧値とを等し
くすることができる。

したがって、本実施例によれば、パルスジェネレータ５
がブランキングパルスを発生した直後から正常な電子ビ
ームパルス１７を形成することができるので、パルスジ
ェネレータ５がブランキングパルスを発生した直後から
有効な測定データを得、精度の高い測定を行うことがで
きる。

［発明の効果］ 本発明中、第１の発明によれば、二次電子検出信号をサ
ンプリングするサンプリング回路に対するサンプリング
パルスの供給を、ブランキングパルス発生回路から出力
されるブランキングパルスのレベルが一定になってから
行うようにされているので、有効な測定データのみを得
、精度の高い測定を行うことができる。

本発明中、第２の発明によれば、ブランキングパルスを
発生するブランキングパルス発生回路の他に、ブランキ
ングパルスのオフセット補正電圧を発生するオフセット
補正電圧発生回路を設け、ブランキング偏向器の一方の
電極にブランキングパルスを供給すると共にブランキン
グ偏向器の他方の電極にオフセット補正電圧を供給する
という構成を採用したことにより、ブランキングパルス
の発生直後から、ブランキング偏向器の一方の電極に供
給されるブランキングパルスの一方の電圧値と他方の電
極の電圧値とを同一にし、パルスジェネレータがブラン
キングパルスを発生した直後から正常な電子ビームパル
スを形成することができるので、パルスジェネレータが
ブランキングパルスを発生した直後から有効な測定デー
タを得、精度の高い測定を行うことができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の第１実施例（第１の発明の一実施例）
の要部を示す図、 第２図は本発明の第１実施例の動作を示すタイムチャー
ト、 第３図は本発明の第２実施例（第１の発明の他の実施例
）の要部を示す図、 第４図は本発明の第３実施例（第２の発明の一実施例）
の要部を示す図、 第５図は本発明の第３実施例の動作を示すタイムチャー
ト、 第６図は従来の電子ビームテスタの要部を示す図、 第７図は第６図従来例の電子ビームテスタの動作を示す
タイムチャート、 第８図は市販のパルスジェネレータの一例におけるオフ
セット電圧と出力パルスの繰り返し周波数との関係を示
す図、 第９図は第８図を求めるに際し使用したパルスを示す図
である。 ８・・・電子ビーム １７・・・電子ビームパルス ２１・・・オフセット補正電圧発生回路２２・・・オフ
セット補正電圧出力端子第１実施例の要部 第１図 第１実施例の動作を示すタイムチャート第２図 第２実施例の要部 第３実施例の動作を示すタイムチャート第５図 ゲート信号 第３実施例の要部 第４図 従来の電子ビームテスタの要部 第６図 の動作を示すタイムチャート 第７図 出力パルスの繰り返し周波数［ＭＨｚ　］の繰り返し周
波数との関係を示す図 第８図

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. （１）試料に照射すべき電子ビームを発生する電子ビー
   ム発生源と、 ブランキングパルスを発生するブランキングパルス発生
   回路と、 前記ブランキングパルスに基づいて前記電子ビームを偏
   向して電子ビームパルスを形成する一対の電極からなる
   静電偏向型のブランキング偏向器と、 前記試料に対する前記電子ビームパルスの照射によって
   前記試料から放出される二次電子を検出する二次電子検
   出器と、 サンプリングパルスを発生するサンプリングパルス発生
   回路と、 前記二次電子検出器から出力される二次電子検出信号を
   前記サンプリングパルスに基づいてサンプリングするサ
   ンプリング回路とを設けてなる電子ビーム装置において
   、 前記サンプリング回路に対する前記サンプリングパルス
   の供給を、前記ブランキングパルス発生回路から出力さ
   れるブランキングパルスのレベルが一定になつた後に行
   うように構成されていることを特徴とする電子ビーム装
   置。
2. （２）前記ブランキングパルス発生回路は、ＬＳＩ駆動
   用のクロック信号を分周する分周回路と、該分周回路か
   ら出力される分周クロック信号の通過を第１のゲート信
   号に基づいて制御する第１のゲート回路と、該第１のゲ
   ート回路の出力パルスをトリガ信号としてブランキング
   パルスを出力するパルスジェネレータとを設け、該パル
   スジェネレータの出力端子に前記ブランキングパルスを
   得るように構成され、 前記サンプリングパルス発生回路は、前記第１のゲート
   回路の出力パルスを遅延する遅延回路と、該遅延回路の
   出力パルスの通過を第２のゲート信号に基づいて制御す
   る第２のゲート回路とを設け、該第２のゲート回路の出
   力端子に前記サンプリングパルスを得るように構成され
   、前記第１のゲート回路をイネーブル状態にして前記ブ
   ランキングパルスを発生させた後、前記ブランキングパ
   ルスのレベルが一定になった以降に、前記第２のゲート
   回路をイネーブル状態にするようになされていることを
   特徴とする請求項１記載の電子ビーム装置。
3. （３）前記ブランキングパルス発生回路は、ＬＳＩ駆動
   用のクロック信号を分周する分周回路と、該分周回路か
   ら出力される分周クロック信号の通過を第１のゲート信
   号に基づいて制御する第１のゲート回路と、該第１のゲ
   ート回路の出力パルスをトリガ信号としてブランキング
   パルスを出力するパルスジェネレータとを設け、該パル
   スジェネレータの出力端子に前記ブランキングパルスを
   得るように構成され、 前記サンプリングパルス発生回路は、前記分周回路から
   出力される分周クロック信号を遅延する遅延回路と、該
   遅延回路の出力パルスの通過を第２のゲート信号に基づ
   いて制御する第２のゲート回路とを設け、該第２のゲー
   ト回路の出力端子に前記サンプリングパルスを得るよう
   に構成され、 前記第１のゲート回路をイネーブル状態にして前記ブラ
   ンキングパルスを発生させた後、前記ブランキングパル
   スのレベルが一定になった以降に、前記第２のゲート回
   路をイネーブル状態にするようになされていることを特
   徴とする請求項１記載の電子ビーム装置。
4. （４）試料に照射すべき電子ビームを発生する電子ビー
   ム発生源と、 ブランキングパルスを発生するブランキングパルス発生
   回路と、 前記ブランキングパルスに基づいて前記電子ビームを偏
   向して電子ビームパルスを形成する一対の電極からなる
   静電偏向型のブランキング偏向器と、 前記ブランキングパルスのオフセット補正電圧を発生す
   るオフセット補正電圧発生回路とを設け、 前記ブランキング偏向器の一方の電極に前記ブランキン
   グパルスを供給すると共に前記ブランキング偏向器の他
   方の電極に前記オフセット補正電圧を供給するように構
   成されていることを特徴とする電子ビーム装置。
5. （５）前記オフセット補正電圧発生回路は、前記ブラン
   キング偏向器の他方の電極と接地との間に、第１の接続
   スイッチ回路と所定の直流電圧を出力する直流電源との
   直列回路と、抵抗器と第２の接続スイッチ回路との直列
   回路と、コンデンサとを接続してなり、 前記ブランキングパルス発生回路が前記ブランキングパ
   ルスを発生する前は、前記第１の接続スイッチ回路をオ
   ン状態、前記第２の接続スイッチ回路をオフ状態として
   、前記直流電源によって前記コンデンサを所定の電圧に
   充電しておき、 前記ブランキングパルス発生回路が前記ブランキングパ
   ルスを発生し始めたときは、前記第１の接続スイッチ回
   路をオフ状態、前記第２の接続スイッチ回路をオン状態
   とすることによりオフセット補正電圧を出力するように
   構成されていることを特徴とする請求項４記載の電子ビ
   ーム装置。