JPH0486684A - 画像形成装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 【産業上の利用分野】

この発明は、参照波信号により変調した変調信号により
ドツト記録して中間調再現を行う画像形成装置に関する
ものである。

【背景技術】

電子写真法による画像形成装置の分野において、デジタ
ル方式における中間調再現法の基本的な考えかたとして
、画像の階調としてパルス幅変調を用いた面積階調が知
られている。 パルス幅変調はレーザ出力をｏｎ、ｏｆｆの２値で行い
、発振時間を制御することによって階調を出すものであ
る。この長所はレーザ出力が。１時に感光体の表面電位
を略ＱＶにすることにより前記の温度、湿度に依存する
電位変化を無視することができ、安定性に優れている。 ただしパルス幅が短くなるに従って、パルスの広がりの
ためにピーク値が下がり、アナログ的な電位表現になる
。これを避けるためには出力を一定にしてできるだけス
ポット径を小さくする必要がある。しかしスポット径を
小さくすることは副走査方向ピッチの縮小により、走査
本数を増やさなければならず、プリントスピードが落ち
ることになる。これを改良するために主走査方向に短軸
、副走査方向に長軸になるようにスポット径を超だ円に
したものが知られている。パルス幅変調を用いた場合の
記録の特性を第７図ａ（突線）に示す。第８図（ａ）に
は中間濃度の場合のトナーが付着した記録状態を示す。 中間調再現を重視した画像形成装置にｃｊ他にドツト集
中型や分散型のデイザ法が知られてし・る。又パルス幅
変調とデイザ法との組合わせなどの改良法が知られてい
る。 しかしながら、前述のパルス幅変調やドツト集中型のデ
イザ法を採用して、中間調再現をおこなっても、様々な
事情により、階調再現はハイライト部ではとびが高濃度
部では隣接するドツトがつながって形成されることによ
り、飽和がみられる。 この傾向は高γ感光体で著しい。

【目　的】

本発明の目的は、上記問題点に鑑み、潜像形成時におけ
る隣接するドツトがつながって形成されることによる濃
度ジャンプを防止して安定した中間調再現を行える画像
形成装置を提供することにある。

【問題点を解決するだめの手段】

上記目的を達成するこの発明は、画像濃度データを参照
波信号で変調した変調信号で半導体レーザを発振して像
形成体上に像形成する画像形成装置において、前記画像
濃度データを主走査あるいは副走査方向において周期的
に振幅を変化させた参照波により変調することを特徴と
するものである。 又、画像濃度データを参照波信号で変調した変調信号で
半導体レーザを発振して像形成体上に像形成する画像形
成装置であって、前記画像濃度データを選択的に出力す
るセレクタ回路により振幅の異なる参照波を発生する参
照波発生手段とを組合わせることを特徴とするものであ
る。

【実施例】

本実施例の画像形成装置の構成について説明する。 第４図は本実施例の画像形成装置の概略構成を示す斜視
図である。 画像形成装置は、像形成体としてのドラム状感光体（以
下、単に感光体という）■をスコロトロン帯電器２によ
り一様帯電した後に走査光学系３ｏにより２値化したス
ポット光によりドツト状の静電潜像を形成し、これを現
像器により反転現像してドツト状のトナー画像を形成し
、前記帯電、！光及び現像工程を繰り返して感光体ｌ上
にカラートナー像を形成し、該カラートナー像を転写し
、分離、定着してカラー画像を得る。 画像形成装置は、感光体１、スコロトロン帯電器２、現
像器４〜７、走査光学系３０、画像処理回路３００．基
準クロック発生回路４００、ドライバ５００゜６００か
らなる。 第６図は高γ感光体の具体的構成例を示す断面図である
。 以下に本実施例の主な構成について説明する。 感光体１は、第６図に示すように導電性支持体ＩＡ、中
間層ＩＢ、感光層ＩＣからなる。感光層ＩＣの厚さは、
５〜１００μｍ程度であり、好ましくは１０〜５０２ｍ
である。感光体ｌは直径１５０ｍｍのアルミニュウム製
のドラム状導電性支持体ＩＡを用い、該支持体ＩＡ上に
エチレン−酢酸ビニル共重合体からなる厚さ０．１μｍ
の中間層ＩＢを形成し、この中間層ＩＢ上に膜厚３５μ
ｍの感光層ＩＣを設けて構成される。 導電性支持体ＩＡとしては、アルミニウム、スチール、
銅等の直径１５０ｍｍ程度のドラムが用いられるが、そ
のほか、紙、プラスッチクフィルム主に金属層をラミネ
ートまたは蒸着したベルト状のもの、あるいは電ちゅう
法に、よって作られるニッケルベルト等の金属ベルトで
あってもよい。また、中間層ＩＢは、感光体として±５
００〜±２０００Ｖの高帯電に耐え、例えば正帯電の場
合はエレクトロンの導電性支持体１ｃから注入を阻止し
、なだれ現象による優れた光減衰特性が得られるよう、
ホール移動性を有するのが望ましく、そのため中間層Ｉ
Ｂに例えば本出願人が先に提案した特願昭６１−１８８
９　’ｔ’５号明細書に記載された正帯電型の電荷輸送
物質を１０重量％以下添付するのが好ましい。 中間層ＩＢとしては、通常、電子写真用の感光層に使用
される例えば下記樹脂を用いることができる。 （１）ポリビニルアルコール（ホバール）、ポリビニル
メチルエーテル、ポリビニルエチルエーテル等のビニル
系ポリマー （２）ポリビニルアミン、ポリ−Ｎ−ビニルイミダゾー
ル、ポリビニルピリジン（四級塩）、ポリビニルピロリ
ドン、ビニルピロリドン−酢酸ビニルコポリマー等の含
窒素ビニルポリマー （３）ポリエチレンオキサイド、ポリエチレングリコー
ル、ポリプロピレングリコール等のポリエーテル系ポリ
マー （４）ポリアクリル酸およびその塩、ポリアクリルアン
ミド、ポリ−β−ヒドロキシエチルアクリレート等のア
クリル酸系ポリマー （５）ポリメタアクリル酸およびその塩、ポリメタアク
リルアミド、ポリヒドロキシプロピルメタアクリレート
等のメタアクリル酸系ポリマー（６）メチルセルロース
、エチルセルロース、カルボキシメチルセルロース、ヒ
ドロキシエチルセルロース、ヒドロキシプロピルメチル
セルロース−等のエーテル繊維素系ポリマー （７）ポリエチレンイミン等のポリエチレンイミン系ポ
リマー （８）ポリアラニン、ポリセリン、ポリ−Ｌ−グルタミ
ン酸、ポリ−（ヒドロキシエチル）−Ｌ−グルタミン、
ポリ−δ−カルボキシメチル−スティン、ポリプロリン
、リジン−チロシンコポリマー　グルタミン酸−リジン
−アラニンコポリマー　絹フィブロイン、カゼイン等の
ポリアミノ酸類 （９）スターチアセテート、ヒドロキシンエチルスター
チ、スターチアセテート、ヒドロキシエチルスターチ、
アミンスターチ、フォスフェートスターチ等のでんぷん
およびその誘導体 （ｌＯ）ポリアミドである可溶性ナイロン、メトキシメ
チルナイロン（８タイプナイロン）等の水とアルコール
との混合溶剤に可溶なポリマー 感光層ｌＣは基本的には電荷輸送物質を併用せずに光導
電性顔料よりなるＯ．ｌ＝ｌｐｍ径の７タロシアニン微
粒子と、酸化防止剤とをバインダー樹脂とをバインダ樹
脂の溶剤を用いである０．１〜１μｍ径の７りロシアニ
ン微粒子に混合分散して塗布液を調整し、この塗布液を
中間層に塗布し、乾燥し、必要により熱処理して形成さ
れる。 また、光導電性材料と電荷輸送物質とを併用する場合に
は、光導電性顔料と当該光導電性顔料の１１５以下、好
ましくはｌ／１０００〜ｌ　／１０（重量比）の少量の
電荷電荷輸送物質とよりなり光導電性材料と、酸化防止
剤とバインダー樹脂中に分散させて感光層を構成する。 本実施例ではカラートナー像を感光体に重ね合わせるの
で走査光学系からのビームがカラートナー像を遮蔽しな
いように長波長側に分光感度を有する感光体が必要であ
る。 以下に本実施例の高γ感光体の光減衰特性について説明
する。 第５図は高γ感光体の特性を示すグラフである。 図において、Ｖｌは帯電電位（Ｖ）、ｖｏは露光前の初
期電位（Ｖ）、Ｌｌは初期電位ｖ０が４７５に減衰する
のに要するレーザビームの照射光量（μＪ／ｃｍ２）、
Ｌ２は初期電位Ｖ０が１１５に減衰するのに要するレー
ザビームの照射光量（μＪ／ｃｍ”）を表す。 Ｌｘ／Ｌ＋の好ましい範囲は １、０≦Ｌ　２／　Ｌ　ｌ≦１．５ である。 本実施例ではｖ　、　−　１０００（Ｖ　）、ｖ　ｏ−
　９５０（Ｖ　）、Ｌ　２／Ｌ　＋＝　１．２である。 又露光部の感光体電位は１０Ｖである。 光減衰曲線が初期電位（Ｖｏ）を１／２にまで減衰させ
た露光中期に相当する位置での光感度をＥ１７，とし、
初期電位（ｖｏ）を９／１０まで減衰させた露光初期に
相当する位置での光感度をＥ，７，。とじたとき、 （Ｅ　ｌ／２）／　（Ｅ　Ｉ／ｌ。）≧２好ましくは （Ｅ１７□）／（Ｅ　！／ｌ。）≧５ の関係を与える光導電性半導体が選ばれる。なお、ここ
では、光感度は微少露光量に対する電位低下量の絶対値
で定義される。 当該感光体ｌの光減衰曲線は、第５図に示すような光感
度である電位特性の微分係数の絶対値が少光量時に小さ
く、光量の増大と供に急峻に減衰する。具体的には光減
衰曲線が第５図に示すように露光初期においては、若干
の期間Ｌ８、感度特性が悪くてほぼ横這いの光減衰特性
を示すが、露光の中期り．からり、にかけては、−転し
て超高感度となってほぼ直線的に下降する超高γ特性と
なる。感光体１は具体的には＋５００〜＋２０００　Ｖ
の高帯電下におけるなだれ現象を利用して高ガンマ特性
を得るものと考えられる。つまり、露光初期において光
導電性顔料の表面に発生したキャリアは当該顔料と被覆
樹脂との界面層に有効に１ラツフされて光減衰が確実に
抑制され、その結果、露光の中期においてきわめて急激
ななだれ現象が生じると解される。 基準クロック発生回路４００は、パルス信号発生回路で
あり、画素クロックと同一の繰り返し周期のパルス信号
を発生し、画像処理回路３００、ドライバ４００，５０
０に入力しており、これにより感光体ｌの回転速度と走
査光学系３０の走査とを同期しである。便宜上、このク
ロックを基準クロックＤＣＫという。 感光体１は、その駆動軸にモータＭ１を軸着しである。 モータＭｌはドライバ５００により回転制御することに
より、感光体ｌを所定速度で回転するようにしである。 また、ポリゴンミラー３４は、その回転中心にモータＭ
３４の駆動軸を軸着しである。モータＭ３４はトライバ
６００により所定速度で回転するようにしである。ドラ
イバ５００，６００には、基準クロック発生回路４００
から基準クロックＤＣＫを入力することにより、感光体
ｌとポリゴンミラー３４との回転位相を同期させである
。 走査光学系３０は、インデック検出回路（図示せず）を
備え、インデックスセンサ３８からのインデックス信号
により所定速度で回転するポリゴンミラー３４の面位置
を検知し、主走査方向の周期によって、ラスク走査方式
で後に記す変調されたデイ・シタル画像濃度信号による
光走査を行うものであり、ページメモリ３１０（第１図
参照）からの画像濃度データで変調したパルス幅した変
調信号で半導体レーザ３１を発振させ、このレーザ光を
所定速度で回転するポリゴンミラー３４で偏向させ、ｆ
θレンズ３５及びでシリンドリカルレンズ３３．３６に
よって一様帯電した感光体ｌ上面に微少なスポットに絞
って走査するものであり、コーヒレントな光源として半
導体レーザ３１を設け、発光光学系としてコリメータレ
ンズ３２を設け、偏向光学系としてポリゴンミラー３４
及びｆθレンズ３５を設け、ポリゴンレンズ３４による
面倒れ補正光学系としてシリンドリカルレンズ３３．３
６を設けである。 半導体レーザ３１は、ＧａＡ　ＩＡｓ等が用いられ、カ
ラートナー像を順次感光体１上に重ね合わせるので、着
色トナーによる吸収の少ない波長光による露光が好まし
く、この場合のビームの波長は８００ｎｍである。 第１図は本案施例の画像形成装置に採用される画像処理
回路を示すブロック図である。 画像処理回路３００は、画像濃度データをパルス幅変調
した変調信号により半導体レーザ３１を駆動する回路で
あり、ページメモリ３１Ｏ１読出回路３２０、二値化回
路３３０からなる。 ページメモリ３１０は、ページ単位で記憶するＲＡＭ（
ランダムアクセスメモリ）であり、少なくとも１ページ
（１画面分）に相当する多値の画像濃度データを記憶す
る容量を有する。また、カラープリンクに採用される装
置であるならば、複数色、例えばイエロー　マゼンタ、
シアン、黒の色成分に対応する画像濃度信号を記憶する
だけのページメモリを備えていることになる。なお、画
像濃度データは、予めシェーディング補正、濃度変換、
γ補正、マスキング処理等を施したものである。 読出回路３２０は、インデックス信号をトリガとして基
準クロックＤＣＨに同期して画像濃度データを二値化回
路３３０に送出する。 二値化回路３３０は、走査ライン及び画素単位に変調率
を変えて駆動信号を生成する回路であり、画像濃度デー
タをセレクト回路３３１〜３３３、Ｄ／Ａ変換回路３３
４Ａ〜３３４Ｄ、コンパレータ３３５Ａ〜３３５Ｄ。 合成回路３３６、参照波発生回路３７７、増幅回路３３
８八〜３３８Ｄからなる。二値化回路３３０は画像１度
データを基準クロックＤＣＫに同期してＤ／Ａ変換回路
３３４Ａ〜３３４ＤでＤ／Ａ変換し、前記濃度信号と三
角波とをコンパレートしてパルス幅変調信月を得る回路
である。 セレクト回路３３１は、インデックス信号に基づいて出
力端子貼＋Ｉ）２がら１走査ライン単位の画像濃度デー
タを交互に送出する。セレクト回路３３２３３３は、基
準クロックＤＣＨに基づいて出力端子Ｄ１゜Ｄ２から１
画素に相当する画像濃度データを交互に送出する。 方、参照波発生回路３７７は、基準クロックＤＣ）；か
ら三角波を生成して出方する回路である。三角波は増幅
回路３３８Ａ〜３３８Ｄでそれぞれ異なる増幅率で増幅
されて異なる振幅の三角波をＤ／Ａ変換回路３３４Ａ〜
３３４Ｄに入力する。Ｄ／Ａ変換回路３３４Ａ〜３３４
Ｄは、いずれも基準クロックＤＣＫで画像濃度データを
Ｄ／Ａ変換した画像濃度信号をコンパレータ３３５Ａ〜
３３５Ｄに送出する。本実施例では、振幅の異なる三角
波は大きさの順に３３４Ａ＞　３３４０＞　３３４Ｂ＞
３３４Ｄを設定した。 コンパレータ３３５八〜３３５Ｄは、前述のように異な
る振幅の参照波信号を印加することにより、同一レベル
の画像濃度信号に対してデユーティ比を変えた変調信号
を送出する。これにより中間調再現におけるハイライト
部でのとびゃ高濃度部でのっふれを防止する。 合成回路３３６は、前述の変調回路３３４Ａ〜３３４Ｄ
からの変調信号を合成する回路である。 次に画像処理回路３００の動作について説明スる。 第２図（ａ）−’（ｆ）及び第３図（ａ）　−（ｆ）は
本実施例の画像処理回路の各部信号を示すタイムチャー
トである。第２図（ａ）及び第３図（ａ）はそれぞれイ
ンデックス信号を示し、第２図（ｂ）は基準クロックＤ
ＣＫを示している。 読出回路３２０は、インデックス信号をトリガとして基
準クロックＤＣＨに基づいてページメモリ３１０から１
走査ライン分の画像濃度データを読み出してセレクト回
路３３１に送出する。セレクト回路３３１〜３３３は、
最初のインデックス信号を入力されると、セット状態と
なる。つまり、セレクト回路３３１は、次ぎのインデッ
ク信号を入力するまで出力端子貼から画像濃度データを
送出する。また、セレクト回路３３１は出力端子Ｄ２か
らはハイレベルのデータを送出する。このハイレベルデ
ータとは白地に対応する記録されない濃度データである
。 これにより、セレクト回路３３２は、基準クロックＤＣ
Ｋに基づいて１画素に相当する画像濃度データとハイレ
ベルデータを出方端子り、　、Ｄ２がら交互に送出して
、Ｄ／Ａ変換回路３３５Ａ、３３５Ｂに入力する。 方、セレクト回路３３３は出力端子Ｄ＋　、Ｄ２からハ
イレベルのデータを送出する。なお、画像濃度データは
、高レベル側はど淡い濃度を示しており、低レベル側は
ど濃い濃度を示している。 以下に、コンパレータ３３５Ａ〜３３５Ｄにおける変調
動作を説明する。 第２図（Ｃ）はコンパレータ３３５Ａにおける変調動作
を示しており、第２図（ｄ）はコンパレータ３３５Ｂｌ
こおける変調動作を示しており、第２ｒｇＪ（ｅ）はコ
ンパレータ３３５ｃにおける変調動作を示しており、第
２図（ｆ）はコンパレータ３３５Ｄにおける変調動作を
示している。図中実線は参照波を、破線は画像濃度デー
タ（図中の全ては同一の中間濃度レベルを示す）とハイ
レベルデータを示している。つまり、ページメモリ３１
０がらの画像濃度信号は最初のインデック信号を入力し
てがら基準クロックＤＣＫの１サイクル毎に中間レベル
の画像濃度信号をコンパレータ３３５Ａ　、　３３５Ｂ
に交互に入力しである。 また、コンパレータ３３５Ａ　、　３３５Ｂに前述のよ
うに異なる振幅の三角波を入力しである。これにより、
コンパレータ：３３５Ａ、３３５Ｂは同一レベルの画像
源ｉ信号に対して第３図（ｂ）、第３図（ｃ）に示すよ
うに基準クロックＤＣＫの１サイクル毎に異なるデユー
ティ比の駆動信号を合成回路３３６に入力する。 方、コンパレータ３３５Ｃ，３３５Ｄにはハイレベルの
画像濃度信号（出力時白地に対応する記録されない濃度
データ）を入力しである。これにより、コンパレータ３
３５Ｃ，３３５Ｄは第３図（ｄ）、第３図（ｅ）に示す
ようにオフ状態の駆動信号を合成口Ｍ　３３６に入力す
る。 このようにして、合成回路３３６がら同一レベルの画像
濃度データに対してデユーティ比の異なるｌ走査２４２
分の駆動信号を半導体レーザ３１に入力する。走査光学
系３ｏは、同一レベルの画像濃度信号による駆動信号に
より、感光体ｌ上にトッド径を変化させた潜像を１走査
ラインだけ形成することになる。 次のインデックス信号が画像処理回路３００に入力され
ると、ページメモリ３１０からの画像濃度信号は基準ク
ロックＤＣＫの１サイクル毎に中間レベルの画像濃度信
号をコンパレータ３３５Ｃ、３３５Ｄに交互に入力しで
ある。また、コンパレータ３３５Ｃ。 ３３５Ｄに前述のように異なる振幅の三角波を入力しで
ある。これにより、コンパレータ３３５Ｇ、３３５Ｄは
同一レベルの画像濃度信号に対して第３図（ｄ）、第３
図（ｅ）に示すように基準クロックＤＣＫの１サイクル
毎に異なるデユーティ比の駆動信号を合成回路３３６に
入力する。一方、コンパレータ３３５Ａ　、　３３５Ｂ
にはハイレベルの画像濃度信号を入力しである。これに
より、コンパレータ３３５Ａ　、　３３５Ｂは第３図（
ｂ）、第３図（ｃ）に示すようにオフ状態の駆動信号を
合成回路３３６に出力する。 このようにして、合成回路３３６から同一レベルの画像
濃度データに対してデユーティ比の異なるｌ走査９４２
分の駆動信号を半導体レーザ３１に入力する。走査光学
系３０は、同一レベルの画像濃度信号による駆動信号に
より、感光体ｌ上に前述の走査ラインに近接させてトッ
ド径を変化させた潜像を１走査ラインだけ形成すること
になる。このとき、感光体ｌ上において、隣接するドツ
ト状の潜像の径を変えであるので、潜像が同時につなが
らず、濃度ジャンプを生ずることがない。又ハイライト
部はとびがなく、確実に記録される。第７図（ｂ）に記
録特性（破線）を示す。比較例のパルス輻変調を用いた
場合（図中実線ａ）と比べ、ダイナミックレンジが大幅
に広がっている。第８図（ｂ）には中間濃度の場合のト
ナーが付着した記録状態を示す。 以下に、画像形成装置１００の像形成プロセスについて
説明する。 先ず、スコロトロン帯電器２により感光体１が一様帯電
される。感光体ｌ上にイエローに対応する静電潜像が、
７レームメモリ３１０中からのイエローデータ（８ｂｉ
ｔのディジタル濃度データ）により光変調されたレーザ
光の照射により形成される。 前記イエローに対応する静電潜像は、第１の現像器４に
より反転現像され、感光体１１上に極めて鮮鋭度の高い
第１のドツト状のトナー像（イエロートナー像）が形成
される。この第１のトナー像は記録紙Ｐに転写されるこ
となく、感光体ｌ上に再びスコロトロン帯電器２により
帯電が施される。 次いでマゼンタデータ（３ｂｉｔのディジタル濃度デー
タ）によりレーザ光が光変調され、該変調されたレーザ
光が感光体１上に照射されて静電潜像が形成される。こ
の静電潜像は、第２の現像装置５により反転現像されて
、第２のトナー像（マゼンタトナー像）が形成される。 前記と同様にして第３現像装置６により順次反転現像さ
れて、第３のトナー像（シアントナー像）が形成さね、
感光体１上に順次積層された３色トナー像が形成される
。最後に第４のトナー像（黒トナー像）が形成され、感
光体１上に順次積層された４色トナー像が形成される。 これらの４色トナー像は、帯電器により感光体ｌを帯電
した後（省略してもよい）、給紙装置から供給された記
録紙Ｐ上に転写器（図示せず）の作用で転写される。 転写トナー像を担持した記録紙Ｐは、分離電極（図示せ
ず）により感光体１から分離され、ガイドおよび搬送ベ
ルトにより搬送されて定着装置に搬入され加熱定着され
て排紙皿に排出される。 本実施例では参照波を４種類とした副走査方向に大小の
ドツトがつながり易い様に設定しているが、参照波の振
幅を３３４Ａ＞　３３４Ｂ＞　３’３４Ｃ＞　３３４Ｄ
と主走査方向に大小のドツトがつながり易い様にするこ
ともできる。又参照波の振幅を３３４Ａ＞　３３４Ｄ＞
　３３４Ｂ＞　３３４Ｃとして斜め方向に大小のドツト
がつながり易い様にすることもできる。又参照波を２種
類とし、主走査方向のドツトがつながり易い様に（３３
４Ａ＝　３３４Ｂ＞　３３４Ｃ＝　３３４Ｄ）設定した
り副走査方向のドツトがつながり易い様に（３３４Ａ−
３３４Ｃ＞　３３４Ｂ＝　３３４Ｄ）と設定することも
できる。この場合は前記参照波の係数の減少になり階調
再現がやや低下する。 特に高γ感光体においてはハイライトに相当する弱照度
部（光量Ｌｌ）以下での記録が困難であること、高濃度
部に相当する隣接したドツト露光での重なり部がある一
定光量り、を越すと急峻な電位低下により潜像が形成さ
れたことによる濃度ジャンプが起こる問題を有している
。この高γ感光体に対しては本実施例は極めて有効に作
用する。 本実施例の画像形成装置１００によれば、感光体が優れ
た高ガンマ特性を有し、しかもこの優れた高ガンマ特性
がトナー像の上から帯電、露光現像の工程を多数回にわ
たり繰り返しトナー像を重ね合わせて形成する場合にも
潜像が安定して形成される。すなわち、ディジタル信号
に基づいてビームをトナー像の上から照射するとしても
フリンジのない高鮮鋭度の高いドツト状の静電潜像が形
成され、その結果、鮮鋭度及び階調性の高いトナー像を
得ることができる。 また、本実施例の画像形成装置１００は、異なる参照波
と画像濃度データを組み合わせることによりハイライト
部の確実な記録と濃度ジャンプを防止している。

【発明の効果】

本発明は、画像濃度データを参照波信号で変調した変調
信号で半導体レーザを発振して像形成体上に像形成する
画像形成装置において、前記画像濃度データを主走査あ
るいは副走査方向において周期的に振幅を変化させた参
照波により変調することにより、潜像形成時に隣接する
ドツトがつながって形成されることを防止して濃度ジャ
ンプによる影響を受けることなく安定した中間調再現を
行える画像形成装置を提供することができた。

【図面の簡単な説明】

第１図は本実施例の画像形成装置に採用される画像処理
回路を示すブロック図、第２図（ａ）〜（ｆ　）及び第
３図（ａ）〜（ｆ）は本実施例の画像処理回路の各部信
号を示すタイムチャート、第４図は本実施例の画像形成
装置の概略構成を示す斜視図、第５図は高γ感光体の特
性を示すグラフ、第６図は高γ感光体の具体的構成例を
示す断面図、第７図は各参照波を用いた場合の階調特性
を示したグラフである。第８図（ａ）及び第８図（ｂ）
は各参照波を用いた場合の記録状態を示した図である。 ■・・・像形成体としての感光体 ３１・・・半導体レーザ　　１００・・・画像形成装置
３３１〜３３３・・・セレクタ回路 ３３５Ａ〜３３５Ｄ・・・コンパレータ３７７・・・参
照波発生回路 ３３８Ａ〜３３８Ｄ・・・増幅回路 ＤＣＫ・・・基準クロック 第５図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 画像濃度データを参照波信号で変調した変調信号で半導
   体レーザを発振して像形成体上に像形成する画像形成装
   置において、前記画像濃度データを主走査あるいは副走
   査方向において周期的に振幅を変化させた参照波により
   変調することを特徴とする画像形成装置。