JPH048853B2 - - Google Patents

Description

請求の範囲 １ 磁気記録媒体上のトラツクに記録された信号
を再生する磁気ヘツドであつて、 (a) 磁気基板と、 (b) 第１のポイントで前記磁気基板に磁気的に短
絡され、 第２のポイントで前記磁気基板から物理的に
離隔され、それによつて前記第２のポイントで
前記ヘツドに対するトランスジユーサ・ギヤツ
プを形成するコア構造体と、 より成る前記磁気ヘツドにおいて、 (a) 前記ヘツドによつて支持された導電材料の電
気的に短絡された巻材であつて、前記コア構造
体及び前記基板を通過する磁束の変化が前記電
気的に短絡された巻材に電流を誘導するように
前記コア構造体と前記基板とに関連して配置さ
れた前記巻材と、 (b) 前記トランスジユーサ・ギヤツプから遠隔に
配置された磁気抵抗手段であつて、前記短絡さ
れた巻材の囲りに誘導された磁束が前記磁気抵
抗手段と結合するように前記短絡された巻材に
接近して配置され、それによつて、前記トラン
スジユーサ・ギヤツプに接近して生ずる熱力学
的に発生されるノイズから実質的に免れる、前
記磁気抵抗手段の磁化の検出可能な変化を生ず
る前記磁気抵抗手段と、 を備えたことを特徴とする磁気ヘツド。

２ 請求の範囲第１項に記載の磁気ヘツドにおい
て、前記基板がフエライト材料より成る前記磁気
ヘツド。

３ 請求の範囲第２項に記載の磁気ヘツドにおい
て、前記導電材料の電気的に短絡された巻材が、
前記基板上にデポジツトされた導電材料の薄膜よ
り成る前記磁気ヘツド。

４ 請求の範囲第１項に記載の磁気ヘツドにおい
て、前記導電材料の電気的に短絡された巻材が、
前記基板上にデポジツトされた導電材料の薄膜よ
り成る前記磁気ヘツド。

５ 請求の範囲第３項に記載の磁気ヘツドにおい
て、前記磁気抵抗手段は、前記トラツクのほぼ幅
方向に電流を流すように配置された前記磁気ヘツ
ド。

６ 請求の範囲第３項に記載の磁気ヘツドにおい
て、前記磁気抵抗手段は、前記磁気記録媒体の平
面にほぼ垂直な方向に電流を流すように配置され
た前記磁気ヘツド。

発明の背景 １ 発明の分野 本発明は、概して磁気ヘツドに関し、特に磁気
抵抗（MR）ヘツドの改良型に関する。

２ 従来技術に関する記述 種々の理由のために、磁気記録技術において、
ヘツドのインチ幅当りの多数のギヤツプを有する
トランスジユーサ・コアを有するマルチトラツク
磁気ヘツドを使用する傾向にある。典型的には、
コア間の間隙は0.15ミリメータのオーダである。
単位幅寸法当りに多数のコアを備えたヘツドを製
造するために、写真石版成型された薄膜がしばし
ば個々のコアの構成に使用される。コアの脚当り
に最少のコイル巻回数を用いる限り、記録ヘツド
は効果的であるが、再生ヘツドはしばしばコア脚
当り比較的多数の巻数、典型的には200、を必要
とする。その理由は、信号を効果的に記録するた
めに僅かの巻数の記録ヘツドに大電流が印加され
ると同時に、再生ヘツドに結合される多数のコイ
ル巻数は記録された信号に関連する比較的弱い磁
束から信号を生成する必要があるためである。コ
ア構造体のようなコイル構造体はデポジツトされ
た薄膜から形成される。

高密度マルチトラツク・ヘツドの隣接コア間の
間隔を極めて僅かにすると、更に多くのコイル巻
が結合されたコア脚との重なりに詰め込まれる場
合に、行き詰りが生じる。例えば、0.15ミリメー
タの間隔に200巻の薄膜コイルを設ける作業を想
定されたい。この問題を処理するために、当該技
術分野の専門家は、記録された信号を検知するた
めにコイル・レスのMR素子の使用を試みてき
た。既知のように、MR素子は、印加された磁束
に応答してその電気抵抗が変化し、そして検知電
流がMR素子に印加されると、この電流は、記録
された信号磁束のアナログ値としてそれに比例し
て変化する。

問題点 MA磁束検知素子を備えた薄膜ヘツド・コアの
レスポンスを最大とするために、コアの媒体接触
面にできる限り接近してMR素子を配置すること
が通常好ましく、それによつて、記録された信号
磁束の全ての影響がMR素子によつて直接感知さ
れる。しかし、MR素子をそのように配置するこ
とは、困難なくして達成し得ず、MR素子が協働
する記録媒体にその素子が接近すればする程、
MR素子は、コア媒体との間の熱力学的な相互作
用に関連するノイズを受けることになり、この相
互作用はMR素子に磁気的にひずみを与える。勿
論、ノイズの問題を回避するためにコアの媒体接
触面から離してMR素子を位置付けるようにコア
部品を構成することが可能であるが、磁束の漏れ
パスが増加するので、そのようなトラツクはそれ
自体障害となり、ヘツドを効果のないものにす
る。

記録された信号磁束に直接応答するタイプの
MRヘツドを示す代表的な従来技術としての特許
は、米国特許第3860965号、第3864751号、第
3987485号、第4012781号、第4255772号、第
4375657号である。

問題点の解決 記録された信号磁束に直接応答するようなMR
素子を使用するよりはむしろ、本発明は、そのよ
うな記録された信号磁束を検知するために磁気基
板上にデポジツトされる導電性の短絡された巻材
を使用する場合に、下に置かれた基板が短絡巻材
の囲りに誘導された磁束を有効に維持し、そのよ
うな誘導された磁束が記録された信号磁束に比例
関係で対応することを示唆している。従つて、本
発明によれば、信号磁束が再生されるべき媒体か
ら遠隔の位置で、短絡巻材の囲りの誘導磁束を検
出するようにMR素子が配置される。それ故、こ
れは、MR素子が媒体とMR素子との間の熱力学
的な相互作用を受けずに記録された信号磁束に対
応する信号を発生するという“顕著な効果”を呈
することを意味している。明らかに、本発明の技
術は、MR素子を用いる磁気ヘツドの周知のDC
レスポンスを犠牲にしているが、幅広いクラスの
再生ヘツド、即ち高いトラツク密度で比較的高い
周波数用に設計されたヘツドがあり、これらのヘ
ツドに対して本発明は実用的であるばかりでなく
理想的に適合される。

図面 本発明は、以下の図を参照して説明される。

第１図は、本発明を実施する構造体の斜視図で
ある。

第２図は、第１図の構造体の前面及び側面の概
略図である。

第３図及び第４図は、本発明の他の実施例の平
面図、第５図はその斜視図である。

詳細な説明 第１図及び第２図を参照すると、フエライトが
好ましい基板１０は、そこに１４で磁気的に短絡
された薄膜コア構造体１２を備えている。非磁性
のトランスジユーサ・ギヤツプ１６は、コア構造
体１２と基板１０との間に配置される。本発明の
構造／概念の理解を容易にするために、第１図及
び第２図は慎重に簡略化されており、磁気的に
（及び電気的に）非伝導性のスペース材料は示さ
れておらず、例えば、磁気的に非伝導性のスペー
サが普通ギヤツプ１６内に存在することは当該技
術分野の専門家には良く知られている。導電性で
あるが短絡された単巻材１８は、基板１０上に形
成されるが、そこからは電気的に絶縁される（第
２図）。MR素子２２と直列に電気接続された検
知導体２０は、短絡された単巻材１８に接近して
（しかし電気的に絶縁されて）配置され、それに
より単巻材の囲りに展開される磁界はMR素子２
２によつて感知される。本発明のこの実施例にお
いて、MR素子は、該素子に対するある休止電気
抵抗に対応する傾斜した容易軸（磁化ベクトル２
４）を有し、検知電流i_sは、MR素子に印加され
る任意の磁界を検出するためにMR素子２２を流
れるように適合される。

磁気記録媒体が第１図及び第２図の構造体の表
面２６上を移動すると、この媒体に記録された交
番磁束パターンは、比例した交番電流を短絡した
巻材１８に誘導する。短絡した巻材１８の電流
は、その付近に磁界を生じさせ、下に置かれた
（フエライトの）基板が近接していることとその
透磁率のために、その磁界はMR素子２２に効果
的に伝達される。更に、短絡した巻材１８の瞬間
電流の方向により、磁化ベクトル２４は偏向する
（MR素子２２上の破線のベクトル２４′，２
４″）。ベクトル２４′による偏向は一方向での検
知電流の検出可能な変化を意味し、ベクトル２
４″による偏向は他方向での検知電流の検出可能
な変化を意味する。短絡された巻材１８は実質的
に磁気ひずみ特性を有していないので、磁気媒体
とそのギヤツプ１６での第１図及び第２図の構造
体との間の熱力学的な相互作用は存在せず、ま
た、MR素子２２はギヤツプ１６から遠隔に配置
されるので、効果的な方法で誘導磁束を転送する
ように機能するのが好ましい下に置かれた基板２
６は、不要の物理エネルギーを吸収するように機
能し、それによつてMR素子２２が機械的ノイズ
にさらされることはない。

第１図及び第２図の実施例において、使用でき
るMR素子の長さ（それ故、“感度”）に限界があ
るということが理解される。即ち、短絡された巻
材の幅方向の部分に流れる電流から生ずる誘導磁
束を検知するようにMR素子を配置することによ
つて、MR素子の長さは、当該コアに有効な幅方
向の余地により制限される。しかし、本発明によ
れば、MR素子２２′（第３図）を、更に細長く
（更に高い感度）作ることができ、また、短絡さ
れた巻材１８′の幅方向ではない部分、即ち垂直
方向に配位された脚と協働するように配置でき
る。これもまた、誘導された磁束をMR素子２
２′に転送する状態で下に置かれた基板の有効な
作用によつて可能となる。同様に、対に構成した
MR素子２２ａ，２２ｂ（第４図）は更に大きな
感度を得るために使用でき、或いは、短波長レス
ポンスが望まれる場合に、半コア構造体１２′
（第５図）を使用できるが、第１図乃至第５図の
全ての実施例の共通点は、誘導された信号磁束を
遠隔のMR素子に効果的に転送するために、下に
置かれた磁気基板を使用していることである。

本発明は、その好適な実施例を特に参照して詳
細に説明したが、種々の変更が本発明の範囲内で
達成できることは理解されるであろう。例えば、
短絡された“車”巻材が第１図乃至第５図の全て
の実施例に示されているが、短絡された“複巻
材”の構造体を使用できることも明らかである。
また、傾斜した容易軸を備えたMR素子が図示さ
れているが、磁化ベクトルを休止基準配位にバイ
アスする他の種々の技術を使用できることも明ら
かである。