JPH0488887A - インバータ回路のトランジスタ駆動用負電圧発生回路 - Google Patents
インバータ回路のトランジスタ駆動用負電圧発生回路Info
- Publication number
- JPH0488887A JPH0488887A JP2200866A JP20086690A JPH0488887A JP H0488887 A JPH0488887 A JP H0488887A JP 2200866 A JP2200866 A JP 2200866A JP 20086690 A JP20086690 A JP 20086690A JP H0488887 A JPH0488887 A JP H0488887A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- capacitor
- diode
- voltage
- negative
- circuit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims abstract description 73
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 101100364406 Arabidopsis thaliana RTNLB2 gene Proteins 0.000 description 1
- 101000822885 Naja kaouthia Cobrotoxin II Proteins 0.000 description 1
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Power Conversion In General (AREA)
- Inverter Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
「産業上の利用分野」
この発明はバイポーラジャンクショントランジスタ、
F E T、 l G B T (InsulaL
ed Gat(4Bip。
F E T、 l G B T (InsulaL
ed Gat(4Bip。
Jar Transistor :絶縁バイポーラトラ
ンジスタ)などのトランジスタをスイッチング素子とし
て直流電力を交流電力に変換するインバータ回路におけ
るそのスイッチング素子としてのトランジスタを駆動す
るための負電圧を発生する回路に関する。
ンジスタ)などのトランジスタをスイッチング素子とし
て直流電力を交流電力に変換するインバータ回路におけ
るそのスイッチング素子としてのトランジスタを駆動す
るための負電圧を発生する回路に関する。
「従来の技術」
例えばブリッヂ形インバータ回路においては、スイッチ
ング素子を駆動するために、少くとも3個の互いに絶縁
された電源を必要とする。スイッチング素子を高速に動
作させ、かつスイッチング損失を低減させるためには、
スイッチング素子をオン状態からオフ状態にするのにゲ
ート(ヘース)に負電圧を印加駆動する必要がある。
ング素子を駆動するために、少くとも3個の互いに絶縁
された電源を必要とする。スイッチング素子を高速に動
作させ、かつスイッチング損失を低減させるためには、
スイッチング素子をオン状態からオフ状態にするのにゲ
ート(ヘース)に負電圧を印加駆動する必要がある。
すなわち第4図に示すように、スイッチング素子として
例えばIC;BTI 1−14が用いられ、IGBTI
1及び12が直列に接続され、rG、BTi3及び1
4が直列に接続され、これら両直列接続の両端は、変換
されるべき直流電源I5の両端に接続され、IGBTI
lのゲートにはそのエミッタに対し、正の電a16と
負の電源17とが切替え接続駆動され、IGBTI2の
ゲートにはそのエミッタに対し、正の電′a18と負の
電源19とが切替え接続駆動されIGBTI3のゲート
にはそのエミッタに対し、正の電11.21と負の電f
A22とが切替え接続駆動され、I(1;BTI4のゲ
ートにはそのエミッタに対し、正の電源18と負の電源
19とが切替え接続駆動される。
例えばIC;BTI 1−14が用いられ、IGBTI
1及び12が直列に接続され、rG、BTi3及び1
4が直列に接続され、これら両直列接続の両端は、変換
されるべき直流電源I5の両端に接続され、IGBTI
lのゲートにはそのエミッタに対し、正の電a16と
負の電源17とが切替え接続駆動され、IGBTI2の
ゲートにはそのエミッタに対し、正の電′a18と負の
電源19とが切替え接続駆動されIGBTI3のゲート
にはそのエミッタに対し、正の電11.21と負の電f
A22とが切替え接続駆動され、I(1;BTI4のゲ
ートにはそのエミッタに対し、正の電源18と負の電源
19とが切替え接続駆動される。
IC;BTII及び14が同時にオンとされ、この時、
IGBTI2及び13が同時にオフとされることと、I
CBTII及び14が同時にオフとされ、この時I C
BT 12及び13が同時にオンとされることとが交互
に行われ、IGBTI 112の接続点と1GB713
.14の接続点とから濾波器23を通じて交流電力が取
出される。
IGBTI2及び13が同時にオフとされることと、I
CBTII及び14が同時にオフとされ、この時I C
BT 12及び13が同時にオンとされることとが交互
に行われ、IGBTI 112の接続点と1GB713
.14の接続点とから濾波器23を通じて交流電力が取
出される。
IGBTI2.14はそのエミッタが同一電位であるか
ら、IGBTI2.14の各ゲートに対する駆動電源と
して正ta18と負電源19とを共用することができる
が、[;BTI、Iと13とではエミッタ電位が別であ
り、電源16.17と電#21.22とを互いに独立に
する必要があった。
ら、IGBTI2.14の各ゲートに対する駆動電源と
して正ta18と負電源19とを共用することができる
が、[;BTI、Iと13とではエミッタ電位が別であ
り、電源16.17と電#21.22とを互いに独立に
する必要があった。
このため駆動電源として、正、負一対の電源の互いに絶
縁されたものを3組、つまり16.17と、18.19
と、21.22とを必要とした。
縁されたものを3組、つまり16.17と、18.19
と、21.22とを必要とした。
これらの電源を作るため、従来においては第5図に示す
ように直流電R24の出力をトランス25の一次コイル
を介してスイッチング素子26でスイッチングしく断続
し)、トランス25の互いに独立した3つの2次コイル
27〜29のそれぞれの中点と両端との各間の誘起電圧
をそれぞれ整流して、それぞれ正及び負の各直流出力を
組とする独立した電源を得ていた。トランス25の3次
コイルの出力を制御部32に入力して、各直流出力端子
から一定電圧の出力が得るようにスイッチング素子26
を制御している。
ように直流電R24の出力をトランス25の一次コイル
を介してスイッチング素子26でスイッチングしく断続
し)、トランス25の互いに独立した3つの2次コイル
27〜29のそれぞれの中点と両端との各間の誘起電圧
をそれぞれ整流して、それぞれ正及び負の各直流出力を
組とする独立した電源を得ていた。トランス25の3次
コイルの出力を制御部32に入力して、各直流出力端子
から一定電圧の出力が得るようにスイッチング素子26
を制御している。
あるいは第6図に示すように、電源150両端に、ダイ
オード34−抵抗器35−ツェナダイオード36−ツェ
ナダイオード3フーダイオード38抵抗器41の直列回
路が順方向に接続され、・ツェナダイオード36.37
とそれぞれ並列にコンデンサ42.43が接続され、ツ
ェナダイオード36.37の接続点はIGBTIl、1
2の接続点と接続され、ICBTIIのエミッタに対し
、コンデンサ42に得られる正の電圧+Vcと、コンデ
ンサ43に得られる負の電圧−Vcとが、IGBTII
のゲートに切替え印加される。またIGBTIl、12
の接続点がダイオード44抵抗器45−ツェナダイオー
ド46を通じて電源15の負側に接続され、ツェナダイ
オード46と並列にコンデンサ47が接続され、IGB
TI2のエミッタに対し、コンデンサ47に得られる正
の電圧+Vcと閣に示してない電源の負の電圧とがIG
BTI2のゲートに切替え印加される。
オード34−抵抗器35−ツェナダイオード36−ツェ
ナダイオード3フーダイオード38抵抗器41の直列回
路が順方向に接続され、・ツェナダイオード36.37
とそれぞれ並列にコンデンサ42.43が接続され、ツ
ェナダイオード36.37の接続点はIGBTIl、1
2の接続点と接続され、ICBTIIのエミッタに対し
、コンデンサ42に得られる正の電圧+Vcと、コンデ
ンサ43に得られる負の電圧−Vcとが、IGBTII
のゲートに切替え印加される。またIGBTIl、12
の接続点がダイオード44抵抗器45−ツェナダイオー
ド46を通じて電源15の負側に接続され、ツェナダイ
オード46と並列にコンデンサ47が接続され、IGB
TI2のエミッタに対し、コンデンサ47に得られる正
の電圧+Vcと閣に示してない電源の負の電圧とがIG
BTI2のゲートに切替え印加される。
「発明が解決しようとする&1題、+
第5図に示した構成においては、正及び負の電圧を組と
する3つの電源を独立に得ることができるが、部品点数
が多(、高価になる欠点があった。第6図に示したもの
は、構成が比較的簡単であるが、電源15の負側に接続
されたスイッチング素子、IGBTI2に対しては正の
駆動電圧±Vcのみしか得られず、負の駆動電圧−VC
を別個に設ける必要があった。
する3つの電源を独立に得ることができるが、部品点数
が多(、高価になる欠点があった。第6図に示したもの
は、構成が比較的簡単であるが、電源15の負側に接続
されたスイッチング素子、IGBTI2に対しては正の
駆動電圧±Vcのみしか得られず、負の駆動電圧−VC
を別個に設ける必要があった。
「課題を解決するための手段」
この発明によれば第1コンデンサ及び第1ダイオードの
直列回路の第1コンデンサ側が5インバ一タ回路のスイ
ッチング素子としてのトランジスタのコレクタに接続さ
れ、他端の第1ダイオードのカソード側がトランジスタ
のエミッタに接続され、ツェナダイオード及び第2ダイ
オードの直列回路が第1ダイオードと並列にかつ逆極性
でそのツェナダイオードのカソードが第1ダイオードの
カソード側となるように接続され、ツェナダイオードと
並列に第2コンデンサが接続され、その第2コンデンサ
に蓄積された電荷をトランジスタ駆動用負電圧とする。
直列回路の第1コンデンサ側が5インバ一タ回路のスイ
ッチング素子としてのトランジスタのコレクタに接続さ
れ、他端の第1ダイオードのカソード側がトランジスタ
のエミッタに接続され、ツェナダイオード及び第2ダイ
オードの直列回路が第1ダイオードと並列にかつ逆極性
でそのツェナダイオードのカソードが第1ダイオードの
カソード側となるように接続され、ツェナダイオードと
並列に第2コンデンサが接続され、その第2コンデンサ
に蓄積された電荷をトランジスタ駆動用負電圧とする。
「実施例」
第1図にこの発明をブリ・ノボ形インバータ回路に適用
した実施例を示し、第4図と対応する部分に同一符号を
付けてあり、スイッチング素子としてのIGBTII〜
14と、変換されるべき直流電源15と出力濾波器23
と、この発明のトランジスタ駆動用負電圧発生回路48
とを示し、その他は省略しである。この実施例において
は、第1コンデンサ49と第1ダイオード51とが直列
に接続され、その直列回路の1端の第1コンデンサ49
がIGBT12のコレクタに接続され、他端の第1ダイ
オード51のカソードがrGBT12のエミッタに接続
され、第2ダイオード52と抵抗器53とツェナダイオ
ード54とが直列に接続され、この直列回路が第1ダイ
オード51と並列に接続される。この時、第1ダイオー
ド51と第2ダイオード52とは互いに逆極性とされ、
ツェナダイオード54のカソードが第1ダイオード51
のカソードに接続される。ツェナダイオード54と並列
に第2コンデンサ55が接続される。
した実施例を示し、第4図と対応する部分に同一符号を
付けてあり、スイッチング素子としてのIGBTII〜
14と、変換されるべき直流電源15と出力濾波器23
と、この発明のトランジスタ駆動用負電圧発生回路48
とを示し、その他は省略しである。この実施例において
は、第1コンデンサ49と第1ダイオード51とが直列
に接続され、その直列回路の1端の第1コンデンサ49
がIGBT12のコレクタに接続され、他端の第1ダイ
オード51のカソードがrGBT12のエミッタに接続
され、第2ダイオード52と抵抗器53とツェナダイオ
ード54とが直列に接続され、この直列回路が第1ダイ
オード51と並列に接続される。この時、第1ダイオー
ド51と第2ダイオード52とは互いに逆極性とされ、
ツェナダイオード54のカソードが第1ダイオード51
のカソードに接続される。ツェナダイオード54と並列
に第2コンデンサ55が接続される。
この構成においてIGBTIIがオンにされると、IG
BTII−第1コンデンサ49−第1ダイオード51を
通じて電a15から充電電流i、が流れ、第1コンデン
サ49はほぼ電源15の電圧■aに充電される。この状
態からIGBTIIがオフ、IGBT12がオンにされ
ると、第1コンデンサ49−ICBT2ダイオード52
−第1コンデンサ49の閉回路において第1コンデンサ
49の電荷の1部が第2コンデンサ55を充電する電流
12が流れる。この時生じる第2コンデンサ55の電圧
はIGBT12のエミッタに対し、負であり、この負電
圧−VcをIGBT12のゲート駆動用負電圧として利
用する。
BTII−第1コンデンサ49−第1ダイオード51を
通じて電a15から充電電流i、が流れ、第1コンデン
サ49はほぼ電源15の電圧■aに充電される。この状
態からIGBTIIがオフ、IGBT12がオンにされ
ると、第1コンデンサ49−ICBT2ダイオード52
−第1コンデンサ49の閉回路において第1コンデンサ
49の電荷の1部が第2コンデンサ55を充電する電流
12が流れる。この時生じる第2コンデンサ55の電圧
はIGBT12のエミッタに対し、負であり、この負電
圧−VcをIGBT12のゲート駆動用負電圧として利
用する。
いまツェナダイオード54を除去したとすると、第1、
第2コンデンサ49.55の各容量をCCm、IGBT
12及び/第2ダイオード52のオン抵抗をゼロ、抵抗
器53の抵抗値をゼロとすると、第2コンデンサ55に
発生する電圧−VcはVc = XV。
第2コンデンサ49.55の各容量をCCm、IGBT
12及び/第2ダイオード52のオン抵抗をゼロ、抵抗
器53の抵抗値をゼロとすると、第2コンデンサ55に
発生する電圧−VcはVc = XV。
C++Cz
となる。l GBT 12のゲート駆動に必要とする負
電圧は−5〜−15V程度であり、1liE源15の電
圧VBと比較して十分少さいため、第1コンデンサ49
の容量C1は第2コンデンサ55の容量C2に比べ小さ
な値でよく、従って第1コンデンサ49はIGBTll
に対して負担になることはない。第2コンデンサ55に
電荷が残っていると、IGBTIl、12をオンオフす
るに従って、第2コンデンサ55の電圧が高くなるので
、ツェナダイオード54によりVcは一定電圧に保持さ
れる。抵抗器53は電流12を所定値以下に制限するも
のである。
電圧は−5〜−15V程度であり、1liE源15の電
圧VBと比較して十分少さいため、第1コンデンサ49
の容量C1は第2コンデンサ55の容量C2に比べ小さ
な値でよく、従って第1コンデンサ49はIGBTll
に対して負担になることはない。第2コンデンサ55に
電荷が残っていると、IGBTIl、12をオンオフす
るに従って、第2コンデンサ55の電圧が高くなるので
、ツェナダイオード54によりVcは一定電圧に保持さ
れる。抵抗器53は電流12を所定値以下に制限するも
のである。
ICBTIIオフ、1GBT12オン状態からIGBT
IIオン、IGBT12オフになると、1(:l、BT
12のオフで発生するサージエネルギーは第1コンデン
サ49−第1ダイオード51に流れて、第1コンデンサ
49に蓄積され、第1コンデンサ49の電圧は電rii
源■、より高くなり、その高(なっ抗器53−第2ダイ
オード52−第1コンデンサ49−IGBTIIと逆並
列に接続されたダイオード56電源15なる閉回路を通
じて電a15へ放電電流13として流れ、この電流13
によっても第2コンデンサ55が充電され、この充電電
圧は負電源として用いられる。つまり、インバータ回路
ではスイッチング速度が速いのでサージ電圧が発生し易
いが、第1コンデンサ4つはサージ電圧吸収としても作
用する。
IIオン、IGBT12オフになると、1(:l、BT
12のオフで発生するサージエネルギーは第1コンデン
サ49−第1ダイオード51に流れて、第1コンデンサ
49に蓄積され、第1コンデンサ49の電圧は電rii
源■、より高くなり、その高(なっ抗器53−第2ダイ
オード52−第1コンデンサ49−IGBTIIと逆並
列に接続されたダイオード56電源15なる閉回路を通
じて電a15へ放電電流13として流れ、この電流13
によっても第2コンデンサ55が充電され、この充電電
圧は負電源として用いられる。つまり、インバータ回路
ではスイッチング速度が速いのでサージ電圧が発生し易
いが、第1コンデンサ4つはサージ電圧吸収としても作
用する。
第2図にこの発明の他の例を示す。第2図は第1図に対
し、IC;BTIl、12の接続点と第1コンデンサ・
49との間にダイオード57が接続され、ダイオード5
7と第1コンデンサ49との接続点は抵抗器5日を通じ
て電源工5の正側に接続される。この場合はIGBTI
Iがオンの時にダイオード57を通じて第1コンデンサ
49が電圧■おに充電され、rGBT12がオンからオ
フとなった時のサージ電圧が第1コンデンサ49に充電
され、第1コンデンサ49の電圧中の電圧■、より高い
分が、抵抗器58、第2ダイオード52、抵抗器53、
ツェナダイオード54、第2コンデンサ55を通して電
源15側に放電し、この時第2コンデンサ55が充電さ
れ、この電圧は1cBT12のエミッタに対して負とな
り、これがICBT12の負駆動電圧として利用される
。
し、IC;BTIl、12の接続点と第1コンデンサ・
49との間にダイオード57が接続され、ダイオード5
7と第1コンデンサ49との接続点は抵抗器5日を通じ
て電源工5の正側に接続される。この場合はIGBTI
Iがオンの時にダイオード57を通じて第1コンデンサ
49が電圧■おに充電され、rGBT12がオンからオ
フとなった時のサージ電圧が第1コンデンサ49に充電
され、第1コンデンサ49の電圧中の電圧■、より高い
分が、抵抗器58、第2ダイオード52、抵抗器53、
ツェナダイオード54、第2コンデンサ55を通して電
源15側に放電し、この時第2コンデンサ55が充電さ
れ、この電圧は1cBT12のエミッタに対して負とな
り、これがICBT12の負駆動電圧として利用される
。
この構成ではIGBT12がオンになった時に、ダイオ
ード57により、第1コンデンサ49が放電しないため
、スイッチング損失が減少する。抵抗器5358の一方
の抵抗値が十分大きければ、他方の抵抗値をOΩとする
ことができる。
ード57により、第1コンデンサ49が放電しないため
、スイッチング損失が減少する。抵抗器5358の一方
の抵抗値が十分大きければ、他方の抵抗値をOΩとする
ことができる。
先に述べたようにインバータ回路ではサージ電圧が発生
するためサージ吸収回路が接続されているが、このサー
ジ吸収回路の一部を利用して負電圧を発生させることも
できる。例えば第3図に示すように、IGBTIIと並
列にコンデンサ59−ダイオードε1の直列回路が接続
され、そのダイオード61のカソード側がIC;BTI
Iのエミッタ側とされ、コンデンサ59及びダイオード
61の接続点が抵抗器62を通じて電R15の負側に接
続され、T CBT12と並列に、ダイオード63−コ
ンデンサ64の直列回路が接続され、そのダイオード6
3のアノード側がICBT12のコレクタ側とされ、ダ
イオード63及びコンデンサ64の接続点が抵抗器65
を通して電源15の正側に接続されている。l CBT
llがオフとなった時に発生するサージ電圧はコンデン
サ59−ダイオード61に流れて吸収され、コンデンサ
59の電圧中の電a15の電圧より高い分が抵抗器62
を通して電#15側に放電する。同様にIC;BT12
がオフとなった時に発生するサージ電圧はダイオード6
3−コンデンサ64に流れテ吸収され、コンデンサ64
の電圧中の電源15の電圧よりも高い分が抵抗器65を
通して電源15側に放電する。
するためサージ吸収回路が接続されているが、このサー
ジ吸収回路の一部を利用して負電圧を発生させることも
できる。例えば第3図に示すように、IGBTIIと並
列にコンデンサ59−ダイオードε1の直列回路が接続
され、そのダイオード61のカソード側がIC;BTI
Iのエミッタ側とされ、コンデンサ59及びダイオード
61の接続点が抵抗器62を通じて電R15の負側に接
続され、T CBT12と並列に、ダイオード63−コ
ンデンサ64の直列回路が接続され、そのダイオード6
3のアノード側がICBT12のコレクタ側とされ、ダ
イオード63及びコンデンサ64の接続点が抵抗器65
を通して電源15の正側に接続されている。l CBT
llがオフとなった時に発生するサージ電圧はコンデン
サ59−ダイオード61に流れて吸収され、コンデンサ
59の電圧中の電a15の電圧より高い分が抵抗器62
を通して電#15側に放電する。同様にIC;BT12
がオフとなった時に発生するサージ電圧はダイオード6
3−コンデンサ64に流れテ吸収され、コンデンサ64
の電圧中の電源15の電圧よりも高い分が抵抗器65を
通して電源15側に放電する。
このようにサージ吸収回路が構成されているが、この例
では、コンデンサ59及びダイオード61の接続点と抵
抗器62との間に第2ダイオード52が直列に挿入され
、ダイオード52のカソードが抵抗器62側とされ、ま
た抵抗器62と電源15の負側との間にツェナダイオー
ド54及び第2コンデンサ55の並列回路が挿入され、
ツェナダイオード54のカソード側が電源15の負側と
される。この構成においてICBTIIがオフとなった
時、サージ電圧が発生し、これがコンデンサ59に吸収
され、コンデンサ59の電圧中の電源15の電圧よりも
高い分が抵抗器62を通じて放電する際に第2コンデン
サ55が充電され、この第2コンデンサ55の電圧は、
I GBT 12のエミッタに対し負となり、この負電
圧=■oがI GBT l 2のゲートに対する負駆動
電圧として利用される。
では、コンデンサ59及びダイオード61の接続点と抵
抗器62との間に第2ダイオード52が直列に挿入され
、ダイオード52のカソードが抵抗器62側とされ、ま
た抵抗器62と電源15の負側との間にツェナダイオー
ド54及び第2コンデンサ55の並列回路が挿入され、
ツェナダイオード54のカソード側が電源15の負側と
される。この構成においてICBTIIがオフとなった
時、サージ電圧が発生し、これがコンデンサ59に吸収
され、コンデンサ59の電圧中の電源15の電圧よりも
高い分が抵抗器62を通じて放電する際に第2コンデン
サ55が充電され、この第2コンデンサ55の電圧は、
I GBT 12のエミッタに対し負となり、この負電
圧=■oがI GBT l 2のゲートに対する負駆動
電圧として利用される。
なお第2図においてもダイオード57、第1コンデンサ
49、抵抗器58をI C,BT 12のオフ時のサー
ジ吸収回路とし、これに対して第1ダイオード51、第
2ダイオード52、抵抗器53、ツェナダイオード54
、第2コンデンサ55を付加したとも云うことができる
。
49、抵抗器58をI C,BT 12のオフ時のサー
ジ吸収回路とし、これに対して第1ダイオード51、第
2ダイオード52、抵抗器53、ツェナダイオード54
、第2コンデンサ55を付加したとも云うことができる
。
上述ではこの発明をブリッヂ形インバータ回路に適用し
たが、他の形式のインバータ回路に適用することもでき
る。またインバータ回路を構成するスイッチング素子の
トランジスタとしてはI CBTに限らず、バイポーラ
トランジスタ、FETなどでもよい。
たが、他の形式のインバータ回路に適用することもでき
る。またインバータ回路を構成するスイッチング素子の
トランジスタとしてはI CBTに限らず、バイポーラ
トランジスタ、FETなどでもよい。
「発明の効果」
以上述べたようC二二の発明によれば、コンデンサ、ダ
イオード、ツェナダイオ−1′を用いて、インバータ回
路のスイッチング素子としてのトランジスタを駆動する
ための負電圧発生回路を簡単に構成することができる。
イオード、ツェナダイオ−1′を用いて、インバータ回
路のスイッチング素子としてのトランジスタを駆動する
ための負電圧発生回路を簡単に構成することができる。
従ってこの負電圧発生回路と、第6図に示した回路とを
組合せれば、安価で、簡単な構成で、正、負両極性の電
圧をもつ互いに独立した3つの駆動回路を実現できる。
組合せれば、安価で、簡単な構成で、正、負両極性の電
圧をもつ互いに独立した3つの駆動回路を実現できる。
更にこの負電圧発生回路はサージ電圧吸収回路を兼ねて
いるため、従来のサージ電圧吸収回路の一部を兼用して
構成する。ことができる。
いるため、従来のサージ電圧吸収回路の一部を兼用して
構成する。ことができる。
第1図はこの発明の実施例を示す接続図、第2図及び第
3図はそれぞれこの発明の他の実施例を示す接続図、第
4図はブリッヂ形インバータ回路とそのスイッチング素
子駆動用電源とを示す図、第5図は従来のインバータ回
路の駆動用電圧発生回路を示す接続図、第6図はインバ
ータ回路の駆動用電圧発生回路の他の従来例の一部を示
す接続図である。 オ λ
3図はそれぞれこの発明の他の実施例を示す接続図、第
4図はブリッヂ形インバータ回路とそのスイッチング素
子駆動用電源とを示す図、第5図は従来のインバータ回
路の駆動用電圧発生回路を示す接続図、第6図はインバ
ータ回路の駆動用電圧発生回路の他の従来例の一部を示
す接続図である。 オ λ
Claims (1)
- (1)トランジスタをスイッチング素子とするインバー
タ回路におけるそのトランジスタを駆動するための負電
圧を発生する回路であって、 第1コンデンサと第1ダイオードとの直列回路の一端の
第1コンデンサ側が上記スイッチング素子としてのトラ
ンジスタのコレクタに接続され、上記直列回路の他端の
第1ダイオードのカソード側が上記トランジスタのエミ
ッタに接続され、ツェナダイオード及び第2ダイオード
の直列回路が上記第1ダイオードと並列にかつ逆極性で
そのツェナダイオードのカソードが上記第1ダイオード
のカソード側となるように接続され、 上記ツェナダイオードと並列に第2コンデンサが接続さ
れ、 上記第2コンデンサに蓄積された電荷をトランジスタ駆
動用負電圧とすることを特徴とするインバータ回路のト
ランジスタ駆動用負電圧発生回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2200866A JPH0488887A (ja) | 1990-07-27 | 1990-07-27 | インバータ回路のトランジスタ駆動用負電圧発生回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2200866A JPH0488887A (ja) | 1990-07-27 | 1990-07-27 | インバータ回路のトランジスタ駆動用負電圧発生回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0488887A true JPH0488887A (ja) | 1992-03-23 |
Family
ID=16431528
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2200866A Pending JPH0488887A (ja) | 1990-07-27 | 1990-07-27 | インバータ回路のトランジスタ駆動用負電圧発生回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0488887A (ja) |
-
1990
- 1990-07-27 JP JP2200866A patent/JPH0488887A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2754411B2 (ja) | 電力変換装置のスナバ回路 | |
| US7271505B1 (en) | Voltage balancing in intermediate circuit capacitors | |
| US20080252145A1 (en) | Dc/dc power conversion device | |
| US4811185A (en) | DC to DC power converter | |
| JP2003018853A (ja) | コモンモード電流低減方法 | |
| JPS60139170A (ja) | 電子変成器 | |
| US6657872B2 (en) | Voltage converter | |
| JPH0488887A (ja) | インバータ回路のトランジスタ駆動用負電圧発生回路 | |
| JP2571963Y2 (ja) | インバータ装置 | |
| JP2886281B2 (ja) | 昇圧回路 | |
| JPS5879494A (ja) | 直流給電形電子モ−タ用コミユテ−タ | |
| JP2000312474A (ja) | 電源装置 | |
| JP3054954B2 (ja) | コンデンサー交流昇圧回路 | |
| JP2000262069A (ja) | ゲート電力供給回路 | |
| JPH06153549A (ja) | 熱発電電圧変換回路 | |
| JP3361953B2 (ja) | ブリッジインバータ回路 | |
| JPH0724947Y2 (ja) | ゲートドライブ回路 | |
| JPS61116970A (ja) | インバ−タ装置 | |
| JP2002335681A (ja) | インバータ駆動回路 | |
| JP2732155B2 (ja) | スイッチング素子の制御装置およびこれを用いた装置 | |
| JPH11317655A (ja) | シールド機能を持つ絶縁型スイッチング手段、シー ルド機能を持つ一方向性絶縁型スイッチング手段、 シールド機能を持つ一方向性絶縁型3端子スイッチ ング手段、シールド機能を持つ二方向性絶縁型スイ ッチング手段およびシールド機能を持つ二方向性絶 縁型3端子スイッチング手段 | |
| JPH07118906B2 (ja) | スナバ回路 | |
| JPS62118766A (ja) | 両極性スイツチング電源 | |
| JPH01194606A (ja) | Mosfetのドライブ回路 | |
| JPH11252941A (ja) | 電力変換装置 |