JPH0493676A - 集積回路の試験方法及び試験装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［概要］ 集積回路の外部ビンに電気的に接続された測定パッドに
対する電子ビームの照射により放出される二次電子の検
出、及び、二次電子が通過するエネルギー分析器に印加
する分析電圧と測定パッド電圧との関係式を利用した測
定パッドの電圧測定を通して行う集積回路の試験方法に
関し、測定パッドに汚れが蓄積した場合であっても、高
精度の電圧測定を行うことができるようにすることを目
的とし、 分析電圧対二次電子信号強度曲線の二次電子信号強度軸
方向のシフトによるスライス・レベルの補正を最小分析
電圧における二次電子信号強度の変化を考慮して行った
後、分析電圧対二次電子信号強度曲線の分析電圧軸方向
のシフトによる分析電圧と測定パッド電圧との関係式の
係数の補正を分析電圧軸方向のシフト量を考慮して行い
、検出される二次電子信号の強度が補正したスライス・
レベルになる場合における分析電圧を測定し、係数を補
正した分析電圧と測定パッド電圧との関係式を利用して
測定バッドの電圧を測定する。

［産業上の利用分野］ 本発明は、集積回路（以下、ＬＳＩという）の試験方法
及び試験装置、より詳しくは、ＬＳＩの外部ピンに電気
的に接続された測定パッドに対する電子ビームの照射に
より放出される二次電子の検出、及び、二次電子が通過
するエネルギー分析器に印加する分析電圧と測定パッド
電圧との関係式を利用した測定バッドの電圧測定を通し
て行うＬＳＩの試験方法及びこの試験方法を実施するた
めの試験装置に関する。

［従来の技術］ 従来、ＬＳＩの試験装置として、第５図にその要部を示
すようなものが提案されている。

図中、１は鏡筒、２は鏡筒１に形成された開口部、３は
開口部２を閉塞するように鏡筒１に位置不動に装着され
たセラミックからなる基板、４は基板３の下面に形成さ
れた測定バッド、５は基板３の上面に固定されたソケッ
ト、６はソケット５に装着された試験対象であるＬＳＩ
、７はＬＳＩ６を駆動するＬＳＩ駆動回路、８は測定パ
ッド電圧測定手段であり、この測定バッド電圧測定手段
８は、パラメータテーブル８１と、後述する分析電圧■
、と測定パッド電圧■１との関係式Ｖ。

ａ十ｂＸＶ、における係数ａ、ｂをパラメータテーブル
８１に登録させるためのａ、ｂ登録部８２と、関係式ｙ
　ｓ　＝ａ　＋　ｂ　×Ｖ　ｒを利用して測定パッド電
圧■、を算出するための測定パッド電圧算出部８３とを
設けて構成されている。

ここに、ＬＳＩ６の外部ピン９は、ソケット内の配線１
０及び基板３内の配線１１を介して測定バッド４に接続
されている。また、基板３内の配線１１の全部又は一部
は、基板３内において分岐され、外部配線１２を介して
ＬＳＩ駆動回路７に接続されている。これは、外部配線
１２を介してＬＳＩ６を駆動する趣旨である。なお、Ｌ
ＳＩ駆動回路７から測定バッド電圧測定手段８に対して
は基準位相電圧データやストローブ信号等が供給され、
測定バッド電圧測定手段８からＬＳＩ駆動回路７に対し
ては測定バッド４の電圧データ等が供給される。

また、１３は鏡筒１内を排気するための排気ポンプ、］
４は電子ビームを発生する電子銃、１５は電子銃１４か
ら発生された電子ビーム、１６．１７は電子ビーム１５
を絞り込むための電子レンズ、１８は電子ビーム１５を
チョップしてパルス状に形成する電子ビームパルスゲー
ト、いわゆるＥＢパルスゲート、１９はＥＢパルスゲー
ト１８をドライブするＥＢパルスゲートドライバ、いわ
ゆるゲートドライバであり、このゲートドライバ１９は
、測定バッド電圧測定手段８から供給されるＥＢパルス
発生位相制御信号に基づいてＥＢパルスゲート１８をド
ライブするように構成されている。

また、２０は電子ビーム１５を偏向させるための偏向コ
イル、２１はこの偏向コイル２０をドライブする偏向ド
ライバであり、この偏向ドライバ２１は、測定バッド電
圧測定手段８から供給される偏向位置制御信号に基づい
て偏向コイル２０をドライブするように構成されている
。

また、２２は電子ビーム１５の照射により測定バッド４
から放出された二次電子、２３は分析電圧■、に基づい
て二次電子２２の通過を制御し、測定バッド４の電圧測
定を可能とするエネルギー分析器、２４はエネルギー分
析器２３に分析電圧■、を供給する分析電圧発生器であ
り、この分析電圧発生器２４は、測定バッド電圧測定手
段８から供給される分析電圧制御信号に基づいて分析電
圧■１を発生するように構成されている。

また、２５はエネルギー分析器２３を通過した二次電子
２２を検出し、この二次電子２２のエネルギーの大きさ
に対応した強度の電気信号、いわゆる二次電子信号を出
力する二次電子検出器であり、二次電子信号は測定パッ
ド電圧測定手段８に供給される。

また、２６は電圧測定を行う測定パッドの指定等を行う
ための入力装置、２７はＣＲＴ等で構成される測定結果
出力装置である。

かかる従来の試験装置においては、ＬＳＩ６の試験を行
うに際し、まず、第６図に示すように、個々の測定パッ
ド４につき、測定パッド４がとり得る電圧の最低値Ｖ　
Ｂ　−１゜、及び最高値ＶＢ−ｈ１□、における分析電
圧対二次電子信号強度曲線（以下、Ｓカーブという）２
８．２９が測定パッド４に対する電子ビーム１５の照射
、二次電子検出器２５による二次電子２２の検出を通し
て求められる。

次に、所定の二次電子信号強度（以下、スライス・レベ
ルという）Ｓｔｂｏが設定され、Ｓカーブ２８．２９に
おいて、二次電子信号強度がスライス・レベルＳ　ｔｈ
ｏと一致する分析電圧Ｖｒ−ｌｏｗ、Ｖ　ｒ＝ｂ　ｌ　
ｇｂが算出される。

次に、検出される二次電子信号強度がスライス・レベル
５ｔｈｏとなる場合における分析電圧■７と測定バッド
電圧■、どの間の関係式 ％式％） に測定パッド４がとり得る電圧の最低値Ｖ　＠−ｌｏｗ
と、そのときの分析電圧Ｖｒ−，。、及び測定パッド４
がとり得る電圧の最高値Ｖｓ−ｂ１．ｂと、そのときの
分析電圧Ｖｒ−ｈｌ□を代入して、ａ、ｂを求め、これ
らａ、ｂがパラメータテーブル８１に登録される。ちな
みに、ａ、ｂは以下のようにして算出Ｖ　ｒ−ｂ　＋ｘ
ｂ　　Ｖ　ｒ−ｌｏｗＶｒ−ｂｌｇｈ　　Ｖｒ−１ｏｗ なお、第７図は（１）式を図示したものである。

エコに、ＬＳＩ６を駆動した場合における測定パッド４
の電圧値は、二次電子信号強度がスライス　レベルＳ　
ｔｈｏとなるような分析電圧■、を測定し、この分析電
圧■７を（１）式に代入することにより算出することが
できる。なお、この算出は測定バッド電圧算出部８３に
おいて行われる。

ところで、かかるＬＳＩの試験装置においては、測定パ
ッド４に電子ビーム１５を照射し続けると、測定パッド
４に炭化水素等による汚れ、いわゆるコンタミネーショ
ン（ｃｏｎｔａｍｉｎａｔｉｏｎ　）が蓄積し、Ｓカー
ブ２８．２９が２例えば、第８図に示すように、Ｓカー
ブ３０．３１のようにシフトしてしまい、スライス・レ
ベルｓ　ｔｈｏに変化が発生することから、（１）式を
そのまま使用することができなくなる。

この点につき、従来のＬＳＩの試験装置においては、例
えは、測定バッド電圧■、がＶ　ｓ５−１ｏ、分析電圧
■１がＶｒ−１゜、の場合の二次電子信号強度Ｓｔｈを
測定し、この二次電子信号強度Ｓｔｂを新たなスライス
・レベルとして（１）式の係数ａ、ｂを補正し、その上
で（１）式を使用するとしていた。

［発明が解決しようとする課題］ このように、かかる従来のＬＳＩの試験方法においては
、Ｓカーブ２８．２９の二次電子信号強度軸方向のシフ
ト及び分析電圧軸方向のシフトを分けて対処せず、二次
電子信号強度軸方向のシフト及び分析電圧軸方向のシフ
トに同時に対処している。このため、実際の分析電圧と
測定バッド電圧との関係式は、第９図に破線３２で示す
ようになるにも関わらず、この従来の方法による場合は
実線３３に示すようになってしまう、このことから、従
来の試験方法においては、測定パッド４につき、高精度
の電圧測定を行うことができないという問題点があった
。

本発明は、かかる点に鑑み、測定パッドにコンタミネー
ションが蓄積してしまった場合であっても、測定パッド
につき、高精度の電圧測定を行うことができるようにし
たＬＳＩの試験方法及び試験装置を提供することを目的
とする。

［課題を解決するための手段］ 本発明によるＬＳＩの試験方法は、その内部に電子ビー
ム照射機構を設け、かつ、電子ビーム照射方向に開口部
を形成された鏡筒と、前記開口部を閉塞し、その鏡筒外
側部分に試験対象であるＬＳＩをソケットを介して装着
され、その鏡筒内側部分に前記ＬＳＩの外部ビンと電気
的に接続される測定パッドを形成されてなる基板と、電
子ビームの照射により前記測定パッドから放出される二
次電子の通過を分析電圧により制御するエネルギー分析
器と、該エネルギー分析器を通過した前記二次電子を二
次電子信号として検出する二次電子検出器とを具備して
なるＬＳＩの試験装置を使用して行われるＬＳＩの試験
方法であって、前記測定パッドに前記電子ビームを照射
し、前記測定パッドの電圧が第１の電圧、例えば、測定
パッドがとり得る最低電圧である場合における第１のＳ
カーブと、前記測定パッドの電圧が前記第１の電圧より
も高い第２の電圧、例えば、測定パッドがとり得る最高
電圧である場合における第２のＳカーブとを求めた後、
該第１及び第２のＳカーブからスライス・レベルにおけ
る分析電圧と測定パッド電圧との関係式を求め、検出さ
れる二次電子信号強度が前記スライス・レベルとなる場
合における分析電圧を測定することによって、前記関係
式から測定パッドの電圧を測定するＬＳＩの試験方法に
おいて、前記測定パッドに蓄積される汚れによる前記第
１及び第２のＳカーブのシフトを二次電子信号強度軸方
向のシフトと分析電圧軸方向のシフトに分け、前記二次
電子信号強度軸方向のシフトによる前記所定の二次電子
信号強度の補正を最低分析電圧における二次電子信号強
度の変化を考慮して行った後、前記分析電圧軸方向のシ
フトによる前記分析電圧と測定パッド電圧との関係式の
係数の補正を前記分析電圧軸方向のシフト量を考慮して
行い、その後、検出される二次電子信号の強度が前記補
正した所定の二次電子信号強度になる場合の分析電圧を
測定し、前記係数を補正；７た関係式を利用して前記測
定パッドの電圧と測定するというものである。

ここに、前記スライス・レベルの補正は、即ち、新たな
スライス・レベルは、最小分析電圧と、前記電子ビーム
を遮断した場合の二次電子信号強度（以下、ビーム・オ
フ・レベルという）と、前記スライス・レベルから前記
ビーム・オフ・レベルを減算した値を前記最小分析電圧
における二次電子信号の強度から前記ビーム・オフ・レ
ベルを減算１５た値て除算することにより求めた前記ビ
ームオフ・レベルを基準とした前記スライス・レベルと
前記最小分析電圧における二次電子信号強度との強度比
を登録しておき、前屈最小分析電圧における二次電子信
号強度を測定し、該二次電子信号強度から前記ビーム・
オフ・レベルを減算した値に前記強度比を乗算し、かつ
、前記ビーム・オフ　レベルを加算することにより求め
ることができる。

また、前記関係式の係数の補正は、即ち、前記関係式の
新たな係数は、例えば、前記関係式中の係数を登録して
おき、前記測定パッドに既知の電圧を印加し、このとき
検出される二次電子信号の強度が前記補正した所定の二
次電子信号強度となる場合における分析電圧を測定し、
該分析電圧の値と前記測定パッドに印加した既知の電圧
の値とを前記関係式に代入することにより求めることが
できる。

また、本発明によるＬＳＩの試験装置は、本発明による
ＬＳＩの試験方法を実施する装置であり、その内部に電
子ビーム照射機構を設け、がっ、電子ビーム照射方向に
開口部を形成された鏡筒と、前記開口部を閉塞し、その
鏡筒外側部分に試験対象である集積回路をソケットを介
して装着され、その鏡筒内側部分に前記集積回路の外部
ビンと電気的に接続される測定パッドを形成されてなる
基板と、電子ビームの照射により前記測定パッドから放
出される二次電子の通過を分析電圧により制御するエネ
ルギー分析器と、該エネルギー分析器を通過した前記二
次電子を二次電子信号として検出する二次電子検出器と
、前記二次電子検出器によって検出される二次電子信号
の強度が所定の二次電子信号強度になるように前記分析
電圧を走査した場合における前記分析電圧と測定パッド
電圧との関係式中の係数、前記電子ビームを遮断した場
合における二次電子信号強度、前記所定の二次電子信号
強度、最小分析電圧及び前記電子ビームを遮断した場合
の二次電子信号強度を基準とした前記所定の二次電子信
号強度と前記最小分析電圧における二次電子信号強度と
の強度比を記憶する記憶部と、測定パッド電圧を算出す
るに必要なパラメータを補正するパラメータ補正部と、
前記パラメータ又は補正されたパラメータに基づいて前
記測定パッド電圧を算出する測定パッド電圧算出部とを
備えて構成される。

［作用］ 本発明によるＬＳＩの試験方法においては、測定パッド
に蓄積されるコンタミネーションによるＳカーブのシフ
トを二次電子信号強度軸方向のシフトと分析電圧軸方向
のシフトに分け、二次電子信号強度軸方向のシフトによ
るスライス・レベルの補正を最小分析電圧における二次
電子信号強度の変化を考慮して行った後、分析電圧軸方
向のシフトによる前記分析電圧と測定パッド電圧との関
係式の係数の補正を分析電圧軸方向のシフト量を考慮し
て行うようにしているので、スライス　レベル及び分析
電圧と測定パッド電圧との関係式の係数につき、精度の
高い補正を行うことができる。

したがって、測定パッドにコンタミネーションが蓄積さ
れている場合であっても、測定パッドにつき高精度の電
圧測定を行うことができる。

また、本発明によるＬＳＩの試験装置は、本発明による
ＬＳＩの試験方法を実施するために、特に、前記二次電
子検出器によって検出される二次電子信号の強度がスラ
イス・レベルになるようにする場合における前記分析電
圧と前記測定パッドの電圧との関係式の係数、前記スラ
イス　レベル、最小分析電圧、前記ビーム・カット　レ
ベルを基準とした前記スライス・レベルと前記最小分析
電圧における二次電子信号強度との強度比を記憶する記
憶部を設けている。

［実施例］ 以下、第１図〜第４図を参照して、本発明によるＬＳＩ
の試験方法及び試験装置の一実施例につき説明する。な
お、第１図において第５図に対応する部分には同一符号
を付し、その重複説明は省略する。

第１図は本発明によるＬＳＩの試験装置の一実施例の要
部を示す概念区であり、本実施例の試験装置が第３図従
来例の試験装置と異なる点は５測定パッド電圧測定手段
８が、パラメータテーブル８１、ａ、ｂ登録部８２、測
定パッド電圧算出部８３の他、ビーム・オフ　レベル登
録部８４、スライス・レベル登録部８５、最小分析電圧
登録部８６、に（後述）登録部８７、パラメータ補正部
８８を設けて構成されている点であり、その他について
は、第５図従来例と同様に構成されている。

かかる本実施例においては、ＬＳＩ６の試験を行うに際
し、ます、第２図に示すように、個々の測定パッド４に
つき、測定パッド４が取り得る電圧の最低値Ｖ　＠　−
（。、及び最高値Ｖａ−ｈ１ｇｈにおけるＳカーブ２８
．２９が測定パッド４に対する電子ビーム１５の照射、
二次電子検出器２５による二次電子２２の検出を通して
求められる。

次に、所定のスライス・レベルＳ　ｉｈｏが設定され、
Ｓカーブ２８．２９において、二次電子信号強度がスラ
イス・レベル５ｔｈＯと一致する分析電圧Ｖ　ｒ−１０
Ｗ　、Ｖ　ｒ−ｂｌｌｂが算出される。

次に、二次電子信号強度が、スライス・レベルＳ　ｔｂ
ｏ　となるように分析電圧■７を可変させる場合におけ
る分析電圧■１と測定バット電圧■１との間の関係式 ％式％（１） に測定パッド４が取り得る電圧の最低値Ｖ　Ｂ　−Ｈｏ
。

と、そのときの分析電圧Ｖｒ−ｌｏｗ及び測定パッド４
が取り得る電圧の最高値Ｖｍ−ｈｉｇｈと、そのときの
分析電圧Ｖｒ−ｈ１ｇｂを代入して、ａ、ｂを求め、こ
れらがパラメータテーブル８１に登録される。

また、本実施例では、ビーム・オフ・レベル５８−０ｆ
ｆ、スライス・レベル５ｔｂｏ、最小分析電圧Ｖ　ｒ−
ｓｃ−ｍｌ。、ビーム・オフ・レベルＳ　＠−ｏｆｆを
基準とした最小分析電圧Ｖ　ｒ−ｍ１ｍにおける二次電
子信号強度５ｅ−ｂａ□とスライス、レベルＳ　ｉｈｏ
との強度比に、即ち、 が登録される。これらは、ビーム・オフ・レベル登録部
８４、スライス　レベル登録部８５、最小分析電圧登録
部８６、に登録部８７を介して行われる。

ここに、測定パッド４に蓄積されるコンタミネーション
によるＳカーブ２８．２９のシフトがなければ、（１）
式をそのまま使用して測定パッド４の電圧測定を行うこ
とができる。しがしながら、第２図に示すように、Ｓカ
ーブ２８．２９が、例えば、Ｓカーブ３４．３５にシフ
トしている場合には、（１）式における係数ａを補正す
る必要がある。

この場合、本実施例では、Ｓカーブ２８．２９は、二次
電子信号軸方向にシフトして、Ｓカーブ３６．３７のよ
うになっており、更に、このＳカーブ３６．３７が分析
電圧軸方向にシフトしてＳカーブ３４．３５になってい
ると考える。

そこで、まず、スライス・レベルＳ　ｔｈｏの補正が行
われる。これは最小分析電圧Ｖ　ｒ−ｍｅ−ａＬｎにお
ける二次電子信号強度５ｅ−ｂａｓｅの測定が行われ、
この結果、得られるＳ　ｅ−ｂａｓｅが（２）式に代入
されて、即ち、式 ％式％ からＳカーブ３６．３７におけるスライス・レベル８□
ｔｈが算出される。

次に、第３図に示すように、測定パッド４に既知の電圧
Ｖ　ａ−ａｔｄを与え、この場合に、二次電子信号強度
がスライス・レベルＳ、−１となる場合の分析電圧Ｖｒ
−ａｔｄを測定する。ここに、ｂは不変であり、スライ
ス・レベルがＳ　ｔｈＱであった場合の（１）式は、ス
ライス・レベルが５ｅ−ｔｈにおいては、 Ｖ、−ａ　　　＋ｂＸｖ、　　　　　−＝　　（３＞と
なっているはすであるから、この（３）式にＶ　、　−
Ｖｓ−ａｔｄ　、　Ｖｒ　＝Ｖｒ−ｓａｄ　を代入して
ａ　　＝■、−＠ｔ、１−ｂＸＶ＊−ｍｔｄとしてａ　
が算出される。そこで、以後、（３）式を利用して測定
パッド４の電圧測定が行われる。

即ち、検出される二次電子信号強度がスライスレベルＳ
　ｅ−ｔｈとなるような分析電圧■、が測定され、この
ときの分析電圧Ｖｒを（３）式に代入することによって
測定パッド４の電圧測定が行われる。なお、かかるパラ
メータの補正は、パラメータ補正部８８において行われ
る。

このように、本実施例においては、Ｓカーブ２８．２９
のシフトを二次電子信号強度軸方向のシフトと分析電圧
軸方向のシフトに分け、二次電子信号強度軸方向のシフ
トによるスライス　レベルＳ　ｔｈｏの補正を最小分析
電圧Ｖ　ｒ−ｍｅ−ｗｉｎにおける二次電子信号強度の
変化を考慮して行った後、分析電圧軸方向のシフトによ
る（１）式の係数ａの補正を分析電圧軸方向のシフト量
を考慮して行うようにしているのて゛、スライス・レベ
ル及びｆ糸数ａにつき精度の高い補正を行うことができ
る。

したがって、本実施例によれば、測定パッド４にコンタ
ミネーションが蓄積される場合であっても、測定パッド
４につき、高精度の電圧測定を行うことができる。

なお、最小分析電圧Ｖ　ｒ−ｓｃ−ｍｌアの設定は、経
験的に行われるが、例えば、第４図に示すように設定さ
れていると、Ｓカーブ２８．２９がＳカーブ３４．３５
のようにシフトした場合、最小分析電圧Ｖ　ｒ−ａｃ１
１イにおける二次電子信号強度に誤差εが発生してしま
い、補正されたスライス　レベルＳ、−□を求めるに際
し、ε×にの誤差が発生してしまう。そこで、最小分析
電圧Ｖ　ｒ−ｍｅ−＋ｍｌｎを、Ｓカーブの分析電圧軸
方向のシフト量に比例して変化させる場合、即ち、Ｓカ
ーブ３４．３５における最小分析電圧Ｖ　ｒ−ｍｅ−ｗ
ｉｎ゛　をとして補正、登録すれば、次に、スライス・
レベルの補正を行う場合に正確な補正を行うことかで　
　　また、本発明によるＬＳＩの試験装置心こよれζｆ
、きる、なお、第４区において、Ｖｒ−ｓｃ−ｓａｗは
最大　　本発明によるＬＳＩの試験方法を実施すること
が分析電圧を示している。　　　　　　　　　　　　　
　できる。

［発明の効果］ 本発明によるＬＳＩの試験方法によれば、測定パッドに
蓄積されるコンタミネーションによるＳカーブのシフト
を二次電子信号強度軸方向のシフトと分析電圧軸方向の
シフトに分け、二次電子信号強度軸方向のシフトによる
スライス・レベルの補正を最小分析電圧における二次電
子信号強度の変化を考慮して行った後、分析電圧軸方向
のシフトによる前記分析電圧と測定パッド電圧との関係
式の係数の補正を分析電圧軸方向のシフト量を考慮して
行うようにしたことにより、スライス・レベル及び分析
電圧と測定パッド電圧との関係式の係数につき、精度の
高い補正を行うことができるので、測定パッドにコンタ
ミネーションが蓄積されている場合であっても、測定パ
ッドにつき高精度の電圧測定を行うことができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明によるＬＳＩの試験装置の一実施例の要
部を示す概念図、 第２図はＳカーブを示す図、 第３図は分析電圧と測定パッド電圧との関係式第４図は
最小分析電圧の補正を行うことが好適であることを説明
するための図、 第５図は従来のＬＳＩの試験装置の要部を示す概念図、 第６図はＳカーブを示す図、 第７図は分析電圧と測定パッド電圧との関係を示す区、 第８図は従来のＬＳＩの試験方法において採用されてい
た分析電圧と測定パッド電圧との関係式における係数の
補正方法を説明するための図、第９図は従来のＬＳＩの
試験方法が有する問題点を示すものであって、分析電圧
と測定ノ（・ンド電圧との関係式を示す図である。 ８・・・測定パッド電圧測定手段 ８１　・パラメータテーブル ８２・・・ａ、ｂ登録部 ８３・・・測定パッド電圧算出部 ８４・・・ビーム・オフ・レベル登録部８５・・スライ
ス・レベル登録部 ８６・・・最小分析電圧登録部 ８７・・に登録部 ８８・・・パラメータ補正部 ・０＼

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. （１）その内部に電子ビーム照射機構を設け、かつ、電
   子ビーム照射方向に開口部を形成された鏡筒と、前記開
   口部を閉塞し、その鏡筒外側部分に試験対象である集積
   回路をソケットを介して装着され、その鏡筒内側部分に
   前記集積回路の外部ピンと電気的に接続される測定パッ
   ドを形成されてなる基板と、電子ビームの照射によって
   前記測定パッドから放出される二次電子の通過を分析電
   圧により制御するエネルギー分析器と、該エネルギー分
   析器を通過した前記二次電子を二次電子信号として検出
   する二次電子検出器とを具備してなる集積回路の試験装
   置を使用して行われる集積回路の試験方法であって、 前記測定パッドに前記電子ビームを照射し、前記測定パ
   ッドの電圧が第１の電圧である場合における第１の分析
   電圧対二次電子信号強度曲線と、前記測定パッドの電圧
   が前記第１の電圧よりも高い第２の電圧である場合にお
   ける第２の分析電圧対二次電子信号強度曲線を求めた後
   、該第１及び第２の分析電圧対二次電子信号強度曲線か
   ら所定の二次電子信号強度における分析電圧と測定パッ
   ド電圧との関係式を求め、検出される二次電子信号強度
   が前記所定の二次電子信号強度となる場合における分析
   電圧の値を測定することによって、前記関係式から前記
   測定パッドの電圧を測定する集積回路の試験方法におい
   て、 前記測定パッドに蓄積される汚れによる前記第１及び第
   ２の分析電圧対二次電子信号強度曲線のシフトを二次電
   子信号強度軸方向のシフトと分析電圧軸方向のシフトに
   分け、 前記二次電子信号強度軸方向のシフトによる前記所定の
   二次電子信号強度の補正を最低分析電圧における二次電
   子信号強度の変化を考慮して行った後、前記分析電圧軸
   方向のシフトによる前記分析電圧と測定パッド電圧との
   関係式の係数の補正を前記分析電圧軸方向のシフト量を
   考慮して行い、 検出される二次電子信号の強度が前記補正した所定の二
   次電子信号強度になる場合における分析電圧の値を測定
   し、前記係数を補正した関係式を利用して前記測定パッ
   ドの電圧を測定することを特徴とする集積回路の試験方
   法。
2. （２）前記所定の二次電子信号強度の補正は、最小分析
   電圧と、前記電子ビームを遮断した場合の二次電子信号
   強度と、前記所定の二次電子信号強度から前記電子ビー
   ムを遮断した場合の二次電子信号強度を減算した値を前
   記最小分析電圧における二次電子信号強度から前記電子
   ビームを遮断した場合の二次電子信号強度を減算した値
   で除算することにより求めた前記電子ビームを遮断した
   場合の二次電子信号強度を基準とした前記所定の二次電
   子信号強度と前記最小分析電圧における二次電子信号強
   度との強度比を登録しておき、前記最小分析電圧におけ
   る二次電子信号強度を測定し、該二次電子信号強度から
   前記電子ビームを遮断した場合の二次電子信号強度を減
   算した値に前記強度比を乗算し、かつ、前記電子ビーム
   を遮断した場合の二次電子信号強度を加算することによ
   り行うことを特徴とする請求項１記載の集積回路の試験
   方法。
3. （３）前記分析電圧と測定パッド電圧との関係式の係数
   の補正は、前記分析電圧と測定パッド電圧との関係式中
   の係数を登録しておき、前記測定パッドに既知の電圧を
   印加し、このとき検出される二次電子信号の強度が前記
   補正した所定の二次電子信号強度となる場合における分
   析電圧の値を測定し、該分析電圧の値と前記測定パッド
   に印加した既知の電圧の値とを前記分析電圧と測定パッ
   ド電圧との関係式に代入することにより新たな係数を求
   めて行うことを特徴とする請求項１記載の集積回路の試
   験方法。
4. （４）前記最小分析電圧を前記第１及び第２の分析電圧
   対二次電子信号強度曲線の分析電圧軸方向のシフト量に
   対応した値に補正して、前記測定パッドの電圧を測定す
   ることを特徴とする請求項１記載の集積回路の試験方法
   。
5. （５）その内部に電子ビーム照射機構を設け、かつ、電
   子ビーム照射方向に開口部を形成された鏡筒と、前記開
   口部を閉塞し、その鏡筒外側部分に試験対象である集積
   回路をソケットを介して装着され、その鏡筒内側部分に
   前記集積回路の外部ピンと電気的に接続される測定パッ
   ドを形成されてなる基板と、電子ビームの照射により前
   記測定パッドから放出される二次電子の通過を分析電圧
   により制御するエネルギー分析器と、該エネルギー分析
   器を通過した前記二次電子を二次電子信号として検出す
   る二次電子検出器と、前記二次電子検出器によって検出
   される二次電子信号の強度が所定の二次電子信号強度に
   なるように前記分析電圧を走査した場合における前記分
   析電圧と測定パッド電圧との関係式中の係数、前記電子
   ビームを遮断した場合における二次電子強度、前記所定
   の二次電子信号強度、最小分析電圧及び前記電子ビーム
   を遮断した場合の二次電子信号強度を基準とした前記所
   定の二次電子信号強度と前記最小分析電圧における二次
   電子信号強度との強度比を記憶する記憶部と、測定パッ
   ド電圧を算出するに必要なパラメータを補正するパラメ
   ータ補正部と、前記パラメータ又は補正されたパラメー
   タに基づいて前記測定パッド電圧を算出する測定パッド
   電圧算出部とを備えて構成されていることを特徴とする
   集積回路の試験装置。