JPH049373B2 - - Google Patents

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JPH049373B2
JPH049373B2 JP57204571A JP20457182A JPH049373B2 JP H049373 B2 JPH049373 B2 JP H049373B2 JP 57204571 A JP57204571 A JP 57204571A JP 20457182 A JP20457182 A JP 20457182A JP H049373 B2 JPH049373 B2 JP H049373B2
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JP
Japan
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cleaned
ultraviolet
cleaning
lamp
light
Prior art date
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Application number
JP57204571A
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English (en)
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JPS5994823A (ja
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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10PGENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P95/00Generic processes or apparatus for manufacture or treatments not covered by the other groups of this subclass

Landscapes

  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Treating Waste Gases (AREA)
  • Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
本発明は洗浄効果の優れた紫外線洗浄装置に関
するものである。 紫外線ランプより発生するオゾンを利用して汚
染物を分解洗浄することが従来より行なわれてい
る。例えばシリコンウエハーに感光レジストを塗
布する際の前処理として、シリコンウエハーに付
着した大気中の有機汚染物を塗布直前に追加洗浄
することにより分解したり、電子ビームによるス
パツタリング蒸着の際に基体に付着した真空ポン
プの油などによる有機汚染物と同じく追加洗浄す
ると塗布膜或は蒸着膜の密着性を著しく向上する
ことができることが明らかになつている。 ところで紫外線ランプ、例えば低圧水銀ランプ
を点灯すると、主として波長が254nmの水銀共鳴
線の紫外線が外部に放出され、従として185nmの
紫外線が、更には他の波長のものがわずかに放出
される。そしてこれらの紫外線によるオゾンの生
成機構とその洗浄作用は次のように考えられてい
る。 h〓(185nm)+O2(空気)→O+O (1) O+O2(空気)→O3 (2) h〓(254nm)+O3→O*+O2 (3) O*+CmHnOl(有機汚染物) →CO,CO2,H2O(ガス化して飛散) (4) 即ち、波長185nmの紫外線によつてオゾンが生
成し、次にこのオゾンが波長254nmの紫外線によ
り分解されて発生基の酸素が生成し、この発生基
の酸素が有機汚染物を分解してガス状態で飛散さ
せるものである。従つて(4)式の反応を効率良く高
速度で行せるには(1),(3)式のh〓(185nm)とh〓
(254nm)の強度が相互に調和のとれたものの方
が良いと思われる。つまり、これらの強度をそれ
ぞれI185,I254としたとき、これらの比α=I185
I254は紫外線洗浄の効率上重要な因子と思われ
る。しかるに、従来実用化された装置や研究報告
によればαの値がいずれも小さな、そして限られ
た範囲のものであり、例えばその値が0.03(「洗浄
設計」近代編集社1981年秋季号)であり、また
0.05(昭和57年応用物理学会報告28a−V−3)
であつて、必ずしも広範囲にわたつて調査研究し
たうえでの最適値とは言い難いことが分つた。 そこで本発明は、紫外線ランプの光でオゾンを
発生させ、このオゾンの分解により生成される酸
素により物体の表面に付着した有機汚染物や気体
中に浮遊する有機汚染物などを、消費電力が少
く、かつ著しく効率よく高速で分解して洗浄する
ことが可能な紫外線洗浄装置を提供することを目
的とし、本発明者らがαの値を従来にない広範囲
にわたつて変化させて鋭意調査研究した結果、α
の最適範囲を見い出して本発明を完成したもので
ある。有機汚染物の付着した被洗浄体や有機汚染
物を含む被洗浄気体が酸素ガスと共存し、波長が
185nmと254nmの光を放射する紫外線ランプが有
機汚染物と酸素ガスとに対置され、このランプの
185nmと254nmの光の出力をそれぞれI185とI254
した時、この比α=I185/I254が0.08から0.3の範
囲に設定されたことを特徴とするものである。な
お、α=I185/I254の測定はランプ発光部の中央
点より軸の垂直方向に発光点の10倍以上離れた位
置での軸に平行な面上でのエネルギー密度の比で
近似させた。そして185nmの紫外線は空気に吸収
されるので真空中から非吸収雰囲気中で測定し
た。 以下に図面により本発明の実施例を具体的に説
明する。 図面は本発明の紫外線洗浄装置を簡略化して横
式的に示したものであるが、第1図において箱状
の本体1内にはベルトコンベヤー2が張設され、
このコンベヤー2上にはフイルター3を介して低
圧水銀灯の紫外線ランプ4が設置されている。そ
して入口1aからコンベヤー2上に載せられた被
洗浄体5はランプ4で照射されて洗浄されながら
進み、ランプ4の下を通過し終るときには洗浄が
完了して出口1bより取り出される。本体1の下
方には吸引フアン6が設けられ、冷却空気やオゾ
ン、更には分解された気体状の汚染物などが排出
される。第2図は被洗浄体が酸素ガスと共存した
気体であり、その内に汚染物が浮遊している場合
に用いられる実施例を示したものであり、内部を
被洗浄体が所定速度で流動する管体7には合成石
英製の窓孔7aが設けられ、その上部にランプ4
が設置されて窓孔7aを通して紫外線が管体7内
に照射される。そして被洗浄体が窓孔7aの部分
を通過し終ると洗浄が完了するようになつてい
る。 次にαを広範囲にわたつて変化させて洗浄効果
を調査した結果を説明すると、使用したランプ4
は管径20mm、アーク長100cmの450W低圧水銀灯で
あり、αの値は低圧水銀灯の最冷点温度の制御と
フイルター3の波長185nm光の透過率を変えるこ
とにより変化させた。被洗浄体5は直径10mmの石
英板であり、これをエチルアルコール中で30分間
超音波洗浄した後に、更に16MΩcmの純水で洗つ
て乾燥し、有機汚染物として染料(ローダミン
B)をエチルアルコールで溶かしてこれを石英板
上に塗布した。そしてこの被洗浄体5がランプ4
の下を5分間で通過するようにし、照射の前後に
おける633nm光の透過率の変化を測定して洗浄効
果の代用特性とした。その測定結果を第1表に示
す。ここで、各被洗浄体5の照射前の透過率は96
%であり、照射後が100%のものを◎印、約99%
のものを〇印、約98%のものを△印、約97%もの
を×印で表示した。
【表】 第1表から明らかな様に、αが0.08から0.3の
範囲では優れた洗浄効果を示し、ことに0.1から
0.2の範囲ではほとんど完全に洗浄することが出
来た。これに対してαが0.08未満や0.3を越える
ところではh〓(185)とh〓(254)の調和が崩れて洗
浄効果が低下し、効率が悪い。 従つて本発明の紫外線洗浄装置の光源系のαを
従来試みられていない0.08から0.3の範囲に設定
することにより、洗浄効果が優れ、このため消費
電力が少く、かつ高速で処理できる紫外線洗浄装
置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の実施例を示す断面図、第2図
は他の実施例を示す断面図である。 1……本体、2……ベルトコンベヤー、3……
フイルター、4……ランプ、5……被洗浄体。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 有機汚染物の付着した被洗浄体や有機汚染物
    を含む被洗浄気体が酸素ガスと共存し、波長が
    185nmと254nmの光を放射する紫外線ランプが有
    機汚染物と酸素ガスとに対置され、該185nmと
    254nmの光の出力をそれぞれI185とI254とした時、
    この比α=I185/I254が0.08から0.3の範囲に設定
    されたことを特徴とする紫外線洗浄装置。
JP57204571A 1982-11-24 1982-11-24 紫外線洗浄装置 Granted JPS5994823A (ja)

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JP57204571A JPS5994823A (ja) 1982-11-24 1982-11-24 紫外線洗浄装置

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JP57204571A JPS5994823A (ja) 1982-11-24 1982-11-24 紫外線洗浄装置

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Publication Number Publication Date
JPS5994823A JPS5994823A (ja) 1984-05-31
JPH049373B2 true JPH049373B2 (ja) 1992-02-20

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2018168270A1 (ja) * 2017-03-14 2018-09-20 本田技研工業株式会社 レーザ加工機

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0659453B2 (ja) * 1986-06-06 1994-08-10 株式会社東芝 基板へのレジスト塗布方法
JPH0644976B2 (ja) * 1989-04-26 1994-06-15 松下電器産業株式会社 光触媒の再生方法及び光触媒による脱臭装置
JPH02299287A (ja) * 1989-05-15 1990-12-11 Shin Etsu Chem Co Ltd プリント回路基板の洗浄方法
JPH03254192A (ja) * 1990-03-02 1991-11-13 Matsushita Electric Works Ltd 多層配線基板
JPH1190370A (ja) * 1997-09-22 1999-04-06 Iwasaki Electric Co Ltd 表面処理装置及びその処理方法
WO2009088984A1 (en) * 2008-01-08 2009-07-16 Newport Corporation Novel optical filters for use with mercury arc lamp monitoring applications
JP6967487B2 (ja) 2018-05-24 2021-11-17 本田技研工業株式会社 レーザ加工機

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2018168270A1 (ja) * 2017-03-14 2018-09-20 本田技研工業株式会社 レーザ加工機
US11285566B2 (en) 2017-03-14 2022-03-29 Honda Motor Co., Ltd. Laser machining apparatus

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