JPH0494117A - 気相成長装置 - Google Patents
気相成長装置Info
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- JPH0494117A JPH0494117A JP2210324A JP21032490A JPH0494117A JP H0494117 A JPH0494117 A JP H0494117A JP 2210324 A JP2210324 A JP 2210324A JP 21032490 A JP21032490 A JP 21032490A JP H0494117 A JPH0494117 A JP H0494117A
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- exhaust port
- treatment
- film formation
- evacuation port
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- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/4412—Details relating to the exhausts, e.g. pumps, filters, scrubbers, particle traps
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S156/00—Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
- Y10S156/916—Differential etching apparatus including chamber cleaning means or shield for preventing deposits
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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- Metallurgy (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の目的〕
（産業上の利用分野）
本発明は、気相成長装置に係り、とくに、シリンダー型
気相成長装置の反応筒内部の構造に関するものである。
気相成長装置の反応筒内部の構造に関するものである。
（従来の技術）
気相成長技術は、半導体装置のプロセス技術としてなく
てはならないものである。気相成長は。
てはならないものである。気相成長は。
ＣＶ Ｄ （ｃｈｅｍｉｃａＩｌｖａｐｏｕｒ ｄｅｐ
ｏｓ、Ｌｔｉｏｎ）とも言い、気相中の熱分解、加水分
解または酸化などの化学反応を用いて、シリコン半導体
などの基板に単結晶半導体膜（エピタキシャル成長膜）
や絶縁膜（Ｓ１０□ｙ ５１３Ｎ４ ｒ ＡＱ、ｏ、な
ど）を成長させる方法である。
ｏｓ、Ｌｔｉｏｎ）とも言い、気相中の熱分解、加水分
解または酸化などの化学反応を用いて、シリコン半導体
などの基板に単結晶半導体膜（エピタキシャル成長膜）
や絶縁膜（Ｓ１０□ｙ ５１３Ｎ４ ｒ ＡＱ、ｏ、な
ど）を成長させる方法である。
気相成長装置は、基板の加熱方式や膜成長時の反応炉内
の圧力状態などによって区分され、また、プラズマ、紫
外線、レーザなどエネルギー源によっても分類できる。
の圧力状態などによって区分され、また、プラズマ、紫
外線、レーザなどエネルギー源によっても分類できる。
さらに１反応炉が横型であるか縦型であるかによっても
区別される。第４図は、従来から知られている縦型に配
置されたシリンダー型気相成長装置の断面図を示してい
る。装置の時間当りのスループットの大きさや均一に処
理する能力などの理由でこれが最も多く利用されている
。反応室として装置の中心になる反応筒１は石英ガラス
から作られている。反応筒１は、上部が開口しており、
その開口部には反応ガス等を反応筒内に供給するガス供
給用リング２が気密に取付けられている。リング２の上
端を益３で密閉することによって反応室４を形成する。
区別される。第４図は、従来から知られている縦型に配
置されたシリンダー型気相成長装置の断面図を示してい
る。装置の時間当りのスループットの大きさや均一に処
理する能力などの理由でこれが最も多く利用されている
。反応室として装置の中心になる反応筒１は石英ガラス
から作られている。反応筒１は、上部が開口しており、
その開口部には反応ガス等を反応筒内に供給するガス供
給用リング２が気密に取付けられている。リング２の上
端を益３で密閉することによって反応室４を形成する。
このＭ３には回転可能なシリンダー型のサセプタ５が取
付けられており、蓋をしたときにサセプタ５が反応室４
内の適当な位置に配置される。サセプタ５の外表面には
シリコンなどの半導体ウェハ６が、大きさによって異な
るが１４枚程度載置されている。反応筒１の内部または
外部には加熱手段（図示せず）が設けられている。たと
えば、ハロゲンランプを用いて外から輻射加熱を行う。
付けられており、蓋をしたときにサセプタ５が反応室４
内の適当な位置に配置される。サセプタ５の外表面には
シリコンなどの半導体ウェハ６が、大きさによって異な
るが１４枚程度載置されている。反応筒１の内部または
外部には加熱手段（図示せず）が設けられている。たと
えば、ハロゲンランプを用いて外から輻射加熱を行う。
また、高周波加熱を利用することもある。反応筒１の下
部には排気口８．上部にはリングに取付けられた２つの
ガス供給用ノズル７がそれぞれ設けられている。ガス供
給用ノズル７からは、Ｎ、、８２等のキャリアガスとと
もに反応ガスが噴出する。この反応ガスにはジクロルシ
ラン（ＳＩＨ２Ｃｌ２２ ） ＋ トリクロルシラン
（ＳｉＨＣＱ、 ） 、シラン（Ｓｉｌ（４） 、四塩
化けい素（ＳｘＣＬ）等が使用され、必要に応じて気相
成長膜に添加される不純物の原料であるジボラン、アル
シン、スチビン、ホスフィン等が添加される。噴出した
反応ガスは、重力などの作用により、サセプタ表面に沿
って流下する。この表面上で熱分解反応が。
部には排気口８．上部にはリングに取付けられた２つの
ガス供給用ノズル７がそれぞれ設けられている。ガス供
給用ノズル７からは、Ｎ、、８２等のキャリアガスとと
もに反応ガスが噴出する。この反応ガスにはジクロルシ
ラン（ＳＩＨ２Ｃｌ２２ ） ＋ トリクロルシラン
（ＳｉＨＣＱ、 ） 、シラン（Ｓｉｌ（４） 、四塩
化けい素（ＳｘＣＬ）等が使用され、必要に応じて気相
成長膜に添加される不純物の原料であるジボラン、アル
シン、スチビン、ホスフィン等が添加される。噴出した
反応ガスは、重力などの作用により、サセプタ表面に沿
って流下する。この表面上で熱分解反応が。
外側の加熱手段によって加熱された雰囲気中で起り、ウ
ェハ６上にエピタキシャル成長膜が形成される。反応ガ
スは、この反応後に反応筒１の下部に設けた排気口８か
ら排出される。
ェハ６上にエピタキシャル成長膜が形成される。反応ガ
スは、この反応後に反応筒１の下部に設けた排気口８か
ら排出される。
この気相成長装置において、反応ガスは組成比や温度等
の変動によってその一部が固化して反応筒下部に堆積す
る。固化した堆積物は、 Ｓｉ、 ＣＱ。
の変動によってその一部が固化して反応筒下部に堆積す
る。固化した堆積物は、 Ｓｉ、 ＣＱ。
０□等が不規則に混り合った組成であると思われる。
この堆積物は、成膜プロセス中に反応筒上部に舞い上っ
てウェハ６表面に付着する。このため、成膜処理を何度
も繰り返すうちに、成長膜に積層欠陥・ピット等の結晶
欠陥が生じ、堆積物のパーティクル付着量が増加するた
め高品質な膜が成長しなくなる。実験によってその膜特
性を調べると第３図のようになる。
てウェハ６表面に付着する。このため、成膜処理を何度
も繰り返すうちに、成長膜に積層欠陥・ピット等の結晶
欠陥が生じ、堆積物のパーティクル付着量が増加するた
め高品質な膜が成長しなくなる。実験によってその膜特
性を調べると第３図のようになる。
第３図は、横軸に気相成長処理の回数をとり、縦軸には
、ウェハ（Ｗ）１個上の堆積物のパーティクル数および
ウェハ上の１ｄあたりの結晶欠陥発生数（発生密度）を
とる。パーティクルは余り微少なものは検出できないの
で直径０．２μｓ以上を対象とした。サセプタ５上に直
径１５０ｍｍのシリコンウェハ６を１４枚載置し、これ
を１バツチ処理量とする。ガス供給ノズル７から噴出す
る反応ガスは。
、ウェハ（Ｗ）１個上の堆積物のパーティクル数および
ウェハ上の１ｄあたりの結晶欠陥発生数（発生密度）を
とる。パーティクルは余り微少なものは検出できないの
で直径０．２μｓ以上を対象とした。サセプタ５上に直
径１５０ｍｍのシリコンウェハ６を１４枚載置し、これ
を１バツチ処理量とする。ガス供給ノズル７から噴出す
る反応ガスは。
ジクロルシラン（６００−／Ｍ）と不純物原料であるド
ーパントガス（２００ｍＱ／Ｍホスフィン、ＰＨ３）か
らなる。また、１回の処理時間は１０分程度とする。
ーパントガス（２００ｍＱ／Ｍホスフィン、ＰＨ３）か
らなる。また、１回の処理時間は１０分程度とする。
以上の条件で第３図の成−特性を見ると、まず、パーテ
ィクルは、処理の１回目から存在するが、５回あたりか
ら急に増加し、以後処理回数と伴に増加傾向を示す、一
方、結晶欠陥は、４回目までは見られないが、その後急
増し、増加傾向を示す。
ィクルは、処理の１回目から存在するが、５回あたりか
ら急に増加し、以後処理回数と伴に増加傾向を示す、一
方、結晶欠陥は、４回目までは見られないが、その後急
増し、増加傾向を示す。
いずれの場合でも回を重ねる毎に膜特性が劣化するのは
免れない。
免れない。
そこで従来は、ある程度結晶欠陥やパーティクル付着量
が増加すると、ウェハ上の堆積物をフッ化水素等の強酸
類を用いて除去する作業を行っていた。
が増加すると、ウェハ上の堆積物をフッ化水素等の強酸
類を用いて除去する作業を行っていた。
反応ガス、の副生産物である堆積物がウェハに付着する
原因のＹつに成膜処理中に発生する静電気の影響が考え
られるが、静電気は、たとえば５０Ｃ〕℃〜７００°Ｃ
に反応筒を加熱することによって消すことができるので
、多少の付着は防止することができる。
原因のＹつに成膜処理中に発生する静電気の影響が考え
られるが、静電気は、たとえば５０Ｃ〕℃〜７００°Ｃ
に反応筒を加熱することによって消すことができるので
、多少の付着は防止することができる。
（発明が解決しようとする課題）
以上のように、現在の気相成長処理にあたっては１反応
ガスの一部が同相化した堆積物が原因となる成膜の結晶
欠陥やパーティクル付着が増大するという問題があり、
また、この堆積物を除去するために行うフッ化水素等の
強酸類による洗浄処理も、バッチ処理毎に気相成長処理
を停止しなければならず連続的な処理が不可能となりス
ループット増加の制約となる。また、フッ化水素等は腐
蝕性が強く洗浄処理条件が制限されるので工業的な観点
から実用的ではない。
ガスの一部が同相化した堆積物が原因となる成膜の結晶
欠陥やパーティクル付着が増大するという問題があり、
また、この堆積物を除去するために行うフッ化水素等の
強酸類による洗浄処理も、バッチ処理毎に気相成長処理
を停止しなければならず連続的な処理が不可能となりス
ループット増加の制約となる。また、フッ化水素等は腐
蝕性が強く洗浄処理条件が制限されるので工業的な観点
から実用的ではない。
本発明は、以上のような事情によってなされたもので、
均一な気相成長膜が形成され、しかも連続的に量産可能
な気相成長装置を提供することを目的としている。
均一な気相成長膜が形成され、しかも連続的に量産可能
な気相成長装置を提供することを目的としている。
（課題を解決するための手段）
本発明は１反応筒と、この反応筒内に配置された複数の
ウェハを支持するサセプタと、この反応筒下部に設けた
第１の排気口とを備えた気相成長装置に関するものであ
り、第１の排気口の下に加熱手段およびガス供給手段を
有する第２の排気口を設け、第１と第２の排気口の間に
は、第２の排気口を反応筒から遮断することが可能な仕
切板を設けたことを特徴としている。
ウェハを支持するサセプタと、この反応筒下部に設けた
第１の排気口とを備えた気相成長装置に関するものであ
り、第１の排気口の下に加熱手段およびガス供給手段を
有する第２の排気口を設け、第１と第２の排気口の間に
は、第２の排気口を反応筒から遮断することが可能な仕
切板を設けたことを特徴としている。
（作用）
仕切板を開いて成膜処理を行い、この処理による堆積物
を第２の排気口に集め、ついで、仕切板を閉じた状態で
第２の排気口にＨＣｌ２などの分解用ガスを封入すると
同時に加熱して堆積物を気化し、排気する。ガス供給手
段が供給する分解ガスとしては、ＨＣｕのような塩素を
含んだガスもしくはフッ素を含んだガス等を用いる。
を第２の排気口に集め、ついで、仕切板を閉じた状態で
第２の排気口にＨＣｌ２などの分解用ガスを封入すると
同時に加熱して堆積物を気化し、排気する。ガス供給手
段が供給する分解ガスとしては、ＨＣｕのような塩素を
含んだガスもしくはフッ素を含んだガス等を用いる。
（実施例）
以下、本発明の一実施例を第１図および第２図を参照し
て説明する。第り図は、本発明の一実施例におけるシリ
ンダー型気相成長装置の要部断面であり、第２図は、こ
の装置で形成された気相成長膜の成膜特性を示す図であ
る。石英ガラス襲の反応筒２１の上端開口部にガス供給
用リング２２を気密に取付け、このリング２２上端を蓋
２：３で密封して反応室１０を形成する。この蓋２３に
は回転可能なシリンダー型のサセプタ１１を取付け、こ
のサセプタ１１およびサセプタ外表面に載置したシリコ
ンなどのウェハ１２を反応筒２１の外側に設けた、たと
えば、ハロゲンランプからなる加熱手段（図示せず）に
よって加熱する。加熱手段は反応筒２１の内部でも良く
、加熱手段としては、ハロゲンランプだけでなく、高周
波加熱を用いても良いし、抵抗加熱など既存の任意の手
段を利用することができる。
て説明する。第り図は、本発明の一実施例におけるシリ
ンダー型気相成長装置の要部断面であり、第２図は、こ
の装置で形成された気相成長膜の成膜特性を示す図であ
る。石英ガラス襲の反応筒２１の上端開口部にガス供給
用リング２２を気密に取付け、このリング２２上端を蓋
２：３で密封して反応室１０を形成する。この蓋２３に
は回転可能なシリンダー型のサセプタ１１を取付け、こ
のサセプタ１１およびサセプタ外表面に載置したシリコ
ンなどのウェハ１２を反応筒２１の外側に設けた、たと
えば、ハロゲンランプからなる加熱手段（図示せず）に
よって加熱する。加熱手段は反応筒２１の内部でも良く
、加熱手段としては、ハロゲンランプだけでなく、高周
波加熱を用いても良いし、抵抗加熱など既存の任意の手
段を利用することができる。
リング２２には、反応ガスを供給する２つのガス供給用
ノズル９を設けて反応ガスを噴出させ、サセプタ外表面
に沿って流下させる。以上、装置の中心付近から上の部
分について説明したが、この部分は、前述した従来のも
のと殆んど同じ構造を有している。
ノズル９を設けて反応ガスを噴出させ、サセプタ外表面
に沿って流下させる。以上、装置の中心付近から上の部
分について説明したが、この部分は、前述した従来のも
のと殆んど同じ構造を有している。
以下に述へる装置の下部に設けられた排気構造が本発明
の特徴を示すものである。まず１反応筒２１の下端開口
部に第１の排気口１７を設ける。この排気口は、前述の
従来装置の排気口と同じ構成であり、第１の弁１４を持
つ排気パイプにつながっている。第１の排気口１７の下
には第２の排気口１３が設けられており、両排気口の間
は、たとえば、石英やセラミックスなどの仕切板１６に
よって隔てられている。この仕切板１６は、適宜反応筒
２１と第２の排気口１３を遮断できるようになっている
。第２の排気口１３は、たとえば石英ガラスで形成した
容器２０．その周囲に形成された加熱手段となる発熱体
１８およびこの発熱体１８の周囲に形成された過熱を防
ぐ水ジャケット２４の積層体に囲まれている８水ジヤケ
ツトは、第１の排気口の表面にも設けである。第２の排
気口１３には、さらに、たとえば石英ガラスからなるガ
ス供給ノズル１９が形成されている。ノズルの先は、外
から排気口１３内部へ挿入されている。この排気口は、
やはり弁１５を備えた排気パイプにつながっており、こ
の排気パイプは、先の弁１４を持つパイプに連通してい
る。発熱体１８は、抵抗加熱を用いているが、勿論抵抗
加熱に限定されるものではなく、任意の加熱手段を採用
し得る。ここで行う成長処理は、前述の従来例と同じ条
件でおこなう。
の特徴を示すものである。まず１反応筒２１の下端開口
部に第１の排気口１７を設ける。この排気口は、前述の
従来装置の排気口と同じ構成であり、第１の弁１４を持
つ排気パイプにつながっている。第１の排気口１７の下
には第２の排気口１３が設けられており、両排気口の間
は、たとえば、石英やセラミックスなどの仕切板１６に
よって隔てられている。この仕切板１６は、適宜反応筒
２１と第２の排気口１３を遮断できるようになっている
。第２の排気口１３は、たとえば石英ガラスで形成した
容器２０．その周囲に形成された加熱手段となる発熱体
１８およびこの発熱体１８の周囲に形成された過熱を防
ぐ水ジャケット２４の積層体に囲まれている８水ジヤケ
ツトは、第１の排気口の表面にも設けである。第２の排
気口１３には、さらに、たとえば石英ガラスからなるガ
ス供給ノズル１９が形成されている。ノズルの先は、外
から排気口１３内部へ挿入されている。この排気口は、
やはり弁１５を備えた排気パイプにつながっており、こ
の排気パイプは、先の弁１４を持つパイプに連通してい
る。発熱体１８は、抵抗加熱を用いているが、勿論抵抗
加熱に限定されるものではなく、任意の加熱手段を採用
し得る。ここで行う成長処理は、前述の従来例と同じ条
件でおこなう。
すなわち、１回の成膜処理の条件は。
１バツチ処理量 １５０ｍ（直径）のウェハ１４枚反
応ガス ジクロルシラン（ＳｉＨ２ＣＲ２）
６００ｍＲ／Ｍドーパントガス ホスフィン（ｐＨ，
） ２００ｍＱ／Ｍエピタキシャル成長時間 １０分 である。ウェハとしては、たとえばｐ型シリコン基板を
用いる。ガス供給ノズル９より噴出したドーパントガス
を含む反応ガスは、Ｎ２．■２など還元ガスに混ぜて、
サセプタ１１の外表面に沿って流下する。サセプタ１１
の外表面にウェハ（ｐ −５ｉ） １２が載置しており
、ウェハが反応筒２１の外のランプで約１１００℃に加
熱されているので５流下した反応ガスによってウェハ上
にシリコン単結晶膜が成長する。ドーパントガスにはホ
スフィンを用いているのでｎ形の膜がウェハ上に形成さ
れる。反応が終ったガスは１反応筒下端の排気口より排
気されるが、成膜処理中は弁１４は閉じ、弁１５を開け
ておくので、第２の排気口１３から排気することになる
。
応ガス ジクロルシラン（ＳｉＨ２ＣＲ２）
６００ｍＲ／Ｍドーパントガス ホスフィン（ｐＨ，
） ２００ｍＱ／Ｍエピタキシャル成長時間 １０分 である。ウェハとしては、たとえばｐ型シリコン基板を
用いる。ガス供給ノズル９より噴出したドーパントガス
を含む反応ガスは、Ｎ２．■２など還元ガスに混ぜて、
サセプタ１１の外表面に沿って流下する。サセプタ１１
の外表面にウェハ（ｐ −５ｉ） １２が載置しており
、ウェハが反応筒２１の外のランプで約１１００℃に加
熱されているので５流下した反応ガスによってウェハ上
にシリコン単結晶膜が成長する。ドーパントガスにはホ
スフィンを用いているのでｎ形の膜がウェハ上に形成さ
れる。反応が終ったガスは１反応筒下端の排気口より排
気されるが、成膜処理中は弁１４は閉じ、弁１５を開け
ておくので、第２の排気口１３から排気することになる
。
したがって、同相化した反応ガスの堆積物は、第２の排
気口の底部に堆積する。−回目の成膜処理は以上で終了
する。
気口の底部に堆積する。−回目の成膜処理は以上で終了
する。
つぎに、二回目の成膜処理を行う。第２の排気口１３は
一回目の処理で汚染されているので、仕切板１６は閉じ
、弁１４は開けて第１の排気口１７を利用する。均一な
成長膜を形成するために一回目の処理で使用したガスの
影響を除去しなければならないので、各成膜処理におい
て前処理としてＮ２．）１２ガスなどを用いてパージ処
理を行う。そのときはとくに反応は起きないので堆積物
が発生することはなく、第１の排気口１７を用いても反
応室１０内が汚染されることはない。そして、このパー
ジ処理は２００分程時間がかかるので、その間に第２の
排気口１３を洗浄することができる。したがって、パー
ジが終ってすぐ反応工程に移行しても第２の排気口は使
用可能の状態になっている。このようにして本発明では
成膜処理の連続性が保たれる。
一回目の処理で汚染されているので、仕切板１６は閉じ
、弁１４は開けて第１の排気口１７を利用する。均一な
成長膜を形成するために一回目の処理で使用したガスの
影響を除去しなければならないので、各成膜処理におい
て前処理としてＮ２．）１２ガスなどを用いてパージ処
理を行う。そのときはとくに反応は起きないので堆積物
が発生することはなく、第１の排気口１７を用いても反
応室１０内が汚染されることはない。そして、このパー
ジ処理は２００分程時間がかかるので、その間に第２の
排気口１３を洗浄することができる。したがって、パー
ジが終ってすぐ反応工程に移行しても第２の排気口は使
用可能の状態になっている。このようにして本発明では
成膜処理の連続性が保たれる。
第２の排気口を洗浄するには、まず、仕切板１６を閉じ
て第２の排気口と反応室ＩＯとを遮断する。
て第２の排気口と反応室ＩＯとを遮断する。
そして、この排気口１３は発熱体１８によって２００℃
に加熱し、この状態で石英ガラス製のガス供給ノズル１
９より塩化水素ガスを５分程度供給する。この時、弁１
５は開いたま−にしておく、この処理によって堆積物は
分解し、気化して排気される。この分解用ガスは塩化水
素に限らず、塩素を含んだものあるいはフッ素を含んだ
ものなどを用いる。
に加熱し、この状態で石英ガラス製のガス供給ノズル１
９より塩化水素ガスを５分程度供給する。この時、弁１
５は開いたま−にしておく、この処理によって堆積物は
分解し、気化して排気される。この分解用ガスは塩化水
素に限らず、塩素を含んだものあるいはフッ素を含んだ
ものなどを用いる。
第２図に成膜特性を示す。第３図と同様に横軸に気相成
長処理の回数をとり、縦軸にはウェハ上の堆積物のパー
ティクル数および結晶欠陥発生数（発生密度）をとる。
長処理の回数をとり、縦軸にはウェハ上の堆積物のパー
ティクル数および結晶欠陥発生数（発生密度）をとる。
６回までは全く特性に変化は認められず、処理回数が１
０回になっても特性の劣化は、従来の装置に比較して１
／ｌＯに減った。
０回になっても特性の劣化は、従来の装置に比較して１
／ｌＯに減った。
堆積物を再び気化したガスは、適宜調整して反応ガスと
して再生することができる。また、本発明は、縦方向の
装置に限らず、徘呂口と反応室の間に仕切を設けること
ですべての種類のｉ！置に適用可能となる。
して再生することができる。また、本発明は、縦方向の
装置に限らず、徘呂口と反応室の間に仕切を設けること
ですべての種類のｉ！置に適用可能となる。
なお、反応ガスは、ジクロルシランに限らず。
トリクロルシラン、シラン、四塩化けい素等の従来から
利用されているものはすべて適用することができる。ま
た、加熱温度を実施例では２００℃としたが、最適な温
度範囲は、５０〜５００℃程度であり、反応ガスの種類
、堆積量、堆積物の成分によってその温度が決まる。
利用されているものはすべて適用することができる。ま
た、加熱温度を実施例では２００℃としたが、最適な温
度範囲は、５０〜５００℃程度であり、反応ガスの種類
、堆積量、堆積物の成分によってその温度が決まる。
本発明は、前述のような構成により、成膜処理を連続的
に行うことが可能になるとともに、結晶欠陥、パーティ
クルのない均一な成長膜を得ることができる。
に行うことが可能になるとともに、結晶欠陥、パーティ
クルのない均一な成長膜を得ることができる。
第１図は本発明の一実施例の気相成長装置の断面図、第
２図は本発明の装置により得た成膜特性図、第３図は従
来例の装置より得た成膜特性図、第４図は従来の装置の
断面図である。 １．２１・・・反応筒、２，２２・・・ガス供給用リン
グ、：３，２３・・蓋、４．１０・・・反応室。 ５．１１・・・サセプタ、 ６，１２・・・ウェハ。 ７．９・・・ガス供給用ノズル、 ８・・・排気口、１
３・・・第２の排気口、 １４．１５・・・弁、１６
・・・仕切板、 １７・・・第１の排気口、【訃
・・発熱体、 １９・・・ガス供給ノズル。 ２０・・・石英ガラス容器。 代理人 弁理士 猪股祥晃（ほか１名）第 図 凰蝮処理ｍｕ（圓） 第 図 Ｘ１＾ｎ口歓−輸） 第 図
２図は本発明の装置により得た成膜特性図、第３図は従
来例の装置より得た成膜特性図、第４図は従来の装置の
断面図である。 １．２１・・・反応筒、２，２２・・・ガス供給用リン
グ、：３，２３・・蓋、４．１０・・・反応室。 ５．１１・・・サセプタ、 ６，１２・・・ウェハ。 ７．９・・・ガス供給用ノズル、 ８・・・排気口、１
３・・・第２の排気口、 １４．１５・・・弁、１６
・・・仕切板、 １７・・・第１の排気口、【訃
・・発熱体、 １９・・・ガス供給ノズル。 ２０・・・石英ガラス容器。 代理人 弁理士 猪股祥晃（ほか１名）第 図 凰蝮処理ｍｕ（圓） 第 図 Ｘ１＾ｎ口歓−輸） 第 図
Claims (1)
- 反応筒と、この反応筒内に配置された複数の半導体ウ
ェハを支持するサセプタと、この反応筒下部に設けた第
１の排気口とを備えた気相成長装置において、前記第１
の排気口の下に、加熱手段およびガス供給手段を有する
第２の排気口と、前記第１の排気口と第２の排気口との
間に前記第２の排気口を前記反応筒から遮断することが
可能な仕切板を設けたことを特徴とする気相成長装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2210324A JP2504611B2 (ja) | 1990-08-10 | 1990-08-10 | 気相成長装置 |
| US07/739,502 US5154773A (en) | 1990-08-10 | 1991-08-02 | Vapor phase epitaxial growth apparatus having exhaust unit for removing unwanted deposit |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2210324A JP2504611B2 (ja) | 1990-08-10 | 1990-08-10 | 気相成長装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0494117A true JPH0494117A (ja) | 1992-03-26 |
| JP2504611B2 JP2504611B2 (ja) | 1996-06-05 |
Family
ID=16587542
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2210324A Expired - Fee Related JP2504611B2 (ja) | 1990-08-10 | 1990-08-10 | 気相成長装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5154773A (ja) |
| JP (1) | JP2504611B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002526660A (ja) * | 1998-10-07 | 2002-08-20 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 内部加熱される排気装置 |
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| US6039807A (en) * | 1998-03-17 | 2000-03-21 | Memc Electronic Materials, Inc. | Apparatus for moving exhaust tube of barrel reactor |
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| US4632060A (en) * | 1984-03-12 | 1986-12-30 | Toshiba Machine Co. Ltd | Barrel type of epitaxial vapor phase growing apparatus |
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-
1990
- 1990-08-10 JP JP2210324A patent/JP2504611B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1991
- 1991-08-02 US US07/739,502 patent/US5154773A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002526660A (ja) * | 1998-10-07 | 2002-08-20 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 内部加熱される排気装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2504611B2 (ja) | 1996-06-05 |
| US5154773A (en) | 1992-10-13 |
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