JPH0494128A - 金属めっき装置 - Google Patents
金属めっき装置Info
- Publication number
- JPH0494128A JPH0494128A JP2211229A JP21122990A JPH0494128A JP H0494128 A JPH0494128 A JP H0494128A JP 2211229 A JP2211229 A JP 2211229A JP 21122990 A JP21122990 A JP 21122990A JP H0494128 A JPH0494128 A JP H0494128A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor substrate
- plating
- liquid
- plating solution
- cup
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体基板に所望厚の金属を被着する金属メツ
キ装置に関する。
キ装置に関する。
従来の半導体基板用の金属めっき装置は、図面には示さ
ないか、半導体基板の一生面、すなわち、被めっき面で
開口を塞ぐカップと、このカップの開口の反対側からメ
ツキ液を噴流させるメッキ液噴流ポンプと、半導体基板
のめっき不要面、即ち裏面（以降、単に裏面という）と
接触する陰電極と、カップ内に配置される陽電極と、半
導体基板の裏面にガスを吹き付けるガス吹付はノズルと
を有していた。
ないか、半導体基板の一生面、すなわち、被めっき面で
開口を塞ぐカップと、このカップの開口の反対側からメ
ツキ液を噴流させるメッキ液噴流ポンプと、半導体基板
のめっき不要面、即ち裏面（以降、単に裏面という）と
接触する陰電極と、カップ内に配置される陽電極と、半
導体基板の裏面にガスを吹き付けるガス吹付はノズルと
を有していた。
この金属めっき装置で半導体基板に金属めっきを施す場
合は、まず、カップの開口を半導体基板のめっき面で塞
ぎ、蓋をする。次に、めっき液をめっき液噴流ポンプで
カップにめっき液を供給する。次に、めっき液がカップ
に充たされたら、半導体基板のめっき面がめつき液に接
触するまでに、めっき液を噴流し続ける。このとき、め
っき液は半導体基板に接触し、表面張力の作用とポンプ
の噴出圧とで、この接触を維持する。次に、ガスノズル
によりガスを吹き付け、めっき液が半導体基板の裏面に
廻り込まないようにし、電極に電流を流し、金属めっき
を行っていた。
合は、まず、カップの開口を半導体基板のめっき面で塞
ぎ、蓋をする。次に、めっき液をめっき液噴流ポンプで
カップにめっき液を供給する。次に、めっき液がカップ
に充たされたら、半導体基板のめっき面がめつき液に接
触するまでに、めっき液を噴流し続ける。このとき、め
っき液は半導体基板に接触し、表面張力の作用とポンプ
の噴出圧とで、この接触を維持する。次に、ガスノズル
によりガスを吹き付け、めっき液が半導体基板の裏面に
廻り込まないようにし、電極に電流を流し、金属めっき
を行っていた。
また、このめっきで重要なことは、めっき液面とめっき
面の間隔を調整することである。この間隔を調整するの
に、従来はカップの縁端面にピンを立てて、このピンの
高さを種々変えて調整するか、あるいは、めっき液の噴
流量の調整を行い調整をしていた。
面の間隔を調整することである。この間隔を調整するの
に、従来はカップの縁端面にピンを立てて、このピンの
高さを種々変えて調整するか、あるいは、めっき液の噴
流量の調整を行い調整をしていた。
しかしながら、従来の金属めっき装置では、めっき液面
とめっき面との間隔調整を行う場合、その調整範囲が狭
く、調整が困難である。ややもすると、裏面にめっき液
が廻り込んで不要な部分をめっきしたり、あるいは、バ
ターニング済みの半導体基板の表面の状態によって、め
っき面とメツキ液面の密着性が悪く、導通不良を起し、
めっきされないという問題がある。
とめっき面との間隔調整を行う場合、その調整範囲が狭
く、調整が困難である。ややもすると、裏面にめっき液
が廻り込んで不要な部分をめっきしたり、あるいは、バ
ターニング済みの半導体基板の表面の状態によって、め
っき面とメツキ液面の密着性が悪く、導通不良を起し、
めっきされないという問題がある。
本発明の目的は、かかる問題を解消する金属めっき装置
を提供することである。
を提供することである。
〔課題を解決するための手段）
本発明の金属めっき装置は、半導体基板の被めっき面で
開口が塞げられるカップと、このカップの開口の反対方
向からめつき液を噴流させる手段と、前記半導体基板と
接触する陰電極と、前記カップ内に配置される陽電極と
、前記陰電極側より半導体基板にガスを吹き付ける手段
とを有する金属めっき装置において、前記半導体基板の
周縁部に液体を滴下する液体滴下手段を備えることを特
徴としている。
開口が塞げられるカップと、このカップの開口の反対方
向からめつき液を噴流させる手段と、前記半導体基板と
接触する陰電極と、前記カップ内に配置される陽電極と
、前記陰電極側より半導体基板にガスを吹き付ける手段
とを有する金属めっき装置において、前記半導体基板の
周縁部に液体を滴下する液体滴下手段を備えることを特
徴としている。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例を示す金属めっき装置の断面
図である。この金属めっき装置は、同図に示すように、
従来と同様に、底面にめっき液８を噴入する噴入口１０
をもち、上面に開口をもつカップ２と、カップ２の周縁
に埋込まれる半導体基板５の搭載用ビン１及び位置決め
ビン１１と、カップ２内に配置される陽電極７と、半導
体基板５の裏面と接触する陰電極６と、半導体基板の裏
面にガスを吹付けるガスノズル４とを備えている。また
、ガスノズル４及び陰電極６は上ｌＩ９に支持されてい
るに の実施例では、従来の金属めっき装置に、半導体基板５
の周縁部に液体を滴下する滴下ノズル３を半導体基板周
縁部上に複数本を設け、上ｌＩ９に取付けたことである
。
図である。この金属めっき装置は、同図に示すように、
従来と同様に、底面にめっき液８を噴入する噴入口１０
をもち、上面に開口をもつカップ２と、カップ２の周縁
に埋込まれる半導体基板５の搭載用ビン１及び位置決め
ビン１１と、カップ２内に配置される陽電極７と、半導
体基板５の裏面と接触する陰電極６と、半導体基板の裏
面にガスを吹付けるガスノズル４とを備えている。また
、ガスノズル４及び陰電極６は上ｌＩ９に支持されてい
るに の実施例では、従来の金属めっき装置に、半導体基板５
の周縁部に液体を滴下する滴下ノズル３を半導体基板周
縁部上に複数本を設け、上ｌＩ９に取付けたことである
。
この滴下ノズル３を設けることにより、めっき液面とめ
っき面の間隔調整は以下の通り容易に調整出来る。すな
わち、上蓋にとりつけられた滴下ノズル３より半導体基
板５の周縁部に純水等の液体を、めっき開始時に、例え
ば１０ｃｃ程度滴下すると、オーバーフローしているめ
っき液面と半導体基板５の表面との間に滴下液が廻り込
み、表面張力の作用で、完全にめっき液と半導体基板と
は密着する。このことによりめっきが開始されると、導
通が半導体基板５の全面にわたり得られ、所要厚の金属
めっき層が形成される。また、半導体基板５の裏面に残
留、又は回り込む液体は上蓋９にとりつけられたガスノ
ズル４より、例えば、窒素ガス等を５００ ｃ ｃ ／
ｍ ｉ ｎ程度で吹きつけることにより除去される。
っき面の間隔調整は以下の通り容易に調整出来る。すな
わち、上蓋にとりつけられた滴下ノズル３より半導体基
板５の周縁部に純水等の液体を、めっき開始時に、例え
ば１０ｃｃ程度滴下すると、オーバーフローしているめ
っき液面と半導体基板５の表面との間に滴下液が廻り込
み、表面張力の作用で、完全にめっき液と半導体基板と
は密着する。このことによりめっきが開始されると、導
通が半導体基板５の全面にわたり得られ、所要厚の金属
めっき層が形成される。また、半導体基板５の裏面に残
留、又は回り込む液体は上蓋９にとりつけられたガスノ
ズル４より、例えば、窒素ガス等を５００ ｃ ｃ ／
ｍ ｉ ｎ程度で吹きつけることにより除去される。
さらに、滴下ノズル３から滴下される液体は、めっき液
補光剤としても使用出来る。
補光剤としても使用出来る。
第２図は本発明の他の実施例を示す金属めっき装置の断
面図である。この金属めっき装置は、前述の実施例滴下
ノズルのように単体のノズルではなく、滴下ノズル３ａ
の外形が上１２９と同心円のリング形状をしており、そ
の先端部に多数の滴下口を設けたものである。また、半
導体基板５の裏面とリング状の滴下ノズル３ａの間隔を
、例えば１〜２ ＋ｕ程度にすることにより、純水等の
液体で半導体基板５の裏面周辺部に膜を形成することが
でき、気体噴出口からのＮ２ガス等によりメツキ液の回
り込みを完全に防止することができる。
面図である。この金属めっき装置は、前述の実施例滴下
ノズルのように単体のノズルではなく、滴下ノズル３ａ
の外形が上１２９と同心円のリング形状をしており、そ
の先端部に多数の滴下口を設けたものである。また、半
導体基板５の裏面とリング状の滴下ノズル３ａの間隔を
、例えば１〜２ ＋ｕ程度にすることにより、純水等の
液体で半導体基板５の裏面周辺部に膜を形成することが
でき、気体噴出口からのＮ２ガス等によりメツキ液の回
り込みを完全に防止することができる。
以上説明したように本発明は、半導体基板の周縁部に液
体を滴下するノズルを設け、半導体基板の周縁部に液体
を少量滴下し、周縁部とめっき液面との間に滴下液を浸
入させ、めっき液とめつき面の接着を誘導し、めっき面
の全面にめっき液が接着するので、めっき液面とめっき
面との間隔調整に多大な工数を費いやすことのなく、均
一なめっき層か形成出来る金属めっき装！か得られると
いう効果がある。
体を滴下するノズルを設け、半導体基板の周縁部に液体
を少量滴下し、周縁部とめっき液面との間に滴下液を浸
入させ、めっき液とめつき面の接着を誘導し、めっき面
の全面にめっき液が接着するので、めっき液面とめっき
面との間隔調整に多大な工数を費いやすことのなく、均
一なめっき層か形成出来る金属めっき装！か得られると
いう効果がある。
第１図は本発明の一実施例を示す金属めっき装置の断面
図、第２図は本発明の他の実施例を示す金属めっき装置
の断面図である。 １・・・搭載用ビン、２・・・カップ、３．３ａ、−滴
下ノズル、４・・・ガスノズル、５・・・半導体基板、
６１．。 陰ｔｉ、７・・・陽電極、８・・・めっき液、９１１．
上蓋、１０・・・噴入口、１１・・・位１決めビン。
図、第２図は本発明の他の実施例を示す金属めっき装置
の断面図である。 １・・・搭載用ビン、２・・・カップ、３．３ａ、−滴
下ノズル、４・・・ガスノズル、５・・・半導体基板、
６１．。 陰ｔｉ、７・・・陽電極、８・・・めっき液、９１１．
上蓋、１０・・・噴入口、１１・・・位１決めビン。
Claims (1)
- 半導体基板の被めっき面で開口が塞げられるカップと
、このカップの開口の反対方向からめっき液を噴流させ
る手段と、前記半導体基板と接触する陰電極と、前記カ
ップ内に配置される陽電極と、前記陰電極側より半導体
基板にガスを吹き付ける手段とを有する金属めっき装置
において、前記半導体基板の周縁部に液体を滴下する液
体滴下手段を備えることを特徴とする金属めっき装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2211229A JPH0494128A (ja) | 1990-08-09 | 1990-08-09 | 金属めっき装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2211229A JPH0494128A (ja) | 1990-08-09 | 1990-08-09 | 金属めっき装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0494128A true JPH0494128A (ja) | 1992-03-26 |
Family
ID=16602424
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2211229A Pending JPH0494128A (ja) | 1990-08-09 | 1990-08-09 | 金属めっき装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0494128A (ja) |
-
1990
- 1990-08-09 JP JP2211229A patent/JPH0494128A/ja active Pending
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