JPH0425012A - 半導体装置の製造装置 - Google Patents
半導体装置の製造装置Info
- Publication number
- JPH0425012A JPH0425012A JP2126172A JP12617290A JPH0425012A JP H0425012 A JPH0425012 A JP H0425012A JP 2126172 A JP2126172 A JP 2126172A JP 12617290 A JP12617290 A JP 12617290A JP H0425012 A JPH0425012 A JP H0425012A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor substrate
- chemical
- semiconductor device
- base material
- uniformly
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はノズルより滴下する薬液により、半導体基板表
面に薬液の薄膜層、例えば感光性樹脂膜等を形成する半
導体装置の製造装置に関し、特に半導体基板を回転支持
する基体の構造に関するものである。
面に薬液の薄膜層、例えば感光性樹脂膜等を形成する半
導体装置の製造装置に関し、特に半導体基板を回転支持
する基体の構造に関するものである。
従来、この種の半導体装置の製造装置は、半導体基板を
真空吸着して回転支持する基体と、半導体基板表面に種
々の薬液を滴下するノズルとを有し、滴下された薬液に
より半導体基板表面に感光性樹脂膜等を形成するように
なっていた。
真空吸着して回転支持する基体と、半導体基板表面に種
々の薬液を滴下するノズルとを有し、滴下された薬液に
より半導体基板表面に感光性樹脂膜等を形成するように
なっていた。
上述した従来の半導体装置の製造装置は、回転する半導
体基板表面に感光性樹脂膜等を形成する際に、薬液をノ
ズルから滴下するたけの構造となっているので、薬液が
半導体基板表面に十分に行き渡らず、半導体基板表面上
の場所によっては、感光性樹脂膜等が十分に形成されな
いという欠点かある。
体基板表面に感光性樹脂膜等を形成する際に、薬液をノ
ズルから滴下するたけの構造となっているので、薬液が
半導体基板表面に十分に行き渡らず、半導体基板表面上
の場所によっては、感光性樹脂膜等が十分に形成されな
いという欠点かある。
本発明の半導体装置の製造装置は、半導体基板を回転支
持する基体部に超音波振動板を有している。
持する基体部に超音波振動板を有している。
次に本発明について図面を参照して説明する。
第1図は本発明の実施例1の断面図である。
本実施例によれば、半導体基板3を支持する基体4がパ
ルスモータ5により回転し7、ノズル1より滴トされる
薬液2を半導体基板3の表面に十分に行き渡らせ、且つ
超音波発振器6に接続され基体4内に設けられた超音波
発振板7を振動させることにより、薬液2を゛ト導体基
板3の表面に均一にむらなく分布させている。
ルスモータ5により回転し7、ノズル1より滴トされる
薬液2を半導体基板3の表面に十分に行き渡らせ、且つ
超音波発振器6に接続され基体4内に設けられた超音波
発振板7を振動させることにより、薬液2を゛ト導体基
板3の表面に均一にむらなく分布させている。
第2図は本発明の実施例2の断面図である。
基体11に被せられ半導体基板3の上方を覆う上蓋8の
内側に取り付けられた薬液シャワー噴射口9より、半導
体基板3の表面に均一にシャワー状に薬液2が噴霧され
る。
内側に取り付けられた薬液シャワー噴射口9より、半導
体基板3の表面に均一にシャワー状に薬液2が噴霧され
る。
合わせて、半導体基板3を支持する基体4の下部に取り
付けられたパルスモータ5を回転させ、且つ超音波発振
器6に接続され上M8の内側に収り付けられた超音波発
振板7を経て、薬液シャワー噴射口つと共に半導体基板
3全体を超音波振動させることにより、薬液2の半導体
基板3−Lでの分布の均一性を向上させている。
付けられたパルスモータ5を回転させ、且つ超音波発振
器6に接続され上M8の内側に収り付けられた超音波発
振板7を経て、薬液シャワー噴射口つと共に半導体基板
3全体を超音波振動させることにより、薬液2の半導体
基板3−Lでの分布の均一性を向上させている。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明は、半導体基板を回転支持す
る基体部に超音波発振板を内蔵させることにより、半導
体基板」二の薬液分布をむらなく均一にし、半導体基板
」二のバタン形成を不十分に終らせることを防ぐ効果が
ある。
る基体部に超音波発振板を内蔵させることにより、半導
体基板」二の薬液分布をむらなく均一にし、半導体基板
」二のバタン形成を不十分に終らせることを防ぐ効果が
ある。
第1−図は本発明の実施例1−の断面図、第2図は本発
明の実施例2の断面図である。 1−・・・ノズル、2・・・薬液、3・・・半導体基板
、4・・・基体、5・・・パルスモータ、6・・超音波
発振器、7・・・超音波発振板、8・・」−蓋、9・・
・薬液シャワー噴射口。
明の実施例2の断面図である。 1−・・・ノズル、2・・・薬液、3・・・半導体基板
、4・・・基体、5・・・パルスモータ、6・・超音波
発振器、7・・・超音波発振板、8・・」−蓋、9・・
・薬液シャワー噴射口。
Claims (1)
- 半導体装置を真空吸着し回転支持する基体と、半導体
基板表面に種々の薬液を滴下するノズルとを有し、半導
体基板表面に滴下された薬液の薄膜層を形成する半導体
装置の製造装置において、半導体基板を回転支持する基
体部に超音波発振板を有していることを特徴とする半導
体装置の製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2126172A JPH0425012A (ja) | 1990-05-16 | 1990-05-16 | 半導体装置の製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2126172A JPH0425012A (ja) | 1990-05-16 | 1990-05-16 | 半導体装置の製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0425012A true JPH0425012A (ja) | 1992-01-28 |
Family
ID=14928463
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2126172A Pending JPH0425012A (ja) | 1990-05-16 | 1990-05-16 | 半導体装置の製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0425012A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7287537B2 (en) * | 2002-01-29 | 2007-10-30 | Akrion Technologies, Inc. | Megasonic probe energy director |
-
1990
- 1990-05-16 JP JP2126172A patent/JPH0425012A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7287537B2 (en) * | 2002-01-29 | 2007-10-30 | Akrion Technologies, Inc. | Megasonic probe energy director |
| US7614406B2 (en) * | 2002-01-29 | 2009-11-10 | Akrion Systems, Llc | Method of cleaning substrates utilizing megasonic energy |
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