JPH0494533A - 被エッチング膜の膜厚検出方法、膜厚検出装置及びエッチング装置 - Google Patents
被エッチング膜の膜厚検出方法、膜厚検出装置及びエッチング装置Info
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- JPH0494533A JPH0494533A JP21340690A JP21340690A JPH0494533A JP H0494533 A JPH0494533 A JP H0494533A JP 21340690 A JP21340690 A JP 21340690A JP 21340690 A JP21340690 A JP 21340690A JP H0494533 A JPH0494533 A JP H0494533A
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- etched
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
被エツチング膜の膜厚検出方法、膜厚検出装置及びエツ
チング装置に関し、 エッチングされている膜の膜厚を正確に検出することを
目的とし、 エツチング中の被エツチング膜にレーザ光を照射し、そ
の膜の下面及び上面から反射した光の干渉による光強度
の変化を検出して、該光強度の周期的変化を算出した後
に、前記光強度の周期的変化における前記光強度の最大
値、最小値、前記光強度の経時的変化量の最大値、最小
値のいずれかに達する時点を基準時となして、該基準時
以前のエッチング速度を演算するとともに、前記レーザ
光の波長および前記被エツチング膜の屈折率から前記基
準時の前記被エツチング膜の膜厚を演算し、ついで、前
記基準時から計時した時間と前記エツチング速度とを積
算して前記基準時からのエツチング量を求め、前記基準
時の膜厚から該エッチング量を減算することにより、前
記基準時以降における前記被エツチング膜の膜厚を検出
することを含み構成する。
チング装置に関し、 エッチングされている膜の膜厚を正確に検出することを
目的とし、 エツチング中の被エツチング膜にレーザ光を照射し、そ
の膜の下面及び上面から反射した光の干渉による光強度
の変化を検出して、該光強度の周期的変化を算出した後
に、前記光強度の周期的変化における前記光強度の最大
値、最小値、前記光強度の経時的変化量の最大値、最小
値のいずれかに達する時点を基準時となして、該基準時
以前のエッチング速度を演算するとともに、前記レーザ
光の波長および前記被エツチング膜の屈折率から前記基
準時の前記被エツチング膜の膜厚を演算し、ついで、前
記基準時から計時した時間と前記エツチング速度とを積
算して前記基準時からのエツチング量を求め、前記基準
時の膜厚から該エッチング量を減算することにより、前
記基準時以降における前記被エツチング膜の膜厚を検出
することを含み構成する。
本発明は、被エツチング膜の膜厚検出方法、膜厚検出装
置及びエツチング装置に関する。
置及びエツチング装置に関する。
半導体装置を製造する工程において、半導体基板上で成
長した膜をエツチング装置によりエツチングする場合に
は、エツチングによって発生するガスの発光スペクトル
の波長を検出してエツチング状態を調べる方法が提案さ
れているが、その波長は被エツチング膜の組成に由来す
るので、この方法は波長の変化によってエツチングの終
点を検出する場合にのみ用いられるだけである。
長した膜をエツチング装置によりエツチングする場合に
は、エツチングによって発生するガスの発光スペクトル
の波長を検出してエツチング状態を調べる方法が提案さ
れているが、その波長は被エツチング膜の組成に由来す
るので、この方法は波長の変化によってエツチングの終
点を検出する場合にのみ用いられるだけである。
そこで、本出願人は、特願平１−１２９５１３号におい
て、レーザ光を被エツチング膜に照射し、その反射光の
干渉を利用してエツチング量を検出する方法を提案した
。
て、レーザ光を被エツチング膜に照射し、その反射光の
干渉を利用してエツチング量を検出する方法を提案した
。
この方法は、ＳｉＯ□膜等の光透過性のある被エツチン
グ膜にレーザ光を垂直方向に照射し、被工。
グ膜にレーザ光を垂直方向に照射し、被工。
チング膜の下面と上面から反射した光の干渉による強度
の変化を調べることによって、エツチングの削り量を検
出するように構成したものである。
の変化を調べることによって、エツチングの削り量を検
出するように構成したものである。
ところで、被エツチング膜を成長する場合には、その所
望の膜厚を得るような成膜条件を設定するが、条件の僅
かな違いによって膜厚に誤差が生じる。
望の膜厚を得るような成膜条件を設定するが、条件の僅
かな違いによって膜厚に誤差が生じる。
このため、エツチング中に膜厚を検出しようとする場合
に、エッチング量を調べるだけでは、膜厚を正確に測定
できなくなるといった問題がある。
に、エッチング量を調べるだけでは、膜厚を正確に測定
できなくなるといった問題がある。
本発明はこのような問題に鑑みてなされたものであって
、エツチングされている膜の膜厚を正確に検出管理する
ことができる被エツチング膜の膜厚検出方法、膜厚検出
装置及びエツチング装置を提供することを目的とする。
、エツチングされている膜の膜厚を正確に検出管理する
ことができる被エツチング膜の膜厚検出方法、膜厚検出
装置及びエツチング装置を提供することを目的とする。
（課題を解決するための手段〕
上記した課題は、エツチング中の被エツチング膜にレー
ザ光を照射し、その膜の下面及び上面から反射した光の
干渉による光強度の変化を検出して該光強度の周期的変
化を算出した後に、前記光強度の周期的変化における前
記光強度の最大値、最小値、前記光強度の経時的変化量
の最大値、最小値のいずれかに達する時点を基準時とな
して、該基準時以前のエツチング速度を演算するととも
に、前記レーザ光の波長および前記被エツチング膜の屈
折率から前記基準時における前記被エツチング膜の膜厚
を演算し、ついで、前記基準時から計時した時間と前記
エツチング速度とを積算して前記基準時からのエツチン
グ量を求め、前記基準時の膜厚から該エツチング量を減
算することにより、前記基準時以降における前記被エツ
チング膜の膜厚を検出することを特徴とする被エッチン
グ膜の膜厚検出方法、 又は、第１．２図に例示するように、エッチング中の被
エツチング膜Ｗにレーザ光を照射し、その膜Ｗの下面及
び上面から反射した光の干渉による光強度の変化を検出
して該光強度の周期的変化を算出する手段と、前記光強
度の周期的変化における前記光強度の最大値しい８、最
小値ＬＭＩＮ、前記光強度の経時的変化量の最大値Δ、
ｌＡＸ、最小値Δ、ｌＩＨのうちいずれか２つの時点を
検出する手段と、前記２つの時点Ｌｌ、Ｌ２の間のエツ
チング速度αを演算する手段と、前記２つの時点 のう
ち遅い時点１．における前記被エツチング膜Ｗの膜厚ｄ
１を、前記レーザ光の波長λと前記被エツチング膜Ｗの
屈折率ｎから演算する手段と、前記２つの時点Ｌｌ、Ｌ
！のうちの遅い時点ｔ２から計時した時間ｔと前記エツ
チング速度αとを積算して前記遅い時点ｔ２からのエツ
チング量ｃｒｔを求めた後に、前記遅い時点の膜厚ｄ１
から該工７チング量ｃｒｔを減算することにより、前記
遅い時点ｔ２以降における前記被エッチング膜Ｗの残量
膜厚りを検出する手段とを備えたことを特徴とする被エ
ツチング膜の膜厚検出装置、 又は、第１．２図に例示するように、エツチング中の被
エッチング膜Ｗにレーザ光を照射し、その膜Ｗの下面及
び上面から反射した光の干渉による光強度の変化を検出
して該光強度の周期的変化を算出する手段と、前記光強
度の周期的変化における前記光強度の最大値り、ＡＸ、
最小値Ｌ工、Ｎ、前記光強度の経時的変化量の最大値Δ
、ＡＸ、最小値ΔＭＩＮのうちいずれか２つの時点ｔ、
、ｔ、を検出する手段と、前記２つの時点ｊ＋、ＬｘＯ
間のエツチング速度αを演算する手段と、前記２つの時
点のうち遅い時点ｔ２における前記被エツチング膜Ｗの
膜厚ｄ、を、前記レーザ光の波長λと前記被エツチング
１ｗの屈折率ｎから演算する手段と、前記２つの時点Ｌ
ｌ、Ｌ！のうちの遅い時点ｔ２から計時した時間ｔと前
記エツチング速度αとを積算して前記遅い時点Ｌ２から
のエッチング量αＬを求めた後に、前記遅い時点Ｌ２の
膜厚ｄ１から該エツチング量αＬを減算することにより
、前記遅い時点Ｌ２における前記被エッチング膜Ｗの残
量膜厚りを検出する手段と、該残量膜厚りが目的の膜厚
Ｄ０と一致した時点で、前記被エツチング膜Ｗのエツチ
ング処理を停止する手段とを有することを特徴とするエ
ツチング装置によって達成する。
ザ光を照射し、その膜の下面及び上面から反射した光の
干渉による光強度の変化を検出して該光強度の周期的変
化を算出した後に、前記光強度の周期的変化における前
記光強度の最大値、最小値、前記光強度の経時的変化量
の最大値、最小値のいずれかに達する時点を基準時とな
して、該基準時以前のエツチング速度を演算するととも
に、前記レーザ光の波長および前記被エツチング膜の屈
折率から前記基準時における前記被エツチング膜の膜厚
を演算し、ついで、前記基準時から計時した時間と前記
エツチング速度とを積算して前記基準時からのエツチン
グ量を求め、前記基準時の膜厚から該エツチング量を減
算することにより、前記基準時以降における前記被エツ
チング膜の膜厚を検出することを特徴とする被エッチン
グ膜の膜厚検出方法、 又は、第１．２図に例示するように、エッチング中の被
エツチング膜Ｗにレーザ光を照射し、その膜Ｗの下面及
び上面から反射した光の干渉による光強度の変化を検出
して該光強度の周期的変化を算出する手段と、前記光強
度の周期的変化における前記光強度の最大値しい８、最
小値ＬＭＩＮ、前記光強度の経時的変化量の最大値Δ、
ｌＡＸ、最小値Δ、ｌＩＨのうちいずれか２つの時点を
検出する手段と、前記２つの時点Ｌｌ、Ｌ２の間のエツ
チング速度αを演算する手段と、前記２つの時点 のう
ち遅い時点１．における前記被エツチング膜Ｗの膜厚ｄ
１を、前記レーザ光の波長λと前記被エツチング膜Ｗの
屈折率ｎから演算する手段と、前記２つの時点Ｌｌ、Ｌ
！のうちの遅い時点ｔ２から計時した時間ｔと前記エツ
チング速度αとを積算して前記遅い時点ｔ２からのエツ
チング量ｃｒｔを求めた後に、前記遅い時点の膜厚ｄ１
から該工７チング量ｃｒｔを減算することにより、前記
遅い時点ｔ２以降における前記被エッチング膜Ｗの残量
膜厚りを検出する手段とを備えたことを特徴とする被エ
ツチング膜の膜厚検出装置、 又は、第１．２図に例示するように、エツチング中の被
エッチング膜Ｗにレーザ光を照射し、その膜Ｗの下面及
び上面から反射した光の干渉による光強度の変化を検出
して該光強度の周期的変化を算出する手段と、前記光強
度の周期的変化における前記光強度の最大値り、ＡＸ、
最小値Ｌ工、Ｎ、前記光強度の経時的変化量の最大値Δ
、ＡＸ、最小値ΔＭＩＮのうちいずれか２つの時点ｔ、
、ｔ、を検出する手段と、前記２つの時点ｊ＋、ＬｘＯ
間のエツチング速度αを演算する手段と、前記２つの時
点のうち遅い時点ｔ２における前記被エツチング膜Ｗの
膜厚ｄ、を、前記レーザ光の波長λと前記被エツチング
１ｗの屈折率ｎから演算する手段と、前記２つの時点Ｌ
ｌ、Ｌ！のうちの遅い時点ｔ２から計時した時間ｔと前
記エツチング速度αとを積算して前記遅い時点Ｌ２から
のエッチング量αＬを求めた後に、前記遅い時点Ｌ２の
膜厚ｄ１から該エツチング量αＬを減算することにより
、前記遅い時点Ｌ２における前記被エッチング膜Ｗの残
量膜厚りを検出する手段と、該残量膜厚りが目的の膜厚
Ｄ０と一致した時点で、前記被エツチング膜Ｗのエツチ
ング処理を停止する手段とを有することを特徴とするエ
ツチング装置によって達成する。
〔作 用］
本発明によれば、被エツチングＩｗの下面及び上面から
反射したレーザ光の干渉による光強度の変化を検出して
光強度の周期的変化を算出した後に、光強度の最大値し
１４Ａｌｌ、最小値Ｌ□０、光強度の経時的変化量の最
大値Δ□０、最小値Δ１１１％のいずれかに達する時点
を基準時ｔ！となし、この基準時Ｌ２以前のエツチング
速度を演算し、基準時ｔ−における被エツチング膜Ｗの
膜厚ｄ１を演算し、この後に、基準時ｔ２からの経過時
間Ｌとエツチング速度αとを積算して基準時Ｌ２以降の
エツチング量αＬを求め、このエツチング量「ｔを基準
時Ｌ２の膜厚ｄ１から減算して基準時ｔ２以降における
被エツチング膜Ｗの膜厚りを検出することにしている。
反射したレーザ光の干渉による光強度の変化を検出して
光強度の周期的変化を算出した後に、光強度の最大値し
１４Ａｌｌ、最小値Ｌ□０、光強度の経時的変化量の最
大値Δ□０、最小値Δ１１１％のいずれかに達する時点
を基準時ｔ！となし、この基準時Ｌ２以前のエツチング
速度を演算し、基準時ｔ−における被エツチング膜Ｗの
膜厚ｄ１を演算し、この後に、基準時ｔ２からの経過時
間Ｌとエツチング速度αとを積算して基準時Ｌ２以降の
エツチング量αＬを求め、このエツチング量「ｔを基準
時Ｌ２の膜厚ｄ１から減算して基準時ｔ２以降における
被エツチング膜Ｗの膜厚りを検出することにしている。
この場合、第２図に示すように、被エツチングｌＩ！Ｗ
が完全にエツチングされた状態では反射されたレーザ光
の干渉による強度が最大になるため、光強度の最大値Ｌ
ＭＡＸ、最小値Ｌ６８、光強度の経時的変化量の最大値
ΔＭＡＸ、最小値ΔＤＩＮとなる時点における正確な膜
厚の算出が容易となるので、これを基準にしてエッチン
グ量αｔを調べると、被エツチング膜Ｗの残量の膜厚り
を精度良く検出することになる。
が完全にエツチングされた状態では反射されたレーザ光
の干渉による強度が最大になるため、光強度の最大値Ｌ
ＭＡＸ、最小値Ｌ６８、光強度の経時的変化量の最大値
ΔＭＡＸ、最小値ΔＤＩＮとなる時点における正確な膜
厚の算出が容易となるので、これを基準にしてエッチン
グ量αｔを調べると、被エツチング膜Ｗの残量の膜厚り
を精度良く検出することになる。
このため、被エツチング膜Ｗを成長する場合の膜厚に誤
差が生じても、エツチング進行中の膜の厚さを精度良く
管理することができる。
差が生じても、エツチング進行中の膜の厚さを精度良く
管理することができる。
そこで、以下に本発明の詳細を図面に基づいて説明する
。
。
（ａ）本発明の第１実施例の説明
第１図は、本発明の第１実施例を示す装置の構成図であ
って、図中符号１は、ＳｉＯ□膜等の膜をエツチングす
るエツチング装置で、このエツチング装置１は、ガス導
入口２と排気口３とを有するヘルジャ−４と、その底部
に設けられた支持電極５と、その上部に設けられた対向
電極６とを有し、支持電極５に載置した半導体基板Ａ上
の被エッチング膜Ｗをエツチングするように構成されて
いる。
って、図中符号１は、ＳｉＯ□膜等の膜をエツチングす
るエツチング装置で、このエツチング装置１は、ガス導
入口２と排気口３とを有するヘルジャ−４と、その底部
に設けられた支持電極５と、その上部に設けられた対向
電極６とを有し、支持電極５に載置した半導体基板Ａ上
の被エッチング膜Ｗをエツチングするように構成されて
いる。
７は、対向電極６の中央から露出して取付けられた照射
用光フィアバで、その一端面は半導体レーザ８に接続さ
れ、他端面は支持電極５上の被エツチング膜Ｗに向けて
配置されており、この照射用光ファイバ７から出た波長
λの光が被エツチング膜Ｗの上面と下面から反射し、照
射用光ファイバ７に隣接された受光用光ファイバ９を通
して受光素子１０に入るように構成されている。
用光フィアバで、その一端面は半導体レーザ８に接続さ
れ、他端面は支持電極５上の被エツチング膜Ｗに向けて
配置されており、この照射用光ファイバ７から出た波長
λの光が被エツチング膜Ｗの上面と下面から反射し、照
射用光ファイバ７に隣接された受光用光ファイバ９を通
して受光素子１０に入るように構成されている。
１１は、受光素子１０の出力信号に基づいて被エツチン
グ膜Ｗの膜厚を検出する膜厚検出器で、この膜厚検出器
１１は、後述する光強度・時間特性演算回路１２、通過
時設定回路１３、基準時演算回路１４、エツチング速度
演算回路１５、基準時膜厚演算回路１６、計時回路１７
、残量膜厚演算回路１８及びエツチング停止指令回路１
９を備えている。
グ膜Ｗの膜厚を検出する膜厚検出器で、この膜厚検出器
１１は、後述する光強度・時間特性演算回路１２、通過
時設定回路１３、基準時演算回路１４、エツチング速度
演算回路１５、基準時膜厚演算回路１６、計時回路１７
、残量膜厚演算回路１８及びエツチング停止指令回路１
９を備えている。
上記した光強度・時間特性演算回路１２は、第２図（ａ
）に示すように、エツチングされている被エッチング膜
Ｗの上面と下面からそれぞれ反射したレーザ光の干渉に
よる光強度の経時的変化の量を、受光素子１０の出力信
号に基づいて検出し、同図（ｂ）に示すような正弦波特
性をフーリエ変換等の手法によって求めるとともに、そ
の光強度の最大値し。、、＊小値ＬＭＩＮ、及び正弦波
の傾きの最大値Δ、８、最小値ΔＨＩＭを検出するよう
に構成されている。この場合の反射光の強度は、被エツ
チング１ｗの膜厚が零になった状態において干渉光の位
相が一致するために最大となる。
）に示すように、エツチングされている被エッチング膜
Ｗの上面と下面からそれぞれ反射したレーザ光の干渉に
よる光強度の経時的変化の量を、受光素子１０の出力信
号に基づいて検出し、同図（ｂ）に示すような正弦波特
性をフーリエ変換等の手法によって求めるとともに、そ
の光強度の最大値し。、、＊小値ＬＭＩＮ、及び正弦波
の傾きの最大値Δ、８、最小値ΔＨＩＭを検出するよう
に構成されている。この場合の反射光の強度は、被エツ
チング１ｗの膜厚が零になった状態において干渉光の位
相が一致するために最大となる。
また、通過時設定回路１３は、受光素子１０の出力に基
づいて光強度が最大＃１ＬＨＡＸとなる時を検知するも
ので、エツチングが進行して最初に最大値し１．ＩＡＸ
に達する時点を通過時Ｌ１として定めるように構成され
、また、基準時設定回路工４は、通過時１．からエツチ
ングが進んで受光素子１０の信号が光強度の最小値Ｌ
＋ｓｉ＋＋と一致した時点を基準時ｔ２として定めるよ
うに構成されている。
づいて光強度が最大＃１ＬＨＡＸとなる時を検知するも
ので、エツチングが進行して最初に最大値し１．ＩＡＸ
に達する時点を通過時Ｌ１として定めるように構成され
、また、基準時設定回路工４は、通過時１．からエツチ
ングが進んで受光素子１０の信号が光強度の最小値Ｌ
＋ｓｉ＋＋と一致した時点を基準時ｔ２として定めるよ
うに構成されている。
この場合、通過時１．から基準時Ｌ２までの時間は、正
弦波の１／２周期（Ｔ／２）となっている。
弦波の１／２周期（Ｔ／２）となっている。
エツチング速度演算回路１５は、被エツチング膜Ｗのエ
ツチング速度を演算するもので、通過時ｔ１から基準時
ｔ２までにエッチングされた膜厚ｄ０を演算するととも
に、通過時１．から基準時ｔ２に達するまでの時間（ｔ
ｚ −ｔ＋＞を計算して、エツチング速度α（α＝ｄｏ
／ （ｔｚ−ｔ＋））を算出するように構成されてい
る。この場合、レーザ光の波長をλ、被エツチングＷＩ
Ｗの屈折率をｎとすると、１．−１．間でのエツチング
される膜厚ｄ０はｄ＋＋＝λ／４ｎの式から求められる
ことになる。また、通過時１．における膜厚はｄ −ｍ
λ／２ｎの式から算出でき、ここでｍは整数であリ、被
エツチング膜Ｗを形成する際の予定の膜厚とその誤差の
範囲を考慮して求められるもので、例えばレーザ光の波
長を６７０ｎｍ、屈折率を１．４５にすると、被エツチ
ング膜Ｗを約３００ｎｍ積層している場合にｍは「ｌ」
となり、また、約５００ｎｍ形成している場合にｍは「
２」となる。
ツチング速度を演算するもので、通過時ｔ１から基準時
ｔ２までにエッチングされた膜厚ｄ０を演算するととも
に、通過時１．から基準時ｔ２に達するまでの時間（ｔ
ｚ −ｔ＋＞を計算して、エツチング速度α（α＝ｄｏ
／ （ｔｚ−ｔ＋））を算出するように構成されてい
る。この場合、レーザ光の波長をλ、被エツチングＷＩ
Ｗの屈折率をｎとすると、１．−１．間でのエツチング
される膜厚ｄ０はｄ＋＋＝λ／４ｎの式から求められる
ことになる。また、通過時１．における膜厚はｄ −ｍ
λ／２ｎの式から算出でき、ここでｍは整数であリ、被
エツチング膜Ｗを形成する際の予定の膜厚とその誤差の
範囲を考慮して求められるもので、例えばレーザ光の波
長を６７０ｎｍ、屈折率を１．４５にすると、被エツチ
ング膜Ｗを約３００ｎｍ積層している場合にｍは「ｌ」
となり、また、約５００ｎｍ形成している場合にｍは「
２」となる。
基準時膜厚演算回路１６は、基準時１．における被エッ
チング膜Ｗの残量膜厚ｄ、を計算するもので、基準時Ｌ
２が最小値り、４ＩＮの場合には干渉光が最も弱め合う
状態となるために、ｄ、＝（ｍ１／２）λ／２ｎの式に
よってその量が求まり、最大値Ｌ ＭＡＸとの差はλ／
４ ｎとなる。
チング膜Ｗの残量膜厚ｄ、を計算するもので、基準時Ｌ
２が最小値り、４ＩＮの場合には干渉光が最も弱め合う
状態となるために、ｄ、＝（ｍ１／２）λ／２ｎの式に
よってその量が求まり、最大値Ｌ ＭＡＸとの差はλ／
４ ｎとなる。
残量膜厚演算回路１８は、エツチングが進行している被
エツチング膜Ｗの膜厚りを演算するもので、計時回路１
７から出力される基準時Ｌ２からの経過時間ｔとその直
前のエツチング速度αとの積によって基準時ｔ２以降の
エツチング量αｔを求めるとともに、このエツチング量
αｔを基準時ｔ２の膜厚ｄ１から引いた値を残量膜厚り
とするように構成されている。
エツチング膜Ｗの膜厚りを演算するもので、計時回路１
７から出力される基準時Ｌ２からの経過時間ｔとその直
前のエツチング速度αとの積によって基準時ｔ２以降の
エツチング量αｔを求めるとともに、このエツチング量
αｔを基準時ｔ２の膜厚ｄ１から引いた値を残量膜厚り
とするように構成されている。
エツチング停止指令回路１９は、エツチング制御回路２
０を介してエッチングガスや高周波電源の供給を停止さ
せるもので、膜厚残置算回路１８により算出した膜厚り
が、最終的に残そうとする膜厚Ｄ０と一致した時点で停
止信号を出すように構成されている。
０を介してエッチングガスや高周波電源の供給を停止さ
せるもので、膜厚残置算回路１８により算出した膜厚り
が、最終的に残そうとする膜厚Ｄ０と一致した時点で停
止信号を出すように構成されている。
なお、図中符号２１は、ガス供給口２にエッチングガス
を供給するガス供給器、２２は、排気口３に接続される
排気ポンプ、Ｒｆは、支持電極５に接続される高周波電
源を示している。
を供給するガス供給器、２２は、排気口３に接続される
排気ポンプ、Ｒｆは、支持電極５に接続される高周波電
源を示している。
次に、上記した実施例装置を用いて残量膜厚を検出する
方法について説明する。
方法について説明する。
まず、被エツチング膜Ｗを積層した半導体基板Ａを支持
電極５に取付けた後に、ベルジャ−４内を減圧し、その
中にエツチングガスを供給し、支持電極５に高周波電圧
を印加して、被エツチング膜Ｗのエツチングを開始する
（第３図（ａ））。
電極５に取付けた後に、ベルジャ−４内を減圧し、その
中にエツチングガスを供給し、支持電極５に高周波電圧
を印加して、被エツチング膜Ｗのエツチングを開始する
（第３図（ａ））。
そして、照射用光ファイバ６を通して被エツチング膜Ｗ
にレーザ光を照射すると（第３図（ｂ））、その膜の下
面と上面から光が反射され、干渉した光が受光用光ファ
イハフを通して受光素子９に入射して電気信号に変換さ
れる。
にレーザ光を照射すると（第３図（ｂ））、その膜の下
面と上面から光が反射され、干渉した光が受光用光ファ
イハフを通して受光素子９に入射して電気信号に変換さ
れる。
この状態では、エツチングが進むにつれて被エッチング
膜上面の反射光の位相が変化し、その下面の反射光との
干渉によって光強度が経時的に変化する。そして、光強
度・時間特性演算回路１２はその変化の量を調べてフー
リエ変換等により光強度・時間の関係を演算し、第２図
（ｂ）に示すような正弦波特性を求める（第３図（Ｃ）
）。この場合、膜厚が零となる時点では干渉した反射光
が強め合う状態となるために光強度が最大値Ｌ ＭＡＸ
となる。
膜上面の反射光の位相が変化し、その下面の反射光との
干渉によって光強度が経時的に変化する。そして、光強
度・時間特性演算回路１２はその変化の量を調べてフー
リエ変換等により光強度・時間の関係を演算し、第２図
（ｂ）に示すような正弦波特性を求める（第３図（Ｃ）
）。この場合、膜厚が零となる時点では干渉した反射光
が強め合う状態となるために光強度が最大値Ｌ ＭＡＸ
となる。
この後に、通過時設定回路１３は、薄層化されている被
エツチング膜Ｗの上下面から反射した光の強度が最大値
Ｌ ＷＡＸとなる時点を、受光素子１０の出力データに
基づいて検知し、この時間を通過時１．として設定する
（第３図（ｅ））。
エツチング膜Ｗの上下面から反射した光の強度が最大値
Ｌ ＷＡＸとなる時点を、受光素子１０の出力データに
基づいて検知し、この時間を通過時１．として設定する
（第３図（ｅ））。
ついで、基準時設定回路１４は、エツチングがさらに進
行した被エツチング膜Ｗから反射する光の強度が最小値
しＨｌ、ｌとなる時点を検知しく第３図（ｆ））、この
時間を基準時ｔ２として設定する。
行した被エツチング膜Ｗから反射する光の強度が最小値
しＨｌ、ｌとなる時点を検知しく第３図（ｆ））、この
時間を基準時ｔ２として設定する。
この後に、エツチング速度演算回路１５によって、通過
時１．から基準時Ｌ２に到る時間と、その間にエツチン
グされた膜厚ｄ０をｄ。−λ／４ｎの式から求め、その
間のエチング速度α（α−ｄｏ ／ （ｔｚ Ｌ＋
））を算出する（第３０（８））。
時１．から基準時Ｌ２に到る時間と、その間にエツチン
グされた膜厚ｄ０をｄ。−λ／４ｎの式から求め、その
間のエチング速度α（α−ｄｏ ／ （ｔｚ Ｌ＋
））を算出する（第３０（８））。
次に、光強度が最小値ＬＨＩＮとなる基準時Ｌ２におけ
る被エツチング膜Ｗの膜厚ｄ１を基準時膜厚演算回路１
６によって求める一方、計時回路１７によって基準時ｔ
２からの経過時間りを計測する（第３図（ｈ）、（ｉ）
）。
る被エツチング膜Ｗの膜厚ｄ１を基準時膜厚演算回路１
６によって求める一方、計時回路１７によって基準時ｔ
２からの経過時間りを計測する（第３図（ｈ）、（ｉ）
）。
この後に、残量膜厚演算回路１８によって、基準時ｔ２
の膜厚ｄ、からその後のエツチング量αｔを減算し、こ
の値を被エッチング膜Ｗの残り膜厚りとする（第３図（
Ｄ）。
の膜厚ｄ、からその後のエツチング量αｔを減算し、こ
の値を被エッチング膜Ｗの残り膜厚りとする（第３図（
Ｄ）。
そして、残り膜厚りが目的の膜厚Ｄ０と一致した時点で
、エツチング停止指令回路１９がエツチング制御回路２
０にエツチング停止信号を出力するため、エツチング制
御回路２０はガス供給器２１、高周波電源Ｒｆに信号を
送ってガスや電力の供給を停止させる（第３図（ｋ）、
（ｊｌり）。これによリ、エツチングが終了する。
、エツチング停止指令回路１９がエツチング制御回路２
０にエツチング停止信号を出力するため、エツチング制
御回路２０はガス供給器２１、高周波電源Ｒｆに信号を
送ってガスや電力の供給を停止させる（第３図（ｋ）、
（ｊｌり）。これによリ、エツチングが終了する。
ここで、具体的例を上げて上記実施例を説明する。
例えば屈折率１．４５のＳｉＯ□膜を２５０ｎｍ程度の
厚さに形成し、その膜厚カ月００ｒ＋ｍとなるまでエツ
チングする場合に、波長６７０ｎｍのレーザ光をＳｉＯ
□膜に垂直に照射しながらエツチングを行うと、膜厚の
減少にしたがって反射した光の光強度が干渉によって変
化する。
厚さに形成し、その膜厚カ月００ｒ＋ｍとなるまでエツ
チングする場合に、波長６７０ｎｍのレーザ光をＳｉＯ
□膜に垂直に照射しながらエツチングを行うと、膜厚の
減少にしたがって反射した光の光強度が干渉によって変
化する。
この反射光の計時的変化の程度を測定して、第２図（ｂ
）に示すような正弦波特性と、反射光の光強度の最大値
Ｌ ＴＩＡＸと最小値Ｌ□８を求め、光強度の実測値が
Ｌ□８になった時を通過時ｔｌ とする。そして、エツ
チングがさらに進み、光強度の実測値がＬＮＩＮになっ
た時を基準時ｔ２とする。
）に示すような正弦波特性と、反射光の光強度の最大値
Ｌ ＴＩＡＸと最小値Ｌ□８を求め、光強度の実測値が
Ｌ□８になった時を通過時ｔｌ とする。そして、エツ
チングがさらに進み、光強度の実測値がＬＮＩＮになっ
た時を基準時ｔ２とする。
ここで、通過時ｔ、から基準時ｔ２までのエツチング量
ｄ０は、ｄ、＝λ／４ ｎ＝ １１５ｎｍとなり、また
そのエツチング時間を２分とすれば、光強度の実測値が
Ｌ９１８になる以前のエッチング速度αはα”−５７、
５ｎｍ／ｍｉｎとなる。
ｄ０は、ｄ、＝λ／４ ｎ＝ １１５ｎｍとなり、また
そのエツチング時間を２分とすれば、光強度の実測値が
Ｌ９１８になる以前のエッチング速度αはα”−５７、
５ｎｍ／ｍｉｎとなる。
一方、基準時ｔ２の膜厚ｄ１はｄ＋ ＝ （ｍ ｌ／
２）λ／ ２ ｎにより求まり、初期の膜厚は約２５０
１であるために整数ｍを１とすると、ｄ−１１５ｎｍと
なる。
２）λ／ ２ ｎにより求まり、初期の膜厚は約２５０
１であるために整数ｍを１とすると、ｄ−１１５ｎｍと
なる。
この後に、基準時ｔ２から１５．７８秒経過すると、そ
のエツチング量αｔが１５となるため、残りの膜厚が１
１００ｎとなり、目標の膜厚に一致する。この時点でエ
ッチングを停止すればよい。
のエツチング量αｔが１５となるため、残りの膜厚が１
１００ｎとなり、目標の膜厚に一致する。この時点でエ
ッチングを停止すればよい。
なお、この実施例においては、光強度が最大値Ｌ ＭＡ
Ｘとなる時点を通過時ｔ、としたが、光強度の経時的変
化量が最大値となる時点、即ち正弦波における傾きが最
大値ΔＷＡＸとなる時を通過時りとすることもできる。
Ｘとなる時点を通過時ｔ、としたが、光強度の経時的変
化量が最大値となる時点、即ち正弦波における傾きが最
大値ΔＷＡＸとなる時を通過時りとすることもできる。
傾きが最大値ΔＭＡＸや最小値ＬＭＩＮとなる場合には
、その光強度が（ＬＨＡＸ−Ｌ□）／２となるため、通
過時ｔ、から基準時ｔ２のエツチング量はλ／ ８ ｎ
となり、演算は容易である。
、その光強度が（ＬＨＡＸ−Ｌ□）／２となるため、通
過時ｔ、から基準時ｔ２のエツチング量はλ／ ８ ｎ
となり、演算は容易である。
（ｂ）本発明のその他の実施例の説明
上記した実施例によれば、最小値ＬＭＩＮ以前のエッチ
ング速度を調べ、最小４ａＬＭＩＨの状態から膜厚を検
出しているために、最小値ＬＨＩＮに達する前の膜厚の
測定を行えないが、この場合には、以下の方法による。
ング速度を調べ、最小４ａＬＭＩＨの状態から膜厚を検
出しているために、最小値ＬＨＩＮに達する前の膜厚の
測定を行えないが、この場合には、以下の方法による。
即ち、第２図（ｃ）に示すように、最大値しＭＡＸを基
準時ｔ２とするとともに、その最大値ＬＷＡＸの前の最
小値Ｌ□８又は傾きの最小値ΔＨＩＭを通過時ｔ、とし
て、通過時１．から基準時ｔ２の間のエツチング速度α
を調べるとともに、最大値し。、ｌの膜厚を求めると、
最大（！ＬｘＡｘとなる時点以後の膜厚の測定が可能に
なる。
準時ｔ２とするとともに、その最大値ＬＷＡＸの前の最
小値Ｌ□８又は傾きの最小値ΔＨＩＭを通過時ｔ、とし
て、通過時１．から基準時ｔ２の間のエツチング速度α
を調べるとともに、最大値し。、ｌの膜厚を求めると、
最大（！ＬｘＡｘとなる時点以後の膜厚の測定が可能に
なる。
なお、上記した基準時１．は光強度の最大値又は最小値
を取ったが、傾きが最大値Δｌ’ｌＡＸ、最小（＋［Ｌ
□８となる時点を基準時ｔ２にするとともに、それ以前
の光強度の最大値ＬＭＡＸ、最小値ＬＩＩＩＮを通過時
Ｌ＋ とすることもできる。
を取ったが、傾きが最大値Δｌ’ｌＡＸ、最小（＋［Ｌ
□８となる時点を基準時ｔ２にするとともに、それ以前
の光強度の最大値ＬＭＡＸ、最小値ＬＩＩＩＮを通過時
Ｌ＋ とすることもできる。
このように、通過時ｔ１と基準時ｔ２を決定する場合に
は、光強度の周期的変化における光強度の最大値、最小
値、経時的変化量の最大値、最小価に至る時点のうちい
ずれか２つの時点を選び、早い時点を通過時り、となし
、その後の時点を基準時Ｌ２にすればよい。
は、光強度の周期的変化における光強度の最大値、最小
値、経時的変化量の最大値、最小価に至る時点のうちい
ずれか２つの時点を選び、早い時点を通過時り、となし
、その後の時点を基準時Ｌ２にすればよい。
以上述べたように本発明によれば、被エツチング膜の下
面及び上面から反射したレーザ光の干渉による光強度の
変化を検出して光強度の周期的変化を算出した後に、光
強度の最大値、最小値、光強度の経時的変化量の最大値
、最小値のいずれかに達する時点を基準時となし、この
基準時以前のエツチング速度を演算するとともに、基準
時における被エツチング膜のｌＩ！ＪＮを演算し、この
後に、基準時からの経過時間とエツチング速度とを積算
して基準時以降のエツチング量を求め、このエツチング
量を基準時の膜厚から減算することにより基準時以降に
おける被エツチング膜の膜厚を検出しているので、光強
度の最大値、最小値、光強度の経時的変化量の最大値、
最小値となる時点を基準にしてエツチング量を調べ、被
エツチング膜の残量の膜厚を精度良く検出することがで
きる。
面及び上面から反射したレーザ光の干渉による光強度の
変化を検出して光強度の周期的変化を算出した後に、光
強度の最大値、最小値、光強度の経時的変化量の最大値
、最小値のいずれかに達する時点を基準時となし、この
基準時以前のエツチング速度を演算するとともに、基準
時における被エツチング膜のｌＩ！ＪＮを演算し、この
後に、基準時からの経過時間とエツチング速度とを積算
して基準時以降のエツチング量を求め、このエツチング
量を基準時の膜厚から減算することにより基準時以降に
おける被エツチング膜の膜厚を検出しているので、光強
度の最大値、最小値、光強度の経時的変化量の最大値、
最小値となる時点を基準にしてエツチング量を調べ、被
エツチング膜の残量の膜厚を精度良く検出することがで
きる。
第１図は、本発明の一実施例装置を示す構成図、第２図
は、本発明の一実施例装置によってエッチングされる膜
を示す断面図と、被エツチング膜から反射される光の強
度と時間との関係の一例を示す特性図 第３図は、本発明の一実施例方法を示すフローチャート
である。 （符号の説明） １・・・エツチング装置、 ２・・・ガス供給口、 ３・・・排気口、 ４・・・ヘルジャー ５・・・支持電極、 ６・・・対向電極、 ７・・・照射用光ファイバ、 ８・・・レーザ、 ９・・・受光用ファイバ、 １０・・・受光素子、 １１・・・膜厚検出器、 １２・・・光強度・時間特性演算回路、１３・・・通過
時設定回路、 １４・・・基準時設定回路、 １５・・・エツチング速度演算回路、 １６・・・基準時膜厚演算回路、 １７・・・計時回路、 １８・・・残量膜厚演算回路、 １９・・・エツチング停止指令回路、 ２０・・・エツチング制御器。
は、本発明の一実施例装置によってエッチングされる膜
を示す断面図と、被エツチング膜から反射される光の強
度と時間との関係の一例を示す特性図 第３図は、本発明の一実施例方法を示すフローチャート
である。 （符号の説明） １・・・エツチング装置、 ２・・・ガス供給口、 ３・・・排気口、 ４・・・ヘルジャー ５・・・支持電極、 ６・・・対向電極、 ７・・・照射用光ファイバ、 ８・・・レーザ、 ９・・・受光用ファイバ、 １０・・・受光素子、 １１・・・膜厚検出器、 １２・・・光強度・時間特性演算回路、１３・・・通過
時設定回路、 １４・・・基準時設定回路、 １５・・・エツチング速度演算回路、 １６・・・基準時膜厚演算回路、 １７・・・計時回路、 １８・・・残量膜厚演算回路、 １９・・・エツチング停止指令回路、 ２０・・・エツチング制御器。
Claims (3)
- （１）エッチング中の被エッチング膜にレーザ光を照射
し、その膜の下面及び上面から反射した光の干渉による
光強度の変化を検出して、該光強度の周期的変化を算出
した後に、 前記光強度の周期的変化における前記光強度の最大値、
最小値、前記光強度の経時的変化量の最大値、最小値の
いずれかに達する時点を基準時となして、 該基準時以前のエッチング速度を演算するとともに、 前記レーザ光の波長および前記被エッチング膜の屈折率
から前記基準時における前記被エッチング膜の膜厚を演
算し、 ついで、前記基準時から計時した時間と前記エッチング
速度とを積算して前記基準時からのエッチング量を求め
、前記基準時の膜厚から該エッチング量を減算すること
により、前記基準時以降における前記被エッチング膜の
膜厚を検出することを特徴とする被エッチング膜の膜厚
検出方法。 - （２）エッチング中の被エッチング膜にレーザ光を照射
し、その膜の下面及び上面から反射した光の干渉による
光強度の変化を検出して該光強度の周期的変化を算出す
る手段と、 前記光強度の周期的変化における前記光強度の最大値、
最小値、前記光強度の経時的変化量の最大値、最小値の
うちいずれか２つの時点を検出する手段と、 前記２つの時点の間のエッチング速度を演算する手段と
、 前記２つの時点のうち遅い時点における前記被エッチン
グ膜の膜厚を、前記レーザ光の波長と前記被エッチング
膜の屈折率から演算する手段と、前記２つの時点のうち
の遅い時点から計時した時間と前記エッチング速度とを
積算して前記遅い時点からのエッチング量を求めた後に
、前記遅い時点の膜厚から該エッチング量を減算するこ
とにより、前記遅い時点以降における前記被エッチング
膜の残量膜厚を検出する手段とを備えたことを特徴とす
る被エッチング膜の膜厚検出装置。 - （３）エッチング中の被エッチング膜にレーザ光を照射
し、その膜の下面及び上面から反射した光の干渉による
光強度の変化を検出して該光強度の周期的変化を算出す
る手段と、 前記光強度の周期的変化における前記光強度の最大値、
最小値、前記光強度の経時的変化量の最大値、最小値の
うちいずれか２つの時点を検出する手段と、 前記２つの時点の間のエッチング速度を演算する手段と
、 前記２つの時点のうち遅い時点における前記被エッチン
グ膜の膜厚を、前記レーザ光の波長と前記被エッチング
膜の屈折率から演算する手段と、前記２つの時点のうち
の遅い時点から計時した時間と前記エッチング速度とを
積算して前記遅い時点からのエッチング量を求めた後に
、前記遅い時点の前記膜厚から該エッチング量を減算す
ることにより、前記遅い時点以降における前記被エッチ
ング膜の残量膜厚を検出する手段と、 前記残量膜厚が目的の膜厚と一致した時点で、前記被エ
ッチング膜のエッチング処理を停止する手段とを有する
ことを特徴とするエッチング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2213406A JP2612089B2 (ja) | 1990-08-10 | 1990-08-10 | 被エッチング膜の膜厚検出方法、膜厚検出装置及びエッチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2213406A JP2612089B2 (ja) | 1990-08-10 | 1990-08-10 | 被エッチング膜の膜厚検出方法、膜厚検出装置及びエッチング装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0494533A true JPH0494533A (ja) | 1992-03-26 |
| JP2612089B2 JP2612089B2 (ja) | 1997-05-21 |
Family
ID=16638699
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2213406A Expired - Fee Related JP2612089B2 (ja) | 1990-08-10 | 1990-08-10 | 被エッチング膜の膜厚検出方法、膜厚検出装置及びエッチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2612089B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1038753A (ja) * | 1996-07-26 | 1998-02-13 | Dainippon Printing Co Ltd | 透明膜の検査方法 |
| WO2000075973A1 (en) * | 1999-06-02 | 2000-12-14 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing device, window member for the plasma processing device and electrode plate for the plasma processing device |
| US6824813B1 (en) * | 2000-04-06 | 2004-11-30 | Applied Materials Inc | Substrate monitoring method and apparatus |
| US7154611B2 (en) | 2002-04-12 | 2006-12-26 | Semes Co., Ltd. | Spin etcher with thickness measuring system |
| JP6050491B2 (ja) * | 2013-06-21 | 2016-12-21 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | ドライエッチング方法および半導体装置の製造方法 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5410806B2 (ja) | 2009-03-27 | 2014-02-05 | 浜松ホトニクス株式会社 | 膜厚測定装置及び測定方法 |
| JP5519688B2 (ja) | 2009-10-13 | 2014-06-11 | 浜松ホトニクス株式会社 | 膜厚測定装置および膜厚測定方法 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57117251A (en) * | 1980-12-31 | 1982-07-21 | Ibm | Device for monitoring thickness change |
| JPS59201443A (ja) * | 1983-04-28 | 1984-11-15 | Hamamatsu Photonics Kk | 半導体装置の製造方法 |
| JPS6134944A (ja) * | 1984-04-13 | 1986-02-19 | アプライド マテリアルズ インコ−ポレ−テツド | Ｉｃ工程の監視・制御用のレ−ザ干渉計システム及び方法 |
| JPS6223113A (ja) * | 1985-07-24 | 1987-01-31 | Hitachi Ltd | 終点検出方法 |
| JPH02307003A (ja) * | 1989-05-05 | 1990-12-20 | Applied Materials Inc | 材料の成長速度とエッチング速度の光学的監視 |
-
1990
- 1990-08-10 JP JP2213406A patent/JP2612089B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57117251A (en) * | 1980-12-31 | 1982-07-21 | Ibm | Device for monitoring thickness change |
| JPS59201443A (ja) * | 1983-04-28 | 1984-11-15 | Hamamatsu Photonics Kk | 半導体装置の製造方法 |
| JPS6134944A (ja) * | 1984-04-13 | 1986-02-19 | アプライド マテリアルズ インコ−ポレ−テツド | Ｉｃ工程の監視・制御用のレ−ザ干渉計システム及び方法 |
| JPS6223113A (ja) * | 1985-07-24 | 1987-01-31 | Hitachi Ltd | 終点検出方法 |
| JPH02307003A (ja) * | 1989-05-05 | 1990-12-20 | Applied Materials Inc | 材料の成長速度とエッチング速度の光学的監視 |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1038753A (ja) * | 1996-07-26 | 1998-02-13 | Dainippon Printing Co Ltd | 透明膜の検査方法 |
| WO2000075973A1 (en) * | 1999-06-02 | 2000-12-14 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing device, window member for the plasma processing device and electrode plate for the plasma processing device |
| US6758941B1 (en) | 1999-06-02 | 2004-07-06 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing unit, window member for plasma processing unit and electrode plate for plasma processing unit |
| US6824813B1 (en) * | 2000-04-06 | 2004-11-30 | Applied Materials Inc | Substrate monitoring method and apparatus |
| US7154611B2 (en) | 2002-04-12 | 2006-12-26 | Semes Co., Ltd. | Spin etcher with thickness measuring system |
| JP6050491B2 (ja) * | 2013-06-21 | 2016-12-21 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | ドライエッチング方法および半導体装置の製造方法 |
| US9818657B2 (en) | 2013-06-21 | 2017-11-14 | Renesas Electronics Corporation | Dry etching method and method of manufacturing semiconductor device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2612089B2 (ja) | 1997-05-21 |
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