JPH0495338A - 放電ランプ - Google Patents
放電ランプInfo
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- JPH0495338A JPH0495338A JP20409690A JP20409690A JPH0495338A JP H0495338 A JPH0495338 A JP H0495338A JP 20409690 A JP20409690 A JP 20409690A JP 20409690 A JP20409690 A JP 20409690A JP H0495338 A JPH0495338 A JP H0495338A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- discharge lamp
- thin film
- visible light
- ultraviolet radiation
- layers
- Prior art date
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Landscapes
- Surface Treatment Of Glass (AREA)
- Vessels And Coating Films For Discharge Lamps (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野コ
この発明は、水銀の主励起波長である２５３゜７ｎｍ付
近の紫外線を可視光に変換する蛍光物質を有した放電ラ
ンプに係り、特にその発光効率を改良した蛍光ランプ及
び冷陰極放電ランプに関する。
近の紫外線を可視光に変換する蛍光物質を有した放電ラ
ンプに係り、特にその発光効率を改良した蛍光ランプ及
び冷陰極放電ランプに関する。
［従来の技術］
一般に、蛍光ランプ、冷陰極放電ランプ等を含む放電ラ
ンプは、カラス外囲器と、このガラス外囲器の内面に塗
布された蛍光体粒子層とからなっており、カラス外囲器
内には、真空引きされた後ランプの種類によって多少種
類を異なるが、アルコン、クリプトン、ネオン、ヘリウ
ム等の希カスと、水銀蒸気とが封入されている。そして
、放電ランプでは、点灯時、主として水銀の主励起波長
である２５３．７ｎｍ付近の紫外線により、蛍光体粒子
層の蛍光体が励起され、波長３ Ｂ Ｏｎ、 ｍ ｂ）
ら７８０ｎｍにわたる可視光に変換される。変換された
可視光はガラス外囲器を透過して外部に出るが、一方、
蛍光体粒子層を通過してガラス外囲器に到達した紫外線
はガラス外囲器によって略吸収される。
ンプは、カラス外囲器と、このガラス外囲器の内面に塗
布された蛍光体粒子層とからなっており、カラス外囲器
内には、真空引きされた後ランプの種類によって多少種
類を異なるが、アルコン、クリプトン、ネオン、ヘリウ
ム等の希カスと、水銀蒸気とが封入されている。そして
、放電ランプでは、点灯時、主として水銀の主励起波長
である２５３．７ｎｍ付近の紫外線により、蛍光体粒子
層の蛍光体が励起され、波長３ Ｂ Ｏｎ、 ｍ ｂ）
ら７８０ｎｍにわたる可視光に変換される。変換された
可視光はガラス外囲器を透過して外部に出るが、一方、
蛍光体粒子層を通過してガラス外囲器に到達した紫外線
はガラス外囲器によって略吸収される。
カラス外囲器によって吸収される紫外線を有効利用する
ため、例えｂａ、米国特許第４．０７９．２８８号公報
を参照すれば、ガラス外囲器と蛍光体粒子層との間にＡ
ｌ２Ｏ３からなる紫外線反射層を設けることにより、蛍
光体粒子層を透過した紫外線を反射させて蛍光体粒子を
励起させ、これにより、放電ランプの光束を向上さすこ
とが開示されている。
ため、例えｂａ、米国特許第４．０７９．２８８号公報
を参照すれば、ガラス外囲器と蛍光体粒子層との間にＡ
ｌ２Ｏ３からなる紫外線反射層を設けることにより、蛍
光体粒子層を透過した紫外線を反射させて蛍光体粒子を
励起させ、これにより、放電ランプの光束を向上さすこ
とが開示されている。
［発明が解決しようとする課題］
しかしながら、従来の紫外線反射層は、ガラスバルブ内
面にＡｌ２Ｏ３等の白色粉末を塗布したものであるため
、波長３８０ｎｒｎから７８０ｎｍにわたる可視光をも
反射してしまう。このため、ガラスバルブの一部に蛍光
体粒子層及び紫外線反射層を塗布しない特定領域を設け
、この特定領域から反射光を放射する反射型放電ランプ
には、極めて有効であるが、反射型でない全周放射型放
電ランプでは、紫外線反射層による光束の向上がわずか
であり、紫外線を反射し且つ可視光を透過する紫外線反
射層が切望されている。
面にＡｌ２Ｏ３等の白色粉末を塗布したものであるため
、波長３８０ｎｒｎから７８０ｎｍにわたる可視光をも
反射してしまう。このため、ガラスバルブの一部に蛍光
体粒子層及び紫外線反射層を塗布しない特定領域を設け
、この特定領域から反射光を放射する反射型放電ランプ
には、極めて有効であるが、反射型でない全周放射型放
電ランプでは、紫外線反射層による光束の向上がわずか
であり、紫外線を反射し且つ可視光を透過する紫外線反
射層が切望されている。
従って、この発明の目的は、紫外線を反射し且つ可視光
を透過する紫外線反射層をガラス外囲器内面又は外面に
形成することにより、光束の向上した放電ランプを提供
することにある。
を透過する紫外線反射層をガラス外囲器内面又は外面に
形成することにより、光束の向上した放電ランプを提供
することにある。
［課題を解決するための手段コ
本発明者等は、上述の事情に鑑み、まず、多層薄膜誘電
体反射鏡の技術に着目した。この多層薄膜誘電体反射鏡
の技術では、高屈折率と低屈折率の誘電体薄膜を交互に
層状に数層から数十層重ねた反射膜を形成することによ
り、吸収が少なく、また、任意の分光反射率を選定でき
、特定の波長に対して１００％に近い反射率を得ること
ができる。
体反射鏡の技術に着目した。この多層薄膜誘電体反射鏡
の技術では、高屈折率と低屈折率の誘電体薄膜を交互に
層状に数層から数十層重ねた反射膜を形成することによ
り、吸収が少なく、また、任意の分光反射率を選定でき
、特定の波長に対して１００％に近い反射率を得ること
ができる。
そして、鋭意研究の結果、上述の目的は、ガラス外囲器
の内面又は、ガラス外囲器の材質が紫外線をほぼ透過す
る材質からなる場合にガラス外囲器の外面に、水銀の主
励起波長である２５３．７ｎｍ付近の紫外線を略完全に
反射し且つ波長３８０ｎｍから７８０ｎｍにわたる可視
光を略透過する誘電体釜Ｎ薄膜を形成したことを特徴と
する放電ランプを提供することにより、解決される。
の内面又は、ガラス外囲器の材質が紫外線をほぼ透過す
る材質からなる場合にガラス外囲器の外面に、水銀の主
励起波長である２５３．７ｎｍ付近の紫外線を略完全に
反射し且つ波長３８０ｎｍから７８０ｎｍにわたる可視
光を略透過する誘電体釜Ｎ薄膜を形成したことを特徴と
する放電ランプを提供することにより、解決される。
好適には、この放電ランプでは、誘電体多層薄膜が、Ｔ
ｉＯ２、Ｔａ２Ｏ５及びＺｎＳからなる群より選ばれた
少なくとも１つの物質からなる高屈折率層と、５ｊ０２
及びＭｇＦ２からなる群より選ばれた少なくとも１つの
物質からなる低屈折率層とを交互に層状として形成され
てなる。
ｉＯ２、Ｔａ２Ｏ５及びＺｎＳからなる群より選ばれた
少なくとも１つの物質からなる高屈折率層と、５ｊ０２
及びＭｇＦ２からなる群より選ばれた少なくとも１つの
物質からなる低屈折率層とを交互に層状として形成され
てなる。
また、この発明では、放電ランプが、発光の主要部分を
放電からの紫外放射によって励起される蛍光物質のフォ
トルミネセンスとする蛍光ランプであっても、グロー放
電の陽光性で発光する冷陰極放電ランプであってもよく
、蛍光体ランプの場合、誘電体多層薄膜がＴｌＯ２層と
５１０２層とを交互に層状に３層以上重ねた反射膜であ
ることが好ましく、一方、冷陰極放電ランプの場合、誘
電体多層薄膜が９層以上重ねた反射膜であることが好ま
しい。
放電からの紫外放射によって励起される蛍光物質のフォ
トルミネセンスとする蛍光ランプであっても、グロー放
電の陽光性で発光する冷陰極放電ランプであってもよく
、蛍光体ランプの場合、誘電体多層薄膜がＴｌＯ２層と
５１０２層とを交互に層状に３層以上重ねた反射膜であ
ることが好ましく、一方、冷陰極放電ランプの場合、誘
電体多層薄膜が９層以上重ねた反射膜であることが好ま
しい。
［作用］
例えば、ガラス外囲器の内面に、水銀の主励起波長であ
る２５３．７ｎｍ付近の紫外線を略完全に反射し且つ波
長３８０ｎｍから７８０ｎｍにわたる可視光を略透過す
る誘電体多層薄膜を形成したことにより、第１図の模式
図に示されるように、放電ランプの点灯時、ガラス外囲
器２内に封入されたガスから生した紫外線は、第１図中
２号ａに示される如く、蛍光体位子Ｎ４の蛍光体粒子に
照射される場合には、可視光に変換される。変換された
可視光は誘電体多層薄膜６を略完全に透過する。一方、
蛍光体粒子Ｎ４を透過した紫外線は、第１図中２号すに
示される如く、誘電体多層薄膜６によって略完全に反射
されるので、蛍光体粒子層４の蛍光体粒子に照射されて
可視光に変換されるまて誘電対多Ｎ薄膜６て反射される
。
る２５３．７ｎｍ付近の紫外線を略完全に反射し且つ波
長３８０ｎｍから７８０ｎｍにわたる可視光を略透過す
る誘電体多層薄膜を形成したことにより、第１図の模式
図に示されるように、放電ランプの点灯時、ガラス外囲
器２内に封入されたガスから生した紫外線は、第１図中
２号ａに示される如く、蛍光体位子Ｎ４の蛍光体粒子に
照射される場合には、可視光に変換される。変換された
可視光は誘電体多層薄膜６を略完全に透過する。一方、
蛍光体粒子Ｎ４を透過した紫外線は、第１図中２号すに
示される如く、誘電体多層薄膜６によって略完全に反射
されるので、蛍光体粒子層４の蛍光体粒子に照射されて
可視光に変換されるまて誘電対多Ｎ薄膜６て反射される
。
即ち、従来、ガラス外囲器２内に封入されたガスから生
じた紫外線の一部がガラス外囲器２で吸収されて透過損
失となっていたのが、本発明では、誘電体多層薄膜４が
、紫外線を反射し且つ可視光を透過さすという完全な波
長選択性を有するため、ガラス外囲器２内に封入された
ガスから生した紫外線の略全ては可視光に変換されると
いう理想的な放電ランプが実現される。
じた紫外線の一部がガラス外囲器２で吸収されて透過損
失となっていたのが、本発明では、誘電体多層薄膜４が
、紫外線を反射し且つ可視光を透過さすという完全な波
長選択性を有するため、ガラス外囲器２内に封入された
ガスから生した紫外線の略全ては可視光に変換されると
いう理想的な放電ランプが実現される。
このため、放電ランプの発光効率が驚異的な割合で改善
される。
される。
［実施例］
以下、本発明の実施例について説明する。
まず、本発明者等は、誘電体多層薄膜について、水銀の
主励起波長である２５３．７ｎｍ付近の紫外線を完全に
反射し且つ波長３８０ｎｍから７８０ｎｍにわたる可視
光を透過するとの見地から検討した。
主励起波長である２５３．７ｎｍ付近の紫外線を完全に
反射し且つ波長３８０ｎｍから７８０ｎｍにわたる可視
光を透過するとの見地から検討した。
まず、ガラス外囲器が高純度石英ガラスのような紫外線
透過物質からから構成される場合には、誘電体多層薄膜
がカラス外囲器の外面に形成されてもよいが、高純度で
ない場合には、紫外線を吸収するため、発光効率が悪く
なるので、ガラス外囲器の内面に誘電体多層薄膜を形成
することを前提とした。
透過物質からから構成される場合には、誘電体多層薄膜
がカラス外囲器の外面に形成されてもよいが、高純度で
ない場合には、紫外線を吸収するため、発光効率が悪く
なるので、ガラス外囲器の内面に誘電体多層薄膜を形成
することを前提とした。
高屈折率層としては、Ｔ ｉ ０２、Ｔａ２Ｏ５、Ｚｎ
Ｓ等がよく、又、低屈折率層としては、５１０２、Ｍｇ
Ｆ２等がよい。
Ｓ等がよく、又、低屈折率層としては、５１０２、Ｍｇ
Ｆ２等がよい。
次に、誘電体多層薄膜の作製方法としては、真空蒸着法
、気相法（ＣＶＤ法）等の種々な方法が考えられるが、
を量産性に優れたディッピング法を選定することを前提
として、高屈折率層としてＴｉＯ２を、低屈折率層とし
てＳｉＯ２を選定し、高屈折率層−低屈折率層−高屈折
率層と積層することにより、何層重ねるかを検討した。
、気相法（ＣＶＤ法）等の種々な方法が考えられるが、
を量産性に優れたディッピング法を選定することを前提
として、高屈折率層としてＴｉＯ２を、低屈折率層とし
てＳｉＯ２を選定し、高屈折率層−低屈折率層−高屈折
率層と積層することにより、何層重ねるかを検討した。
即ち、第１図に示されるように、放電ランプがガラス外
囲器２を有し、このガラス外囲器２の内面に塗布される
べき蛍光体粒子層４との間に誘電体多Ｎ薄Ｍ６が形成さ
れる。ガラス外囲器２をシリカ（Ｓｉ０２）のガラス基
板とし、光屈折率層のＴ ｉ ０２の屈折率をｎ、＝２
． ７６、低屈折率層のＳｉＯ２の屈折率をｎ、：＝１
．４８とし、構成を高屈折率層−低屈折率層の周期的多
層膜とする帯域フィルタと仮定し、次式に表される構成
とした。
囲器２を有し、このガラス外囲器２の内面に塗布される
べき蛍光体粒子層４との間に誘電体多Ｎ薄Ｍ６が形成さ
れる。ガラス外囲器２をシリカ（Ｓｉ０２）のガラス基
板とし、光屈折率層のＴ ｉ ０２の屈折率をｎ、＝２
． ７６、低屈折率層のＳｉＯ２の屈折率をｎ、：＝１
．４８とし、構成を高屈折率層−低屈折率層の周期的多
層膜とする帯域フィルタと仮定し、次式に表される構成
とした。
ＮＳ／ （０，５Ｈ）（Ｌ −Ｈ）”Ｌ （０，５Ｈ）
／Ｎ。
／Ｎ。
Ｎｓニガラス基板（ｎ、＝１．４８）
０．５Ｈ：高屈折率層（ｎ Ｈｄ ：０． １２５λ）
Ｌ：低屈折率層（ｎＬｄ＝０．２５λ）Ｈ：高屈折率Ｆ
（ｎ、ｄ＝０．２５λ）ＮＯ＝蛍光体粒子層 尚、ｄは膜厚てあり、入は波長（２５３，７ｎｍ）であ
る。
Ｌ：低屈折率層（ｎＬｄ＝０．２５λ）Ｈ：高屈折率Ｆ
（ｎ、ｄ＝０．２５λ）ＮＯ＝蛍光体粒子層 尚、ｄは膜厚てあり、入は波長（２５３，７ｎｍ）であ
る。
例えば、層数を９層という場合には、次のようになる。
ＮＳ／ （０，５Ｈ） （Ｌ −Ｈ） ”Ｌ （０，
５Ｈ） ／Ｎ。
５Ｈ） ／Ｎ。
即ち、構成例を具体的に構成材料とその膜厚て表すと次
のようになる。
のようになる。
ガラス基板／ （Ｔｉ０２ ： １２．２ｎ−）（Ｓｉ
０２：４５．６ｎｍ） （Ｔｉ０２：２４．５ｎ＠）
（Ｓｉ０２：４５．６ｒ＋＋ｗ） （Ｔｉ０２：２４
．５ｎｗ）（Ｓｉ０２ ： ４５．６ｎ＊） （Ｔ１
０２ ： ２４．５ｒｖ）（Ｓｉ０２：４５．６ｎ＊）
（Ｔ１０２：１２．２ｎｓ）／蛍光体粒子層 このような構成の誘電体長Ｎ薄膜６の５層乃至１５層に
ついて、波長２５３．７ｎｍについて垂直入射おける反
射率を計算で求めた結果が第２図に示される。
０２：４５．６ｎｍ） （Ｔｉ０２：２４．５ｎ＠）
（Ｓｉ０２：４５．６ｒ＋＋ｗ） （Ｔｉ０２：２４
．５ｎｗ）（Ｓｉ０２ ： ４５．６ｎ＊） （Ｔ１
０２ ： ２４．５ｒｖ）（Ｓｉ０２：４５．６ｎ＊）
（Ｔ１０２：１２．２ｎｓ）／蛍光体粒子層 このような構成の誘電体長Ｎ薄膜６の５層乃至１５層に
ついて、波長２５３．７ｎｍについて垂直入射おける反
射率を計算で求めた結果が第２図に示される。
第２図から明らかなように、誘電体多層薄膜６を９層以
上とするとき、波長２５３．７ｎｍにおける反射率を約
９７％以上とすることができる。
上とするとき、波長２５３．７ｎｍにおける反射率を約
９７％以上とすることができる。
また、当然のことながら、誘電体多層薄膜６を多層とす
るほど、反射率を１００％に近づけることができるが、
第２図から明らかなように、１３層及び１５Ｎで反射率
が９９％を越えており、経済的には１３層で十分である
。
るほど、反射率を１００％に近づけることができるが、
第２図から明らかなように、１３層及び１５Ｎで反射率
が９９％を越えており、経済的には１３層で十分である
。
次ここ、積層の下限値であるが、図示しないが、３層の
場合でも、２５３．７層ｍでの反射率は約８２％であり
、この３層の場合、目に最も明るく感しるといわれる可
視領域の５５０％ｍでほぼ完全に透過し、３８０ ｎ
ｍ 〜７８０ ｎ ｍてほぼ１０％以下の反射率を有す
るので、輝度の向上を図りながら、経済性を考えた場合
、３層で十分である。
場合でも、２５３．７層ｍでの反射率は約８２％であり
、この３層の場合、目に最も明るく感しるといわれる可
視領域の５５０％ｍでほぼ完全に透過し、３８０ ｎ
ｍ 〜７８０ ｎ ｍてほぼ１０％以下の反射率を有す
るので、輝度の向上を図りながら、経済性を考えた場合
、３層で十分である。
このように構成した誘電体多層薄膜６０反射率曲線につ
いて述べる。
いて述べる。
第３図乃至第６図には、誘電体多層薄膜６の層数を９層
乃至１５層にしたときの反射率曲線が夫々示されている
。
乃至１５層にしたときの反射率曲線が夫々示されている
。
第３図乃至第６図から明らかなように、可視光の領域、
即ち、３８１Ｄｎｍ乃至７８０％ｍの波長における反射
率はいずれも２Ｏ％以下であり、はとんと透過すると言
える。
即ち、３８１Ｄｎｍ乃至７８０％ｍの波長における反射
率はいずれも２Ｏ％以下であり、はとんと透過すると言
える。
次に、このような誘電体多層薄膜６を形成した放電ラン
プの特性について述へる。
プの特性について述へる。
（実施例１）
放電ランプとして、グロー放電の陽光性で発光する冷陰
極放電ランプに、本発明の誘電体多層薄膜６を適用した
。
極放電ランプに、本発明の誘電体多層薄膜６を適用した
。
色温度５５００’ Ｋとし、外径８．０ｍｍφ、全長２
６０ｍｍとする液晶表示装置の背面照明用冷陰極放電ラ
ンプに、ガラス外囲器２には紫外線透過の優れた高純度
石Ｔガラスを使用し、高屈折率層としてＴｉＯ２を、低
屈折率層としてＳ ｉ ０２を選定し層数を９層とする
誘電体多層薄Ｍ６をガラス外囲器２の内面にディッピン
グ法にて形成した。
６０ｍｍとする液晶表示装置の背面照明用冷陰極放電ラ
ンプに、ガラス外囲器２には紫外線透過の優れた高純度
石Ｔガラスを使用し、高屈折率層としてＴｉＯ２を、低
屈折率層としてＳ ｉ ０２を選定し層数を９層とする
誘電体多層薄Ｍ６をガラス外囲器２の内面にディッピン
グ法にて形成した。
誘電体多層薄膜６を形成しない従来の冷陰極ランプが、
２５℃、３０ｋＨｚ、５ ｍ Ａの定格電流で、輝度を
４５００ｎ ｔであるのに対し、本発明の冷陰極放電ラ
ンプは、同一条件で、輝度を約６０００ｎ ｔとするこ
とができ、輝度半減期による寿命は約２万時閏と同一で
あった。
２５℃、３０ｋＨｚ、５ ｍ Ａの定格電流で、輝度を
４５００ｎ ｔであるのに対し、本発明の冷陰極放電ラ
ンプは、同一条件で、輝度を約６０００ｎ ｔとするこ
とができ、輝度半減期による寿命は約２万時閏と同一で
あった。
（実施例２）
次に、放電ランプとして、発光の主要部分を放電からの
紫外放射によって励起される蛍光物質のフォトルミネセ
ンスとする通常の低圧水銀ランプ、とりわけ、三波長型
高演色性蛍光ランプに、本発明の誘電体多層薄膜６を適
用した。
紫外放射によって励起される蛍光物質のフォトルミネセ
ンスとする通常の低圧水銀ランプ、とりわけ、三波長型
高演色性蛍光ランプに、本発明の誘電体多層薄膜６を適
用した。
色温度３０００°にとし、ガラス外囲器２をＦＬ４０Ｓ
Ｓバルブとする三波長型蛍光ランプに、高屈折率層とし
てＴｌＯ２を、低屈折率層として５１０２を選定し層数
を３層とする誘電体多層薄膜６をガラス外囲器２の内面
にディッピング法にて形成した。
Ｓバルブとする三波長型蛍光ランプに、高屈折率層とし
てＴｌＯ２を、低屈折率層として５１０２を選定し層数
を３層とする誘電体多層薄膜６をガラス外囲器２の内面
にディッピング法にて形成した。
紫外線反射層として粒径０．３μｍのα−Ａ１２Ｏ３粉
体をＦＬ４０ＳＳバルブ内面に２ ｇ ／ ｍ ２塗布
した従来の放電ランプの光束が、３５００１ｍであるの
に対し、紫外線反射層の代わりに誘電体多層薄膜６を形
成したこと以外同一である本発明の蛍光ランプの光束は
、４２Ｏ０１ｍと極めて明るくてきた。
体をＦＬ４０ＳＳバルブ内面に２ ｇ ／ ｍ ２塗布
した従来の放電ランプの光束が、３５００１ｍであるの
に対し、紫外線反射層の代わりに誘電体多層薄膜６を形
成したこと以外同一である本発明の蛍光ランプの光束は
、４２Ｏ０１ｍと極めて明るくてきた。
又、その他のランプ特性、例えば、演色性、光束維持率
及びカラーシフト（変色）もほぼ従来の蛍光ランプと同
一であった。
及びカラーシフト（変色）もほぼ従来の蛍光ランプと同
一であった。
尚、上述の説明では、冷陰極放電ランプと蛍光ランプに
ついてしたが、この発明は、その他の放電ランプ、例え
ば、熱陰極放電ランプ、高圧放電ランプ等の各種放電ラ
ンプに適用されてもよいことは言うまでもない。
ついてしたが、この発明は、その他の放電ランプ、例え
ば、熱陰極放電ランプ、高圧放電ランプ等の各種放電ラ
ンプに適用されてもよいことは言うまでもない。
［発明の効果］
以上説明したように、本発明によれば、紫外線を反射し
且つ可視光を透過する紫外線反射層をガラス外囲器に形
成することにより、光束の向上した放電ランプを提供す
ることができる。
且つ可視光を透過する紫外線反射層をガラス外囲器に形
成することにより、光束の向上した放電ランプを提供す
ることができる。
第１図は、本発明に係る放電ランプの断面の一部を示す
模式図、第２図は、第１図の誘電体多層薄膜の層数と反
射率との関係を示すグラフ図、第３図乃至第６図は、第
１図の誘電体多層薄膜の反射率曲線を示すグラフ図であ
る。 ２°°ガラス外囲器、４・・蛍光体粒子層、６・誘電体
多層薄膜。 第１図
模式図、第２図は、第１図の誘電体多層薄膜の層数と反
射率との関係を示すグラフ図、第３図乃至第６図は、第
１図の誘電体多層薄膜の反射率曲線を示すグラフ図であ
る。 ２°°ガラス外囲器、４・・蛍光体粒子層、６・誘電体
多層薄膜。 第１図
Claims (6)
- （１）ガラス外囲器の内面又は、ガラス外囲器の材質が
紫外線をほぼ透過する材質からなる場合にガラス外囲器
の外面に、水銀の主励起波長である２５３．７ｎｍ付近
の紫外線を略反射し且つ波長３８０ｎｍから７８０ｎｍ
にわたる可視光を略透過する誘電体多層薄膜を形成した
ことを特徴とする放電ランプ。 - （２）前記誘電体多層薄膜が、ＴｉＯ２、Ｔａ２Ｏ５及
びＺｎＳからなる群より選ばれた少なくとも１つの物質
からなる高屈折率層と、ＳｉＯ２及びＭｇＦ２からなる
群より選ばれた少なくとも１つの物質からなる低屈折率
層とを交互に層状として形成されてなることを特徴とす
る特許請求の範囲第１項に記載の放電ランプ。 - （３）前記放電ランプが、発光の主要部分を放電からの
紫外放射によって励起される蛍光物質のフォトルミネセ
ンスとする蛍光ランプであることを特徴とする特許請求
の範囲第１項又は第２項に記載の放電ランプ。 - （４）前記誘電体多層薄膜がＴｉＯ２層とＳｉＯ２層と
を交互に層状に３層以上重ねた反射薄膜からなることを
特徴とする特許請求の範囲第３項に記載の放電ランプ。 - （５）前記放電ランプが、グロー放電の陽光性で発光す
る冷陰極放電ランプであることを特徴とする特許請求の
範囲第１項又は第２項に記載の放電ランプ。 - （６）前記誘電体多層薄膜がＴｉＯ２層とＳｉＯ２層と
を交互に層状に９層以上重ねた反射薄膜からなることを
特徴とする特許請求の範囲第５項に記載の放電ランプ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20409690A JPH0719572B2 (ja) | 1990-07-31 | 1990-07-31 | 放電ランプ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20409690A JPH0719572B2 (ja) | 1990-07-31 | 1990-07-31 | 放電ランプ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0495338A true JPH0495338A (ja) | 1992-03-27 |
| JPH0719572B2 JPH0719572B2 (ja) | 1995-03-06 |
Family
ID=16484730
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20409690A Expired - Lifetime JPH0719572B2 (ja) | 1990-07-31 | 1990-07-31 | 放電ランプ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0719572B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR960011566A (ko) * | 1994-09-12 | 1996-04-20 | 타실로 다우너, 조아킴 베르너 | 수은 증기 고압 쇼트 아크 방전등, 상기 등으로부터 방출된 방사선에 반도체 웨이퍼를 노광시키는 방법 및 장치 |
| WO2003073055A1 (en) * | 2002-02-28 | 2003-09-04 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Temperature measuring system, heating device using it and production method for semiconductor wafer, heat ray insulating translucent member, visible light reflection membner, exposure system-use reflection mirror and exposure system, and semiconductor device produced by using them and vetical heat treating device |
| JP2008024564A (ja) * | 2006-07-24 | 2008-02-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ランプ用ガラスの製造方法、ランプ用ガラス、ランプ用ガラス管およびランプ |
| US7919913B2 (en) | 2007-03-14 | 2011-04-05 | Mii Jenn-Wei | Light illuminating element |
| KR101295700B1 (ko) * | 2011-08-08 | 2013-08-14 | 김우섭 | 포토 리소그래피 시스템의 노광장치 또는 ｌｃｄ 경화 시스템에서의 램프 |
-
1990
- 1990-07-31 JP JP20409690A patent/JPH0719572B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR960011566A (ko) * | 1994-09-12 | 1996-04-20 | 타실로 다우너, 조아킴 베르너 | 수은 증기 고압 쇼트 아크 방전등, 상기 등으로부터 방출된 방사선에 반도체 웨이퍼를 노광시키는 방법 및 장치 |
| WO2003073055A1 (en) * | 2002-02-28 | 2003-09-04 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Temperature measuring system, heating device using it and production method for semiconductor wafer, heat ray insulating translucent member, visible light reflection membner, exposure system-use reflection mirror and exposure system, and semiconductor device produced by using them and vetical heat treating device |
| JP2008024564A (ja) * | 2006-07-24 | 2008-02-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ランプ用ガラスの製造方法、ランプ用ガラス、ランプ用ガラス管およびランプ |
| US7919913B2 (en) | 2007-03-14 | 2011-04-05 | Mii Jenn-Wei | Light illuminating element |
| EP1970939A3 (en) * | 2007-03-14 | 2012-02-29 | Jenn-Wei Mii | Light illuminating element |
| KR101295700B1 (ko) * | 2011-08-08 | 2013-08-14 | 김우섭 | 포토 리소그래피 시스템의 노광장치 또는 ｌｃｄ 경화 시스템에서의 램프 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0719572B2 (ja) | 1995-03-06 |
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