JPH0496303A - 光センサ及び照度変化検出方法 - Google Patents
光センサ及び照度変化検出方法Info
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- JPH0496303A JPH0496303A JP2211527A JP21152790A JPH0496303A JP H0496303 A JPH0496303 A JP H0496303A JP 2211527 A JP2211527 A JP 2211527A JP 21152790 A JP21152790 A JP 21152790A JP H0496303 A JPH0496303 A JP H0496303A
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 10
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 23
- 150000003304 ruthenium compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 15
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- 239000000843 powder Substances 0.000 claims abstract description 14
- 229910000859 α-Fe Inorganic materials 0.000 claims abstract description 14
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 7
- 238000010304 firing Methods 0.000 claims description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 3
- 230000035699 permeability Effects 0.000 abstract description 7
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
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Landscapes
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
- Hard Magnetic Materials (AREA)
- Soft Magnetic Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
し産業上の利用分野１
本発明は、光が照射されたことにより透磁率が変化する
感光磁性半導体およびその製造方法に関するものである
。
感光磁性半導体およびその製造方法に関するものである
。
［従来の技術］
従来において、光が照射されたことにより透磁率が変化
する感光磁性半導体はない。
する感光磁性半導体はない。
［発明が解決１．ようとする課題］
本発明の課題は、光が照射されたこと１：′より透磁率
が変化する感光磁性半導体およびその製造方法を提供す
ることにある。
が変化する感光磁性半導体およびその製造方法を提供す
ることにある。
［課題を解決するための手段］
本発明によれば、フェライト粉末３３〜９０重量％と、
ルテニウム化合物およびバインダの混合物６７〜１０重
量％とからなることを特徴とする感光磁性半導体が得ら
れる。
ルテニウム化合物およびバインダの混合物６７〜１０重
量％とからなることを特徴とする感光磁性半導体が得ら
れる。
また、本発明によれば、フェライト粉末３３〜９０重量
％とルテニウム化合物およびバインダの混合物６７〜１
０重量％とからなる感光磁性半導体膜と、これの一面に
形成された黒体膜とからなることを特徴とする感光磁性
半導体が得られる。
％とルテニウム化合物およびバインダの混合物６７〜１
０重量％とからなる感光磁性半導体膜と、これの一面に
形成された黒体膜とからなることを特徴とする感光磁性
半導体が得られる。
さらに、本発明によれば、フェライト粉末３３〜９０重
量％と、ルテニウム化合物およびバインダの混合物６７
〜１０重量％とを混合した後に、これを焼成することを
特徴とする感光磁性半導体の製造方法が得られる・。
量％と、ルテニウム化合物およびバインダの混合物６７
〜１０重量％とを混合した後に、これを焼成することを
特徴とする感光磁性半導体の製造方法が得られる・。
さらに、本発明のよれば、フェライト粉末３３〜９０重
量％とルテニウム化合物およびバインダの混合物６７〜
１０重量％とを混合した混合物を基板に塗布した後に、
これを焼成して感光磁性半導体膜を作り、次に感光磁性
半導体膜の一面に黒体を含む溶液を塗布して黒体膜を形
成することを特徴とする感光磁性半導体の製造方法が得
られる。
量％とルテニウム化合物およびバインダの混合物６７〜
１０重量％とを混合した混合物を基板に塗布した後に、
これを焼成して感光磁性半導体膜を作り、次に感光磁性
半導体膜の一面に黒体を含む溶液を塗布して黒体膜を形
成することを特徴とする感光磁性半導体の製造方法が得
られる。
［実施例］
次に、本発明の実施例を詳細に説明する。
本発明の感光磁性半導体は、フェライト粉末３３〜９０
重量％と、ルテニウム化合物およびバインダの混合物６
７〜１０重量％とからなることを特徴とする。
重量％と、ルテニウム化合物およびバインダの混合物６
７〜１０重量％とからなることを特徴とする。
また、本発明の感光磁性半導体は、フェライト粉末３３
〜９０重量％とルテニウム化合物およびバインダの混合
物６７〜１０重量％とからなる感光磁性半導体膜と、こ
れの一面に形成された黒体膜とからなることを特徴とす
る。
〜９０重量％とルテニウム化合物およびバインダの混合
物６７〜１０重量％とからなる感光磁性半導体膜と、こ
れの一面に形成された黒体膜とからなることを特徴とす
る。
さらに、本発明の感光磁性半導体の製造方法は、フェラ
イト粉末３３〜９０重量％と、ルテニウム化合物および
バインダの混合物６７〜１０重量％とを混合した後に、
これを焼成することを特徴とする。
イト粉末３３〜９０重量％と、ルテニウム化合物および
バインダの混合物６７〜１０重量％とを混合した後に、
これを焼成することを特徴とする。
さらに、本発明の感光磁性半導体の製造方法は、フェラ
イト粉末３３〜９０重量％とルテニウム化合物およびバ
インダの混合物６７〜１０重量％とを混合した混合物を
基板に塗布した後に、これを焼成して感光磁性半導体膜
を作り、次に感光磁性半導体膜の一面に黒体を含む溶液
を塗布して黒体膜を形成することを特徴とする。
イト粉末３３〜９０重量％とルテニウム化合物およびバ
インダの混合物６７〜１０重量％とを混合した混合物を
基板に塗布した後に、これを焼成して感光磁性半導体膜
を作り、次に感光磁性半導体膜の一面に黒体を含む溶液
を塗布して黒体膜を形成することを特徴とする。
前記ルテニウム化合物としては、市販されているエンゲ
ルハード社製の抵抗材料（商品番号Ｒ・４４０３）を用
いた。
ルハード社製の抵抗材料（商品番号Ｒ・４４０３）を用
いた。
前記焼成は、１〜数気圧のもとて６００〜８００℃の温
度で実施し、かつ、この荊後の昇温と降温をそれぞれ３
０〜５０分、６０〜８０分とした。
度で実施し、かつ、この荊後の昇温と降温をそれぞれ３
０〜５０分、６０〜８０分とした。
前記黒体の材料としてバラフィンスットまたは白金黒を
用い、かつ、このパラフィンスットまたは白金黒をフェ
スとシンナーの溶液に混入したものを感光磁性半導体膜
に塗布して黒体膜を形成した。
用い、かつ、このパラフィンスットまたは白金黒をフェ
スとシンナーの溶液に混入したものを感光磁性半導体膜
に塗布して黒体膜を形成した。
次に、本発明の感光磁性半導体の特性および効果を確認
するための実験例を説明する。
するための実験例を説明する。
第１図に示す感光磁性半導体の試料１〜１０゜１゛〜１
０′を作った。
０′を作った。
これらの試料１〜１０．’１＝〜１０′は、第２図に示
すように、感光磁性半導体膜Ａの厚さを６０μｍとし、
これらを厚さが０．８ｍｍであるアルミニナからなる基
板Ｂに形成してなり、かつ、黒体膜Ｃの厚さを５０μｍ
とした。
すように、感光磁性半導体膜Ａの厚さを６０μｍとし、
これらを厚さが０．８ｍｍであるアルミニナからなる基
板Ｂに形成してなり、かつ、黒体膜Ｃの厚さを５０μｍ
とした。
第２図に示すように、試料１〜１０．１−〜１０′を磁
界発生器１００により発生される磁界に配置し、周囲温
度が２５℃である環境において試料１〜１０．１”〜１
０−に照射する光の照度を変えることにより感光磁性半
導体の透磁率が変化することを磁気ヘッド１０１で検出
してこれを磁気電圧変換器１０２により出力電圧に変換
する実験をしたところ、第３図および第４図の試料と同
一符号の直線で示すような結果が得られた。 次に、試
料２，４．６について、周囲温度および照度を変化させ
た場合のおける出力電圧の変化を求めたところ、第５図
に示す結果が得られた。また、試料５′について周囲温
度および照度を変化させた場合における出力電圧の変化
を求めたところ、第６図に示す結果が得られた。
界発生器１００により発生される磁界に配置し、周囲温
度が２５℃である環境において試料１〜１０．１”〜１
０−に照射する光の照度を変えることにより感光磁性半
導体の透磁率が変化することを磁気ヘッド１０１で検出
してこれを磁気電圧変換器１０２により出力電圧に変換
する実験をしたところ、第３図および第４図の試料と同
一符号の直線で示すような結果が得られた。 次に、試
料２，４．６について、周囲温度および照度を変化させ
た場合のおける出力電圧の変化を求めたところ、第５図
に示す結果が得られた。また、試料５′について周囲温
度および照度を変化させた場合における出力電圧の変化
を求めたところ、第６図に示す結果が得られた。
さらにま−た、黒体として白金黒を用い、かつ、そのほ
かは試料１〜・１０と同一の条件で試料１〕炙作り、こ
の試料１１についで周囲温度および照度を変化させた場
合における出力電圧の変化を求めたところ、第７図に示
す結果が得られた。
かは試料１〜・１０と同一の条件で試料１〕炙作り、こ
の試料１１についで周囲温度および照度を変化させた場
合における出力電圧の変化を求めたところ、第７図に示
す結果が得られた。
次に、試料２゜４．６について、照度を変化させた場合
における抵抗率を求めたところ、第８図に示す結果が得
られた。
における抵抗率を求めたところ、第８図に示す結果が得
られた。
また、試料２，４．６について、磁界を変化させた場合
におりる抵抗率の変化を求めたところ、第９図に示す結
果が得られた。
におりる抵抗率の変化を求めたところ、第９図に示す結
果が得られた。
［発明の効果］
本発明によれば、光が照射されたことにより透磁率が変
化する感光磁性半導体およびその製造方法が得られる。
化する感光磁性半導体およびその製造方法が得られる。
乃至＠９図は本発明の感光磁性半導体の特性および効果
を確認するだめの実験の結果を説明するだめの特性図で
ある。
を確認するだめの実験の結果を説明するだめの特性図で
ある。
Ａ・・・感光磁性半導体膜、Ｂ・・・基板、Ｃ・・・黒
体膜。
体膜。
第１図は本発明の感光磁性半導体の特性および効果を確
認するための実験に用いる試料を説明するための説明図
、第２図は第１図の試料を用いた実験をするための装置
を示す正面図並びに第３図第１ 弱 第２図 第３図 第５図 周囲 ＩＭ （°Ｃ） 第６図 １’ｌａＪ度 （°Ｃ） 第７図 刃 印 ω 周 囲 屓 （”Ｃ） １ｉ８図 照 度 （」Ｘ）
認するための実験に用いる試料を説明するための説明図
、第２図は第１図の試料を用いた実験をするための装置
を示す正面図並びに第３図第１ 弱 第２図 第３図 第５図 周囲 ＩＭ （°Ｃ） 第６図 １’ｌａＪ度 （°Ｃ） 第７図 刃 印 ω 周 囲 屓 （”Ｃ） １ｉ８図 照 度 （」Ｘ）
Claims (4)
- （１）フェライト粉末３３〜９０重量％と、ルテニウム
化合物およびバインダの混合物６７〜１０重量％とから
なることを特徴とする感光磁性半導体。 - （２）フェライト粉末３３〜９０重量％とルテニウム化
合物およびバインダの混合物６７〜１０重量％とからな
る感光磁性半導体膜と、これの一面に形成された黒体膜
とからなることを特徴とする感光磁性半導体。 - （３）フェライト粉末３３〜９０重量％と、ルテニウム
化合物およびバインダの混合物６７〜１０重量％とを混
合した後に、これを焼成することを特徴とする感光磁性
半導体の製造方法。 - （４）フェライト粉末３３〜９０重量％とルテニウム化
合物およびバインダの混合物６７〜１０重量％とを混合
した混合物を基板に塗布した後に、これを焼成して感光
磁性半導体膜を作り、次に感光磁性半導体膜の一面に黒
体を含む溶液を塗布して黒体膜を形成することを特徴と
する感光磁性半導体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2211527A JP2732317B2 (ja) | 1990-08-13 | 1990-08-13 | 光センサ及び照度変化検出方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2211527A JP2732317B2 (ja) | 1990-08-13 | 1990-08-13 | 光センサ及び照度変化検出方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0496303A true JPH0496303A (ja) | 1992-03-27 |
| JP2732317B2 JP2732317B2 (ja) | 1998-03-30 |
Family
ID=16607365
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2211527A Expired - Fee Related JP2732317B2 (ja) | 1990-08-13 | 1990-08-13 | 光センサ及び照度変化検出方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2732317B2 (ja) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5362710A (en) * | 1976-11-17 | 1978-06-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Preparation of sheet of anisotropic sintered product |
| JPS58168950A (ja) * | 1982-03-30 | 1983-10-05 | Mitsubishi Electric Corp | 感ガス感湿素子 |
| JPS60220909A (ja) * | 1984-04-17 | 1985-11-05 | Ricoh Co Ltd | 金属酸化物磁性体及び磁性膜 |
| JPS62100619A (ja) * | 1985-10-28 | 1987-05-11 | Shimadzu Corp | 熱変換型光センサ |
-
1990
- 1990-08-13 JP JP2211527A patent/JP2732317B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5362710A (en) * | 1976-11-17 | 1978-06-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Preparation of sheet of anisotropic sintered product |
| JPS58168950A (ja) * | 1982-03-30 | 1983-10-05 | Mitsubishi Electric Corp | 感ガス感湿素子 |
| JPS60220909A (ja) * | 1984-04-17 | 1985-11-05 | Ricoh Co Ltd | 金属酸化物磁性体及び磁性膜 |
| JPS62100619A (ja) * | 1985-10-28 | 1987-05-11 | Shimadzu Corp | 熱変換型光センサ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2732317B2 (ja) | 1998-03-30 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |