JPH0496B2 - - Google Patents

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JPH0496B2
JPH0496B2 JP6373483A JP6373483A JPH0496B2 JP H0496 B2 JPH0496 B2 JP H0496B2 JP 6373483 A JP6373483 A JP 6373483A JP 6373483 A JP6373483 A JP 6373483A JP H0496 B2 JPH0496 B2 JP H0496B2
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JP
Japan
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plasma
processing container
processing
container
generation
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JP6373483A
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JPS59189130A (ja
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Takaoki Kaneko
Yoshinobu Takahashi
Kenji Fukuda
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Toyota Motor Corp
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Toyota Motor Corp
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    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32357—Generation remote from the workpiece, e.g. down-stream
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C59/00—Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor
    • B29C59/14—Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor by plasma treatment
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J2219/00—Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
    • B01J2219/08—Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor
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    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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    • B29K—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES B29B, B29C OR B29D, RELATING TO MOULDING MATERIALS OR TO MATERIALS FOR MOULDS, REINFORCEMENTS, FILLERS OR PREFORMED PARTS, e.g. INSERTS
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    • H—ELECTRICITY
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Description

【発明の詳細な説明】 技術分野 本発明は樹脂、例えば、ポリプロピレン
（PP）、ポリエチレン（PE）等の表面を改質する
ために、これらの樹脂の表面にプラズマ処理を施
すプラズマ分岐処理方法に関する。
技術の背景 近年、例えば、自動車の部品等は、軽量でかつ
意匠性に優れる樹脂に移行する傾向にあるが、比
較的安価なPP、PE等を、例えば車両外板として
使用する場合、樹脂表面と塗膜との密着性が悪
く、層間離剥という不具合が発生することが知ら
れている。この不具合を解消する手段の一つとし
て、PP、PE等の被塗装物表面をグロー、コロナ
放電あるいは高周波放電に曝し、表面を酸化（極
性基の導入）あるいはエツチング（アンカ効果向
上）するプラズマ処理技術が知られている。
ところで、自動車に使用するバンパ等の樹脂部
品をプラズマ処理する場合には、以下の理由によ
り、大型の処理容器が必要となる。
(1) バンパ等の樹脂部品は大物で複雑形状のた
め。
(2) 処理容器内を真空に維持する必要なため、バ
ツチ処理生産方式が採用されることから、多数
本を同時に処理する必要がある。
又、一方、処理容器が大型化するに従い容器内
の各部位のプラズマ濃度を均一にするのが困難と
なり、その結果処理容器内に設置する被処理物の
処理性は不均一化するという問題点が発生した。
このような問題が発生する従来のプラズマ処理装
置の一例を第３図ａ，ｂに示す。これらの図で、
Ａ部に設置した被処理物（図示せず）とＢ部に設
置した被処理物（図示せず）との間で、処理後の
被処理物表面の接触角度測定による評価を行なつ
たところ、Ａ部に設置したものはＢ部に設置した
ものより処理性が劣り、また同一被処理物内でも
処理性に不均一がみられた。これは、Ｂ部に設置
した被処理物によつてプラズマ照射が遮蔽され、
Ａ部のプラズマの寿命が損なわれるためであると
考えられる。
これらの問題点を解消するため、第４図ａ，ｂ
に示すように、処理容器にプラズマ導入口を複数
設置したところ、処理容器内における被処理物の
処理を均一に施すことができた。以上のことによ
り、大型スケールの処理容器内における各部位の
プラズマ濃度を均一化するには、処理容器に複数
個のプラズマ導入口を設置するのが好ましい方法
である。しかし、導入口１個につきそれぞれ一組
のプラズマ発生系装置を設置することは、設備投
資あるいは省電力面で問題がある。なお、第３図
および第４図における各符号は、後述する第１図
および第２図の各同一符号と同一の部品を示して
いる。
発明の目的 本発明は、これらの点に鑑み、大物で複雑形状
の樹脂部品を複数個同時に処理するに当り、処理
容器外でプラズマを発生させる前に、マグネトロ
ンでマイクロ波を発生させ、このマイクロ波を複
数に分配してそれぞれの径路でプラズマを発生さ
せ、該プラズマを処理容器内に導入することによ
つて処理の均一化と、設備投資の低減及び省電力
を図るプラズマ処理方法を提供するものである。
発明の構成 処理容器外部でマイクロ波放電プラズマを発生
させた後、容器内にプラズマを導入し、該容器内
に設置した被処理物表面にプラズマを照射して処
理する方法において、マグネトロンにより発振さ
れたマイクロ波を分配器により複数に分配し、該
分配されたマイクロ波を、該分配数に対応して設
けたプラズマ発生炉とプラズマ発生管から成るプ
ラズマ発生機構にそれぞれ導き、これらの各プラ
ズマ発生機構にて発生したプラズマを処理容器に
設けた複数のプラズマ導入口を介してそれぞれ処
理容器内に導入するようにした。
実施例 第１図および第２図は本発明の方法を実施する
マイクロ波放電プラズマ処理装置の実施例を示す
ものである。第１図および第２図において、１は
例えばSUS304で構成された円筒状胴部と鏡蓋か
らなる処理容器、２は例えば2450MHzのマイクロ
波を発するマグネトロン（発振管）を内蔵したマ
イクロ波発振器、３はアルミニウムで構成されマ
イクロ波を１：１に分配する分配器、４ａ，４ｂ
は反射電波を発振管へ戻さないためのアイソレー
ター、５ａ，ｂは入、反射電力を監視するパワー
モニターの検出部、６ａ，ｂは反射電力を最小に
するための整合器、７ａ，ｂはマイクロ波をプラ
ズマ発生炉８ａ，ｂへ伝送する導波管、９ａ，ｂ
は発生炉８内に装着されその一部をマイクロ波に
曝され内部を処理ガスが通過する石英ガラスで構
成されたプラズマ発生管、１０ａ，ｂはプラズマ
発生管９ａ，ｂのパイレツクスガラス製の輸送管
１１ａ，ｂを気密に接合するテフロン製のフロロ
コネクター、１２ａ，ｂは輸送管１１ａ，ｂとシ
ヤワー管１４ａ，ｂに気密に接合するテフロン製
のコロロコネクター、１３ａ，ｂは処理容器１へ
のプラズマ導入口である。１５ａ，ｂ，１６ａ，
ｂはシヤワー管１４ａ，ｂと同様のシヤワー管で
あり、それぞれ発生炉１７ａ，ｂ，１８ａ，ｂに
シヤワー管１４ａ，１４ｂの場合と同様にプラズ
マ導入口２２ａ，ｂ，２３ａ，ｂを介して接続し
ている。１９ａ，ｂ，２０ａ，ｂ，２１ａ，ｂは
排気ポートで配管（図示なし）を介して真空ポン
プ（図示なし）に接続されており、それぞれプラ
ズマ導入口２３ａ，ｂ，２３ａ，ｂ，２２ａ，ｂ
に対向する位置に配されている。
発生管９ａ，ｂはチユーブ（図示なし）を介し
てガスボンベ（図示なし）へ接続されている。ア
イソレータ４ａ，ｂ、パワーモニタ５ａ，ｂ、整
合器６ａ，ｂ、導波管７ａ，ｂ、プラズマ発生炉
８ａ，ｂは主としてアルミニウムで構成されてい
る。なお、各シヤワー管１４ａ，ｂ，１５ａ，
ｂ，１６ａ，ｂは処理容器１内で軸方向に配置さ
れ、かつそれぞれ約60°隔てて配置されている。
これらのシヤワー管は多数のプラズマ噴射口（図
示なし）を有し、処理容器１内に均一にプラズマ
を噴射するようになつている。
被処理物（図示なし）を処理容器１内へ投入
後、真空ポンプ（図示なし）にて容器１内を所定
の真空圧に減圧し、ボンベ（図示なし）内の処理
ガスをチユーブ、発生管９ａ，ｂ等を介して容器
１内に供給して所定の真空圧に設定する。マイク
ロ波発振器２内のマグネトロンにより2450MHzの
マイクロ波を発振させる。発生したマイクロ波は
分離分配器３により２分割されそれぞれアイソレ
ーター４ａ，ｂ、パワーモニタ検出部５ａ，ｂ、
整合器６ａ，ｂ、導波管７ａ，ｂを介して発生炉
８ａ，ｂへ伝送される。反射電力を最小にするた
めあらかじめ整合器６ａ，ｂを各々調整してお
く。この時入、反射電力はパワーモニター検出部
５ａ，ｂで各々計測され、反射電力はアイソレー
ター４ａ，ｂで系外へ分離（消費）される。発生
炉８ａ，ｂへ伝送されたマイクロ波はその強い磁
界により発生管９ａ，ｂ中を流れている処理ガス
をプラズマ化する。プラズマ化された処理ガスは
プラズマ導入口１３ａ，ｂから処理容器１内に導
入されシヤワー管１４ａ，ｂによりシヤワー拡散
される。プラズマ導入口２２ａ，ｂ，２３ａ，ｂ
からも同様にして分配されたマイクロ波にて発生
したプラズマが処理容器１内へ導入されかつシヤ
ワー拡散される。シヤワー拡散されたプラズマは
被処理物（図示なし）に接触（処理）後、排気ポ
ート１９ａ，ｂ，２０ａ，ｂ，２１ａ，ｂを介し
て系外へ排気される。
発明の効果 マイクロ波を分配し複数の箇所からプラズマを
導入照射することにより、処理容器内のプラズマ
濃度を均一にできるために大型複雑形状をした複
数の被処理物を均一処理でき、また発振器の数を
減少できるため設備投資額、電力費を半減でき
る。
【図面の簡単な説明】
第１図および第２図は本発明のプラズマ分岐処
理方法を実施するための装置の実施例を示すもの
で、第１図は断面図、第２図は側面図、第３図ａ
（断面図）および第３図ｂ（側面図）は従来のプラ
ズマ処理装置の一例を示す図、第４図ａ（断面図）
および第４図ｂ（側面図）は従来のプラズマ処理
装置の他の例を示す図である。 １……処理容器、２……マイクロ波発振器、３
……分配器、４ａ，ｂ……アイソレータ、５ａ，
ｂ……パワーモニタ検出部、６ａ，ｂ……整合
器、７ａ，ｂ……導波管、８ａ，ｂ……プラズマ
発生炉、９ａ，ｂ……プラズマ発生管、１０ａ，
ｂ，１２ａ，ｂ……フロロコネクタ、１３ａ，
ｂ，２２ａ，ｂ，２３ａ，ｂ……プラズマ導入
口、１４ａ，ｂ，１５ａ，ｂ，１６ａ，ｂ……シ
ヤワー管、１９ａ，ｂ，２０ａ，ｂ，２１ａ，ｂ
……排気口。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. １ 処理容器外部でマイクロ波放電プラズマを発
    生させた後、容器内にプラズマを導入し、該容器
    内に設置した被処理物表面にプラズマを照射して
    処理する方法において、マグネトロンにより発振
    されたマイクロ波を分配器により複数に分配し、
    該分配されたマイクロ波を、該分配数に対応して
    設けたプラズマ発生炉とプラズマ発生管から成る
    プラズマ発生機構にそれぞれ導き、これらの各プ
    ラズマ発生機構にて発生したプラズマを処理容器
    に設けた複数のプラズマ導入口を介してそれぞれ
    処理容器内に導入するようにしたプラズマ処理方
    法。
JP6373483A 1983-02-25 1983-04-13 プラズマ処理方法 Granted JPS59189130A (ja)

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AU24671/84A AU549376B2 (en) 1983-02-25 1984-02-16 Plasma treatment
DE3486470T DE3486470T2 (de) 1983-02-25 1984-02-23 Verfahren zum Plasmabehandeln von Kunststoffharz
EP84101926A EP0120307B1 (en) 1983-02-25 1984-02-23 Apparatus and method for plasma treatment of resin material
EP91115536A EP0461683B1 (en) 1983-02-25 1984-02-23 Method for plasma treatment of resin material
DE3486317T DE3486317T2 (de) 1983-02-25 1984-02-23 Vorrichtung und Verfahren zur Plasmabehandlung von Kunstharz.
US06/825,941 US4678644A (en) 1983-02-25 1986-01-30 Apparatus and method for plasma treatment of resin material
AU82237/87A AU8223787A (en) 1983-02-25 1987-12-08 Apparatus and method for plasma treatment of resin material
AU82240/87A AU603397B2 (en) 1983-02-25 1987-12-08 Apparatus and method for plasma treatment of resin material
AU82238/87A AU8223887A (en) 1983-02-25 1987-12-08 Apparatus and method for plasma treatment of resin material
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JPS59189130A JPS59189130A (ja) 1984-10-26
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPS6289737A (ja) * 1985-06-27 1987-04-24 Nippon Medical Supply Corp プラスチツクチユ−ブの製造方法
JPH0623569Y2 (ja) * 1988-03-02 1994-06-22 新日本無線株式会社 プラズマ発生反応装置
FR2733384B1 (fr) * 1995-04-21 1997-07-04 Univ Lille Sciences Tech Dispositif pour creer deux ou plusieurs decharges plasma dans un meme tube guide d'onde
US20040135828A1 (en) * 2003-01-15 2004-07-15 Schmitt Stephen E. Printer and method for printing an item with a high durability and/or resolution image

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