JPH049751B2 - - Google Patents
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- JPH049751B2 JPH049751B2 JP59501001A JP50100184A JPH049751B2 JP H049751 B2 JPH049751 B2 JP H049751B2 JP 59501001 A JP59501001 A JP 59501001A JP 50100184 A JP50100184 A JP 50100184A JP H049751 B2 JPH049751 B2 JP H049751B2
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Description
請求の範囲
１ (1) 実質的に同一のセラミツク材料から成る
二個の本体部分１１，１２，３０，４０，４１
であつて、各各他方の本体成分と組合うように
光学的品質に研磨した表面をもつものを用意
し、そして (2) これら本体部分１１，１２，３０，４０，４
１を、それらの前記した表面同志を圧接するこ
とにより組立てる 工程を含む、セラミツク物品を部分パーツから製
造する方法において、 各本体部分１１，１２，３０，４０，４１が少
量のガラス質材料を含むこと、 本体部分１１，１２，３０，４０，４１の少く
とも一個の前記表面上に、セラミツクレーザー導
波管１０を製造するために必要な精確な加工標準
により、一個又はそれより多いくぼみを予め形成
する加工を施すこと、そして 組立てた本体部分を、セラミツクの変形を生じ
そして加工精度を低下させるには不充分な、しか
し本体部分間に真空密封を生じるには充分な、時
間、温度及び圧力で加熱する ことを特徴とする、セラミツク物品の製造方法。
二個の本体部分１１，１２，３０，４０，４１
であつて、各各他方の本体成分と組合うように
光学的品質に研磨した表面をもつものを用意
し、そして (2) これら本体部分１１，１２，３０，４０，４
１を、それらの前記した表面同志を圧接するこ
とにより組立てる 工程を含む、セラミツク物品を部分パーツから製
造する方法において、 各本体部分１１，１２，３０，４０，４１が少
量のガラス質材料を含むこと、 本体部分１１，１２，３０，４０，４１の少く
とも一個の前記表面上に、セラミツクレーザー導
波管１０を製造するために必要な精確な加工標準
により、一個又はそれより多いくぼみを予め形成
する加工を施すこと、そして 組立てた本体部分を、セラミツクの変形を生じ
そして加工精度を低下させるには不充分な、しか
し本体部分間に真空密封を生じるには充分な、時
間、温度及び圧力で加熱する ことを特徴とする、セラミツク物品の製造方法。
２ セラミツク材料がアルミナであり、ガラス質
材料の割合が0.2から12重量％の範囲内にあり、
加熱工程をガラス質含有量に対して適切で1200℃
から1750℃の範囲内の最高温度において行なうこ
とを特徴とする前項１に記載の方法。
材料の割合が0.2から12重量％の範囲内にあり、
加熱工程をガラス質含有量に対して適切で1200℃
から1750℃の範囲内の最高温度において行なうこ
とを特徴とする前項１に記載の方法。
３ ガラス質材料の割合が２から４重量％の範囲
内にあり、組立て工程をガラス質含有量に対して
適切で1350℃から1450℃の範囲内の最高温度にお
いて行なうことを特徴とする前項２に記載の方
法。
内にあり、組立て工程をガラス質含有量に対して
適切で1350℃から1450℃の範囲内の最高温度にお
いて行なうことを特徴とする前項２に記載の方
法。
４ 本体部分１１，１２，３０，４０，４１が、
接合前に位置合せされることにより少くとも一つ
の空洞１８，１９，２０を形成する精確に加工さ
れた対向する表面くぼみをもつことを特徴とする
前各項のいずれかに記載の方法。
接合前に位置合せされることにより少くとも一つ
の空洞１８，１９，２０を形成する精確に加工さ
れた対向する表面くぼみをもつことを特徴とする
前各項のいずれかに記載の方法。
５ 少くとも一個の本体部分１１，１２，３０，
４０，４１に、折れ曲つた空洞１８＋１９＋２０
をなす複数の表面溝を形成することを特徴とする
前各項のいずれかに記載の方法。
４０，４１に、折れ曲つた空洞１８＋１９＋２０
をなす複数の表面溝を形成することを特徴とする
前各項のいずれかに記載の方法。
６ 表面のくぼみ４３，４５，４６が、その両端
において主溝４３，４６を連通する少くとも一個
の補助溝４５を含むことを特徴とする、前項１に
記載の方法。
において主溝４３，４６を連通する少くとも一個
の補助溝４５を含むことを特徴とする、前項１に
記載の方法。
明細書
本発明は排気可能なセラミツク密閉器に関す
る。
る。
排気可能なセラミツク密閉器は例えばレーザー
導波管およびその他の光学的および電子的装置例
えば真空管に必要である。セラミツク製レーザー
導波管は公知であり、セラミツク材料例えばアル
ミナ（Al2O3）中の導波空洞という形のセラミツ
ク密閉器から成つている。満足し得る性能効率を
有するためにはこの導波空洞は縦軸が正確に直線
状で断面積が一定で内面が高度に仕上げられてい
なければならない。さらに導波空洞内においてレ
ーザー作用を達成し維持するためには低圧の特定
の相対比率の混合ガスを内部に有していなければ
ならない。その比率および圧力はその装置の使用
期間中維持されなければならない。これらの規範
はアルミナ製のCO2レーザー導波管の場合に特に
あてはまる。
導波管およびその他の光学的および電子的装置例
えば真空管に必要である。セラミツク製レーザー
導波管は公知であり、セラミツク材料例えばアル
ミナ（Al2O3）中の導波空洞という形のセラミツ
ク密閉器から成つている。満足し得る性能効率を
有するためにはこの導波空洞は縦軸が正確に直線
状で断面積が一定で内面が高度に仕上げられてい
なければならない。さらに導波空洞内においてレ
ーザー作用を達成し維持するためには低圧の特定
の相対比率の混合ガスを内部に有していなければ
ならない。その比率および圧力はその装置の使用
期間中維持されなければならない。これらの規範
はアルミナ製のCO2レーザー導波管の場合に特に
あてはまる。
CO2レーザー導波管の製造のために従来多数の
技術が研究され応用されている。かゝる技術の一
つはアルミナブロツクにレーザー孔を加工するの
に超音波きりを使用することである。直径１−２
mm、長さ250mmの孔を持つたレーザー導波空洞が
作られている。キヤンバー（孔の中央の中心の、
孔の端の中央間の直線からの偏差の孔の長さに対
する比）が10-3以下という直線性が得られてい
る。また孔表面の良好な仕上げと断面積の満足し
得る一定性も、レーザーガス媒体の保持のための
良好な耐漏洩性と共に達成されている。しかしレ
ーザーの出力は孔の長さにほゞ比例して変化し、
孔の加工精度は穿孔長さの増加と共に急速に悪化
する。満足し得る空洞の精度を保持し得る孔の長
さの限度は恐らく350mmを超えず、これは得られ
るレーザー出力の上限を決定する。実際、レーザ
ー空洞に必要な規準にかなつた超音波穿孔はすべ
て時間と費用がかゝるものである。高出力、小型
のレーザーを必要とするある種の用途には折曲げ
通路式導波管構造が望ましいであろうが、これは
孔の整列基準が極めて厳格であるため超音波穿孔
法によつては技術的に実施不可能である。
技術が研究され応用されている。かゝる技術の一
つはアルミナブロツクにレーザー孔を加工するの
に超音波きりを使用することである。直径１−２
mm、長さ250mmの孔を持つたレーザー導波空洞が
作られている。キヤンバー（孔の中央の中心の、
孔の端の中央間の直線からの偏差の孔の長さに対
する比）が10-3以下という直線性が得られてい
る。また孔表面の良好な仕上げと断面積の満足し
得る一定性も、レーザーガス媒体の保持のための
良好な耐漏洩性と共に達成されている。しかしレ
ーザーの出力は孔の長さにほゞ比例して変化し、
孔の加工精度は穿孔長さの増加と共に急速に悪化
する。満足し得る空洞の精度を保持し得る孔の長
さの限度は恐らく350mmを超えず、これは得られ
るレーザー出力の上限を決定する。実際、レーザ
ー空洞に必要な規準にかなつた超音波穿孔はすべ
て時間と費用がかゝるものである。高出力、小型
のレーザーを必要とするある種の用途には折曲げ
通路式導波管構造が望ましいであろうが、これは
孔の整列基準が極めて厳格であるため超音波穿孔
法によつては技術的に実施不可能である。
ふたをした溝の形のセラミツク導波管を製造す
ることも公知である。セラミツク基体内に導波溝
を形成し溝の上にふたをかぶせた後基体とふたと
を締め合せる。この配置は耐漏洩性でなく、導波
空洞と連通するレーザーガス媒体を納めておく、
装置をかこむ真空容器が必要である。励起電極接
続部とレーザー光通路とはこの外部容器を通らね
ばならず、従つて望ましくない複雑でかさばつた
構造となる。
ることも公知である。セラミツク基体内に導波溝
を形成し溝の上にふたをかぶせた後基体とふたと
を締め合せる。この配置は耐漏洩性でなく、導波
空洞と連通するレーザーガス媒体を納めておく、
装置をかこむ真空容器が必要である。励起電極接
続部とレーザー光通路とはこの外部容器を通らね
ばならず、従つて望ましくない複雑でかさばつた
構造となる。
セラミツク部品を結合して複合構造とすること
はよく知られている。土器例えば陶器には、結合
すべき表面を泥漿すなわち、成分粘土の水性懸濁
液で処理して把手等をつけることができる。この
方法は不溶性のセラミツクの場合、または精密な
形状を要求される場合には不適当である。釉また
はセラミツク対金属シールも使用することができ
る。特にAllenおよびBorbidgeはJ.Mat.sci.18
（1983）、2835−2843ページにアルミナ対白金の接
合について記載している。しかし釉およびセラミ
ツク対金属シールは何れも、その結合によつて、
結合される部品間に組成の不均一性または不連続
性を生じ、このため熱膨脹の差による困難と弱点
を生ずるという欠点がある。さらに、特に釉によ
る空洞の作成の場合には、釉材料が接合部から空
洞領域内へ流入するのを防止するのは困難であ
る。セラミツク対金属シールの場合のその他の欠
点は電導性の領域が生じて接合部の電気的絶縁に
影響するという問題である。これらの欠点は、外
部のシール材料で汚染されず電気絶縁性の良い、
精確で真空気密性で光学的に均質な孔を必要とす
るアルミナレーザ導波管の場合に特に重大であ
る。
はよく知られている。土器例えば陶器には、結合
すべき表面を泥漿すなわち、成分粘土の水性懸濁
液で処理して把手等をつけることができる。この
方法は不溶性のセラミツクの場合、または精密な
形状を要求される場合には不適当である。釉また
はセラミツク対金属シールも使用することができ
る。特にAllenおよびBorbidgeはJ.Mat.sci.18
（1983）、2835−2843ページにアルミナ対白金の接
合について記載している。しかし釉およびセラミ
ツク対金属シールは何れも、その結合によつて、
結合される部品間に組成の不均一性または不連続
性を生じ、このため熱膨脹の差による困難と弱点
を生ずるという欠点がある。さらに、特に釉によ
る空洞の作成の場合には、釉材料が接合部から空
洞領域内へ流入するのを防止するのは困難であ
る。セラミツク対金属シールの場合のその他の欠
点は電導性の領域が生じて接合部の電気的絶縁に
影響するという問題である。これらの欠点は、外
部のシール材料で汚染されず電気絶縁性の良い、
精確で真空気密性で光学的に均質な孔を必要とす
るアルミナレーザ導波管の場合に特に重大であ
る。
本発明の目的は排気可能なセラミツク密閉器を
製造する代りの方法を提供することである。
製造する代りの方法を提供することである。
本発明は次の諸工程すなわち
１ 実質的に同一のセラミツク材料から成り、結
合した場合に密閉器の少くとも一部をなす二個
の本体部分を用意し、 ２ 本体部分上の互いに合わさる面を研磨し、そ
して ３ 本体部分の合わさる面をセラミツクの変形温
度以下で熱圧縮することによつて接合して耐ガ
ス漏洩性のシールを達成する 工程を含む、排気可能なセラミツク密閉器の製造
法を提供するものである。
合した場合に密閉器の少くとも一部をなす二個
の本体部分を用意し、 ２ 本体部分上の互いに合わさる面を研磨し、そ
して ３ 本体部分の合わさる面をセラミツクの変形温
度以下で熱圧縮することによつて接合して耐ガ
ス漏洩性のシールを達成する 工程を含む、排気可能なセラミツク密閉器の製造
法を提供するものである。
本明細書においてセラミツクの変形温度とは所
定組成のセラミツクを所定の据付方式で所定圧力
下に所定時間焼成する場合に変形が所定の許容限
度を超える温度として定義される。
定組成のセラミツクを所定の据付方式で所定圧力
下に所定時間焼成する場合に変形が所定の許容限
度を超える温度として定義される。
本発明の方法は密閉器の内部寸法が最大穿孔長
さまたは円形断面によつて限定されないという利
点を有する。本発明によつて製造したセラミツク
導波管は使用中の熱的サイクルによつてあまり低
下しない耐ガス漏洩性を示すことが判明した。さ
らにこの密閉器は化学的、電気的、光学的に均一
である。本発明はまた折曲つた内部空洞を有する
密閉器を提供することができるが、これは穿孔法
によつては製造不可能である。本密閉器は本体部
分の一つに、適当な断面を有するといし車によつ
て溝を彫ることによつて形成される。
さまたは円形断面によつて限定されないという利
点を有する。本発明によつて製造したセラミツク
導波管は使用中の熱的サイクルによつてあまり低
下しない耐ガス漏洩性を示すことが判明した。さ
らにこの密閉器は化学的、電気的、光学的に均一
である。本発明はまた折曲つた内部空洞を有する
密閉器を提供することができるが、これは穿孔法
によつては製造不可能である。本密閉器は本体部
分の一つに、適当な断面を有するといし車によつ
て溝を彫ることによつて形成される。
好ましい一態様においては、セラミツク材料に
は化学的組成を異にする少量のガラス質材料が含
まれる。
は化学的組成を異にする少量のガラス質材料が含
まれる。
セラミツク材料はアルミナであつてよく、排気
可能な密閉器はCO2レーザー導波管であつてよ
い。本密閉器は、二個の本体部分を接合前に位置
合わせした場合に組合さつた溝の断面を持つ孔を
有する密閉器を生ずるように各本体部分上にそれ
ぞれの溝をつくることによつて形成することがで
きる。この様にしてそれぞれの本体部分につくら
れた半円形の溝から円形断面の導波管を形成する
ことができる。
可能な密閉器はCO2レーザー導波管であつてよ
い。本密閉器は、二個の本体部分を接合前に位置
合わせした場合に組合さつた溝の断面を持つ孔を
有する密閉器を生ずるように各本体部分上にそれ
ぞれの溝をつくることによつて形成することがで
きる。この様にしてそれぞれの本体部分につくら
れた半円形の溝から円形断面の導波管を形成する
ことができる。
本体部分は、後に位置合せして結合して、組合
さつた孔を有する本体を形成し得るよう配置され
た複数の溝を有することがでできる。組合さつた
孔は折れ曲つていてよく互いに連結された複数の
個々の孔から成つていてよい。レーザー導波管の
場合、一つの孔から別の孔へ放射エネルギーを反
射するよう適切に配置された鏡が設けられる。鏡
は好ましくは真空に気密なように本体に付着させ
て、導波管の内部に窓を設けることによる光学的
および気密上の難点を防止する。導波孔の縦軸は
同一平面上にあつてよい。
さつた孔を有する本体を形成し得るよう配置され
た複数の溝を有することがでできる。組合さつた
孔は折れ曲つていてよく互いに連結された複数の
個々の孔から成つていてよい。レーザー導波管の
場合、一つの孔から別の孔へ放射エネルギーを反
射するよう適切に配置された鏡が設けられる。鏡
は好ましくは真空に気密なように本体に付着させ
て、導波管の内部に窓を設けることによる光学的
および気密上の難点を防止する。導波孔の縦軸は
同一平面上にあつてよい。
導波管のセラミツク材料はアルミナが便利であ
る。工程２の研磨は表面のあらさが0.015ないし
0.15μmの範囲になるまで行う。本体部分は互い
に接触させ1200゜から1750℃の範囲の温度で熱圧
縮によつて接合することができる。この接合は化
学組成の異るガラス相材料を0.2ないし12％、好
ましくは２ないし４％含有するアルミナ材料を使
用することによつて容易となることが見いだされ
た。
る。工程２の研磨は表面のあらさが0.015ないし
0.15μmの範囲になるまで行う。本体部分は互い
に接触させ1200゜から1750℃の範囲の温度で熱圧
縮によつて接合することができる。この接合は化
学組成の異るガラス相材料を0.2ないし12％、好
ましくは２ないし４％含有するアルミナ材料を使
用することによつて容易となることが見いだされ
た。
本発明の理解をさらに十分なものとするため、
以下その態様を添付図面について説明するが、こ
れは単に例示のためであつて本発明は制限するも
のではない。添付図面において第１図は本発明に
より製造したCO2導波管レーザーの斜視図であ
り、その周辺部品はその附着点から抜出して示し
てある。第２図は第１図の導波管の上部本体部分
を除いた後の平面図である。第３図は外部励起電
極を示すＺ型レーザー導波管の平面図である。そ
して第４図は酸化ベリリウムアルゴンイオンレー
ザー管の二個の本体部分の斜視図である。
以下その態様を添付図面について説明するが、こ
れは単に例示のためであつて本発明は制限するも
のではない。添付図面において第１図は本発明に
より製造したCO2導波管レーザーの斜視図であ
り、その周辺部品はその附着点から抜出して示し
てある。第２図は第１図の導波管の上部本体部分
を除いた後の平面図である。第３図は外部励起電
極を示すＺ型レーザー導波管の平面図である。そ
して第４図は酸化ベリリウムアルゴンイオンレー
ザー管の二個の本体部分の斜視図である。
第１図、第２図について説明すると、CO2レー
ザー導波管を与えるセラミツク密閉器は一般に１
０で示される。導波管１０は上部本体部分１１と
下部本体部分１２とを有している。それらは鎖線
１３で示すように接合されている。導波管１０は
斜面１５および１６を有するくさび形の縦末端部
分１４と、直角のブロツク末端部分１７とを有し
ている。
ザー導波管を与えるセラミツク密閉器は一般に１
０で示される。導波管１０は上部本体部分１１と
下部本体部分１２とを有している。それらは鎖線
１３で示すように接合されている。導波管１０は
斜面１５および１６を有するくさび形の縦末端部
分１４と、直角のブロツク末端部分１７とを有し
ている。
本体部分１０内には受動部分２０で連結された
能動レーザー孔部分１８および１９が形成され、
各孔部分は上部本体部分１１と下部本体部分１２
とをそれぞれ研削して製造した上部および下部半
円形半部分（図には示していない）から成つてい
る。孔１８および１９の縦軸は孔２０の縦軸と直
角に鏡２１および２２の表面上の点で交差してい
る。レーザーの全能動的長さは268mmで孔１８お
よび１９の長さはそれぞれ134mmである。鏡２１
および２２はダイヤモンド研削銅で完全反射性で
ある。これらは孔１８と２０および１９と２０と
の交点をそれぞれ中心とする孔２３および２４上
に斜面１５および１６にシールされている。能動
孔部分１８は導波管の末端部分１７にある第三の
完全反射性鏡によつて閉じられている。能動孔部
分１９は調整可能マウント（図には示していな
い）内の部分反射性鏡によつて閉じられている。
鏡およびマウントは出口パイプ２７を有するガス
のポンピング用ステム２６内に組込まれている。
能動レーザー孔部分１８および１９が形成され、
各孔部分は上部本体部分１１と下部本体部分１２
とをそれぞれ研削して製造した上部および下部半
円形半部分（図には示していない）から成つてい
る。孔１８および１９の縦軸は孔２０の縦軸と直
角に鏡２１および２２の表面上の点で交差してい
る。レーザーの全能動的長さは268mmで孔１８お
よび１９の長さはそれぞれ134mmである。鏡２１
および２２はダイヤモンド研削銅で完全反射性で
ある。これらは孔１８と２０および１９と２０と
の交点をそれぞれ中心とする孔２３および２４上
に斜面１５および１６にシールされている。能動
孔部分１８は導波管の末端部分１７にある第三の
完全反射性鏡によつて閉じられている。能動孔部
分１９は調整可能マウント（図には示していな
い）内の部分反射性鏡によつて閉じられている。
鏡およびマウントは出口パイプ２７を有するガス
のポンピング用ステム２６内に組込まれている。
レーザー孔１８，１９および２０には通常の
CO2レーザー用ガス混合物すなわち16／８／４／
１の割合のHe／CO2／N2／Xeを圧力90トルで充
填してある。各能動レーザー孔に対して３個の直
流励起電極が、孔１８について第１図２８，２９
および３０で示すように設けられている（電極は
第２図には示していない）。
CO2レーザー用ガス混合物すなわち16／８／４／
１の割合のHe／CO2／N2／Xeを圧力90トルで充
填してある。各能動レーザー孔に対して３個の直
流励起電極が、孔１８について第１図２８，２９
および３０で示すように設けられている（電極は
第２図には示していない）。
第１図および第２図に示すCO2レーザー導波管
は次のように組立てた。上部および下部本体部分
１１および１２は6.5mm×20mm×172mmの寸法の２
個の別々のアルミナ片から形成された。アルミナ
中のセラミツクおよびガラス質相の呼称含有量は
それぞれ97％および３％であつた。密度は3.7g・
cm-3で粒子の大さは12μmであつた。それぞれの
基体の表面に半円形エツジを有するといし車によ
つて二本の平行な直径1.5mmの半円形溝を彫つた。
本体部分１１および１２の合わせ面は通常の研
削、ラツピングおよび研磨の技法によつて表面粗
度が0.01から0.15μmの範囲になるまで光学的に研
磨した。次に部分１１および１２を、孔の半断面
のペアがそれぞれ正確に配列された接触させられ
てそれぞれ円形の孔を形成するように重ねた。孔
１８ないし２０の平面に直角に部分１１および１
２を貫通している孔にセラミツクの位置ぎめピン
を挿入した（図には示していない）。上部の本体
部分上に数十グラムの重しを置いて軽い圧力をか
け、次にこの集合体を空気中で1400℃で１時間加
熱した。上部本体部分に十分の重さがあれば重し
は勿論必要ない。レーザー孔１８，１９および２
０をシールした場合、導波管は10-10ミリバー
ル・リツトル・秒-1以上の耐漏洩性があることが
わかつた。これは使用したヘリウム質量分析計漏
洩試験器の感度限界である。さらに、孔の半断面
部分の機械加工の精度は接合工程を通じて維持さ
れるので、断面積、孔の直線性および整列の恒常
性が保持された。
は次のように組立てた。上部および下部本体部分
１１および１２は6.5mm×20mm×172mmの寸法の２
個の別々のアルミナ片から形成された。アルミナ
中のセラミツクおよびガラス質相の呼称含有量は
それぞれ97％および３％であつた。密度は3.7g・
cm-3で粒子の大さは12μmであつた。それぞれの
基体の表面に半円形エツジを有するといし車によ
つて二本の平行な直径1.5mmの半円形溝を彫つた。
本体部分１１および１２の合わせ面は通常の研
削、ラツピングおよび研磨の技法によつて表面粗
度が0.01から0.15μmの範囲になるまで光学的に研
磨した。次に部分１１および１２を、孔の半断面
のペアがそれぞれ正確に配列された接触させられ
てそれぞれ円形の孔を形成するように重ねた。孔
１８ないし２０の平面に直角に部分１１および１
２を貫通している孔にセラミツクの位置ぎめピン
を挿入した（図には示していない）。上部の本体
部分上に数十グラムの重しを置いて軽い圧力をか
け、次にこの集合体を空気中で1400℃で１時間加
熱した。上部本体部分に十分の重さがあれば重し
は勿論必要ない。レーザー孔１８，１９および２
０をシールした場合、導波管は10-10ミリバー
ル・リツトル・秒-1以上の耐漏洩性があることが
わかつた。これは使用したヘリウム質量分析計漏
洩試験器の感度限界である。さらに、孔の半断面
部分の機械加工の精度は接合工程を通じて維持さ
れるので、断面積、孔の直線性および整列の恒常
性が保持された。
直流高圧励起電極は能動レーザー１８および１
９に機械加工した口を介して設けた。原型である
本例においては電極はエポキシ樹脂でシールし
た。後述する一例においては、表面の金属被覆お
よび鑞付け方法について述べる。
９に機械加工した口を介して設けた。原型である
本例においては電極はエポキシ樹脂でシールし
た。後述する一例においては、表面の金属被覆お
よび鑞付け方法について述べる。
３個の固定鏡２１，２２および２５はHe−Ne
レーザー試験システムによつて正確に配列した後
導波管に気密に取付けた。次で調整可能な鏡を組
込んだポンピング用ステムを取付け、排気した後
先に述べた混合ガスを満した。
レーザー試験システムによつて正確に配列した後
導波管に気密に取付けた。次で調整可能な鏡を組
込んだポンピング用ステムを取付け、排気した後
先に述べた混合ガスを満した。
試験のため、レーザーはアルミニウム合金製水
冷脱熱器上に据えた。直流励起によつて能動孔１
８および１９内でレーザー作用を発生させた。孔
１８および１９のそれぞれの三極のうち中央の電
極（例えば孔１８における電極２９）はアース電
位で作動させた。破壊電圧および維持電圧は１メ
ガオームの抵抗を介して孔１８に対する外側の電
極２８および３０ならびに孔１９に対する相当す
る電極（図には示してない）に供給した。
冷脱熱器上に据えた。直流励起によつて能動孔１
８および１９内でレーザー作用を発生させた。孔
１８および１９のそれぞれの三極のうち中央の電
極（例えば孔１８における電極２９）はアース電
位で作動させた。破壊電圧および維持電圧は１メ
ガオームの抵抗を介して孔１８に対する外側の電
極２８および３０ならびに孔１９に対する相当す
る電極（図には示してない）に供給した。
このCO2レーザーにより波長10.6μmにおいて
4.0ワツトの連続波出力が得られた。これは前述
したHe／CO2／N2／Xeの16／８／４／１の割合
の圧力90トルの混合物によつて達成された。各能
動部分１８および１９においては８％出力結合器
により4.5KVで3mAの放電を使用した。測定の
結果は準ガウス型EH11導波モードの出力強度プ
ロフイルで平滑度15％以内の出力形を示した。固
定鏡２１，２２および２５の配列の精度がさらに
高ければさらに高い出力が得られるものと予想さ
れる。運転中レーザーは接合１３の機械的強度も
その本来の真空もいずれもほとんど熱的サイクル
による低下を示さなかつた。
4.0ワツトの連続波出力が得られた。これは前述
したHe／CO2／N2／Xeの16／８／４／１の割合
の圧力90トルの混合物によつて達成された。各能
動部分１８および１９においては８％出力結合器
により4.5KVで3mAの放電を使用した。測定の
結果は準ガウス型EH11導波モードの出力強度プ
ロフイルで平滑度15％以内の出力形を示した。固
定鏡２１，２２および２５の配列の精度がさらに
高ければさらに高い出力が得られるものと予想さ
れる。運転中レーザーは接合１３の機械的強度も
その本来の真空もいずれもほとんど熱的サイクル
による低下を示さなかつた。
アルミナセラミツクの範囲に対する本発明の適
用性を試験するため、種々のセラミツクおよびガ
ラス質アルミナ成分を有するASTM試験片の形
の試験材料を試験した。結果を第１表に示す。３
種の市販アルミナ（商品名デラノツクス）を試験
した。これらは医薬用級品で呼称アルミナ含有量
がそれぞれ99.5％、97.5％、97％でガラス質の呼
称含有量がそれぞれ0.25％、2.5％および３％
（重量）であつた。類似のセラミツク材料例えば
種々のガラス質含量のアルミナも本明細書の目的
に対し実質的に同一材料と考えられる。アルミナ
中のガラス質相は残存不純物と処理加工用添加剤
例えばケイ素、カルシウムおよびマグネシウムの
酸化物との結合によつて生ずる。アルミナ97％お
よび97.5％のアルミナ試験片は最高温度1400℃に
１時間加熱後良好な耐漏洩性シールを生じた。
99.5％アルミナ試験片の接合もより高温の1600℃
に60分間加熱して行つたがその結果接合はある場
合には好結果、ある場合には不良であつた。さら
に99.5％アルミナを1710℃で60分間の接合試験を
行つたところ耐漏洩性の接合を得た。これはガラ
ス質の含有量が少い程接合に高温を必要とするこ
とを示す。好ましい温度範囲は96ないし98％のア
ルミナに対し1350℃ないし1450℃で、これはこの
温度がセラミツクの変形温度より十分低くしかも
これらのアルミナを十分に接合するからである。
99.5％付近の高アルミナ含量材料に対しては好ま
しい温度範囲は1650℃ないし1750℃である。
用性を試験するため、種々のセラミツクおよびガ
ラス質アルミナ成分を有するASTM試験片の形
の試験材料を試験した。結果を第１表に示す。３
種の市販アルミナ（商品名デラノツクス）を試験
した。これらは医薬用級品で呼称アルミナ含有量
がそれぞれ99.5％、97.5％、97％でガラス質の呼
称含有量がそれぞれ0.25％、2.5％および３％
（重量）であつた。類似のセラミツク材料例えば
種々のガラス質含量のアルミナも本明細書の目的
に対し実質的に同一材料と考えられる。アルミナ
中のガラス質相は残存不純物と処理加工用添加剤
例えばケイ素、カルシウムおよびマグネシウムの
酸化物との結合によつて生ずる。アルミナ97％お
よび97.5％のアルミナ試験片は最高温度1400℃に
１時間加熱後良好な耐漏洩性シールを生じた。
99.5％アルミナ試験片の接合もより高温の1600℃
に60分間加熱して行つたがその結果接合はある場
合には好結果、ある場合には不良であつた。さら
に99.5％アルミナを1710℃で60分間の接合試験を
行つたところ耐漏洩性の接合を得た。これはガラ
ス質の含有量が少い程接合に高温を必要とするこ
とを示す。好ましい温度範囲は96ないし98％のア
ルミナに対し1350℃ないし1450℃で、これはこの
温度がセラミツクの変形温度より十分低くしかも
これらのアルミナを十分に接合するからである。
99.5％付近の高アルミナ含量材料に対しては好ま
しい温度範囲は1650℃ないし1750℃である。
【表】
セラミツクが変形する温度はガラス質の含量と
組成、焼成温度、圧力および置き方によつて異な
る。さらに、変形の許容限度従つて容認し得る程
度は必要な精度によつて異なる。従つて、変形温
度は他のパラメータが規定された場合にのみ一定
値である。
組成、焼成温度、圧力および置き方によつて異な
る。さらに、変形の許容限度従つて容認し得る程
度は必要な精度によつて異なる。従つて、変形温
度は他のパラメータが規定された場合にのみ一定
値である。
接合されるアルミナ部品の本来の機械加工精度
を維持するためには99.5％アルミナに対する最高
接合温度は1750℃で、従つて使用する低い圧縮力
に対してはガラス質アルミナ含有量が少くとも
0.2％であることが要求される。97％および97.5
％アルミナ対する最高接合温度はこれにより低い
であろう。ガラス質アルミナ含有量が満足し得る
品質のセラミツクを得られぬ程大きくない限り
1200℃以下では満足な接合が生成する可能性はな
い。従つて好ましい接合温度範囲は1200℃から
1750℃で、この接合温度はガラス質含有量が少い
場合それを補償するようより高温とする。別の方
法として、より長時間加熱するかまたは接合すべ
き部品を押し合せる圧力を大きくすることによつ
て接合を改良することができる。セラミツク技術
に精通する者であれば上述のような簡単な接合試
験を行つて、任意の特定のセラミツク組成に対し
て適当な接合条件を決定するであろう。先に述べ
たように、ガラス質の呼称含有量2.5％および３
％のアルミナは1400℃、60分間の加熱で耐漏洩性
の良好な接合を生じた。特に好ましいガラス質含
量の範囲は２％から４％である。これはこの範囲
ではセラミツクの変形温度より十分低い温度で比
較的容易に接合が行えると共にセラミツクの品質
が比較的高いからである。
を維持するためには99.5％アルミナに対する最高
接合温度は1750℃で、従つて使用する低い圧縮力
に対してはガラス質アルミナ含有量が少くとも
0.2％であることが要求される。97％および97.5
％アルミナ対する最高接合温度はこれにより低い
であろう。ガラス質アルミナ含有量が満足し得る
品質のセラミツクを得られぬ程大きくない限り
1200℃以下では満足な接合が生成する可能性はな
い。従つて好ましい接合温度範囲は1200℃から
1750℃で、この接合温度はガラス質含有量が少い
場合それを補償するようより高温とする。別の方
法として、より長時間加熱するかまたは接合すべ
き部品を押し合せる圧力を大きくすることによつ
て接合を改良することができる。セラミツク技術
に精通する者であれば上述のような簡単な接合試
験を行つて、任意の特定のセラミツク組成に対し
て適当な接合条件を決定するであろう。先に述べ
たように、ガラス質の呼称含有量2.5％および３
％のアルミナは1400℃、60分間の加熱で耐漏洩性
の良好な接合を生じた。特に好ましいガラス質含
量の範囲は２％から４％である。これはこの範囲
ではセラミツクの変形温度より十分低い温度で比
較的容易に接合が行えると共にセラミツクの品質
が比較的高いからである。
アルミナセラミツクにおいてレーザー導波管お
よびその他の電気的およびマイクロウエーブ装置
に必要な物理的性質を得るのに許容されるガラス
質アルミナの最大含有量は12重量％である。これ
よりガラス質の割合が多いとアルミナの品質はレ
ーザー導波管その他の用途に対して不良に過ぎる
ようになる。
よびその他の電気的およびマイクロウエーブ装置
に必要な物理的性質を得るのに許容されるガラス
質アルミナの最大含有量は12重量％である。これ
よりガラス質の割合が多いとアルミナの品質はレ
ーザー導波管その他の用途に対して不良に過ぎる
ようになる。
第１表に示した97.5％および97％の接合された
試験片を接合部を通じて切断してその構造を調べ
た。光学顕微鏡によれば接合は均一で、釉づけま
たは金属被覆法と異つて合わせ面に局限されてい
た。CO2レーザー波長におけるアルミナの光学的
性質によつて導波性が相当に改善されるので、光
学的に均質であることは、アルミナ導波管CO2レ
ーザーにおいて極めて価値が大きい。
試験片を接合部を通じて切断してその構造を調べ
た。光学顕微鏡によれば接合は均一で、釉づけま
たは金属被覆法と異つて合わせ面に局限されてい
た。CO2レーザー波長におけるアルミナの光学的
性質によつて導波性が相当に改善されるので、光
学的に均質であることは、アルミナ導波管CO2レ
ーザーにおいて極めて価値が大きい。
本発明が、セラミツクパウダー技術において圧
密および反応用としてよく知られている熱平衡圧
プレス法とは全く異ることに留意すべきである。
熱プレス法にはセラミツクの変形温度より相当高
い温度と非常な高圧との併用が必要である。アル
ミナの熱プレスには約２キロバールのオーダーの
圧力で約1750℃よりかなり高い温度が必要であろ
う。これに対し本発明は接合すべき面を押し合せ
る軽い圧力だけで実施することができる。さら
に、加熱はセラミツクの変形温度以下で行われ、
これは接合前の機械加工の精度を接合工程後も保
持し得るので大きな利点である。
密および反応用としてよく知られている熱平衡圧
プレス法とは全く異ることに留意すべきである。
熱プレス法にはセラミツクの変形温度より相当高
い温度と非常な高圧との併用が必要である。アル
ミナの熱プレスには約２キロバールのオーダーの
圧力で約1750℃よりかなり高い温度が必要であろ
う。これに対し本発明は接合すべき面を押し合せ
る軽い圧力だけで実施することができる。さら
に、加熱はセラミツクの変形温度以下で行われ、
これは接合前の機械加工の精度を接合工程後も保
持し得るので大きな利点である。
次に第３図について説明すると、これは本発明
により97％アルミナで製造した別のCO2レーザー
３０の外部平面図を示す。レーザー３０は上部本
体部分３１を有する。セラミツク−セラミツク接
合部および下部本体部分は、図の平面に向う方向
で上部本体部分３１に平行でその下にあるので見
ることができない。上記本体部分は外部にきざん
だ溝３２がありこれは金属被覆されてCO2レーザ
ー媒体の無線周波数横励起用の電極を形成する。
下部本体部分はその表面に相補的電極を有してい
る（図には示されていない）。レーザー空洞は溝
３２の直下にあつて電極の金属被覆から１mm厚の
壁を隔てている。溝３２の形から推定し得る通
り、レーザー空洞はＺ形で三個の孔から成つてい
る（図には示されていない）。Ｚの角頂にある一
対の孔は直線３３で示される如く台３４内の鏡
（図には示されていない）の表面に向いあうよう
に配置されている。台３４の一つは真空排気用ス
テム３５を組込んでいる。これらの鏡は第１，２
図で説明した様にレーザー光を一つの孔から、連
結したそれぞれの孔に反射する。レーザー空洞の
両端は台３６内の別の２個の鏡で終つている。上
部本体部分３１に形成された穴３７には接合前に
セラミツクピン３８が挿入されレーザー本体部分
の相互的位置をきめる。
により97％アルミナで製造した別のCO2レーザー
３０の外部平面図を示す。レーザー３０は上部本
体部分３１を有する。セラミツク−セラミツク接
合部および下部本体部分は、図の平面に向う方向
で上部本体部分３１に平行でその下にあるので見
ることができない。上記本体部分は外部にきざん
だ溝３２がありこれは金属被覆されてCO2レーザ
ー媒体の無線周波数横励起用の電極を形成する。
下部本体部分はその表面に相補的電極を有してい
る（図には示されていない）。レーザー空洞は溝
３２の直下にあつて電極の金属被覆から１mm厚の
壁を隔てている。溝３２の形から推定し得る通
り、レーザー空洞はＺ形で三個の孔から成つてい
る（図には示されていない）。Ｚの角頂にある一
対の孔は直線３３で示される如く台３４内の鏡
（図には示されていない）の表面に向いあうよう
に配置されている。台３４の一つは真空排気用ス
テム３５を組込んでいる。これらの鏡は第１，２
図で説明した様にレーザー光を一つの孔から、連
結したそれぞれの孔に反射する。レーザー空洞の
両端は台３６内の別の２個の鏡で終つている。上
部本体部分３１に形成された穴３７には接合前に
セラミツクピン３８が挿入されレーザー本体部分
の相互的位置をきめる。
鏡の台３４および３６は次のようにしてレーザ
ーに附着させる。セラミツクの表面を市販のモリ
ブデンとマンガンの液状懸濁液で被覆してメタラ
イズし1540℃で焼成する。次にメタライズした場
所に電気めつきでニツケルを重ね、各々の台をそ
れぞれの場所にCu／AgまたはCu／Au合金で高
温鑞付によつて接着させる。鏡の台３４および３
６はセラミツクにマツチした熱膨脹係数の金属製
である。アルミナに対してはNi／Fe／Co合金が
適当でかつ市場で入手できる。レーザー３０の全
能動長は約57cmで、電極溝３２の下の領域（図に
は示されていない）である。この長さは従来の超
音波穿孔法で製造し得る長さよりも遥かに長い。
ーに附着させる。セラミツクの表面を市販のモリ
ブデンとマンガンの液状懸濁液で被覆してメタラ
イズし1540℃で焼成する。次にメタライズした場
所に電気めつきでニツケルを重ね、各々の台をそ
れぞれの場所にCu／AgまたはCu／Au合金で高
温鑞付によつて接着させる。鏡の台３４および３
６はセラミツクにマツチした熱膨脹係数の金属製
である。アルミナに対してはNi／Fe／Co合金が
適当でかつ市場で入手できる。レーザー３０の全
能動長は約57cmで、電極溝３２の下の領域（図に
は示されていない）である。この長さは従来の超
音波穿孔法で製造し得る長さよりも遥かに長い。
レーザー孔には接合部があるので（第１図、第
２図参照）、鏡の台３４および３６はこの接合部
を跨ぐ位置に取付けねばならない。高温において
接合部を跨いでメタライジングおよび鑞付を行つ
ても接合部に認め得る変化が生じないことは本発
明の大きな利点である。特に、真空気密性はヘリ
ウム質量分析漏洩試験器で測定して何ら検出し得
る変化を示さなかつた。釉による、またはセラミ
ツク対金属の接合はかゝる処理によつて影響を受
けずにはいないであろう。
２図参照）、鏡の台３４および３６はこの接合部
を跨ぐ位置に取付けねばならない。高温において
接合部を跨いでメタライジングおよび鑞付を行つ
ても接合部に認め得る変化が生じないことは本発
明の大きな利点である。特に、真空気密性はヘリ
ウム質量分析漏洩試験器で測定して何ら検出し得
る変化を示さなかつた。釉による、またはセラミ
ツク対金属の接合はかゝる処理によつて影響を受
けずにはいないであろう。
次に第４図は本発明によつて結合される、一般
に４２で示されるアルゴンイオンレーザー管の上
部および下部本体部分４０および４１を分離して
示す斜視図である。下部本体部分４１はその上面
４４に彫られた半円形の溝または孔部分４３とガ
ス再循環通路となるための補助溝４５とを有して
いる。上部本体部分４０は同様の孔と再循環通路
との構造をその下面に有しその孔構造４６のみが
図面に示されている。本体部分４０および４１は
96％医薬品級酸化ベリリウム（BeO）で残存不
純物と処理加工添加物とから生ずるガラス質の含
量４％である。本体部分４０と４１とは本発明に
従つて接合されてガス再循環溝を有する円形断面
孔を形成することがわかる。既述したように当業
者は簡単な試験を行つて適当な接合条件を定める
ことができる。
に４２で示されるアルゴンイオンレーザー管の上
部および下部本体部分４０および４１を分離して
示す斜視図である。下部本体部分４１はその上面
４４に彫られた半円形の溝または孔部分４３とガ
ス再循環通路となるための補助溝４５とを有して
いる。上部本体部分４０は同様の孔と再循環通路
との構造をその下面に有しその孔構造４６のみが
図面に示されている。本体部分４０および４１は
96％医薬品級酸化ベリリウム（BeO）で残存不
純物と処理加工添加物とから生ずるガラス質の含
量４％である。本体部分４０と４１とは本発明に
従つて接合されてガス再循環溝を有する円形断面
孔を形成することがわかる。既述したように当業
者は簡単な試験を行つて適当な接合条件を定める
ことができる。
アルゴンイオンレーザーを構成する場合従来の
技術では十分に解決し得ていない問題を生ずる。
10ワツト以上の連続出力を有する典型的なアルゴ
ンイオンレーザーの効率は約0.1％で、長さ少く
とも1mで直径２mmの孔において103アンペア／cm2
以上の電流密度を必要とする。初期の装置には水
冷シリカ毛細管が使用されたが、イオン衝撃によ
る浸食、ガスの急速なクリーンアツプ、熱的性質
の不良、および管の破壊のため信頼性に乏しく寿
命が短いことが判明した。酸化ベリリウムはその
熱伝導性が良くレーザー放電によつて生ずる熱の
散逸を容易とするので優れた構造材料である。酸
化ベリリウムを使用したアルゴンイオンレーザー
は寿命が長く、ガスのクリーンアツプ速度が小さ
い。しかし酸化ベリリウム毛細管は十分に長いも
のが得られず、また従来のいかなる機械加工法に
よつても管壁に４５のような一体構造のガス再循
環通路を組込むことはできない。このような通路
は放電電流のポンプ作用によつてレーザーガス媒
体中に生ずる圧力勾配を減少させるために必要で
ある。本体部分４０および４１を釉または金属で
接合することはあまり好ましくない。というのは
接合材料を孔およびガス再循環通路から真空を完
全に維持しながら取除くのは困難だからである。
さらにこのように、異質の材料の組合せはレーザ
ー放電において生ずる熱のため、熱膨脹の差によ
り破壊を引起す応力を生ずる。本発明は４０およ
び４１の如き２個の酸化ベリリウム本体部分を接
合するための比較的簡単な手段を提供するものと
考えられる。
技術では十分に解決し得ていない問題を生ずる。
10ワツト以上の連続出力を有する典型的なアルゴ
ンイオンレーザーの効率は約0.1％で、長さ少く
とも1mで直径２mmの孔において103アンペア／cm2
以上の電流密度を必要とする。初期の装置には水
冷シリカ毛細管が使用されたが、イオン衝撃によ
る浸食、ガスの急速なクリーンアツプ、熱的性質
の不良、および管の破壊のため信頼性に乏しく寿
命が短いことが判明した。酸化ベリリウムはその
熱伝導性が良くレーザー放電によつて生ずる熱の
散逸を容易とするので優れた構造材料である。酸
化ベリリウムを使用したアルゴンイオンレーザー
は寿命が長く、ガスのクリーンアツプ速度が小さ
い。しかし酸化ベリリウム毛細管は十分に長いも
のが得られず、また従来のいかなる機械加工法に
よつても管壁に４５のような一体構造のガス再循
環通路を組込むことはできない。このような通路
は放電電流のポンプ作用によつてレーザーガス媒
体中に生ずる圧力勾配を減少させるために必要で
ある。本体部分４０および４１を釉または金属で
接合することはあまり好ましくない。というのは
接合材料を孔およびガス再循環通路から真空を完
全に維持しながら取除くのは困難だからである。
さらにこのように、異質の材料の組合せはレーザ
ー放電において生ずる熱のため、熱膨脹の差によ
り破壊を引起す応力を生ずる。本発明は４０およ
び４１の如き２個の酸化ベリリウム本体部分を接
合するための比較的簡単な手段を提供するものと
考えられる。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| GB8307571 | 1983-03-18 | ||
| GB838307571A GB8307571D0 (en) | 1983-03-18 | 1983-03-18 | Ceramic waveguides |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60500908A JPS60500908A (ja) | 1985-06-20 |
| JPH049751B2 true JPH049751B2 (ja) | 1992-02-21 |
Family
ID=10539833
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59501001A Granted JPS60500908A (ja) | 1983-03-18 | 1984-02-20 | 排気可能なセラミツク密閉器 |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4662958A (ja) |
| EP (1) | EP0121313B1 (ja) |
| JP (1) | JPS60500908A (ja) |
| CA (1) | CA1243190A (ja) |
| DE (1) | DE3468205D1 (ja) |
| GB (2) | GB8307571D0 (ja) |
| IL (1) | IL71168A (ja) |
| WO (1) | WO1984003695A1 (ja) |
Families Citing this family (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CH665921A5 (en) * | 1985-02-22 | 1988-06-15 | Oerlikon Buehrle Ag | Gas laser with folded cavity - uses 90 deg. prisms or mirrors for reflection of the light-beam |
| US4751715A (en) * | 1986-09-30 | 1988-06-14 | Hughes Aircraft Company | Clustered waveguide laser |
| DE3729053A1 (de) * | 1987-08-31 | 1989-03-16 | Deutsche Forsch Luft Raumfahrt | Hochleistungs-bandleiterlaser |
| GB8723408D0 (en) * | 1987-10-06 | 1987-11-11 | Lilliwyte Sa | Electrolyte separator |
| CH678468A5 (en) * | 1989-04-27 | 1991-09-13 | Oerlikon Buehrle Ag | Mirror adjustment device for gas laser - has mirror carrier supported on bellows with axial and radial adjustment |
| JPH0560242A (ja) * | 1991-08-28 | 1993-03-09 | Japan Atom Energy Res Inst | セラミツクス製真空容器及びその製造方法 |
| JP2500138B2 (ja) * | 1991-12-02 | 1996-05-29 | 日本碍子株式会社 | 細孔付セラミックスの製造方法 |
| US6788722B1 (en) * | 2000-07-10 | 2004-09-07 | Coherent, Inc. | High power waveguide laser |
| US20030010420A1 (en) * | 2001-03-19 | 2003-01-16 | Morrow Clifford E. | Monolithic ceramic laser structure and method of making same |
| US8422528B2 (en) * | 2011-02-24 | 2013-04-16 | Iradion Laser, Inc. | Ceramic slab, free-space and waveguide lasers |
| US10404030B2 (en) * | 2015-02-09 | 2019-09-03 | Iradion Laser, Inc. | Flat-folded ceramic slab lasers |
| CN110590382A (zh) * | 2019-10-16 | 2019-12-20 | 林宗立 | 双镭射烧结陶瓷材料的方法及其烧结设备 |
| JP7344318B2 (ja) * | 2020-01-10 | 2023-09-13 | 京セラ株式会社 | セラミック接合体およびその製造方法ならびに液体クロマトグラフィー用混合部材 |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2756892A (en) * | 1956-07-31 | Bleuze efal | ||
| GB719611A (en) * | 1948-08-30 | 1954-12-08 | Lord President Of The Council | Improvements in or relating to sintered refractory masses |
| GB705003A (en) * | 1951-02-22 | 1954-03-03 | Csf | Vacuum tight joints |
| US3239323A (en) * | 1961-06-28 | 1966-03-08 | Gen Electric | Method for sealing ceramics |
| FR1437680A (fr) * | 1965-03-26 | 1966-05-06 | Cie Generale Electro Ceramique | Procédé de fabrication céramique et produits obtenus |
| FR2148888A5 (ja) * | 1971-08-09 | 1973-03-23 | Pequignot Michel | |
| US3982204A (en) * | 1974-02-11 | 1976-09-21 | Raytheon Company | Laser discharge tube assembly |
| CH635560A5 (en) * | 1978-07-28 | 1983-04-15 | Alusuisse | Method for shear-resistant joining of ceramic mouldings |
| US4241319A (en) * | 1979-02-16 | 1980-12-23 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | Dual channel waveguide gas laser |
-
1983
- 1983-03-18 GB GB838307571A patent/GB8307571D0/en active Pending
-
1984
- 1984-02-20 DE DE8484301076T patent/DE3468205D1/de not_active Expired
- 1984-02-20 JP JP59501001A patent/JPS60500908A/ja active Granted
- 1984-02-20 US US06/673,757 patent/US4662958A/en not_active Expired - Lifetime
- 1984-02-20 WO PCT/GB1984/000049 patent/WO1984003695A1/en not_active Ceased
- 1984-02-20 EP EP84301076A patent/EP0121313B1/en not_active Expired
- 1984-03-06 IL IL71168A patent/IL71168A/xx not_active IP Right Cessation
- 1984-03-09 GB GB08406207A patent/GB2141655B/en not_active Expired
- 1984-03-16 CA CA000449842A patent/CA1243190A/en not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60500908A (ja) | 1985-06-20 |
| US4662958A (en) | 1987-05-05 |
| GB2141655B (en) | 1986-07-23 |
| GB8307571D0 (en) | 1983-04-27 |
| EP0121313A1 (en) | 1984-10-10 |
| EP0121313B1 (en) | 1987-12-23 |
| WO1984003695A1 (en) | 1984-09-27 |
| DE3468205D1 (en) | 1988-02-04 |
| CA1243190A (en) | 1988-10-18 |
| GB8406207D0 (en) | 1984-04-11 |
| IL71168A (en) | 1987-10-30 |
| GB2141655A (en) | 1985-01-03 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |