JPS5865416A - 超音波光変調媒体 - Google Patents
超音波光変調媒体Info
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- JPS5865416A JPS5865416A JP16462881A JP16462881A JPS5865416A JP S5865416 A JPS5865416 A JP S5865416A JP 16462881 A JP16462881 A JP 16462881A JP 16462881 A JP16462881 A JP 16462881A JP S5865416 A JPS5865416 A JP S5865416A
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- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 35
- XJUNRGGMKUAPAP-UHFFFAOYSA-N dioxido(dioxo)molybdenum;lead(2+) Chemical compound [Pb+2].[O-][Mo]([O-])(=O)=O XJUNRGGMKUAPAP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 21
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- RKTYLMNFRDHKIL-UHFFFAOYSA-N copper;5,10,15,20-tetraphenylporphyrin-22,24-diide Chemical compound [Cu+2].C1=CC(C(=C2C=CC([N-]2)=C(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(N=2)=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=C3[N-]2)C=2C=CC=CC=2)=NC1=C3C1=CC=CC=C1 RKTYLMNFRDHKIL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/0009—Materials therefor
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はモリブデン酸鉛単結晶超音波光変調媒体ｉ暴暴
蟲扶に関するものである。
蟲扶に関するものである。
近年レーザーを利用した応用機器例えばレーザープリン
ターの実用化が進んでいる。レーザーグリンター等高分
解能レーザー記録装置のレーザービーム変調器として超
音波光変調器力；用いられる場合が多く、光変調媒体と
して、モリブデン酸鉛単結晶が用いられる場合が多くな
っている。
ターの実用化が進んでいる。レーザーグリンター等高分
解能レーザー記録装置のレーザービーム変調器として超
音波光変調器力；用いられる場合が多く、光変調媒体と
して、モリブデン酸鉛単結晶が用いられる場合が多くな
っている。
モリブデン酸鉛単結晶の結晶構造は第１図に示すように
正方晶形である。ここで、結晶軸［１００）に垂直な２
つの面（１００）間の距離、および結晶軸［０１０：］
に垂直な２つの面（０１０）間の距離は、それぞれ、
５．４３５Ａであり、 ［１００）方向と〔０１０〕方
向は結晶学的に等価である。また［００１）に垂直な（
００１）面間隔は１２，１１０スであ ・る。
正方晶形である。ここで、結晶軸［１００）に垂直な２
つの面（１００）間の距離、および結晶軸［０１０：］
に垂直な２つの面（０１０）間の距離は、それぞれ、
５．４３５Ａであり、 ［１００）方向と〔０１０〕方
向は結晶学的に等価である。また［００１）に垂直な（
００１）面間隔は１２，１１０スであ ・る。
モリブデン酸鉛単結晶を超音波光変調媒体として用いる
場合は、第２図に示すように、超音波光変調媒体１の（
００１）面に振動板２と高周波発振器６を配置し、他側
を吸音体４で支持して。
場合は、第２図に示すように、超音波光変調媒体１の（
００１）面に振動板２と高周波発振器６を配置し、他側
を吸音体４で支持して。
〔００１〕方向を超音波の伝播方向となし、〔１００〕
あるいは結晶学的に同価な［０１０）をレーザー光５０
入射方向として、変調光６を得ている。そのためモリブ
デン酸鉛単結晶に要求される品質としては、 ［１００
〕あるいは〔０１０〕に垂直な面（ｉｏｏ）あるいは（
０１０）を鏡面研磨して、目視あるいはレーザーで観察
を行なった場合、レーザーの散乱原因となる欠陥があっ
てはならない。
あるいは結晶学的に同価な［０１０）をレーザー光５０
入射方向として、変調光６を得ている。そのためモリブ
デン酸鉛単結晶に要求される品質としては、 ［１００
〕あるいは〔０１０〕に垂直な面（ｉｏｏ）あるいは（
０１０）を鏡面研磨して、目視あるいはレーザーで観察
を行なった場合、レーザーの散乱原因となる欠陥があっ
てはならない。
モリブデン酸鉛単結晶は融点が１０６０℃程度で比較的
大形結晶が得られやすい結晶であるが。
大形結晶が得られやすい結晶であるが。
光変調媒体として要求される均質なものを作製すること
はむつかしい。
はむつかしい。
モリブデン酸鉛単結晶育成の際に現われる光の散乱原因
としては、気胞、サブグレインノ（ウンダリー、脈理お
よび固液界面に沿って現われるストリエーションがアル
。
としては、気胞、サブグレインノ（ウンダリー、脈理お
よび固液界面に沿って現われるストリエーションがアル
。
引上軸に垂直な面で観察した場合、気胞は第６図（、）
に示すように結お中央部に現われる場合が多い。サブグ
レインバウンダリーは第３図（ｂ）に示すように結晶周
辺に現われる場合が多い。
に示すように結お中央部に現われる場合が多い。サブグ
レインバウンダリーは第３図（ｂ）に示すように結晶周
辺に現われる場合が多い。
また、脈理は、第６図（Ｃ）に示すように（０１０）面
にほぼ平行に板状に現われる。固液界面に沿って現われ
るストリエーションは引上軸に平行な面で見た場合９例
えば第３図（ｄ）のように現われる。これら散乱原因の
う′ち気胞、サブグレインバウンダリーは育成条件を変
えることにより比較的容易にその発生を抑えることがで
きる。また、固液界面に沿ったストリエーションは、シ
ャフト回転あるいはメルト対流が原因でおこる周期的温
度変化によっておこるとされており。
にほぼ平行に板状に現われる。固液界面に沿って現われ
るストリエーションは引上軸に平行な面で見た場合９例
えば第３図（ｄ）のように現われる。これら散乱原因の
う′ち気胞、サブグレインバウンダリーは育成条件を変
えることにより比較的容易にその発生を抑えることがで
きる。また、固液界面に沿ったストリエーションは、シ
ャフト回転あるいはメルト対流が原因でおこる周期的温
度変化によっておこるとされており。
一般に、その発生を抑えることはむつかしい。
そのため従来のモリブデン酸鉛単結晶・光変調媒体にお
いては、 ［１００）’ｅ引上軸にもつ単結晶を育成し
た場合、 （１００）面内の気胞やサブグレインバウ
ンダリーは容易になくすことはできるが、 （０１０
）面内固液界面のストリエーションになくすことは困難
であるので、散乱原因のない（１００）にレーザーを入
射させるように、即ち引上軸に平行にレーザー入射方向
とするように。
いては、 ［１００）’ｅ引上軸にもつ単結晶を育成し
た場合、 （１００）面内の気胞やサブグレインバウ
ンダリーは容易になくすことはできるが、 （０１０
）面内固液界面のストリエーションになくすことは困難
であるので、散乱原因のない（１００）にレーザーを入
射させるように、即ち引上軸に平行にレーザー入射方向
とするように。
切り出していた。これは単結晶の直径が約６０φ以下の
場合であり、この場合（１００）に現われる脈理も比較
的少ないため光変調媒体としては歩留りの点でも有利で
あった。しかし、モリブデン酸鉛単結晶の直径が約３０
φ以上になると、脈理の発生が多くなる。それ故（１０
０）面を入射面とする従来の光変調媒体では、レーザー
入射面に脈理があるため歩留りを低下させる結果を招い
ている。
場合であり、この場合（１００）に現われる脈理も比較
的少ないため光変調媒体としては歩留りの点でも有利で
あった。しかし、モリブデン酸鉛単結晶の直径が約３０
φ以上になると、脈理の発生が多くなる。それ故（１０
０）面を入射面とする従来の光変調媒体では、レーザー
入射面に脈理があるため歩留りを低下させる結果を招い
ている。
また、大口径化に伴ない、従来から抑えることがむつか
しいとされていた固液界面ス） ＩＪニー７ヨンは散乱
原因としては影響のない程度に抑えることが可能になっ
た。
しいとされていた固液界面ス） ＩＪニー７ヨンは散乱
原因としては影響のない程度に抑えることが可能になっ
た。
本発明の目的は、約３０φ以上の直径を有するモリブデ
ン酸鉛単結晶を用いた歩留りの良い光変調媒体を提供す
るものである。
ン酸鉛単結晶を用いた歩留りの良い光変調媒体を提供す
るものである。
本発明は［１００）の引上軸をもつモリブデン酸鉛単結
晶で（０１０）面をレーザー透過塵としたことを特徴と
するモリブデン酸鉛単結晶光変調媒体である。
晶で（０１０）面をレーザー透過塵としたことを特徴と
するモリブデン酸鉛単結晶光変調媒体である。
以下実施例にて詳細に説明する。
第４図を参照して、 ［１００）の種結晶を用いて引上
げ軸４２が〔１００〕方向になるように育成した直径４
０φのモリブデン酸鉛単結晶から本発明の光変調媒体４
１を切り出す方法を示したものである。単結晶を指定の
寸法に合せ輪切にする。
げ軸４２が〔１００〕方向になるように育成した直径４
０φのモリブデン酸鉛単結晶から本発明の光変調媒体４
１を切り出す方法を示したものである。単結晶を指定の
寸法に合せ輪切にする。
輪切にした単結晶について輪切りにした面即ち（１ｏｏ
）およびそれに垂直な面（０１０）および（ｏｏｉ）を
Ｘ線回折法により面出し全行ないサイコロ状ブロックを
作製する。そして光変調媒体の寸法に合せて（ｏｉｏ）
がレーザー透過面となるように単結晶ブロックを加工す
る。
）およびそれに垂直な面（０１０）および（ｏｏｉ）を
Ｘ線回折法により面出し全行ないサイコロ状ブロックを
作製する。そして光変調媒体の寸法に合せて（ｏｉｏ）
がレーザー透過面となるように単結晶ブロックを加工す
る。
このようにして作製された光変調媒体は単結晶の輪切面
内即ち（１００）内に（０１０）に平行な板状の脈理が
ある場合でも、レーザー光はその板状脈理に垂直に入射
するので脈理による散乱は少ない。１ さらに、゛実施例の光変調媒体に関して光学研磨した状
態でのレーザー入射軸４６が（１００）および［０１０
）の場合の光透過率の測定結果を第１表に示す。
内即ち（１００）内に（０１０）に平行な板状の脈理が
ある場合でも、レーザー光はその板状脈理に垂直に入射
するので脈理による散乱は少ない。１ さらに、゛実施例の光変調媒体に関して光学研磨した状
態でのレーザー入射軸４６が（１００）および［０１０
）の場合の光透過率の測定結果を第１表に示す。
第１表 〔１００〕引上げ単結晶より作製した光変調媒
体の光透過率 ［０１０）軸をレーザー入射軸として選んだ方が特性が
良い光変調媒体であるといえる。さらに［０１０Ｅ軸が
レーザー入射軸とした場合、 （０１０）に無反射コ
ートヲ施し光変調媒体として完成した形での光透過率は
波長４８８ ｎｍで９０％以上あり光変調器として充分
使えるものである。
体の光透過率 ［０１０）軸をレーザー入射軸として選んだ方が特性が
良い光変調媒体であるといえる。さらに［０１０Ｅ軸が
レーザー入射軸とした場合、 （０１０）に無反射コ
ートヲ施し光変調媒体として完成した形での光透過率は
波長４８８ ｎｍで９０％以上あり光変調器として充分
使えるものである。
以上述べたように９本発明は従来除去することが困難と
されていた固液界面ス） ＩＪエニーョンが観察される
べき、引上軸〔１００〕に平行な面（０１０）ｔ−レー
ザー入射面として選び、レーザー入射面に平行に現われ
る板状脈理等による散乱の影響をなくした製造歩留りの
高いモリブデン酸鉛単結晶光変調媒体を得る。
されていた固液界面ス） ＩＪエニーョンが観察される
べき、引上軸〔１００〕に平行な面（０１０）ｔ−レー
ザー入射面として選び、レーザー入射面に平行に現われ
る板状脈理等による散乱の影響をなくした製造歩留りの
高いモリブデン酸鉛単結晶光変調媒体を得る。
第１図はモリブデン酸鉛単結晶の結晶構造を示す。
第２図は超音波光変調器の原理図を示す。
１はモリブデン酸鉛単結晶光変調媒体
２は振動板 ３は高周波発振器 ４は吸音体５けレーザ
ー人射光 ６はレーザー変調光第６図はモリブデン酸鉛
単結晶に現われる各種欠陥を示す。 第４図は９本発明で実施したモリブデン酸鉛単結晶から
の光変調媒体の切り出し方法を示す。 ４１ハモリブデン酸鉛光変調媒体 ４２は引上方向 ４６はレーザー入射方向ゝ＼、 １１３ ′ 第４図
ー人射光 ６はレーザー変調光第６図はモリブデン酸鉛
単結晶に現われる各種欠陥を示す。 第４図は９本発明で実施したモリブデン酸鉛単結晶から
の光変調媒体の切り出し方法を示す。 ４１ハモリブデン酸鉛光変調媒体 ４２は引上方向 ４６はレーザー入射方向ゝ＼、 １１３ ′ 第４図
Claims (1)
- １、 （１００）ｅ引上軸としたモリブデン酸鉛単結
晶からなり、 （０１０１面をレーザー光透過面とした
超音波光変調媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16462881A JPS5865416A (ja) | 1981-10-15 | 1981-10-15 | 超音波光変調媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16462881A JPS5865416A (ja) | 1981-10-15 | 1981-10-15 | 超音波光変調媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5865416A true JPS5865416A (ja) | 1983-04-19 |
| JPS6224772B2 JPS6224772B2 (ja) | 1987-05-29 |
Family
ID=15796809
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16462881A Granted JPS5865416A (ja) | 1981-10-15 | 1981-10-15 | 超音波光変調媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5865416A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0511225A (ja) * | 1991-07-03 | 1993-01-19 | Hamamatsu Photonics Kk | 異種元素を添加した光学結晶とその作製方法、および光学デバイス |
-
1981
- 1981-10-15 JP JP16462881A patent/JPS5865416A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0511225A (ja) * | 1991-07-03 | 1993-01-19 | Hamamatsu Photonics Kk | 異種元素を添加した光学結晶とその作製方法、および光学デバイス |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6224772B2 (ja) | 1987-05-29 |
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