JPH0498708A - 誘電体磁器組成物 - Google Patents
誘電体磁器組成物Info
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- JPH0498708A JPH0498708A JP2214528A JP21452890A JPH0498708A JP H0498708 A JPH0498708 A JP H0498708A JP 2214528 A JP2214528 A JP 2214528A JP 21452890 A JP21452890 A JP 21452890A JP H0498708 A JPH0498708 A JP H0498708A
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- Japan
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- dielectric
- composition
- dielectric ceramic
- capacitance
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は電子機器用固定磁器コンデンサの誘電体磁器組
成物に関するものである。
成物に関するものである。
従来の技術
以下に従来の誘電体磁器組成物について説明する。誘電
体磁器組成物として下記のような系が知られている。
体磁器組成物として下記のような系が知られている。
ＢａＯ−ＴｉＯ２・Ｎｄ２Ｏ３系
ＢａＯ・ＴｉＯ２・Ｓｍ２Ｏ３系
例えば０．０９ＢａＯ−０，５６ＴｉＯ２・０．３５Ｎ
ｄ ０３／２の組成比からなる誘電体磁器組成物を使
用し、誘電体磁器円板を作製し、電気特性および誘電体
磁器の密度を測定して、誘電率・６７゜静電容量温度係
数：Ｎ４０ｐｐｍ ℃、良好度Ｑ： ３０００．絶縁
抵抗、 ８．０ ＜−１０１”Ω、絶縁破壊強度： ３
０ ｋ ｖ、’ｍｎ及び密度 ５．６ ｇ／ｃ＋ｊの値
が得られた。
ｄ ０３／２の組成比からなる誘電体磁器組成物を使
用し、誘電体磁器円板を作製し、電気特性および誘電体
磁器の密度を測定して、誘電率・６７゜静電容量温度係
数：Ｎ４０ｐｐｍ ℃、良好度Ｑ： ３０００．絶縁
抵抗、 ８．０ ＜−１０１”Ω、絶縁破壊強度： ３
０ ｋ ｖ、’ｍｎ及び密度 ５．６ ｇ／ｃ＋ｊの値
が得られた。
発明が解決しようとする課題
しかしながら上記の従来の構成では、誘電体磁器の密度
が小さいので、一般にＬ３．２鴫Ｘ Ｗ １ 、６ ａ
ｍ以下の積層セラミックコンデンサのりフローはんだ付
ケ、特にペーパーリフローはんだ付けではチップ立ち（
通常、ツームストーン現象、マンハッタン現象と呼ばれ
ている。）が発生しやすいという問題点を有していた。
が小さいので、一般にＬ３．２鴫Ｘ Ｗ １ 、６ ａ
ｍ以下の積層セラミックコンデンサのりフローはんだ付
ケ、特にペーパーリフローはんだ付けではチップ立ち（
通常、ツームストーン現象、マンハッタン現象と呼ばれ
ている。）が発生しやすいという問題点を有していた。
本発明は上記従来の問題点を解決するもので、誘電体磁
器の密度を太き（して、リフローはんだ付けにおけるチ
ップ立ちを防ぐチップ部品を得ることができる誘電体磁
器組成物を提供することを目的とする。
器の密度を太き（して、リフローはんだ付けにおけるチ
ップ立ちを防ぐチップ部品を得ることができる誘電体磁
器組成物を提供することを目的とする。
課題を解決するための手段
この課題を解決するために本発明の誘電体磁器組成物は
、−船蔵 ％式％）］ ）］ ｚ Ｒｅ ０３／２で表され、式中ＡｅはＣａもしくは
Ｓｒのアルカリ土金属で、ＲｅはＬａ、Ｐｒ。
、−船蔵 ％式％）］ ）］ ｚ Ｒｅ ０３／２で表され、式中ＡｅはＣａもしくは
Ｓｒのアルカリ土金属で、ＲｅはＬａ、Ｐｒ。
Ｎｄ、Ｓｍから選ばれる一種以上の希土類元素であり、
ＵおよびＶの値が０．０１≦ｕ≦０．３０および０．０
１≦ｖ≦０．２０なる範囲にある組成を有し、かつｘ、
ｙおよびＺはモル比を表し、Ｘ＋ｙ＋ｚ＝１でｘ、ｙ、
ｚの値が第１表に示すａ。
ＵおよびＶの値が０．０１≦ｕ≦０．３０および０．０
１≦ｖ≦０．２０なる範囲にある組成を有し、かつｘ、
ｙおよびＺはモル比を表し、Ｘ＋ｙ＋ｚ＝１でｘ、ｙ、
ｚの値が第１表に示すａ。
ｂ、ｃ、ｄ、ｅ、ｆで囲まれるモル比の範囲にある組成
の構成を有している。
の構成を有している。
（以 下 余 白）
第 １ 表
作用
この構成によって、ＲｅをＬａ、Ｐｒ、Ｎｄ。
Ｓｍから選ぶことにより、Ｌａ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍの順
で静電容量温度係数をプラス方向に移行することとなる
。また、ＢａＯをＣａＯで置換することにより、良好度
Ｑを高（し、絶縁抵抗を大きくすることとなり、ＢａＯ
をＳｒ○で置換することにより、誘電率と良好度Ｑを高
くし、絶縁破壊強度を大きくすることとなる。
で静電容量温度係数をプラス方向に移行することとなる
。また、ＢａＯをＣａＯで置換することにより、良好度
Ｑを高（し、絶縁抵抗を大きくすることとなり、ＢａＯ
をＳｒ○で置換することにより、誘電率と良好度Ｑを高
くし、絶縁破壊強度を大きくすることとなる。
また、ＴｉＯ２を５ｎａ２で置換することにより、誘電
体磁器の密度を大きくすることとなる。
体磁器の密度を大きくすることとなる。
実施例
以下に本発明の一実施例について説明する。
（実施例１）
出発原料には化学的に高純度のＢ ａ Ｃ０３゜Ｃａ
ＣＯ３，Ｔ ｉ ０２． Ｓ ｎｏ２． Ｌ ａ２０３
゜Ｐ ｒ６０１１． Ｎ ｄ２０３およびＳｍ２（ｈ粉
末を第２表に示す組成比になるように秤量し、めのうボ
ールを備えたゴム内張りのボールミルに純水とともに入
れ、湿式混合後、脱水乾燥した。この乾燥粉末を高アル
ミナ質のるつぼに入れ、空気中で１１００℃にて２時間
仮焼した。この仮焼粉末をめのうボールを備えたゴム内
張りのボールミルに純水とともに入れ、湿式粉砕後、脱
水乾燥した。この粉砕粉末に、有機バインダーを加え、
均質とした後、３２メツシユのふるいを通して整粒し、
金型と油圧プレスを用いて成形圧力１ｔｏｎ／ｃ−で直
径１５−２厚み０．４ｍに成形した。次いで、成形円板
をジルコニア粉末を敷いたアルミナ質のさやに入れ、空
気中にて第２表に示す焼成温度で２時間焼成し、第２表
の試料番号１〜１０に示す組成比の誘電体磁器円板を得
た。
ＣＯ３，Ｔ ｉ ０２． Ｓ ｎｏ２． Ｌ ａ２０３
゜Ｐ ｒ６０１１． Ｎ ｄ２０３およびＳｍ２（ｈ粉
末を第２表に示す組成比になるように秤量し、めのうボ
ールを備えたゴム内張りのボールミルに純水とともに入
れ、湿式混合後、脱水乾燥した。この乾燥粉末を高アル
ミナ質のるつぼに入れ、空気中で１１００℃にて２時間
仮焼した。この仮焼粉末をめのうボールを備えたゴム内
張りのボールミルに純水とともに入れ、湿式粉砕後、脱
水乾燥した。この粉砕粉末に、有機バインダーを加え、
均質とした後、３２メツシユのふるいを通して整粒し、
金型と油圧プレスを用いて成形圧力１ｔｏｎ／ｃ−で直
径１５−２厚み０．４ｍに成形した。次いで、成形円板
をジルコニア粉末を敷いたアルミナ質のさやに入れ、空
気中にて第２表に示す焼成温度で２時間焼成し、第２表
の試料番号１〜１０に示す組成比の誘電体磁器円板を得
た。
このようにして得られた誘電体磁器円板は、厚みと直径
と重量を測定し、重量を厚みと直径より算出した体積で
除算して誘電体磁器の密度とした。
と重量を測定し、重量を厚みと直径より算出した体積で
除算して誘電体磁器の密度とした。
誘電率、良好度Ｑ、静電容量温度係数測定用試料は、誘
電体磁器円板の両面全体に銀電極を焼き付け、絶縁抵抗
、絶縁破壊強度測定用試料は誘電体磁器円板の外周より
内側に１＋＋＋＋＋＋の幅で銀電極の無い部分を設け、
銀電極を焼き付けた。そして、誘電率、良好度Ｑ、静電
容量温度係数は、横河ヒユーレット・パラカード■製デ
ジタルＬＣＲメータのモデル４２７５Ａを使用し、測定
温度２０℃、測定電圧１ 、 ＯＶ ｒ ｍ ｓ 、測
定周波数ＩＭＨｚでの測定より求めた。なお、静電容量
温度係数は、２０℃と８５℃の静電容量を測定し、次式
により求めた。
電体磁器円板の両面全体に銀電極を焼き付け、絶縁抵抗
、絶縁破壊強度測定用試料は誘電体磁器円板の外周より
内側に１＋＋＋＋＋＋の幅で銀電極の無い部分を設け、
銀電極を焼き付けた。そして、誘電率、良好度Ｑ、静電
容量温度係数は、横河ヒユーレット・パラカード■製デ
ジタルＬＣＲメータのモデル４２７５Ａを使用し、測定
温度２０℃、測定電圧１ 、 ＯＶ ｒ ｍ ｓ 、測
定周波数ＩＭＨｚでの測定より求めた。なお、静電容量
温度係数は、２０℃と８５℃の静電容量を測定し、次式
により求めた。
ＴＣ−（Ｃ−Ｃｏ）／ＣｏＸ１／６５Ｘ１０６ＴＣ：静
電容量温度係数（ｐｐｍ／℃）Ｃｏ ： ２０℃での静
電容量（ｐＦ＞Ｃ：８５℃での静電容量（ｐＦ） また、誘電率は次式より求めた。
電容量温度係数（ｐｐｍ／℃）Ｃｏ ： ２０℃での静
電容量（ｐＦ＞Ｃ：８５℃での静電容量（ｐＦ） また、誘電率は次式より求めた。
Ｋ＝１４３．８ＸＣｏｘｔ、Ｄ２
Ｋ ：誘電率
Ｃｏ ： ２０℃での静電容量（ｐＦ）Ｄ 、誘電体磁
器の直径（ＩＩＷｌｌ）ｔ ：誘電体磁器の厚み（ｗＬ
ｌ） さらに、絶縁抵抗は、横河ヒユーレット・パラカード■
製ＨＲメータのモデル４３２９Ａを使用し、測定電圧５
０Ｖ、Ｄ、Ｃ，、測定時間１分間による測定より求めた
。
器の直径（ＩＩＷｌｌ）ｔ ：誘電体磁器の厚み（ｗＬ
ｌ） さらに、絶縁抵抗は、横河ヒユーレット・パラカード■
製ＨＲメータのモデル４３２９Ａを使用し、測定電圧５
０Ｖ、Ｄ、Ｃ，、測定時間１分間による測定より求めた
。
そして、絶縁破壊強度は、菊水電子工業■製高電圧電源
ＰＨ８３５に一３形を使用し、試料をシリコンオイル中
に入れ、昇圧速度５０Ｖ／ｓｅｃにより求めた絶縁破壊
電圧を誘電体厚みで除算し、１−当りの絶縁破壊強度と
した。
ＰＨ８３５に一３形を使用し、試料をシリコンオイル中
に入れ、昇圧速度５０Ｖ／ｓｅｃにより求めた絶縁破壊
電圧を誘電体厚みで除算し、１−当りの絶縁破壊強度と
した。
測定結果を試料番号１〜１０別に第３表に示す。
（以下余白）
第１図は本発明にかかる組成物の主成分の組成範囲を示
す三元図であり、主成分の組成範囲を限定した理由を第
１図を参照しながら説明する。すなわち、Ａ領域では焼
結が著しく困難である。また、Ｂ領域では良好度Ｑが低
下し実用的でなくなる。さらに、Ｃ，Ｄ領域では静電容
量温度係数がマイナス側に大きくなりすぎて実用的でな
くなる。そして、Ｅ領域では静電容量温度係数がプラス
方向に移行するが誘電率が小さく実用的でなくなる。ま
た、ＲｅをＬａ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍから選ぶことにより
、Ｌａ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍの順で誘電率を太き（下げる
ことなく静電容量温度係数をプラス方向に移行すること
が可能であり、Ｌａ。
す三元図であり、主成分の組成範囲を限定した理由を第
１図を参照しながら説明する。すなわち、Ａ領域では焼
結が著しく困難である。また、Ｂ領域では良好度Ｑが低
下し実用的でなくなる。さらに、Ｃ，Ｄ領域では静電容
量温度係数がマイナス側に大きくなりすぎて実用的でな
くなる。そして、Ｅ領域では静電容量温度係数がプラス
方向に移行するが誘電率が小さく実用的でなくなる。ま
た、ＲｅをＬａ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍから選ぶことにより
、Ｌａ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍの順で誘電率を太き（下げる
ことなく静電容量温度係数をプラス方向に移行すること
が可能であり、Ｌａ。
Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍの１種あるいは組合せにより静電容量
温度係数の調節が可能である。
温度係数の調節が可能である。
また、ＢａＯをＣａＯで置換することにより誘電率、静
電容量温度係数、絶縁破壊強度の値を太き（変えること
なく、良好度Ｑを向上させ、絶縁抵抗を高くする効果を
有し、その置換率Ｕが０．０１未満では置換効果はなく
、一方０．３０を超えると良好度Ｑ、絶縁抵抗が低下し
、静電容量温度係数もマイナス側に大きくなりすぎ実用
的でなくなる。
電容量温度係数、絶縁破壊強度の値を太き（変えること
なく、良好度Ｑを向上させ、絶縁抵抗を高くする効果を
有し、その置換率Ｕが０．０１未満では置換効果はなく
、一方０．３０を超えると良好度Ｑ、絶縁抵抗が低下し
、静電容量温度係数もマイナス側に大きくなりすぎ実用
的でなくなる。
また、ＴｉＯ２をＳｎＯ２で置換することにより誘電率
、良好層Ｑ、静電容量温度係数、絶縁抵抗、絶縁破壊強
度の値を大きく変えることな（、誘電体磁器の密度を大
きくする効果を有し、その置換率Ｖが０．０１未満では
置換効果はなく、方０．２０を超えると誘電率、良好度
Ｑが低下し、静電容量湿度係数もマイナス側に大きくな
りすぎ実用的でなくなる。
、良好層Ｑ、静電容量温度係数、絶縁抵抗、絶縁破壊強
度の値を大きく変えることな（、誘電体磁器の密度を大
きくする効果を有し、その置換率Ｖが０．０１未満では
置換効果はなく、方０．２０を超えると誘電率、良好度
Ｑが低下し、静電容量湿度係数もマイナス側に大きくな
りすぎ実用的でなくなる。
（実施例２）
実施例１の高純度のＣａＣＯ３粉末に代えて、高純度の
５ｒＣ０３粉末を第４表に示す組成比になるように秤量
し、以降の工程を実施例１と同様に処理して第４表の試
料番号１１〜２０に示す組成比の誘電体磁器円板を得、
実施例１と同様に処理して電気特性および誘電体磁器の
密度を測定した結果を試料番号１１〜２０別に第５表に
示す。
５ｒＣ０３粉末を第４表に示す組成比になるように秤量
し、以降の工程を実施例１と同様に処理して第４表の試
料番号１１〜２０に示す組成比の誘電体磁器円板を得、
実施例１と同様に処理して電気特性および誘電体磁器の
密度を測定した結果を試料番号１１〜２０別に第５表に
示す。
主成分の組成範囲を限定した理由は実施例１と同様であ
るので説明は省略する。
るので説明は省略する。
なお、ＢａＯをＳｒＯで置換することにより、静電容量
温度係数、絶縁抵抗の値を大きく変えることなく、誘電
率と良好度Ｑを高くし、絶縁破壊強度を太き（する効果
を有し、その置換率Ｕが０．０１未満では置換効果はな
く、一方０．３０を超えると絶縁抵抗が低下し、静電容
量温度係数もマイナス側に太き（なり実用的でなくなる
。
温度係数、絶縁抵抗の値を大きく変えることなく、誘電
率と良好度Ｑを高くし、絶縁破壊強度を太き（する効果
を有し、その置換率Ｕが０．０１未満では置換効果はな
く、一方０．３０を超えると絶縁抵抗が低下し、静電容
量温度係数もマイナス側に太き（なり実用的でなくなる
。
なお、実施例における誘電体磁器の作製方法では、Ｂａ
ＣＯ５，ＣａＣＯ３，ＳｒＣＯ３，ＴｉＯ２゜５ｎａ２
．Ｌａ２Ｏ３，Ｐ ｒ６ｏ１１．Ｎｄ２Ｏ３およびＳｍ
２Ｏ３を使用したが、この方法に限定されるものではな
（、所望の組成比になるように、ＢａＴｉＯｓなどの化
合物、あるいは炭酸塩、水酸化物など空気中での加熱に
より、Ｂａｄ、Ｃａｂ、ＳｒＯ。
ＣＯ５，ＣａＣＯ３，ＳｒＣＯ３，ＴｉＯ２゜５ｎａ２
．Ｌａ２Ｏ３，Ｐ ｒ６ｏ１１．Ｎｄ２Ｏ３およびＳｍ
２Ｏ３を使用したが、この方法に限定されるものではな
（、所望の組成比になるように、ＢａＴｉＯｓなどの化
合物、あるいは炭酸塩、水酸化物など空気中での加熱に
より、Ｂａｄ、Ｃａｂ、ＳｒＯ。
Ｔ ｉ ０２．Ｓ ｎ ０２．Ｌ ａ２０３．Ｐ ｒｓ
ｏ＋１．Ｎ ｄ２０３およびＳｍ２Ｏ３となる化合物を
使用しても実施例と同程度の特性を得ることができる。
ｏ＋１．Ｎ ｄ２０３およびＳｍ２Ｏ３となる化合物を
使用しても実施例と同程度の特性を得ることができる。
また、上述の基本組成のほかに、５ｉ０２゜ＭｎＯ：、
Ｆｅ２Ｏ３，Ｚ ｎｏなど一般にフラックスと考えられ
ている塩類、酸化物などを、特性を損なわない範囲で加
えることもできる。
Ｆｅ２Ｏ３，Ｚ ｎｏなど一般にフラックスと考えられ
ている塩類、酸化物などを、特性を損なわない範囲で加
えることもできる。
発明の効果
以上の実施例の説明からも明らかなように本発明は、−
船蔵ｘ ［（ＢａＯ）＋＋−ｕ＋ （Ａｅ○）ｕ］・ｙ
［（Ｔ ｉ ０２）（＋−Ｖ）＜５ｎＯ２）ｖｌｚ
Ｒｅ ０３／２で表され、式中ＡｅはＣａもしくはＳｒ
のアルカリ土金属で、ＲｅはＬａ、Ｐｒ。
船蔵ｘ ［（ＢａＯ）＋＋−ｕ＋ （Ａｅ○）ｕ］・ｙ
［（Ｔ ｉ ０２）（＋−Ｖ）＜５ｎＯ２）ｖｌｚ
Ｒｅ ０３／２で表され、式中ＡｅはＣａもしくはＳｒ
のアルカリ土金属で、ＲｅはＬａ、Ｐｒ。
Ｎｄ、Ｓｍから選ばれる一種以上の希土類元素であり、
ＵおよびＶの値が０．０１≦ｕ≦０．３０および０．０
１≦ｖ≦０．２０なる範囲にある組成を有し、かつｘ、
ｙおよびＺはモル比を表し、Ｘ＋ｙ＋ｚ＝ＩＴ：ｘ、ｙ
、ｚの値が第６表に示すａ。
ＵおよびＶの値が０．０１≦ｕ≦０．３０および０．０
１≦ｖ≦０．２０なる範囲にある組成を有し、かつｘ、
ｙおよびＺはモル比を表し、Ｘ＋ｙ＋ｚ＝ＩＴ：ｘ、ｙ
、ｚの値が第６表に示すａ。
ｂ、ｃ、ｄ、ｅ、ｆで囲まれるモル比の範囲にある組成
を有する誘電体磁器組成物の構成により、密度の大きな
誘電体磁器となり、この誘電体磁器組成物で面実装用の
小形チップ部品を作製するとりフローはんだ付けでのチ
ップ立ちを防いで、実装性の高い製品を得ることができ
、かつ良好度Ｑが高く、絶縁抵抗と絶縁破壊強度が大き
い誘電体磁器を得ることができる優れた誘電体磁器組成
物を実現できるものである。
を有する誘電体磁器組成物の構成により、密度の大きな
誘電体磁器となり、この誘電体磁器組成物で面実装用の
小形チップ部品を作製するとりフローはんだ付けでのチ
ップ立ちを防いで、実装性の高い製品を得ることができ
、かつ良好度Ｑが高く、絶縁抵抗と絶縁破壊強度が大き
い誘電体磁器を得ることができる優れた誘電体磁器組成
物を実現できるものである。
第 ６ 表
第１図は本発明の一実施例の誘電体磁器組成物の主成分
の組成範囲を説明する三元図である。 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 ほか１名区
の組成範囲を説明する三元図である。 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 ほか１名区
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 一般式ｘ［（ＢａＯ）＿（＿１＿−＿Ｕ＿）（ＡｅＯ
）＿ｕ］・ｙ［（ＴｉＯ＿２）＿（＿１＿−＿Ｖ＿）（
ＳｎＯ＿２）＿ｖ］・ｚＲｅＯ＿３＿／＿２で表され、
式中ＡｅはＣａもしくはＳｒのアルカリ土金属で、Ｒｅ
はＬａ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｓｍから選ばれる一種以上の希土
類元素であり、ｕおよびｖの値が０．０１≦ｕ≦０．３
０および０．０１≦ｖ≦０．２０なる範囲にある組成を
有し、かつｘ，ｙおよびｚはモル比を表し、ｘ＋ｙ＋ｚ
＝１でｘ，ｙ，ｚの値が表に示すａ，ｂ，ｃ，ｄ，ｅ，
ｆで囲まれるモル比の範囲にある組成を有する誘電体磁
器組成物。 ▲数式、化学式、表等があります▼
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2214528A JPH0498708A (ja) | 1990-08-13 | 1990-08-13 | 誘電体磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2214528A JPH0498708A (ja) | 1990-08-13 | 1990-08-13 | 誘電体磁器組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0498708A true JPH0498708A (ja) | 1992-03-31 |
Family
ID=16657221
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2214528A Pending JPH0498708A (ja) | 1990-08-13 | 1990-08-13 | 誘電体磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0498708A (ja) |
-
1990
- 1990-08-13 JP JP2214528A patent/JPH0498708A/ja active Pending
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