JPH0498738A - 液体金属イオン源 - Google Patents
液体金属イオン源Info
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- JPH0498738A JPH0498738A JP2213885A JP21388590A JPH0498738A JP H0498738 A JPH0498738 A JP H0498738A JP 2213885 A JP2213885 A JP 2213885A JP 21388590 A JP21388590 A JP 21388590A JP H0498738 A JPH0498738 A JP H0498738A
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Landscapes
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は集束イオンビーム装置および二次イオン質量分
析器等に装着される液体金属イオン源に関する。
析器等に装着される液体金属イオン源に関する。
1986年1日刊工業新聞社発行、日本学術振興会編、
「電子・イオンビームハンドブック」、第二板、第22
4頁から第229頁に記載されているように、液体金属
イオン源では溶融状態に保った液体金属電極に正電圧を
印加するとエミッタ先端の液体金属表面には正電場によ
る負の圧力が生じる。それが表面張力を上回ると液体金
属はティラーコーンと呼ばれる円錐形状に変形する。そ
の先端径が十分に減少してそこでの電場が数十V /
n m程度になると電界蒸発過程により表面から原子は
イオン化して脱離する。
「電子・イオンビームハンドブック」、第二板、第22
4頁から第229頁に記載されているように、液体金属
イオン源では溶融状態に保った液体金属電極に正電圧を
印加するとエミッタ先端の液体金属表面には正電場によ
る負の圧力が生じる。それが表面張力を上回ると液体金
属はティラーコーンと呼ばれる円錐形状に変形する。そ
の先端径が十分に減少してそこでの電場が数十V /
n m程度になると電界蒸発過程により表面から原子は
イオン化して脱離する。
従来技術としては、以上述べた現象を利用して集束イオ
ンビーム装置および二次イオン質量分析器のイオン源と
して液体金属イオン源が利用されている。液体金属イオ
ン源のエミッタにはキャピラリー型とニードル型がある
。前者では内径20μm程度の細管の先端に試料溜から
液体金属を送る必要があるため低融点金属が用いられる
。また液体金属送出のための加圧機構も必要である。後
者は先端径0.5〜]、Oumめ固体金属針をティラー
コーンの下地として用いる。その材料は液体金属でよく
濡れること、およびそれと反応しないことを条件として
選択される。多くの場合にタングステン、ニッケルが用
いられる。ニードル型の方が構造が簡単で高融点金属も
イオン化できるため現在の主流になっている。
ンビーム装置および二次イオン質量分析器のイオン源と
して液体金属イオン源が利用されている。液体金属イオ
ン源のエミッタにはキャピラリー型とニードル型がある
。前者では内径20μm程度の細管の先端に試料溜から
液体金属を送る必要があるため低融点金属が用いられる
。また液体金属送出のための加圧機構も必要である。後
者は先端径0.5〜]、Oumめ固体金属針をティラー
コーンの下地として用いる。その材料は液体金属でよく
濡れること、およびそれと反応しないことを条件として
選択される。多くの場合にタングステン、ニッケルが用
いられる。ニードル型の方が構造が簡単で高融点金属も
イオン化できるため現在の主流になっている。
液体金属イオン源の電界蒸発ては固体の電界蒸発とは異
なってエミッタとなるティラーコーンの先端径は印加電
圧の上昇と共に自動的に減少する。電界蒸発が起こる程
度の高い電界を実現するためには数+nm程度にまで先
端径が減少する必要がある。ニードル型液体金属イオン
源における電流−電圧特性はニードルの形状、その表面
状態、試料溜との位置関係、試料溜の構造等液体金属試
料がティラーコーンに供給される過程の特性、および粘
性抵抗に大きく依存する。そのなめ先端径が減少するに
つれて試料供給過程の特性の影響が顕著になり、電流−
電圧特性に異常が観測されるようになる。それを克服す
るためには試料溜からのニードルの突き出しを短くする
、ニードル表面に清をつける、ニードル先端の円錐角を
大きくするなとして粘性抵抗を低減させることが試みら
れているか効果は充分ではない。そこでこれらの工夫に
加えて、低電界でティラーコーンの先端径が大きく、試
料供給過程の特性、粘性抵抗の影響が著しく現れない状
態で、強度が十分で且つ安定した電界蒸発を実現する液
体金属イオン源か求められている。
なってエミッタとなるティラーコーンの先端径は印加電
圧の上昇と共に自動的に減少する。電界蒸発が起こる程
度の高い電界を実現するためには数+nm程度にまで先
端径が減少する必要がある。ニードル型液体金属イオン
源における電流−電圧特性はニードルの形状、その表面
状態、試料溜との位置関係、試料溜の構造等液体金属試
料がティラーコーンに供給される過程の特性、および粘
性抵抗に大きく依存する。そのなめ先端径が減少するに
つれて試料供給過程の特性の影響が顕著になり、電流−
電圧特性に異常が観測されるようになる。それを克服す
るためには試料溜からのニードルの突き出しを短くする
、ニードル表面に清をつける、ニードル先端の円錐角を
大きくするなとして粘性抵抗を低減させることが試みら
れているか効果は充分ではない。そこでこれらの工夫に
加えて、低電界でティラーコーンの先端径が大きく、試
料供給過程の特性、粘性抵抗の影響が著しく現れない状
態で、強度が十分で且つ安定した電界蒸発を実現する液
体金属イオン源か求められている。
本発明の液体金属イオン源は、針状液体金属電極に正電
圧を印加して該針状液体金属電極の先端近傍より表面の
原子をイオン化して脱離させる際に、該針状液体金属電
極の表面に光を照射する機構を具備することを特徴とし
ている。
圧を印加して該針状液体金属電極の先端近傍より表面の
原子をイオン化して脱離させる際に、該針状液体金属電
極の表面に光を照射する機構を具備することを特徴とし
ている。
電界蒸発の原理は電荷交換モデルで説明されている。第
2図は液体金属電極の表面の原子の電界蒸発を説明する
ための原子間ポテンシャルである。mtmtvはポテン
シャルエネルギー、横軸Rは原子間距離、図中の■は液
体金属電極を構成する元素のイオン化ポテンシャル、φ
はその仕事関数である。液体金属電極の表面Aから表面
原子A3を表面に対して垂直に引き離すときの電気的に
中性状態のポテンシャルは、電界による電子雲の分極の
影響を受けて若干変化するが基本的にその形を変えない
。第2図でU、、Fは電界のある場合の電子基低状態の
ポテンシャルを表す。Ulは脱離する原子の電子が液体
金属電極に移ることで形成される電荷交換状態のポテン
シャルを表す。それは電界とのクーロン相互作用のため
に大きくその形を変える。第2図では電界のある場合の
電荷交換状態のポテンシャルを01’で表す。電界が十
分強いときには電荷交換状態のポテンシャルは電子基底
状態のポテンシャルUfiFとその極小点付近で交差す
る。それらの状態間で電子相関が強い場合には、この交
差はCで表す疑似交差となって電子基底状態(U a’
)から電荷交換状態(u+F>への電子状態量遷移が起
こる。電荷交換状態(U +F)は連続エネルギー状態
であるので表面原子A、はイオン化してA8+の形で表
面から脱離する。
2図は液体金属電極の表面の原子の電界蒸発を説明する
ための原子間ポテンシャルである。mtmtvはポテン
シャルエネルギー、横軸Rは原子間距離、図中の■は液
体金属電極を構成する元素のイオン化ポテンシャル、φ
はその仕事関数である。液体金属電極の表面Aから表面
原子A3を表面に対して垂直に引き離すときの電気的に
中性状態のポテンシャルは、電界による電子雲の分極の
影響を受けて若干変化するが基本的にその形を変えない
。第2図でU、、Fは電界のある場合の電子基低状態の
ポテンシャルを表す。Ulは脱離する原子の電子が液体
金属電極に移ることで形成される電荷交換状態のポテン
シャルを表す。それは電界とのクーロン相互作用のため
に大きくその形を変える。第2図では電界のある場合の
電荷交換状態のポテンシャルを01’で表す。電界が十
分強いときには電荷交換状態のポテンシャルは電子基底
状態のポテンシャルUfiFとその極小点付近で交差す
る。それらの状態間で電子相関が強い場合には、この交
差はCで表す疑似交差となって電子基底状態(U a’
)から電荷交換状態(u+F>への電子状態量遷移が起
こる。電荷交換状態(U +F)は連続エネルギー状態
であるので表面原子A、はイオン化してA8+の形で表
面から脱離する。
エネルギーhνの光30の照射によって電子基底状態の
ポテンシャル(U、’″)から電子励起状態のポテンシ
ャル(U、” )に光励起した場合には、疑似交差(C
)をさらに高エネルギー側の疑似交差(C゛)に移動さ
せることができる。そのときは電界蒸発を可能にする電
界のポテンシャル(U’ )の傾きを小さくすることが
できる。
ポテンシャル(U、’″)から電子励起状態のポテンシ
ャル(U、” )に光励起した場合には、疑似交差(C
)をさらに高エネルギー側の疑似交差(C゛)に移動さ
せることができる。そのときは電界蒸発を可能にする電
界のポテンシャル(U’ )の傾きを小さくすることが
できる。
従って、より一層低い電界での蒸発が可能となる。
それによってティラーコーンの先端径が比較的大きく、
先端への試料の供給が円滑に行われる状態で安定した電
界蒸発を可能とする液体金属イオン源が実現できる。
先端への試料の供給が円滑に行われる状態で安定した電
界蒸発を可能とする液体金属イオン源が実現できる。
以下に液体金属イオン源の一実施例について説明する。
第1図には光照射型液体金属イオン源の略図を示す、液
体金属電極16は絶縁を保って真空容器14の中に設置
される。液体金属電極16にはバイアス電源12により
正のバイアス電圧が印加される。加熱電源11によって
液体金属電極16は通電加熱されて金属の溶融状態を保
つ。バイアス電極15を設けることで効率的にイオンを
引き出し、且つその空間的発散をできるだけ防ぐ。イオ
ンの運動エネルギーは加速電源13から印加する電圧で
決まる。
体金属電極16は絶縁を保って真空容器14の中に設置
される。液体金属電極16にはバイアス電源12により
正のバイアス電圧が印加される。加熱電源11によって
液体金属電極16は通電加熱されて金属の溶融状態を保
つ。バイアス電極15を設けることで効率的にイオンを
引き出し、且つその空間的発散をできるだけ防ぐ。イオ
ンの運動エネルギーは加速電源13から印加する電圧で
決まる。
光は液体金属電極16の斜め方向から光導入窓18を用
いて照射する。真空紫外光の場合には光導入窓18のフ
ランジを利用して真空紫外光の光源および分光系(図示
省略)に真空容器14を接続する。液体金属電極16の
先端から放射状に放出されるイオンはバイアス電8i1
5を通過した後、集束レンズ系17に入ってビーム化さ
れる。
いて照射する。真空紫外光の場合には光導入窓18のフ
ランジを利用して真空紫外光の光源および分光系(図示
省略)に真空容器14を接続する。液体金属電極16の
先端から放射状に放出されるイオンはバイアス電8i1
5を通過した後、集束レンズ系17に入ってビーム化さ
れる。
液体金属試料20としてガリウムを用いた。それを試料
溜19に満たす。ガリウムは融点29゜78℃であるの
で容易に融解する。そのためイオン注入の場合を除いて
は集束イオンビーム装置で最もよく用いられる液体金属
試料である。その−価イオンの蒸発電界は15V/nm
であることが知られている。本発明の液体金属イオン源
を用いて、波長403nm (3,1eV)の色素レー
サー光を照射しながら電界蒸発を観測したところ、蒸発
電界は約52%の8V/nmに低下した。さらにティラ
ーコーン先端への液体金属試料供給の乱れが原因と思わ
れる電流−電圧特性の異常は著しく低下した。
溜19に満たす。ガリウムは融点29゜78℃であるの
で容易に融解する。そのためイオン注入の場合を除いて
は集束イオンビーム装置で最もよく用いられる液体金属
試料である。その−価イオンの蒸発電界は15V/nm
であることが知られている。本発明の液体金属イオン源
を用いて、波長403nm (3,1eV)の色素レー
サー光を照射しながら電界蒸発を観測したところ、蒸発
電界は約52%の8V/nmに低下した。さらにティラ
ーコーン先端への液体金属試料供給の乱れが原因と思わ
れる電流−電圧特性の異常は著しく低下した。
以上説明したように光を照射しながら電界蒸発を行う本
方法によれば、従来の比べて低電界でもイオンの電界放
射が可能となる。これによって液体金属電極の先端径が
比較的大きく、電極先端部への液体金属試料の輸送が従
来に比べて円滑に進む条件で十分なイオン電流が得られ
るようになった。また使用する電源装置も低電圧型でよ
いため、その分電界蒸発を利用した装置が簡便、安価に
なる。
方法によれば、従来の比べて低電界でもイオンの電界放
射が可能となる。これによって液体金属電極の先端径が
比較的大きく、電極先端部への液体金属試料の輸送が従
来に比べて円滑に進む条件で十分なイオン電流が得られ
るようになった。また使用する電源装置も低電圧型でよ
いため、その分電界蒸発を利用した装置が簡便、安価に
なる。
第1図は本発明の液体金属イオン源の概略図、第2図は
電界蒸発の原理を示す図である。 11・・・加熱電源、12・・・バイアス電源、13・
・・加速電源、14・・・真空容器、15・・・バイア
ス電極、16・・・液体金属電極、17・・・集束レン
ズ系、18・・・光導入窓、19・・・試料溜、20・
・・液体金属試料。
電界蒸発の原理を示す図である。 11・・・加熱電源、12・・・バイアス電源、13・
・・加速電源、14・・・真空容器、15・・・バイア
ス電極、16・・・液体金属電極、17・・・集束レン
ズ系、18・・・光導入窓、19・・・試料溜、20・
・・液体金属試料。
Claims (1)
- イオン化すべき液体金属試料を容れる試料溜と、試料溜
内から外に突き出して配置され、かつ、加熱電源に接続
される液体金属電極と、液体金属電極前方に配置された
集束レンズ系と、液体金属電極と集束レンズ系との間に
配置されたバイアス電極とを具備した液体金属イオン源
において、液体金属電極の表面に光を照射する機構を具
備したことを特徴とする液体金属イオン源。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2213885A JPH0498738A (ja) | 1990-08-13 | 1990-08-13 | 液体金属イオン源 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2213885A JPH0498738A (ja) | 1990-08-13 | 1990-08-13 | 液体金属イオン源 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0498738A true JPH0498738A (ja) | 1992-03-31 |
Family
ID=16646631
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2213885A Pending JPH0498738A (ja) | 1990-08-13 | 1990-08-13 | 液体金属イオン源 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0498738A (ja) |
-
1990
- 1990-08-13 JP JP2213885A patent/JPH0498738A/ja active Pending
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