JPH0498748A - イオン注入装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はイオン注入装置に関し、特にイオンビームの走
査機構に関する。

〔従来の技術〕

従来、この種のイオン注入装置は、Ｘ方向、Ｙ方向の偏
向電極に、周波数の異なる三角波形の電圧を印加してイ
オンビームを上下、左右に振って、半導体基板上を均一
に走査するように構成されていた。更に注入イオンを均
一にするために半導体基板を回転させる方法も実施され
ている。

〔発明が解決しようとする課題〕

しかしながら、上述した従来のイオン注入装置は、三角
波形によるイオンビームの走査を行っているので、周波
数の組合せによってビームの走査軌跡がリサージ二図形
を描き、ドーズ量の分布が悪くなるという欠点がある。

又、半導体基板を回転しながら上記のイオン注入を行う
と、イオンビームの走査周波数と回転速度の組合せによ
っても、注入結果が不均一になるという欠点もある。

〔課題を解決するための手段〕

本発明のイオン注入装置は、不純物からなるイオンビー
ムを偏向電極により偏向させて試料基板に注入するイオ
ン注入装置において、イオンビームが同心円を描くよう
に前記偏向電極に振幅変調手段を接続したものである。

〔実施例〕

次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。

第１図は本発明の一実施例の偏向電極近傍の斜視図であ
る。

第１図において、Ｙ方向電極１にはｃｏｓ波ジェネレー
タ６と振幅変調ユニット５からなる振幅変調回路が接続
され、またＸ方向電極２にはｓｉｎ波ジェネレータ７と
振幅変調ユニット５からなる振幅変調回路が接続されて
いる。各振幅変調回路では第２図に示す階段状波形８に
より第３図に示すＶｙ＝Ｖ・ｃｏｓ　（ｔ）とＶＸ＝■
・５ｉｎ（ｔ）の波形が振幅変調され第４図及び第５図
に示す電圧波形となる。

すなわち、第４に示す電圧波形ｖｙ＝ｖ（ｔ）ｃｏｓ　
（ｔ）をＹ方向電極１へ、そして第５図に示す電圧波形
ＶＸ＝Ｖ（ｔ）−ｓｉｎ　（ｔ）をＸ方向電極２にそれ
ぞれ印加することにより、Ｙ方向電極１及びＸ方向電極
２を通過するイオンビームは、半導体基板３上で同心円
状の軌跡を描くようになる。

また、ターゲットの中心から半径方向への分布を均一に
する為、第２図に示したように、階段状波形８のステッ
プタイムはＷｌ　　＜Ｗ２　　＜・・・・・＼ＷＱ、（
Ｗ。となるようにしである。従って、第４、第５図に示
すｃｏｓ波、ｓｉｎ波のステップタイムもＷ′１　＜Ｗ
′２　＜山−＜Ｗ’　ｎ　−１＜ｗ′ｎとなる。

このように本実施例によれば、イオンビームが半導体基
板に同心円状に注入されるため、不純物イオンのドーズ
量の分布は均一なものとなる。

〔発明の効果〕

以上説明したように本発明は、イオンビームを同心円状
に走査させることにより、ドーズ量分布をより均一にす
ることができる効果がある。又、ビームの走査軌跡は同
心円なので、原点対称となり、半導体基板を回転させて
も、ドーズ量の分布は悪くはならない。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例の偏向電極近傍の斜視図、第
２図及び第３図は、振幅変調するための波形図、第４図
及び第５図は実施例の偏向電極に印加する電圧の波形図
である。 １・・・Ｙ方向電極、２・・・Ｘ方向電極、３・・・半
導体基板、４・・・イオンビーム、５・・・振幅変調ユ
ニット、６、−２ｃ　ｏ　ｓ波ジュネレータ、７−ｓｉ
ｎ波ジュネレータ、８・・・階段状波形。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 　不純物からなるイオンビームを偏向電極により偏向さ
   せて試料基板に注入するイオン注入装置において、イオ
   ンビームが同心円を描くように前記偏向電極に振幅変調
   手段を接続したことを特徴とするイオン注入装置。