JPH0498847A - 半導体ウェーハの検査方法 - Google Patents
半導体ウェーハの検査方法Info
- Publication number
- JPH0498847A JPH0498847A JP21609690A JP21609690A JPH0498847A JP H0498847 A JPH0498847 A JP H0498847A JP 21609690 A JP21609690 A JP 21609690A JP 21609690 A JP21609690 A JP 21609690A JP H0498847 A JPH0498847 A JP H0498847A
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- JP
- Japan
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- laser beam
- wafer
- pellet
- coordinates
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- Prior art date
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- Pending
Links
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Landscapes
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体ウェーハの検査方法に関する。
従来の半導体ウェーハの検査方法は、半導体ウェーハ上
に区画したペレット領域に集積回路を形成した半導体ウ
ェーハの外観異常の有無を謂微鐘を用いて肉眼により検
査し、不良ベレフトには人為的にインカーを用いてマー
クを付けていた６〔発明が解決しようとする課題〕 この従来の半導体ウェーハの検査方法は、目視検査や人
為的なマーキングのために、不良ペレットのマーキング
誤りがあったり検査もれが生じ、半導体ウェーハより分
割され、パッケージ後の加熱あるいは加圧、加湿等の試
験（以下信頼性試験と記す）により、ペレットの配線や
電極が腐食したりして配線の断線や短絡が発生する等信
頼性を低下させるという問題点があった。
に区画したペレット領域に集積回路を形成した半導体ウ
ェーハの外観異常の有無を謂微鐘を用いて肉眼により検
査し、不良ベレフトには人為的にインカーを用いてマー
クを付けていた６〔発明が解決しようとする課題〕 この従来の半導体ウェーハの検査方法は、目視検査や人
為的なマーキングのために、不良ペレットのマーキング
誤りがあったり検査もれが生じ、半導体ウェーハより分
割され、パッケージ後の加熱あるいは加圧、加湿等の試
験（以下信頼性試験と記す）により、ペレットの配線や
電極が腐食したりして配線の断線や短絡が発生する等信
頼性を低下させるという問題点があった。
本発明の半導体ウェーハの検査方法は、ステージ上に装
着した半導体ウェーハのペレット領域をレーザビームで
照射し、レーザビームの散乱量により異物や外観異常を
検出し、検出された座標を記憶し、記憶された座標のペ
レット領域に高出力のレーザビームを照射してペレット
の選別時に認識可能なマークを付ける手段を有する。
着した半導体ウェーハのペレット領域をレーザビームで
照射し、レーザビームの散乱量により異物や外観異常を
検出し、検出された座標を記憶し、記憶された座標のペ
レット領域に高出力のレーザビームを照射してペレット
の選別時に認識可能なマークを付ける手段を有する。
コ実施例〕
次に本発明について図面を参照して説明する。
第１図（ａ）、（ｂ）は本発明の一実施例を説明するた
めの工程順に示した模式図である。
めの工程順に示した模式図である。
第１図（ａ＞に示すように、ウェーハ１を精密Ｘ−Ｙ座
標又は精密極座標（以下ｒ−θ座標と示す）が読取れる
ステージ２に装着し、Ｈｅ−Ｎｅレーザー発振器３より
発射されたレーサービーム４をレンズ５を通してウェー
ハ１の表面に上方より照射する。ウェーハ１はステージ
２と共にＸＹ方方向−は、ｒ−θ方向に移動し、ウェー
ハ１上の異物６にレーザービーム４が照射されると、異
物６により反射されたレーザービームは散乱し、ウェー
ハ１の斜め上部に位１する光電子増倍管７により散乱光
が検知され、その時のＸ−Ｙ或いはｒ−θ座標か記憶さ
れる。
標又は精密極座標（以下ｒ−θ座標と示す）が読取れる
ステージ２に装着し、Ｈｅ−Ｎｅレーザー発振器３より
発射されたレーサービーム４をレンズ５を通してウェー
ハ１の表面に上方より照射する。ウェーハ１はステージ
２と共にＸＹ方方向−は、ｒ−θ方向に移動し、ウェー
ハ１上の異物６にレーザービーム４が照射されると、異
物６により反射されたレーザービームは散乱し、ウェー
ハ１の斜め上部に位１する光電子増倍管７により散乱光
が検知され、その時のＸ−Ｙ或いはｒ−θ座標か記憶さ
れる。
次に、第１図（ｂ）に示すように、精密Ｘ−Ｙステージ
８に装着し、記憶された異物６のあるペレットの中央ｆ
寸近に上部から発射されるレーザービーム９が当たる位
置にウェーハ１を精密Ｘ−Ｙステージ８により移動し、
ＹＡＧレーザー発振器１０より発射されたレーザービー
ム９をしンズ１１を通してウェーハ１の表面に集束し、
不良ペレットにマークを付ける。尚、ステージ２が精密
ｒ−θステージの場合はＸ−Ｙ座標に変換して、精密Ｘ
−Ｙステージ８によりウェーハ１を所望の座標位置に移
動する。又、この時の所望の座標位置とは、異物が検知
された位置そのものではなく異物の存在するペレットの
中央付近の座標位置となるように座標変換する。従って
、同一ペレット内に複数が異物が存在しても、それらは
全て同一座標に交換される為、マーキングは同一ペレッ
ト領域では１回となる。
８に装着し、記憶された異物６のあるペレットの中央ｆ
寸近に上部から発射されるレーザービーム９が当たる位
置にウェーハ１を精密Ｘ−Ｙステージ８により移動し、
ＹＡＧレーザー発振器１０より発射されたレーザービー
ム９をしンズ１１を通してウェーハ１の表面に集束し、
不良ペレットにマークを付ける。尚、ステージ２が精密
ｒ−θステージの場合はＸ−Ｙ座標に変換して、精密Ｘ
−Ｙステージ８によりウェーハ１を所望の座標位置に移
動する。又、この時の所望の座標位置とは、異物が検知
された位置そのものではなく異物の存在するペレットの
中央付近の座標位置となるように座標変換する。従って
、同一ペレット内に複数が異物が存在しても、それらは
全て同一座標に交換される為、マーキングは同一ペレッ
ト領域では１回となる。
以上説明したように本発明は、半導体ウェーハ上に設け
たチップ領域の異物や顕著な外観異常をレーザビームを
照射して得られる乱反射を検知して不良ベレットを検出
し、座標を記憶させ、記憶させた座標ペレットを高出力
のレーザビームマーキングすることにより、不良ベレッ
トの検出とマーキンクの対応の誤り含防止し、また、粒
径２μｍ程度の検上＠界までの異物や外観異常を検出で
き、信頼性試験によるペレット内の配線の断線、配線間
のショート、配線材、電極材の腐蝕等を大幅に低減させ
るという効果を有する。
たチップ領域の異物や顕著な外観異常をレーザビームを
照射して得られる乱反射を検知して不良ベレットを検出
し、座標を記憶させ、記憶させた座標ペレットを高出力
のレーザビームマーキングすることにより、不良ベレッ
トの検出とマーキンクの対応の誤り含防止し、また、粒
径２μｍ程度の検上＠界までの異物や外観異常を検出で
き、信頼性試験によるペレット内の配線の断線、配線間
のショート、配線材、電極材の腐蝕等を大幅に低減させ
るという効果を有する。
第１図（ａ）、（ｂ）は、本発明の一実施例を説明する
ための工程順に示した模式図である。 １・・・ウェーハ、２・・・ステージ、３・・・Ｈｅ−
Ｎｅレーザ発振器、４・・レーザビーム、５・・・レン
ズ、６・・・異物、７・・・光電子倍増管、８・・・精
密Ｘ−Ｙステージ、９・・・レーザビーム、１０・・・
ＹＡＧレーザ発振器、１１・・・レンズ。 （ｃＡ） （ｂ） 千１図
ための工程順に示した模式図である。 １・・・ウェーハ、２・・・ステージ、３・・・Ｈｅ−
Ｎｅレーザ発振器、４・・レーザビーム、５・・・レン
ズ、６・・・異物、７・・・光電子倍増管、８・・・精
密Ｘ−Ｙステージ、９・・・レーザビーム、１０・・・
ＹＡＧレーザ発振器、１１・・・レンズ。 （ｃＡ） （ｂ） 千１図
Claims (1)
- ステージ上に装着した半導体ウェーハのペレット領域
を、レーザビームで照射し、レーザビームの散乱量によ
り異物や外観異常を検出し、検出された座標を記憶し、
記憶された座標のペレット領域に高出力のレーザビーム
を照射してペレットの選別時に認識可能なマークを付け
ることを特徴とする半導体ウェーハの検査方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21609690A JPH0498847A (ja) | 1990-08-16 | 1990-08-16 | 半導体ウェーハの検査方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21609690A JPH0498847A (ja) | 1990-08-16 | 1990-08-16 | 半導体ウェーハの検査方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0498847A true JPH0498847A (ja) | 1992-03-31 |
Family
ID=16683186
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21609690A Pending JPH0498847A (ja) | 1990-08-16 | 1990-08-16 | 半導体ウェーハの検査方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0498847A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5818139A (en) * | 1994-07-25 | 1998-10-06 | Daikin Industries, Ltd. | Brushless DC motor |
-
1990
- 1990-08-16 JP JP21609690A patent/JPH0498847A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5818139A (en) * | 1994-07-25 | 1998-10-06 | Daikin Industries, Ltd. | Brushless DC motor |
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