JPH04245660A - 異物検査方法 - Google Patents
異物検査方法Info
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- JPH04245660A JPH04245660A JP1052991A JP1052991A JPH04245660A JP H04245660 A JPH04245660 A JP H04245660A JP 1052991 A JP1052991 A JP 1052991A JP 1052991 A JP1052991 A JP 1052991A JP H04245660 A JPH04245660 A JP H04245660A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 150
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 147
- 238000007689 inspection Methods 0.000 claims abstract description 22
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 18
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 15
- 239000000463 material Substances 0.000 claims 1
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- 238000004886 process control Methods 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
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- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体基板上の異物検
査に関するものである。
査に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体素子の高集積化および大容
量化がすすんでいる。製造工程中に半導体基板上に異物
の付着があると著しく歩留まりが低下するため、これら
の異物の付着原因の解析や工程管理を良好に行うべく、
半導体基板上の異物検査を行うことがあった。従来の異
物検査は、１波長の単波長光を被検査半導体基板の表面
に１方向から照射しながら被検査半導体基板の被検査領
域全面を走査し、この散乱光の強度を検出して異物の検
査を行うものであった。
量化がすすんでいる。製造工程中に半導体基板上に異物
の付着があると著しく歩留まりが低下するため、これら
の異物の付着原因の解析や工程管理を良好に行うべく、
半導体基板上の異物検査を行うことがあった。従来の異
物検査は、１波長の単波長光を被検査半導体基板の表面
に１方向から照射しながら被検査半導体基板の被検査領
域全面を走査し、この散乱光の強度を検出して異物の検
査を行うものであった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の異物検査方法では異物個数とおおよその標準粒子換
算の粒径しか得られなかった。また、異物形状の確認の
ためには、上記異物検査の情報を元に人が目視で検査を
行う以外に方法がなかった。
来の異物検査方法では異物個数とおおよその標準粒子換
算の粒径しか得られなかった。また、異物形状の確認の
ためには、上記異物検査の情報を元に人が目視で検査を
行う以外に方法がなかった。
【０００４】本発明は上記問題を解決するもので、被検
査半導体基板上の異物個数とその位置およびその形状ま
で確認することができる異物検査方法を提供することを
目的とするものである。
査半導体基板上の異物個数とその位置およびその形状ま
で確認することができる異物検査方法を提供することを
目的とするものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記問題を解決するため
に、本発明の第１の手段は、１波長の単波長光を被検査
半導体基板の表面の１点に半導体基板表面に対して低角
度で照射しながら被検査半導体基板の被検査領域全面を
走査する工程と、その散乱光の強度と被検査半導体基板
上の位置とを検出する工程と、前記単波長光に対してほ
ぼ直交する方向から同一波長の光を同じ被検査半導体基
板の表面の１点に半導体基板表面に対して低角度で照射
しながら被検査半導体基板の被検査領域全面を走査する
工程と、その散乱光の強度と被検査半導体基板上の位置
とを検出する工程と、前記２方向からの単波長光の散乱
光の強度と被検査半導体基板上の位置の検出データをデ
ータ上で重ね合わせて被検査半導体基板の表面の異物を
検出する工程とを有するものである。
に、本発明の第１の手段は、１波長の単波長光を被検査
半導体基板の表面の１点に半導体基板表面に対して低角
度で照射しながら被検査半導体基板の被検査領域全面を
走査する工程と、その散乱光の強度と被検査半導体基板
上の位置とを検出する工程と、前記単波長光に対してほ
ぼ直交する方向から同一波長の光を同じ被検査半導体基
板の表面の１点に半導体基板表面に対して低角度で照射
しながら被検査半導体基板の被検査領域全面を走査する
工程と、その散乱光の強度と被検査半導体基板上の位置
とを検出する工程と、前記２方向からの単波長光の散乱
光の強度と被検査半導体基板上の位置の検出データをデ
ータ上で重ね合わせて被検査半導体基板の表面の異物を
検出する工程とを有するものである。
【０００６】また、本発明の第２の手段は、ほぼ直交す
る２方向から１波長の単波長光を被検査半導体基板の表
面の離れた２点に、半導体基板表面に対して低角度で同
時に照射しながら被検査半導体基板の被検査領域全面を
走査する工程と、前記２方向からの単波長光の散乱光の
強度と被検査半導体基板上の位置とを検出する工程と、
前記２方向からの単波長光の散乱光の強度と被検査半導
体基板上の位置の検出データをデータ上で重ね合わせて
被検査半導体基板の表面の異物を検出する工程とを有す
るものである。
る２方向から１波長の単波長光を被検査半導体基板の表
面の離れた２点に、半導体基板表面に対して低角度で同
時に照射しながら被検査半導体基板の被検査領域全面を
走査する工程と、前記２方向からの単波長光の散乱光の
強度と被検査半導体基板上の位置とを検出する工程と、
前記２方向からの単波長光の散乱光の強度と被検査半導
体基板上の位置の検出データをデータ上で重ね合わせて
被検査半導体基板の表面の異物を検出する工程とを有す
るものである。
【０００７】また、本発明の第３の手段は、ほぼ直交す
る２方向から１波長の単波長光を被検査半導体基板の表
面の１点に半導体基板表面に対して低角度で交互に照射
しながら被検査半導体基板の被検査領域全面を走査する
工程と、前記２方向からの単波長光の散乱光の強度と被
検査半導体基板上の位置とを検出する工程と、前記２方
向からの単波長光の散乱光の強度と被検査半導体基板上
の位置の検出データをデータ上で重ね合わせて被検査半
導体基板の表面の異物を検出する工程とを有するもので
ある。
る２方向から１波長の単波長光を被検査半導体基板の表
面の１点に半導体基板表面に対して低角度で交互に照射
しながら被検査半導体基板の被検査領域全面を走査する
工程と、前記２方向からの単波長光の散乱光の強度と被
検査半導体基板上の位置とを検出する工程と、前記２方
向からの単波長光の散乱光の強度と被検査半導体基板上
の位置の検出データをデータ上で重ね合わせて被検査半
導体基板の表面の異物を検出する工程とを有するもので
ある。
【０００８】また、本発明の第４の手段は、２波長のほ
ぼ直交する２波長の単波長光を被検査半導体基板の表面
の１点に、半導体基板表面に対して低角度で同時に照射
しながら被検査半導体基板の被検査領域全面を走査する
工程と、前記２波長の単波長光の散乱光を区別して検出
する工程と、その各々の波長の散乱光の強度により被検
査半導体基板の表面の異物を検出する工程とを有するも
のである。
ぼ直交する２波長の単波長光を被検査半導体基板の表面
の１点に、半導体基板表面に対して低角度で同時に照射
しながら被検査半導体基板の被検査領域全面を走査する
工程と、前記２波長の単波長光の散乱光を区別して検出
する工程と、その各々の波長の散乱光の強度により被検
査半導体基板の表面の異物を検出する工程とを有するも
のである。
【０００９】また、本発明の第５の手段は、１波長の単
波長光を波検査半導体基板の表面の１点に半導体基板表
面に対して低角度で照射しながら半導体基板の被検査領
域全面を走査する工程と、その散乱光の強度と被検査半
導体基板上の位置とを検出する工程と、次に前記被検査
半導体基板の表面の１点を中心としてほぼ９０°に回転
する工程と、前記単波長光を同じ被検査半導体基板の表
面の１点に半導体基板表面に対して角度で照射しながら
被検査半導体基板の被検査領域全面を走査する工程と、
その散乱光の強度と被検査半導体基板上の位置とを検出
する工程と、前記２回の単波長光の散乱光の強度と被検
査半導体基板上の位置の検出データをデータ上で重ね合
わせて被検査半導体基板の表面の異物を検出する工程と
を有するものである。
波長光を波検査半導体基板の表面の１点に半導体基板表
面に対して低角度で照射しながら半導体基板の被検査領
域全面を走査する工程と、その散乱光の強度と被検査半
導体基板上の位置とを検出する工程と、次に前記被検査
半導体基板の表面の１点を中心としてほぼ９０°に回転
する工程と、前記単波長光を同じ被検査半導体基板の表
面の１点に半導体基板表面に対して角度で照射しながら
被検査半導体基板の被検査領域全面を走査する工程と、
その散乱光の強度と被検査半導体基板上の位置とを検出
する工程と、前記２回の単波長光の散乱光の強度と被検
査半導体基板上の位置の検出データをデータ上で重ね合
わせて被検査半導体基板の表面の異物を検出する工程と
を有するものである。
【００１０】
【作用】上記第１および第２の手段により、被検査半導
体基板上の異物の個数およびその位置を確認できるとと
もに、ほぼ直交する２方向の単波長光に対する散乱光の
強度を検光するので、異物のおおよその形状の確認もで
き、自動化も容易である。
体基板上の異物の個数およびその位置を確認できるとと
もに、ほぼ直交する２方向の単波長光に対する散乱光の
強度を検光するので、異物のおおよその形状の確認もで
き、自動化も容易である。
【００１１】また、上記第１および第２の手段の場合、
位置情報をデータ上で重ねるため、位置情報はどうして
も不正確となりがちであるが、第３の手段によれば、ほ
ぼ直交する２方向からの単波長光を被検査半導体基板の
表面の１点に交互に照射するので、異物の位置情報が正
確となる。
位置情報をデータ上で重ねるため、位置情報はどうして
も不正確となりがちであるが、第３の手段によれば、ほ
ぼ直交する２方向からの単波長光を被検査半導体基板の
表面の１点に交互に照射するので、異物の位置情報が正
確となる。
【００１２】また、上記第３の手段の場合、単波長光の
切り替えに要する時間および、交互に照射された光の散
乱光をそれぞれ区別して検出するための時間が必要であ
るため、その分走査スピードを早くできないという短所
があるが、第４の手段によれば２波長の単波長光を同時
に照射して同時に各波長の散乱光を検出するため、スピ
ーディに異物検査を行える。
切り替えに要する時間および、交互に照射された光の散
乱光をそれぞれ区別して検出するための時間が必要であ
るため、その分走査スピードを早くできないという短所
があるが、第４の手段によれば２波長の単波長光を同時
に照射して同時に各波長の散乱光を検出するため、スピ
ーディに異物検査を行える。
【００１３】また、上記第１〜第４の手段では、単波長
光を照射する装置が２方向分、すなわちたとえば２台必
要であるが、第５の手段によれば被検査半導体基板側を
回転させることにより出射装置は１台で済み、設備コス
トを低減できる。
光を照射する装置が２方向分、すなわちたとえば２台必
要であるが、第５の手段によれば被検査半導体基板側を
回転させることにより出射装置は１台で済み、設備コス
トを低減できる。
【００１４】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づき説明す
る。まず、特許請求の範囲における請求項１に対応した
本発明の異物検査方法の第１実施例を図１の（ａ）およ
び（ｂ）を参照しながら説明する。ここで、１は被検査
半導体基板、２、３はスポットサイズ５μｍ、波長６３
２．８ｎｍ のＨｅ−Ｎｅレーザー光である。
る。まず、特許請求の範囲における請求項１に対応した
本発明の異物検査方法の第１実施例を図１の（ａ）およ
び（ｂ）を参照しながら説明する。ここで、１は被検査
半導体基板、２、３はスポットサイズ５μｍ、波長６３
２．８ｎｍ のＨｅ−Ｎｅレーザー光である。
【００１５】まず、図１の（ａ）に示すように、被検査
半導体基板１の表面の１点ａにレーザー光２を、半導体
基板表面となす角度が３０°、被検査半導体基板１のオ
リエンテーションフラット１ａとなす角度が９０°で照
射し、半導体基板１の被検査領域全面をレーザー光２が
走査するように被検査半導体基板１を固定したｘ−ｙス
テージ（図示せず）を移動させてスキャンする。その散
乱光の強度と被検査半導体基板１上の位置とを検出しデ
ータとして記憶させる。
半導体基板１の表面の１点ａにレーザー光２を、半導体
基板表面となす角度が３０°、被検査半導体基板１のオ
リエンテーションフラット１ａとなす角度が９０°で照
射し、半導体基板１の被検査領域全面をレーザー光２が
走査するように被検査半導体基板１を固定したｘ−ｙス
テージ（図示せず）を移動させてスキャンする。その散
乱光の強度と被検査半導体基板１上の位置とを検出しデ
ータとして記憶させる。
【００１６】次に、図１の（ｂ）に示すように、レーザ
ー光２と直交する方向から同一波長のレーザー光３を同
じ被検査半導体基板１の表面の１点ａに、半導体基板表
面となす角度が３０°、被検査半導体基板１のオリエン
テーションフラット１ａとなす角度が０°で照射し、被
検査半導体基板１の被検査領域全面をレーザー光３が走
査するようにｘ−ｙステージを移動させてスキャンする
。同様に、その散乱光の強度と被検査半導体基板１上の
位置とを検出し、データとして記憶させる。
ー光２と直交する方向から同一波長のレーザー光３を同
じ被検査半導体基板１の表面の１点ａに、半導体基板表
面となす角度が３０°、被検査半導体基板１のオリエン
テーションフラット１ａとなす角度が０°で照射し、被
検査半導体基板１の被検査領域全面をレーザー光３が走
査するようにｘ−ｙステージを移動させてスキャンする
。同様に、その散乱光の強度と被検査半導体基板１上の
位置とを検出し、データとして記憶させる。
【００１７】そして、前記２方向からのレーザー光２、
３の散乱光の強度と被検査半導体基板１上の位置の検出
データをデータ上で重ね合わせて被検査半導体基板１の
表面の異物を検出すると同時にその異物形状の判定を行
う。ここで、判定は被検査半導体基板１上の同一位置の
前記２方向からのレーザー光２、３の散乱光の強度に基
づいて行う。たとえば、同一位置におけるレーザー光２
の散乱光の強度が弱いにもかかわらず、レーザー光３の
散乱光の強度が強ければ、被検査半導体基板１のオリエ
ンテーションフラット１ａとなす角度０°の方向に長く
伸びた針状の異物であることがわかる。
３の散乱光の強度と被検査半導体基板１上の位置の検出
データをデータ上で重ね合わせて被検査半導体基板１の
表面の異物を検出すると同時にその異物形状の判定を行
う。ここで、判定は被検査半導体基板１上の同一位置の
前記２方向からのレーザー光２、３の散乱光の強度に基
づいて行う。たとえば、同一位置におけるレーザー光２
の散乱光の強度が弱いにもかかわらず、レーザー光３の
散乱光の強度が強ければ、被検査半導体基板１のオリエ
ンテーションフラット１ａとなす角度０°の方向に長く
伸びた針状の異物であることがわかる。
【００１８】この第１実施例によれば、異物の位置検出
と同時に形状判定が可能となる。さらに、また一方向か
らのレーザー光２の散乱光の強度が弱くそれだけでは異
物と認められない場合ももう一方のレーザー光３の散乱
光の強度が強くなれば異物として検出可能となり、その
結果一方向のレーザー光２、３を用いた場合より検出感
度が高くなる。
と同時に形状判定が可能となる。さらに、また一方向か
らのレーザー光２の散乱光の強度が弱くそれだけでは異
物と認められない場合ももう一方のレーザー光３の散乱
光の強度が強くなれば異物として検出可能となり、その
結果一方向のレーザー光２、３を用いた場合より検出感
度が高くなる。
【００１９】次に、請求項２に対応した本発明の異物検
査方法の第２実施例を図２を参照しながら説明する。図
２に示すように、まず、被検査半導体基板１の表面の１
点ａにスポットサイズ５μｍ、波長６３２．８ｎｍ の
Ｈｅ−Ｎｅレーザー光２を半導体基板表面となす角度が
３０°、半導体基板のオリエンテーションフラット１ａ
となす角度が９０°で照射し、同時に被検査半導体基板
１の表面の１点ａから３インチ離れた点ｂに、レーザー
光２と直交する同一波長のレーザー光３を、半導体基板
表面となす角度３０°、被検査半導体基板１のオリエン
テーションフラット１ａとなす角度が０°で照射し、こ
の状態で被検査半導体基板１の被検査領域全面をレーザ
ー光２、３が走査するようにｘ−ｙステージを移動させ
て被検査半導体基板１をスキャンする。そして、その散
乱光の強度と被検査半導体基板１上の位置とを検出して
データとして記憶させる。
査方法の第２実施例を図２を参照しながら説明する。図
２に示すように、まず、被検査半導体基板１の表面の１
点ａにスポットサイズ５μｍ、波長６３２．８ｎｍ の
Ｈｅ−Ｎｅレーザー光２を半導体基板表面となす角度が
３０°、半導体基板のオリエンテーションフラット１ａ
となす角度が９０°で照射し、同時に被検査半導体基板
１の表面の１点ａから３インチ離れた点ｂに、レーザー
光２と直交する同一波長のレーザー光３を、半導体基板
表面となす角度３０°、被検査半導体基板１のオリエン
テーションフラット１ａとなす角度が０°で照射し、こ
の状態で被検査半導体基板１の被検査領域全面をレーザ
ー光２、３が走査するようにｘ−ｙステージを移動させ
て被検査半導体基板１をスキャンする。そして、その散
乱光の強度と被検査半導体基板１上の位置とを検出して
データとして記憶させる。
【００２０】その後、前記２方向からのレーザー光２、
３の散乱光の強度と被検査半導体基板１上の位置の検出
データをデータ上で重ね合わせて、被検査半導体基板１
の表面の異物を検出すると同時に、その異物形状の判定
も行う。判定は上記第１実施例と同様に行う。この第２
実施例によっても上記第１実施例と同様に、異物の個数
およびその位置を確認できるとともに、異物の形状も判
別できる。
３の散乱光の強度と被検査半導体基板１上の位置の検出
データをデータ上で重ね合わせて、被検査半導体基板１
の表面の異物を検出すると同時に、その異物形状の判定
も行う。判定は上記第１実施例と同様に行う。この第２
実施例によっても上記第１実施例と同様に、異物の個数
およびその位置を確認できるとともに、異物の形状も判
別できる。
【００２１】次に、請求項３に対応した本発明の第３実
施例を図３の（ａ）、（ｂ）に基づいて説明する。まず
、図３の（ａ）に示すように、被検査半導体基板１の表
面の１点ａにスポットサイズ５μｍ、波長６３２．８ｎ
ｍ のＨｅ−Ｎｅレーザー光２を、半導体基板表面とな
す角度が３０°、被検査半導体基板１のオリエンテーシ
ョンフラット１ａとなす角度９０°で照射し、その散乱
光の強度と被検査半導体基板１上の位置とを検出し、デ
ータとして記憶する。
施例を図３の（ａ）、（ｂ）に基づいて説明する。まず
、図３の（ａ）に示すように、被検査半導体基板１の表
面の１点ａにスポットサイズ５μｍ、波長６３２．８ｎ
ｍ のＨｅ−Ｎｅレーザー光２を、半導体基板表面とな
す角度が３０°、被検査半導体基板１のオリエンテーシ
ョンフラット１ａとなす角度９０°で照射し、その散乱
光の強度と被検査半導体基板１上の位置とを検出し、デ
ータとして記憶する。
【００２２】次に、図３の（ｂ）に示すように、被検査
半導体基板１の表面の１点ａに、レーザー光２と直交す
る同一波長のレーザー光３を、半導体基板表面となす角
度が３０°、被検査半導体基板１のオリエンテーション
フラット１ａとなす角度が０°で照射し、その散乱光の
強度と被検査半導体基板１上の位置とを検出し、データ
として記憶させる。この場合に、周波数６０Ｈｚでレー
ザー光２、３を切り替えながらｘ−ｙステージを移動さ
せて被検査半導体基板１の被検査領域全面をスキャンす
る。そして、前記２方向からのレーザー光２、３の散乱
光の強度と被検査半導体基板１上の位置の検出データを
データ上で重ね合わせて被検査半導体基板１の表面の異
物を検出すると同時にその異物形状の判定も行なう。
半導体基板１の表面の１点ａに、レーザー光２と直交す
る同一波長のレーザー光３を、半導体基板表面となす角
度が３０°、被検査半導体基板１のオリエンテーション
フラット１ａとなす角度が０°で照射し、その散乱光の
強度と被検査半導体基板１上の位置とを検出し、データ
として記憶させる。この場合に、周波数６０Ｈｚでレー
ザー光２、３を切り替えながらｘ−ｙステージを移動さ
せて被検査半導体基板１の被検査領域全面をスキャンす
る。そして、前記２方向からのレーザー光２、３の散乱
光の強度と被検査半導体基板１上の位置の検出データを
データ上で重ね合わせて被検査半導体基板１の表面の異
物を検出すると同時にその異物形状の判定も行なう。
【００２３】この第３実施例によれば、２方向のレーザ
ー光２、３を同一点に交互に照射するので、異物の位置
情報がより正確となる。次に、請求項４に対応した本発
明の第４実施例を図４に基づいて説明する。図４に示す
ように、被検査半導体基板１の表面の１点ａにスポット
サイズ５μｍ、波長６３２．８ｎｍ のＨｅ−Ｎｅレー
ザー光２を半導体基板表面となす角度が３０°、半導体
基板のオリエンテーションフラット１ａとなす角度が９
０°で照射し、同時に被検査半導体基板１の表面の同じ
点ａに、レーザー光２と直交する方向から５４８ｎｍ
の異なる波長のＡｒレーザー光４を、半導体基板表面と
なす角度が３０°、被検査半導体基板１のオリエンテー
ションフラット１ａとなす角度０°で照射し、被検査半
導体基板１を固定したｘ−ｙステージを移動させて被検
査半導体基板１の被検査領域全面をスキャンする。次に
、これらの散乱光の強度と被検査半導体基板１上の位置
とを検出し、データとして記憶する。そして、各レーザ
ー光２、４の散乱光の強度と被検査半導体基板１上の位
置の検出データをデータ上で重ね合わせて被検査半導体
基板１の表面の異物を検出すると同時にその異物形状の
判定も行なう。
ー光２、３を同一点に交互に照射するので、異物の位置
情報がより正確となる。次に、請求項４に対応した本発
明の第４実施例を図４に基づいて説明する。図４に示す
ように、被検査半導体基板１の表面の１点ａにスポット
サイズ５μｍ、波長６３２．８ｎｍ のＨｅ−Ｎｅレー
ザー光２を半導体基板表面となす角度が３０°、半導体
基板のオリエンテーションフラット１ａとなす角度が９
０°で照射し、同時に被検査半導体基板１の表面の同じ
点ａに、レーザー光２と直交する方向から５４８ｎｍ
の異なる波長のＡｒレーザー光４を、半導体基板表面と
なす角度が３０°、被検査半導体基板１のオリエンテー
ションフラット１ａとなす角度０°で照射し、被検査半
導体基板１を固定したｘ−ｙステージを移動させて被検
査半導体基板１の被検査領域全面をスキャンする。次に
、これらの散乱光の強度と被検査半導体基板１上の位置
とを検出し、データとして記憶する。そして、各レーザ
ー光２、４の散乱光の強度と被検査半導体基板１上の位
置の検出データをデータ上で重ね合わせて被検査半導体
基板１の表面の異物を検出すると同時にその異物形状の
判定も行なう。
【００２４】この第４実施例によれば、２波長のレーザ
ー光２、４を同時に照射して同時に各波長の散乱光を検
出するため、スピーディに異物検査を行える。最後に、
請求項５に対応した本発明の第５実施例を図５の（ａ）
および（ｂ）に基づいて説明する。図５の（ａ）に示す
ように、まず、被検査半導体基板１の表面の１点ａにス
ポットサイズ５μｍ、波長６３２．８ｎｍ のＨｅ−Ｎ
ｅレーザー光２を、半導体基板表面となす角度が３０°
、被検査半導体基板１のオリエンテーションフラット１
ａとなす角度が９０°で照射し、ｘ−ｙステージを移動
させることにより被検査半導体基板１の被検査領域全面
をレーザー光２を走査させてスキャンする。その散乱光
の強度と被検査半導体基板１上の位置とを検出してデー
タとして記憶させる。
ー光２、４を同時に照射して同時に各波長の散乱光を検
出するため、スピーディに異物検査を行える。最後に、
請求項５に対応した本発明の第５実施例を図５の（ａ）
および（ｂ）に基づいて説明する。図５の（ａ）に示す
ように、まず、被検査半導体基板１の表面の１点ａにス
ポットサイズ５μｍ、波長６３２．８ｎｍ のＨｅ−Ｎ
ｅレーザー光２を、半導体基板表面となす角度が３０°
、被検査半導体基板１のオリエンテーションフラット１
ａとなす角度が９０°で照射し、ｘ−ｙステージを移動
させることにより被検査半導体基板１の被検査領域全面
をレーザー光２を走査させてスキャンする。その散乱光
の強度と被検査半導体基板１上の位置とを検出してデー
タとして記憶させる。
【００２５】この後、被検査半導体基板１を置きかえた
り、ｘ−ｙステージごと回転させたりして、被検査半導
体基板１の表面の点を中心としてこの被検査半導体基板
１を同一平面内で９０° （９０°±５°でも可）回転
させる。
り、ｘ−ｙステージごと回転させたりして、被検査半導
体基板１の表面の点を中心としてこの被検査半導体基板
１を同一平面内で９０° （９０°±５°でも可）回転
させる。
【００２６】次に、図５の（ｂ）に示すように、上記と
同様にレーザー光２を照射して、ｘ−ｙステージを移動
させることにより被検査半導体基板１の被検査領域全面
をスキャンし、その散乱光の強度と被検査半導体基板１
上の位置とを検出してデータとして記憶させる。
同様にレーザー光２を照射して、ｘ−ｙステージを移動
させることにより被検査半導体基板１の被検査領域全面
をスキャンし、その散乱光の強度と被検査半導体基板１
上の位置とを検出してデータとして記憶させる。
【００２７】そして、これら２回のレーザー光２の散乱
光の強度と被検査半導体基板１上の位置の検出データを
データ上で重ね合わせて、被検査半導体基板１の表面の
異物を検出すると同時にその異物形状の判定も行なう。
光の強度と被検査半導体基板１上の位置の検出データを
データ上で重ね合わせて、被検査半導体基板１の表面の
異物を検出すると同時にその異物形状の判定も行なう。
【００２８】この第５実施例によれば、レーザー光２を
一方向だけしか出射しないため、レーザー光出射装置は
１台で済み、設備コストを低減できる。なお、上記全て
の実施例において、レーザー光２、３として波長６３２
．８ｎｍ のＨｅ−Ｎｅレーザー光を用いたが２００ｎ
ｍ 〜８００ｎｍ の１波長の単波長光であれば光源も
波長も問わない。また、半導体基板表面に対するレーザ
ー光２、３の照射角度も１°〜３０°の範囲内で検査可
能である。また、第２実施例におけるレーザー光３照射
点ｂは、レーザー光２照射点ａから約２インチ以上離れ
ていればその被検査半導体基板１の直径範囲内で実施可
能である。さらに、第４実施例におけるレーザー光４も
５４８ｎｍ に限るものではなく、６３２．８ｎｍ の
レーザー光２と明確に区別できる。２００ｎｍ 〜８０
０ｎｍ の範囲内の単波長光であれば、光源も波長も問
わない。
一方向だけしか出射しないため、レーザー光出射装置は
１台で済み、設備コストを低減できる。なお、上記全て
の実施例において、レーザー光２、３として波長６３２
．８ｎｍ のＨｅ−Ｎｅレーザー光を用いたが２００ｎ
ｍ 〜８００ｎｍ の１波長の単波長光であれば光源も
波長も問わない。また、半導体基板表面に対するレーザ
ー光２、３の照射角度も１°〜３０°の範囲内で検査可
能である。また、第２実施例におけるレーザー光３照射
点ｂは、レーザー光２照射点ａから約２インチ以上離れ
ていればその被検査半導体基板１の直径範囲内で実施可
能である。さらに、第４実施例におけるレーザー光４も
５４８ｎｍ に限るものではなく、６３２．８ｎｍ の
レーザー光２と明確に区別できる。２００ｎｍ 〜８０
０ｎｍ の範囲内の単波長光であれば、光源も波長も問
わない。
【００２９】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、２方向
からの単波長光の散乱光の強度と被検査半導体上の位置
の検出データをデータ上で重ね合わせて被検査半導体基
板の表面の異物をを検出することにより、異物の自動検
査を実現できるとともに、従来の人が目視で検査を行う
方法に比べて迅速正確な異物情報を得られて有効な対策
をとることができ、歩留まりの維持向上が容易となる。
からの単波長光の散乱光の強度と被検査半導体上の位置
の検出データをデータ上で重ね合わせて被検査半導体基
板の表面の異物をを検出することにより、異物の自動検
査を実現できるとともに、従来の人が目視で検査を行う
方法に比べて迅速正確な異物情報を得られて有効な対策
をとることができ、歩留まりの維持向上が容易となる。
【００３０】また、２方向の単波長光を交互に照射しな
がら検査を行うことにより、さらに異物の位置情報を正
確に把握できる。また、２波長の単波長光を同時に照射
することにより、検査時間を短縮できて、能率化を図れ
る。
がら検査を行うことにより、さらに異物の位置情報を正
確に把握できる。また、２波長の単波長光を同時に照射
することにより、検査時間を短縮できて、能率化を図れ
る。
【００３１】さらに、被検査半導体基板側を回転させる
ことにより、より少ない設備費で異物検査を行える。
ことにより、より少ない設備費で異物検査を行える。
【図１】本発明の異物検査方法の第１実施例を工程順に
示した平面図である。
示した平面図である。
【図２】本発明の異物検査方法の第２実施例を示した平
面図である。
面図である。
【図３】本発明の異物検査方法の第３実施例を工程順に
示した平面図である。
示した平面図である。
【図４】本発明の異物検査方法の第４実施例を示した平
面図である。
面図である。
【図５】本発明の異物検査方法の第５実施例を工程順に
示した平面図である。
示した平面図である。
１ 被検査半導体基板２、３、
４ レーザー光
４ レーザー光
Claims (5)
- 【請求項１】 １波長の単波長光を被検査半導体基板
の表面の１点に半導体基板表面に対して低角度で照射し
ながら被検査半導体基板の被検査領域全面を走査する工
程と、その散乱光の強度と被検査半導体基板上の位置と
を検出する工程と、前記単波長光に対してほぼ直交する
方向から同一波長の光を同じ被検査半導体基板の表面の
１点に半導体基板表面に対して低角度で照射しながら被
検査半導体基板の被検査領域全面を走査する工程と、そ
の散乱光の強度と被検査半導体基板上の位置とを検出す
る工程と、前記２方向からの単波長光の散乱光の強度と
被検査半導体基板上の位置の検出データをデータ上で重
ね合わせて被検査半導体基板の表面の異物を検出する工
程とを有する異物検査方法。 - 【請求項２】 ほぼ直交する２方向から１波長の単波
長光を被検査半導体基板の表面の離れた２点に、半導体
基板表面に対して低角度で同時に照射しながら被検査半
導体基板の被検査領域全面を走査する工程と、前記２方
向からの単波長光の散乱光の強度と被検査半導体基板上
の位置とを検出する工程と、前記２方向からの単波長光
の散乱光の強度と被検査半導体基板上の位置の検出デー
タをデータ上で重ね合わせて被検査半導体基板の表面の
異物を検出する工程とを有する異物検査方法。 - 【請求項３】 ほぼ直交する２方向から１波長の単波
長光を被検査半導体基板の表面の１点に半導体基板表面
に対して低角度で交互に照射しながら被検査半導体基板
の被検査領域全面を走査する工程と、前記２方向からの
単波長光の散乱光の強度と被検査半導体基板上の位置と
を検出する工程と、前記２方向からの単波長光の散乱光
の強度と被検査半導体基板上の位置の検出データをデー
タ上で重ね合わせて被検査半導体基板の表面の異物を検
出する工程とを有する異物検査方法。 - 【請求項４】 ２波長のほぼ直交する単波長光を被検
査半導体基板の表面の１点に、半導体基板表面に対して
低角度で同時に照射しながら被検査半導体基板の被検査
領域全面を走査する工程と、前記２波長の単波長光の散
乱光を区別して検出する工程と、その各々の波長の散乱
光の強度により被検査半導体基板の表面の異物を検出す
る工程とを有する異物検査方法。 - 【請求項５】 １波長の単波長光を被検査半導体基板
の表面の１点に半導体基板表面に対して低角度で照射し
ながら被検査半導体基板の被検査領域全面を走査する工
程と、その散乱光の強度と被検査半導体基板上の位置と
を検出する工程と、次に前記被検査半導体基板の表面の
１点を中心としてほぼ９０°に回転する工程と、前記単
波長光を同じ被検査半導体基板の表面の１点に半導体基
板表面に対して低角度で照射しながら被検査半導体基板
の被検査領域全面を走査する工程と、その散乱光の強度
と被検査半導体基板上の位置とを検出する工程と、前記
２回の単波長光の散乱光の強度と被検査半導体基板上の
位置の検出データをデータ上で重ね合わせて被検査半導
体基板の表面の異物を検出する工程とを有する異物検査
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1052991A JPH04245660A (ja) | 1991-01-31 | 1991-01-31 | 異物検査方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1052991A JPH04245660A (ja) | 1991-01-31 | 1991-01-31 | 異物検査方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04245660A true JPH04245660A (ja) | 1992-09-02 |
Family
ID=11752782
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1052991A Pending JPH04245660A (ja) | 1991-01-31 | 1991-01-31 | 異物検査方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04245660A (ja) |
-
1991
- 1991-01-31 JP JP1052991A patent/JPH04245660A/ja active Pending
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