JPH0499051A - フィルムキャリァ実装構造体 - Google Patents
フィルムキャリァ実装構造体Info
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- JPH0499051A JPH0499051A JP2208598A JP20859890A JPH0499051A JP H0499051 A JPH0499051 A JP H0499051A JP 2208598 A JP2208598 A JP 2208598A JP 20859890 A JP20859890 A JP 20859890A JP H0499051 A JPH0499051 A JP H0499051A
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- Japan
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- metal foil
- semiconductor chip
- film carrier
- substrate
- mounting structure
- Prior art date
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/731—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors
- H10W90/734—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors between a chip and a stacked insulating package substrate, interposer or RDL
Landscapes
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は電子機器の半導体装に使用するフィルムキャリ
ア実装構造体に関し、とくに半導体チップの放熱構造の
改良に関する。
ア実装構造体に関し、とくに半導体チップの放熱構造の
改良に関する。
従来の技術
近年、フィルムキャリアパッケージは電子機器の小形化
、薄形化の実装技術として広く使用されている。
、薄形化の実装技術として広く使用されている。
以下に従来のフィルムキャリア実装構造体について説明
する。
する。
第２図は従来のフィルムキャリアパッケージの基板への
実装状態における断面図を示すものである。
実装状態における断面図を示すものである。
第２図において、３０は半導体チップ、３１はフィルム
キャリア、３２はインナーリード、３３は導体、３４は
基板への接続をするアウターリード、３５は半導体チッ
プ３ｏの表面保護樹脂、３６はフィルムキャリアパッケ
ージの保護コート樹脂、３７は基板である。
キャリア、３２はインナーリード、３３は導体、３４は
基板への接続をするアウターリード、３５は半導体チッ
プ３ｏの表面保護樹脂、３６はフィルムキャリアパッケ
ージの保護コート樹脂、３７は基板である。
第３図は第２図のフィルムキャリアパッケージに放熱フ
ィンを取り付けた実装構造図を示し、３８はその放熱フ
ィン、３９は熱伝導樹脂である。
ィンを取り付けた実装構造図を示し、３８はその放熱フ
ィン、３９は熱伝導樹脂である。
以上のように構成されたフィルムキャリア実装構造体に
ついて、以下その放熱動作について説明する。
ついて、以下その放熱動作について説明する。
半導体チップ３ｏで発生した熱は大別して３通シの熱伝
導によって放熱される。第１は半導体チップ３ｏから保
護コート樹脂３６を介して空気中に熱伝導される。第２
は半導体チップ３０に接続したインナーリード３２．導
体３３．アウターリード３４を介して基板の導体４０に
熱伝導される。
導によって放熱される。第１は半導体チップ３ｏから保
護コート樹脂３６を介して空気中に熱伝導される。第２
は半導体チップ３０に接続したインナーリード３２．導
体３３．アウターリード３４を介して基板の導体４０に
熱伝導される。
第３は半導体チップ３０から半導体チップ３０の表面保
護樹脂３５．保護コート樹脂３６を介して、実装基板３
７に熱伝導される。
護樹脂３５．保護コート樹脂３６を介して、実装基板３
７に熱伝導される。
一方、放熱フィンを取り付けた第３図においては、前記
第１の熱伝導経路は半導体チップ３ｏから高熱伝導樹脂
３９．放熱フィン３８を介して放熱される。第２．第３
の放熱経路は放熱フィン３８を設けていないものと同じ
である。
第１の熱伝導経路は半導体チップ３ｏから高熱伝導樹脂
３９．放熱フィン３８を介して放熱される。第２．第３
の放熱経路は放熱フィン３８を設けていないものと同じ
である。
これらの熱伝導はおのおの単独に発生するものではなく
、複合的に発生し、その総合的な熱伝導によって半導体
チップ３０の放熱が行なわれる。
、複合的に発生し、その総合的な熱伝導によって半導体
チップ３０の放熱が行なわれる。
一般的に放熱フィン３８を使用しない場合は、前記第２
のフィルムキャリア実装構造体リードからの熱伝導と前
記第３の実装基板への熱伝導とによる放熱経路が効果的
であり、放熱フィン３８を使用する場合は放熱フィン３
８を経由する第１の放熱が効果的である。
のフィルムキャリア実装構造体リードからの熱伝導と前
記第３の実装基板への熱伝導とによる放熱経路が効果的
であり、放熱フィン３８を使用する場合は放熱フィン３
８を経由する第１の放熱が効果的である。
発明が解決しようとする課題
しかしながら上記の従来の構成では、消費電力の大きい
半導体チップ３ｏの場合は十分でなく、その放熱のため
にフィルムキャリア実装構造体上に大きい放熱フィン３
８を取り付けねばならず、コストも高くなるばかシか、
その構造も複雑になるという欠点を有していた。
半導体チップ３ｏの場合は十分でなく、その放熱のため
にフィルムキャリア実装構造体上に大きい放熱フィン３
８を取り付けねばならず、コストも高くなるばかシか、
その構造も複雑になるという欠点を有していた。
本発明は上記従来の欠点を解決するもので、簡単な構成
で容易に放熱効果を高めることができ、放熱フィンをも
不要にすることが可能となる優れたフィルムキャリア実
装構造体を提供することを目的とする。
で容易に放熱効果を高めることができ、放熱フィンをも
不要にすることが可能となる優れたフィルムキャリア実
装構造体を提供することを目的とする。
課題を解決するための手段
この目的を達成するために本発明のフィルムキャリア実
装構造体は、内層金属箔と表面に信号配線を持った基板
の表面に、少なくとも半導体チップの占有する面積以上
の面積を持った表面金属箔部を設け、この表面金属箔部
をフルーホールによって前記基板の前記内層金属箔に接
続し、フィルムキャリアパッケージの前記半導体チップ
と前記基板の前記基面金属箔部との間を高熱伝導樹脂に
よって充填する構成を有している。
装構造体は、内層金属箔と表面に信号配線を持った基板
の表面に、少なくとも半導体チップの占有する面積以上
の面積を持った表面金属箔部を設け、この表面金属箔部
をフルーホールによって前記基板の前記内層金属箔に接
続し、フィルムキャリアパッケージの前記半導体チップ
と前記基板の前記基面金属箔部との間を高熱伝導樹脂に
よって充填する構成を有している。
作 用
この構成によって本発明のフィルムキャリア実装構造体
は、半導体チップで発生した熱が高熱伝導樹脂を介し、
基板表面に設けた表面金属箔部に伝導され、さらにスル
ーホールを介して内層金属箔に伝導される。この内層金
属箔は半導体チップに比べ著しく大きい面積を有してお
シ、非常に大きい放熱フィンとして機能することとなる
。
は、半導体チップで発生した熱が高熱伝導樹脂を介し、
基板表面に設けた表面金属箔部に伝導され、さらにスル
ーホールを介して内層金属箔に伝導される。この内層金
属箔は半導体チップに比べ著しく大きい面積を有してお
シ、非常に大きい放熱フィンとして機能することとなる
。
実施例
以下本発明の一実施例のフィルムキャリア実装構造体に
ついて、図面を参照しながら説明する。
ついて、図面を参照しながら説明する。
第１図は本発明の一実施例におけるフィルムキャリア実
装状態の断面図を示すものである。
装状態の断面図を示すものである。
第１図において、２１は基板表面の金属箔、２２ａ 、
２２ｂ 、２２ｃ 、２２ｄはスルーホーｐ。
２２ｂ 、２２ｃ 、２２ｄはスルーホーｐ。
２３．２４は内層金属箔である。
以上のように構成されたライｌレムキャリア実装構造体
について、以下その動作について説明する。
について、以下その動作について説明する。
半導体チップ１ｏで発生した熱は、半導体チップ１ｏの
表面保護樹脂１６．高熱伝導樹脂１９を介して基板１７
の表面導体２１に伝導される。熱はさらにスルーホール
２２ａ〜２２ｄを介して内層金属箔２３に伝導され、著
しく大きい面積を有する内層金属箔２３によシ放熱され
る。
表面保護樹脂１６．高熱伝導樹脂１９を介して基板１７
の表面導体２１に伝導される。熱はさらにスルーホール
２２ａ〜２２ｄを介して内層金属箔２３に伝導され、著
しく大きい面積を有する内層金属箔２３によシ放熱され
る。
この実施例による放熱経路も従来と同じく大別して３通
りあり、その経路は前述したとおりである。しかしなが
ら、本実施例による放熱効果は、第３の経路、すなわち
半導体チップ１００表面保護樹脂１６．高熱伝導樹脂１
９１表面導体２１゜スルーホー１ｖ２２ａ 〜２２ｄ、
内層金属箔２３の経路による放熱効果が他の経路に比べ
著しく大きい。特に半導体チップ１０の表面保護樹脂１
６゜高熱伝導樹脂１９を薄くすることによってその効果
は著しい。
りあり、その経路は前述したとおりである。しかしなが
ら、本実施例による放熱効果は、第３の経路、すなわち
半導体チップ１００表面保護樹脂１６．高熱伝導樹脂１
９１表面導体２１゜スルーホー１ｖ２２ａ 〜２２ｄ、
内層金属箔２３の経路による放熱効果が他の経路に比べ
著しく大きい。特に半導体チップ１０の表面保護樹脂１
６゜高熱伝導樹脂１９を薄くすることによってその効果
は著しい。
以上のように本実施例によれば、内層金属箔２３を持っ
た基板１７の表面に少なくとも半導体装置プ１ｏの占有
する面積以上の面積を持った金属箔部２１を設け、この
金属箔部２１をスルーホール２２ａ〜２２ｄによって基
板１７の内層金属箔２３に接続し、フィルムキャリアパ
ッケージの半導体チップ１ｏと基板１７の表面金属箔部
２１との間を半導体チップの表面保護樹脂１５．高熱伝
導樹脂１９を充填する構成を設けることによシ、半導体
チップ１ｏで発生した熱を半導体チップ１０の表面保護
樹脂１５．高熱伝導樹脂１９．金属箔２１゜スルーホー
１ｖ２２ａ〜２２ｄを介して内層金属箔２３に伝導し、
半導体チップ１ｏの放熱効果を著しく向上せしめ、消費
電力の大きい半導体チップのフィルムキャリア実装構造
体を可能にするとともに、従来必要としていた放熱フィ
ンを不要にでき、低コスト化が実現できるものである。
た基板１７の表面に少なくとも半導体装置プ１ｏの占有
する面積以上の面積を持った金属箔部２１を設け、この
金属箔部２１をスルーホール２２ａ〜２２ｄによって基
板１７の内層金属箔２３に接続し、フィルムキャリアパ
ッケージの半導体チップ１ｏと基板１７の表面金属箔部
２１との間を半導体チップの表面保護樹脂１５．高熱伝
導樹脂１９を充填する構成を設けることによシ、半導体
チップ１ｏで発生した熱を半導体チップ１０の表面保護
樹脂１５．高熱伝導樹脂１９．金属箔２１゜スルーホー
１ｖ２２ａ〜２２ｄを介して内層金属箔２３に伝導し、
半導体チップ１ｏの放熱効果を著しく向上せしめ、消費
電力の大きい半導体チップのフィルムキャリア実装構造
体を可能にするとともに、従来必要としていた放熱フィ
ンを不要にでき、低コスト化が実現できるものである。
発明の効果
以上の実施例の説明で明かなように本発明のフィルムキ
ャリア実装構造体によれば内層金属箔と表面配線金属箔
とを持った基板の表面に少なくとも半導体チップの占有
する面積以上の面積を持つた表面金属箔部が設けられ、
この表面金属箔部が複数個のヌル−ホールによって基板
の内層金属箔に接続され、前記フィルムキャリアパッケ
ージの前記半導体チップと前記基板の前記表面金属箔部
との間を高熱伝導樹脂によって充填する構成を設けるこ
とによシ前記半導体チップの放熱効果を著しく向上せし
め、消費電力の大きい半導体チップのフィルムキャリア
実装構造体を可能にするとともに、従来必要としていた
放熱フィンを不要にでき、低コスト化を実現できる優れ
たフィルムキャリア実装構造体を提供するものである。
ャリア実装構造体によれば内層金属箔と表面配線金属箔
とを持った基板の表面に少なくとも半導体チップの占有
する面積以上の面積を持つた表面金属箔部が設けられ、
この表面金属箔部が複数個のヌル−ホールによって基板
の内層金属箔に接続され、前記フィルムキャリアパッケ
ージの前記半導体チップと前記基板の前記表面金属箔部
との間を高熱伝導樹脂によって充填する構成を設けるこ
とによシ前記半導体チップの放熱効果を著しく向上せし
め、消費電力の大きい半導体チップのフィルムキャリア
実装構造体を可能にするとともに、従来必要としていた
放熱フィンを不要にでき、低コスト化を実現できる優れ
たフィルムキャリア実装構造体を提供するものである。
第１図は本発明の一実施例におけるフィルムキャリア実
装構造体の構成を示す断面図、第２図。 第３図は従来のフィルムキャリア実装構造体の構成を示
す断面図である。 １ｏ・・・・・・半導体チップ、１７・・・・・・基板
、１９・・・・・・高熱伝導樹脂、２１・・・・・・表
面金属箔部、２２ａ〜２２ｄ・・・・・・スルーホール
、２３・・・・・・内層金属箔。
装構造体の構成を示す断面図、第２図。 第３図は従来のフィルムキャリア実装構造体の構成を示
す断面図である。 １ｏ・・・・・・半導体チップ、１７・・・・・・基板
、１９・・・・・・高熱伝導樹脂、２１・・・・・・表
面金属箔部、２２ａ〜２２ｄ・・・・・・スルーホール
、２３・・・・・・内層金属箔。
Claims (1)
- ポリイミドによるフィルムキャリアテープからなる基板
に取り付けた半導体チップで構成されるフィルムキャリ
アパッケージにおいて、前記基板の表面に少なくとも前
記半導体チップの占有する面積以上の面積を持った表面
金属箔部を設け、この表面金属箔部が複数個のスルーホ
ールによって前記基板の内層金属箔に接続され、前記フ
ィルムキャリアパッケージの前記半導体チップと前記基
板の前記表面金属箔部との間を高熱伝導樹脂によって充
填してなるフィルムキャリア実装構造体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2208598A JP2861322B2 (ja) | 1990-08-06 | 1990-08-06 | フィルムキャリァ実装構造体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2208598A JP2861322B2 (ja) | 1990-08-06 | 1990-08-06 | フィルムキャリァ実装構造体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0499051A true JPH0499051A (ja) | 1992-03-31 |
| JP2861322B2 JP2861322B2 (ja) | 1999-02-24 |
Family
ID=16558858
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2208598A Expired - Fee Related JP2861322B2 (ja) | 1990-08-06 | 1990-08-06 | フィルムキャリァ実装構造体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2861322B2 (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5844310A (en) * | 1996-08-09 | 1998-12-01 | Hitachi Metals, Ltd. | Heat spreader semiconductor device with heat spreader and method for producing same |
| US5930117A (en) * | 1996-05-07 | 1999-07-27 | Sheldahl, Inc. | Heat sink structure comprising a microarray of thermal metal heat channels or vias in a polymeric or film layer |
| WO1999059205A1 (en) * | 1998-05-12 | 1999-11-18 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Semiconductor plastic package and method for producing printed wiring board |
| US6265772B1 (en) | 1998-06-17 | 2001-07-24 | Nec Corporation | Stacked semiconductor device |
| KR100391093B1 (ko) * | 2001-01-04 | 2003-07-12 | 삼성전자주식회사 | 히트 싱크가 부착된 볼 그리드 어레이 패키지 |
| US6898084B2 (en) * | 2003-07-17 | 2005-05-24 | The Bergquist Company | Thermal diffusion apparatus |
| KR100474193B1 (ko) * | 1997-08-11 | 2005-07-21 | 삼성전자주식회사 | 비지에이패키지및그제조방법 |
| US7760507B2 (en) | 2007-12-26 | 2010-07-20 | The Bergquist Company | Thermally and electrically conductive interconnect structures |
| CN106647114A (zh) * | 2016-12-02 | 2017-05-10 | 北京小米移动软件有限公司 | 摄像模组 |
-
1990
- 1990-08-06 JP JP2208598A patent/JP2861322B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5930117A (en) * | 1996-05-07 | 1999-07-27 | Sheldahl, Inc. | Heat sink structure comprising a microarray of thermal metal heat channels or vias in a polymeric or film layer |
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| US6032362A (en) * | 1996-08-09 | 2000-03-07 | Hitachi Metals, Ltd. | Method for producing a heat spreader and semiconductor device with a heat spreader |
| KR100474193B1 (ko) * | 1997-08-11 | 2005-07-21 | 삼성전자주식회사 | 비지에이패키지및그제조방법 |
| WO1999059205A1 (en) * | 1998-05-12 | 1999-11-18 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Semiconductor plastic package and method for producing printed wiring board |
| US6350952B1 (en) | 1998-05-12 | 2002-02-26 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Semiconductor package including heat diffusion portion |
| US6265772B1 (en) | 1998-06-17 | 2001-07-24 | Nec Corporation | Stacked semiconductor device |
| KR100391093B1 (ko) * | 2001-01-04 | 2003-07-12 | 삼성전자주식회사 | 히트 싱크가 부착된 볼 그리드 어레이 패키지 |
| US6898084B2 (en) * | 2003-07-17 | 2005-05-24 | The Bergquist Company | Thermal diffusion apparatus |
| US7760507B2 (en) | 2007-12-26 | 2010-07-20 | The Bergquist Company | Thermally and electrically conductive interconnect structures |
| CN106647114A (zh) * | 2016-12-02 | 2017-05-10 | 北京小米移动软件有限公司 | 摄像模组 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2861322B2 (ja) | 1999-02-24 |
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