JPH0499260A - 窒化ホウ素膜のコーティング方法 - Google Patents
窒化ホウ素膜のコーティング方法Info
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- JPH0499260A JPH0499260A JP21147690A JP21147690A JPH0499260A JP H0499260 A JPH0499260 A JP H0499260A JP 21147690 A JP21147690 A JP 21147690A JP 21147690 A JP21147690 A JP 21147690A JP H0499260 A JPH0499260 A JP H0499260A
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- boron nitride
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Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、超硬材料からなる切削工具や機械部品などの
表面に、密着性よく硬質の窒化ホウ素膜をコーティング
する方法に関するものである。
表面に、密着性よく硬質の窒化ホウ素膜をコーティング
する方法に関するものである。
従来、超硬材料基板に窒化ホウ素膜をコーティングする
場合、これを付着強度の高いものとするために、次のよ
うな手段が用いられてきた。すなわち、〜や市などのプ
ラズマで基板を処理し、表面の不純物を除去し、これに
より得られた清浄表面上に窒化ホウ素を成膜することで
密着性を確保するというものである。この方法で確かに
、超硬材料表面上にコーティングされた窒化ホウ素膜の
付着性は向上する。
場合、これを付着強度の高いものとするために、次のよ
うな手段が用いられてきた。すなわち、〜や市などのプ
ラズマで基板を処理し、表面の不純物を除去し、これに
より得られた清浄表面上に窒化ホウ素を成膜することで
密着性を確保するというものである。この方法で確かに
、超硬材料表面上にコーティングされた窒化ホウ素膜の
付着性は向上する。
しかしながら、硬さや化学的安定性などの優れた窒化ホ
ウ素は、切削工具などのように過酷な条件下で使用され
るものにコーティングされるのが常である。かような条
件下では、上記方法では十分なる付着強度を得ることが
できず、超硬基板表面とt窒化ホウ素コーティング膜と
の界面においての剥離がしばしば見られた。従って、充
分な付着強度を有する窒化ホウ素膜のコーティング法を
開発するという課題の早急な解決が求められていた。
ウ素は、切削工具などのように過酷な条件下で使用され
るものにコーティングされるのが常である。かような条
件下では、上記方法では十分なる付着強度を得ることが
できず、超硬基板表面とt窒化ホウ素コーティング膜と
の界面においての剥離がしばしば見られた。従って、充
分な付着強度を有する窒化ホウ素膜のコーティング法を
開発するという課題の早急な解決が求められていた。
本発明は、上記課題を解決する手段として、超硬材料を
基板として該基板表面を窒化処理して窒化層を形成した
後、この窒化層表面に窒化ホウ素をコーティングするこ
とを特徴とする窒化ホウ素膜のコーティング方法を提供
するものである。
基板として該基板表面を窒化処理して窒化層を形成した
後、この窒化層表面に窒化ホウ素をコーティングするこ
とを特徴とする窒化ホウ素膜のコーティング方法を提供
するものである。
本発明における窒化処理とは、例えばプラズマ窒化処理
、イオンビームによる窒化処理、高温窒素雰囲気下での
熱拡散を利用した窒化処理など、公知の窒化処理のいず
れをも含む。
、イオンビームによる窒化処理、高温窒素雰囲気下での
熱拡散を利用した窒化処理など、公知の窒化処理のいず
れをも含む。
また、本発明における窒化ホウ素のコーティング法とし
ては、例えばプラズマCVD法、イオンブレーティング
法、スパッタ法、イオンビーム支援真空蒸着法など公知
の窒化ホウ素形成法のいずれをも含む。
ては、例えばプラズマCVD法、イオンブレーティング
法、スパッタ法、イオンビーム支援真空蒸着法など公知
の窒化ホウ素形成法のいずれをも含む。
本発明において、基板とする超硬材料とは、例えば、W
C−Co系超硬合金、Tic−Ni系超硬合金などで
ある。
C−Co系超硬合金、Tic−Ni系超硬合金などで
ある。
超硬基板表面を窒化処理することにより、以下の作用に
よる2つの効果が得られるものと考えられる。すなわち
、表面洗浄作用による付着性向上効果と、窒化層形成に
よる付着性向上効果である。
よる2つの効果が得られるものと考えられる。すなわち
、表面洗浄作用による付着性向上効果と、窒化層形成に
よる付着性向上効果である。
通常用いられる窒化処理は、プラズマやイオンビームを
使用した荷電粒子照射のあるものや、高温プロセスを使
用するものである。これらの手段はいずれも基板表面の
清浄化に寄与するので、その上にコーティングする窒化
ホウ素の付着強度向上につながる。しかしながら、本発
明でより重要なのは、後者の窒化層の形成である。超硬
材料表面を窒化することにより、窒化物である窒化ホウ
素との親和性が高くなり、高い付着強度ををするように
なる。
使用した荷電粒子照射のあるものや、高温プロセスを使
用するものである。これらの手段はいずれも基板表面の
清浄化に寄与するので、その上にコーティングする窒化
ホウ素の付着強度向上につながる。しかしながら、本発
明でより重要なのは、後者の窒化層の形成である。超硬
材料表面を窒化することにより、窒化物である窒化ホウ
素との親和性が高くなり、高い付着強度ををするように
なる。
本発明において窒化層の深さは、窒化層が浅い場合は付
着性の向上のみが期待でき、また窒化層が深くなると硬
度の向上もはかれる。窒化の方法によ′っても窒化可能
な深さが異なるので一概に限定する必要はなく、その目
的に応じて適宜に決定できる。
着性の向上のみが期待でき、また窒化層が深くなると硬
度の向上もはかれる。窒化の方法によ′っても窒化可能
な深さが異なるので一概に限定する必要はなく、その目
的に応じて適宜に決定できる。
以下に本発明を実施例を挙げて詳細に説明するが、本発
明は下記実施例に限定されるところはない。
明は下記実施例に限定されるところはない。
実施例1
本実施例では、プラズマ窒化処理後にRFプラズマCV
D法により窒化ホウ素膜をコーティングする例を示す。
D法により窒化ホウ素膜をコーティングする例を示す。
基板には、wc−Co系超硬チップを用い、基板温度は
500℃とした。まず初めに、真空容器内に〜ガスをl
Torrまで導入した。
500℃とした。まず初めに、真空容器内に〜ガスをl
Torrまで導入した。
この雰囲気において、基板電極に〜500vを印加して
DC放電を起こし、10分間のプラズマ表面清浄を行っ
た。引き続き、N* : Ht = 1・2の比で、全
ガス圧が3 Torrになるよう調整した。この状態で
、RFプラズマ放電を起こし、90分の窒化処理を行っ
た。窒化処理終了と同時に、シボランガスとN麿ガスを
1:2の比で、0.5 Torrまで導入し、RFプラ
ズマCVD法により窒化ホウ素膜を1μm厚さまで合成
した。このようにしてコーティングした窒化ホウ素膜の
付着強度を、AE法〔アコースティック・エミション法
:この方法はダイヤモンド針を試料表面上をすべらせな
がら、徐々に向上をかけてゆき、そのときの摩擦で発生
する音の変化から膜の付着性を評価するものである。剥
離が発生するとAE倍信号大きな変化が見られ、その時
の荷重(N)で付着性を決定する〕により測定した。比
較のために、前記の窒化処理を行わず、その他の条件は
同様にして窒化ホウ素膜をコーティングしたものも作成
した。両者の測定結果は表1に示すようになった。
DC放電を起こし、10分間のプラズマ表面清浄を行っ
た。引き続き、N* : Ht = 1・2の比で、全
ガス圧が3 Torrになるよう調整した。この状態で
、RFプラズマ放電を起こし、90分の窒化処理を行っ
た。窒化処理終了と同時に、シボランガスとN麿ガスを
1:2の比で、0.5 Torrまで導入し、RFプラ
ズマCVD法により窒化ホウ素膜を1μm厚さまで合成
した。このようにしてコーティングした窒化ホウ素膜の
付着強度を、AE法〔アコースティック・エミション法
:この方法はダイヤモンド針を試料表面上をすべらせな
がら、徐々に向上をかけてゆき、そのときの摩擦で発生
する音の変化から膜の付着性を評価するものである。剥
離が発生するとAE倍信号大きな変化が見られ、その時
の荷重(N)で付着性を決定する〕により測定した。比
較のために、前記の窒化処理を行わず、その他の条件は
同様にして窒化ホウ素膜をコーティングしたものも作成
した。両者の測定結果は表1に示すようになった。
実施例2
本実施例では、イオンビームによる窒化処理をした後、
イオンビーム支援真空蒸着法により窒化ホウ素膜をコー
ティングする例を示す。基板としては、W C−Co系
超硬板を用い、基板温度は室温とした。初めに3keV
−Arイオンビームスパッタリングにより、基板の表面
洗浄を行った。窒化層ぼには、加熱電圧40kV、ビー
ム密度0.3mA/cmのN、+イオンビームを用いた
。30分間イオンビーム照射を続けた後、イオンビーム
はそのまま照射し続け、同時にホウ素の蒸着を開始し、
窒化ホウ素膜の合成を行った。膜厚は1μmである。
イオンビーム支援真空蒸着法により窒化ホウ素膜をコー
ティングする例を示す。基板としては、W C−Co系
超硬板を用い、基板温度は室温とした。初めに3keV
−Arイオンビームスパッタリングにより、基板の表面
洗浄を行った。窒化層ぼには、加熱電圧40kV、ビー
ム密度0.3mA/cmのN、+イオンビームを用いた
。30分間イオンビーム照射を続けた後、イオンビーム
はそのまま照射し続け、同時にホウ素の蒸着を開始し、
窒化ホウ素膜の合成を行った。膜厚は1μmである。
また、窒化処理をしない以外は同様の条件で行ったもの
を比較例2とし、両者の窒化ホウ素膜の付着強度を実施
例1と同様に測定した。この結果も表1に示す。
を比較例2とし、両者の窒化ホウ素膜の付着強度を実施
例1と同様に測定した。この結果も表1に示す。
参考例
参考のために、超硬材料ではない基板としてSES30
4を用い、この上に実施例1.2及び比較例1,2と同
様の方法で、窒化層形成したもの或いは窒化層形成なし
のものについて、窒化ホウ累コーティングしたものを試
験し、その結果も表1に示す。
4を用い、この上に実施例1.2及び比較例1,2と同
様の方法で、窒化層形成したもの或いは窒化層形成なし
のものについて、窒化ホウ累コーティングしたものを試
験し、その結果も表1に示す。
表 1
表工の結果から、超硬材料基板表面に窒化処理を施して
から、窒化ホウ素膜を成膜した本発明の実施例1.2の
ものが、膜付着強度が向上していることが明らかにわか
る。
から、窒化ホウ素膜を成膜した本発明の実施例1.2の
ものが、膜付着強度が向上していることが明らかにわか
る。
以上説明のように、本発明のあらかじめ基板表面を窒化
処理した後に窒化ホウ素膜をコーティングする方法によ
り、超硬基板上に剥離の起こりにくい、硬質な窒化ホウ
素膜をコーティングすることカブ可能となった。ホウ素
は、過酷な条件板で使用される超硬材料製切削工具、金
型などへの窒化ホウ素膜の被覆方法として、非常に有効
である。
処理した後に窒化ホウ素膜をコーティングする方法によ
り、超硬基板上に剥離の起こりにくい、硬質な窒化ホウ
素膜をコーティングすることカブ可能となった。ホウ素
は、過酷な条件板で使用される超硬材料製切削工具、金
型などへの窒化ホウ素膜の被覆方法として、非常に有効
である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 超硬材料を基板として該基板表面を窒化処 理して窒化層を形成した後、この窒化層表面に窒化ホウ
素をコーティングすることを特徴とする窒化ホウ素膜の
コーティング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21147690A JPH0499260A (ja) | 1990-08-13 | 1990-08-13 | 窒化ホウ素膜のコーティング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21147690A JPH0499260A (ja) | 1990-08-13 | 1990-08-13 | 窒化ホウ素膜のコーティング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0499260A true JPH0499260A (ja) | 1992-03-31 |
Family
ID=16606581
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21147690A Pending JPH0499260A (ja) | 1990-08-13 | 1990-08-13 | 窒化ホウ素膜のコーティング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0499260A (ja) |
-
1990
- 1990-08-13 JP JP21147690A patent/JPH0499260A/ja active Pending
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