JPS59126779A - 銅表面を粗面化するための方法 - Google Patents
銅表面を粗面化するための方法Info
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- JPS59126779A JPS59126779A JP58180860A JP18086083A JPS59126779A JP S59126779 A JPS59126779 A JP S59126779A JP 58180860 A JP58180860 A JP 58180860A JP 18086083 A JP18086083 A JP 18086083A JP S59126779 A JPS59126779 A JP S59126779A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/38—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal
- H05K3/382—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal by special treatment of the metal
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
- C23F4/00—Processes for removing metallic material from surfaces, not provided for in group C23F1/00 or C23F3/00
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
- H05K2203/09—Treatments involving charged particles
- H05K2203/095—Plasma, e.g. for treating a substrate to improve adhesion with a conductor or for cleaning holes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明は、材料の積層化に係り、更に具体的に云えば、
銅表面への被膜の機械的及び化学的結合による付７葭性
を増すために、銅表面な粗面化するための室温による乾
式方法に係る。
銅表面への被膜の機械的及び化学的結合による付７葭性
を増すために、銅表面な粗面化するための室温による乾
式方法に係る。
銅の表面は、平滑であり、又銅が化学反応に対して耐性
を鳴しているために、その上に更に桐料を付着するには
、概して不適当である。銅にグラスチック材料を積層化
する場合には、出来れば機械的及び化学的結合を設ける
ことが望ましい。
を鳴しているために、その上に更に桐料を付着するには
、概して不適当である。銅にグラスチック材料を積層化
する場合には、出来れば機械的及び化学的結合を設ける
ことが望ましい。
銅の表面積を増加させて、銅をグラスチックに機械的に
係合させることにより機械的結合欠設けるために、研摩
技術を用いることが知られている。
係合させることにより機械的結合欠設けるために、研摩
技術を用いることが知られている。
又、銅の表面欠食刻し、その表面積を増加させて、機械
的結合を設けるだめに、湿式食刻技術を用いることも知
られており、その様な技術は、例えば、ソ連発明者証第
５６０４８６号、Ｍ ａ ｘ ｉ ｍ ｏ ｖａｎｄ
Ｆｅｄｏｒｏｖ、 Ｐｒｅｃｉｓｉｏｎ Ｅｔｃｈｉｎ
ｇ ｏｆＣｏｐｐｅｒ−ｂｙ ｄｉｐｐｉｎｇ ｉｎ
１ｏｄｉｎｅ ａｎｄｐｏｔａｓｓｉｕｍ １ｏ
ｄｉｄｅ ５ｏｌｕｔｉｏｎ ｆｏｌｌｏｗｅｄｂｙ
ａｍｍｏｎｉａ ５ｏｌｕｔｉｏｎ ” に記載さ
れている。
的結合を設けるだめに、湿式食刻技術を用いることも知
られており、その様な技術は、例えば、ソ連発明者証第
５６０４８６号、Ｍ ａ ｘ ｉ ｍ ｏ ｖａｎｄ
Ｆｅｄｏｒｏｖ、 Ｐｒｅｃｉｓｉｏｎ Ｅｔｃｈｉｎ
ｇ ｏｆＣｏｐｐｅｒ−ｂｙ ｄｉｐｐｉｎｇ ｉｎ
１ｏｄｉｎｅ ａｎｄｐｏｔａｓｓｉｕｍ １ｏ
ｄｉｄｅ ５ｏｌｕｔｉｏｎ ｆｏｌｌｏｗｅｄｂｙ
ａｍｍｏｎｉａ ５ｏｌｕｔｉｏｎ ” に記載さ
れている。
湿式食刻技術は、エツチング浴からの汚染を受は易く、
殆どの場合に嘔気接点を必要とする。
殆どの場合に嘔気接点を必要とする。
プラスチックに強く付着し且つその上に史に層が付着さ
れる界面層２得るために、グラスチックに純粋に化学的
な処理を施すことが、例えば米国特許第３４４５２６４
号明細書に記載されている。
れる界面層２得るために、グラスチックに純粋に化学的
な処理を施すことが、例えば米国特許第３４４５２６４
号明細書に記載されている。
この種の方法は、プラスチック−銅−プラスチックのサ
ンドイツチ体として銅のパターンがグラスチックの層で
被覆される様な場合に於ては、電気的短絡回路の問題並
びにプラスチック−プラスチック間及びプラスチック−
銅量の付着の間）（■が生じるので、実用的でない。
ンドイツチ体として銅のパターンがグラスチックの層で
被覆される様な場合に於ては、電気的短絡回路の問題並
びにプラスチック−プラスチック間及びプラスチック−
銅量の付着の間）（■が生じるので、実用的でない。
沃素イオンは、例えは米国特許第４２６４８１６号明細
書に記載されている如く、高強度のイオン衝撃に関連し
て知られている。イオン衝撃は、必要とされる状況に於
ては極めて有用であるが、本発明の方法に於ける化学的
メカニズムとは異なり、本質的に機械的なメカニズムで
ある。例えば、キセノン・イオンの如き他のイオンも同
様な粗面化効果を有することが、例えば、Ｊ、Ｖａｃ、
Ｓｃｉ。
書に記載されている如く、高強度のイオン衝撃に関連し
て知られている。イオン衝撃は、必要とされる状況に於
ては極めて有用であるが、本発明の方法に於ける化学的
メカニズムとは異なり、本質的に機械的なメカニズムで
ある。例えば、キセノン・イオンの如き他のイオンも同
様な粗面化効果を有することが、例えば、Ｊ、Ｖａｃ、
Ｓｃｉ。
Ｔｅｃｈｎｏｌ、、８ｇ１４巻、第１号、１９７７年１
月／り月、第２８６頁乃至２日９頁に於けるＨｕｄｓｏ
ｎによる１ｌＩｏｎ Ｂｅａｍ Ｔｅｘｔｕｒｉｎｇ”
と題する文献に於て、報告されている。その様なイオン
ビーム処理装置に於ては、酸化タングステン又は酸化
アルミニウムの如き種材料が通常必要とされ、又５０Ｇ
乃至２０００Ｖの範囲の加速電位が必要である。
月／り月、第２８６頁乃至２日９頁に於けるＨｕｄｓｏ
ｎによる１ｌＩｏｎ Ｂｅａｍ Ｔｅｘｔｕｒｉｎｇ”
と題する文献に於て、報告されている。その様なイオン
ビーム処理装置に於ては、酸化タングステン又は酸化
アルミニウムの如き種材料が通常必要とされ、又５０Ｇ
乃至２０００Ｖの範囲の加速電位が必要である。
３００℃以上の平衡温度に於て、真空中で、アルゴンを
用いて、３００Ｖでスパッタリング食刻することにより
、銅表面な粗面化子ることか、例えばＪ、 Ｖａｃ、
Ｓｃｉ、 Ｔｅｃｈｎｏｌ、、第１７巻、第６号、１９
８０年１１月り１２月、第１６２０頁乃至第１６２５頁
に於げるＣｕｒｍｉ及びＨａｒｄｉｎｇ による“５
ｕｒｆａｃｅ Ｔｅｘｔｕｒｉｎｇ ｏｆ Ｃｏｐｐｅ
ｒ ｂｙＳｐｕｔｔｅｒ Ｅｔｃｈｉｎｇ Ｗｉｔｈ
Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｓｆｏｒ ５ｏｌａｒ
５ｅｌｅｃｔｉｖｅ ＡｂｓｏｒｂｉｎｇＳｕｒｆ
ａｃｅ”と題する文献、及びＡｐｐｌ−、Ｐｈｙｓ。
用いて、３００Ｖでスパッタリング食刻することにより
、銅表面な粗面化子ることか、例えばＪ、 Ｖａｃ、
Ｓｃｉ、 Ｔｅｃｈｎｏｌ、、第１７巻、第６号、１９
８０年１１月り１２月、第１６２０頁乃至第１６２５頁
に於げるＣｕｒｍｉ及びＨａｒｄｉｎｇ による“５
ｕｒｆａｃｅ Ｔｅｘｔｕｒｉｎｇ ｏｆ Ｃｏｐｐｅ
ｒ ｂｙＳｐｕｔｔｅｒ Ｅｔｃｈｉｎｇ Ｗｉｔｈ
Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｓｆｏｒ ５ｏｌａｒ
５ｅｌｅｃｔｉｖｅ ＡｂｓｏｒｂｉｎｇＳｕｒｆ
ａｃｅ”と題する文献、及びＡｐｐｌ−、Ｐｈｙｓ。
Ｌｅｔｔ、２６．．５５７ （１９７５）に於けるＣｕ
＋）ｍｏ。
＋）ｍｏ。
Ｚ ｉｅｇｌｅｒ及びＷｏｏｄａｌｌ による文献に
記載されている。その様な銅表面の粗面化は、高温を用
いるため、それとともにプラスチックが用いられる場合
には、不適当である。
記載されている。その様な銅表面の粗面化は、高温を用
いるため、それとともにプラスチックが用いられる場合
には、不適当である。
本発明は、銅表面への被膜の機械的及び化学的結合によ
る付層性を増すために銅表面な粗面化するだめの室温（
５０℃迄の温度を含むンによる乾式方法を提供する。排
気されたチェンバを沃素で充填して高周波′−位を加え
ることにより、沃素プラズマが形成される。その沃素プ
ラズマは、正及び負の両方の沃素イオンを含む。銅の保
穫されていない表面領域が沃化鋼を形成し、その沃化１
間が除去されたとぎ、者しく粗面化された表面が残され
る。関連する重合体は何ら損傷されない。沃化鋼は、関
連する金属銅又は銅で積層化された関連するプラスチッ
クを何ら損傷しない、１０％塩酸浴液で簡便に除去され
る。
る付層性を増すために銅表面な粗面化するだめの室温（
５０℃迄の温度を含むンによる乾式方法を提供する。排
気されたチェンバを沃素で充填して高周波′−位を加え
ることにより、沃素プラズマが形成される。その沃素プ
ラズマは、正及び負の両方の沃素イオンを含む。銅の保
穫されていない表面領域が沃化鋼を形成し、その沃化１
間が除去されたとぎ、者しく粗面化された表面が残され
る。関連する重合体は何ら損傷されない。沃化鋼は、関
連する金属銅又は銅で積層化された関連するプラスチッ
クを何ら損傷しない、１０％塩酸浴液で簡便に除去され
る。
実施例
本発明の方法に従って、金属銅上に沃化１同の表面が形
成され、それから該沃化鋼が除去されて、プラスチック
が容易に結合する、清浄な粗面化された表面が残される
。
成され、それから該沃化鋼が除去されて、プラスチック
が容易に結合する、清浄な粗面化された表面が残される
。
上記銅は、既にポリエステルに結合されている銅のパタ
ーンであっても、又はパターンを画成するフォトレジス
ト＆有している一時的基板上の銅であってもよい。他の
状態の銅も用いられる。上記銅は、充分に清浄化されて
いないならば、沃素化される前に予め清浄化される。
ーンであっても、又はパターンを画成するフォトレジス
ト＆有している一時的基板上の銅であってもよい。他の
状態の銅も用いられる。上記銅は、充分に清浄化されて
いないならば、沃素化される前に予め清浄化される。
銅が排気されたチェンバ内にＩ・・１１カ置され、又は
銅が沃素化されるために排気されたチェンバ内を通され
る様な目己直′７Ｊｉ設り゛られる。排気さ才Ｅたチェ
ンバを沃素ガスで充填しそＬ７て高周波プラズマ中で正
及び負の沃糸イオンな活性化するために高周波電位を加
えることにより、沃糸プラズマか形成される。
銅が沃素化されるために排気されたチェンバ内を通され
る様な目己直′７Ｊｉ設り゛られる。排気さ才Ｅたチェ
ンバを沃素ガスで充填しそＬ７て高周波プラズマ中で正
及び負の沃糸イオンな活性化するために高周波電位を加
えることにより、沃糸プラズマか形成される。
第１図は、本発明の方法を実施するだめの装置ｄを概略
的に示している。真空チェンバ１には、萬周波アノード
２及び接地アノード６が設げられている。沃素供７冶フ
ラスコ４ば、沃素結晶５の源を含み、加熱及び真空状態
の下で、沃素結晶５は昇華して沃素ガス６を形成する。
的に示している。真空チェンバ１には、萬周波アノード
２及び接地アノード６が設げられている。沃素供７冶フ
ラスコ４ば、沃素結晶５の源を含み、加熱及び真空状態
の下で、沃素結晶５は昇華して沃素ガス６を形成する。
真空ポンプ７により真空チェンバ１が適当な動作圧力に
排気され、パルプ８が開かれて、沃素ガスが真空チェン
バ１内に供給される。高周波発生装置９により、銅の試
料１０が配置されているアノード２に、動作電位が加え
られる。正及び負の両方の沃素イオンが充満した沃素プ
ラズマ１１が生じ、その結果得られた電気化学的活性あ
Ｓ保、層されていない銅表面に迅速な反応を生せしめて
、沃化銅の反応生成物が形成される。
排気され、パルプ８が開かれて、沃素ガスが真空チェン
バ１内に供給される。高周波発生装置９により、銅の試
料１０が配置されているアノード２に、動作電位が加え
られる。正及び負の両方の沃素イオンが充満した沃素プ
ラズマ１１が生じ、その結果得られた電気化学的活性あ
Ｓ保、層されていない銅表面に迅速な反応を生せしめて
、沃化銅の反応生成物が形成される。
それから、沃化銅が１０％Ｈ−ＣＡ 溶液で洗浄され
て除去される。沃化銅が除去された後、著しく粗面化さ
れた表面が残される。
て除去される。沃化銅が除去された後、著しく粗面化さ
れた表面が残される。
本発明の方法の好実施例に於ては、次に示す動作パラメ
ータが用いられる。
ータが用いられる。
真空チェンバ圧力（Ｉ２） ５０μＴｏｒｒ基板温
度 約２０°Ｃ Ｉ２源の温度 ６０℃ 扁周波亀圧 ３０ＤＶ、１３．５６ＭＨ。
度 約２０°Ｃ Ｉ２源の温度 ６０℃ 扁周波亀圧 ３０ＤＶ、１３．５６ＭＨ。
電 力 ５０ＷＣｕＩ２成長
速度 １．４ μｍ／分銅の厚さ
任意 この方法は、銅表面への被膜の付着性を増すための簡単
な乾式処理方法である。銅及びプラスチックの両方の表
面を同時に粗面化することが出来る。反応の副生成物は
、凝縮可能である。
速度 １．４ μｍ／分銅の厚さ
任意 この方法は、銅表面への被膜の付着性を増すための簡単
な乾式処理方法である。銅及びプラスチックの両方の表
面を同時に粗面化することが出来る。反応の副生成物は
、凝縮可能である。
プラスチック上に既に付着されている銅のパターンが、
真空チェンバの％性により限定される連続的又は半連続
的なバッチ処理方式で粗面化されてもよい。
真空チェンバの％性により限定される連続的又は半連続
的なバッチ処理方式で粗面化されてもよい。
銅の厚さも、プラスチックの厚さも、何ら厳密である必
要はない。
要はない。
ポリメタクリルｊ１１２メチル、ポリイミド、及び他の
プラスチックのホスト材料を含む、種々のプラスチック
が用いられる。沃素は、強力な酸化剤であり、ＣＩ４
の形式（ｆこよりプラスナック表面を粗面化する椋にも
、又はそのまま変化させずに残す様にも用いられる。形
成されたＣＩ４は、Ｈ（＃で洗浄することにより容易に
除去される。
プラスチックのホスト材料を含む、種々のプラスチック
が用いられる。沃素は、強力な酸化剤であり、ＣＩ４
の形式（ｆこよりプラスナック表面を粗面化する椋にも
、又はそのまま変化させずに残す様にも用いられる。形
成されたＣＩ４は、Ｈ（＃で洗浄することにより容易に
除去される。
第２図は、表面が航・、初めの銅表面の金属組織を示す
顕微准写真であり、第６図は本発明による沃素プラズマ
処理が施された後に於ける第２図の銅表面の金属組織を
示す顕微鏡写真であり、第４図は表面が滑らかな、初め
の銅表面の金栖組歇を示す顕微鏡写真であり、第５図は
本発明による沃素プラズマ処理が施された後に於ける第
４図の銅表面の金属組織を示す顕微鏡写真である。
顕微准写真であり、第６図は本発明による沃素プラズマ
処理が施された後に於ける第２図の銅表面の金属組織を
示す顕微鏡写真であり、第４図は表面が滑らかな、初め
の銅表面の金栖組歇を示す顕微鏡写真であり、第５図は
本発明による沃素プラズマ処理が施された後に於ける第
４図の銅表面の金属組織を示す顕微鏡写真である。
第１図は本発明の方法を実施するだめの装置を示す図、
第２図及び第６図は本発明による沃素プラズマ処理が施
される前及び施された後に於ける、初めの表面が荒し・
銅表面の金属組織を各々示す図、第４図及び第５図は本
発明による沃素プラズマ処理が施される前及び施された
後に於ける、初めの表面が滑らかな銅表面の金属組織を
各々示す図である。 １・・・・真空チェンバ、２・・・・高周波アノード、
６・・・・接地アノード、４・・・・沃素供給フラスコ
、５・・・・沃素結晶、６・・・・沃素ガス、７・・・
・真空ポンプ、８・・・・パルプ、９・・・・高周波発
生装置、１０・・・・銅の試料、１１・・・・沃素プラ
ズマ。 出願人 インターナシ献ル・ビジネス・フシ−２ズ・
コーポレーション復代理人 弁理士 合 １）
潔第２図 慎８図 第４図
第２図及び第６図は本発明による沃素プラズマ処理が施
される前及び施された後に於ける、初めの表面が荒し・
銅表面の金属組織を各々示す図、第４図及び第５図は本
発明による沃素プラズマ処理が施される前及び施された
後に於ける、初めの表面が滑らかな銅表面の金属組織を
各々示す図である。 １・・・・真空チェンバ、２・・・・高周波アノード、
６・・・・接地アノード、４・・・・沃素供給フラスコ
、５・・・・沃素結晶、６・・・・沃素ガス、７・・・
・真空ポンプ、８・・・・パルプ、９・・・・高周波発
生装置、１０・・・・銅の試料、１１・・・・沃素プラ
ズマ。 出願人 インターナシ献ル・ビジネス・フシ−２ズ・
コーポレーション復代理人 弁理士 合 １）
潔第２図 慎８図 第４図
Claims (1)
- 銅の試料を沃素の蒸気で充填された真空チェンバ内に配
置し、上記試料を室温に保ち、上記試料上に沃化鋼の層
を成長させるために高周波電圧を加え、成長された上記
沃化鋼の層を除去することを含む、銅表面への被膜の付
着性を増すために銅表面？粗面化する／こめの方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US454922 | 1982-12-30 | ||
| US06/454,922 US4416725A (en) | 1982-12-30 | 1982-12-30 | Copper texturing process |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59126779A true JPS59126779A (ja) | 1984-07-21 |
| JPS6219513B2 JPS6219513B2 (ja) | 1987-04-28 |
Family
ID=23806622
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58180860A Granted JPS59126779A (ja) | 1982-12-30 | 1983-09-30 | 銅表面を粗面化するための方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4416725A (ja) |
| EP (1) | EP0112989B1 (ja) |
| JP (1) | JPS59126779A (ja) |
| DE (1) | DE3366120D1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10600639B2 (en) | 2016-11-14 | 2020-03-24 | Applied Materials, Inc. | SiN spacer profile patterning |
Families Citing this family (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0133621B1 (de) * | 1983-08-02 | 1988-03-30 | Ibm Deutschland Gmbh | Verfahren zum Trockenätzen von Kupfer und seine Verwendung |
| US4668366A (en) * | 1984-08-02 | 1987-05-26 | The Perkin-Elmer Corporation | Optical figuring by plasma assisted chemical transport and etching apparatus therefor |
| DE3523960A1 (de) * | 1985-07-04 | 1987-01-08 | Licentia Gmbh | Verfahren zur metallisierung eines elektrisch schlecht leitenden substrates aus einem anorganischen material |
| US4718972A (en) * | 1986-01-24 | 1988-01-12 | International Business Machines Corporation | Method of removing seed particles from circuit board substrate surface |
| US4908094A (en) * | 1986-04-14 | 1990-03-13 | International Business Machines Corporation | Method for laminating organic materials via surface modification |
| US4689111A (en) * | 1986-10-28 | 1987-08-25 | International Business Machines Corp. | Process for promoting the interlaminate adhesion of polymeric materials to metal surfaces |
| US5128008A (en) * | 1991-04-10 | 1992-07-07 | International Business Machines Corporation | Method of forming a microelectronic package having a copper substrate |
| US5153986A (en) * | 1991-07-17 | 1992-10-13 | International Business Machines | Method for fabricating metal core layers for a multi-layer circuit board |
| US5705082A (en) * | 1995-01-26 | 1998-01-06 | Chromalloy Gas Turbine Corporation | Roughening of metal surfaces |
| DE19731424C1 (de) * | 1997-07-22 | 1998-08-13 | Daimler Benz Ag | Verfahren zum Einbetten von metallischen Leitern mikroelektronischer Bauelemente in eine Kunststoffmasse |
| US6730237B2 (en) * | 2001-06-22 | 2004-05-04 | International Business Machines Corporation | Focused ion beam process for removal of copper |
| JP2015115334A (ja) * | 2013-12-09 | 2015-06-22 | イビデン株式会社 | プリント配線板及びプリント配線板の製造方法 |
| CN106653590A (zh) * | 2017-01-04 | 2017-05-10 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及其制作工艺、显示面板、显示装置 |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3445264A (en) * | 1965-06-24 | 1969-05-20 | Ibm | Method and composition for treating the surface of polymeric articles to improve adhesion |
| US3573454A (en) * | 1968-04-22 | 1971-04-06 | Applied Res Lab | Method and apparatus for ion bombardment using negative ions |
| US3661747A (en) * | 1969-08-11 | 1972-05-09 | Bell Telephone Labor Inc | Method for etching thin film materials by direct cathodic back sputtering |
| US3808035A (en) * | 1970-12-09 | 1974-04-30 | M Stelter | Deposition of single or multiple layers on substrates from dilute gas sweep to produce optical components, electro-optical components, and the like |
| SU530486A1 (ru) * | 1974-01-11 | 1976-09-30 | Предприятие П/Я В-2194 | Способ размерного травлени меди |
| JPS544359A (en) * | 1977-06-10 | 1979-01-13 | Toyo Aluminium Kk | Method of making aluminum foil for positive electrode of electrorytic capacitor |
| JPS5531154A (en) * | 1978-08-28 | 1980-03-05 | Hitachi Ltd | Plasma etching apparatus |
| DE2850542C2 (de) * | 1978-11-22 | 1982-07-01 | Kernforschungsanlage Jülich GmbH, 5170 Jülich | Verfahren zum Ätzen von Oberflächen aus Kupfer oder Kupferlegierungen |
| US4264813A (en) * | 1979-06-29 | 1981-04-28 | International Business Machines Corportion | High intensity ion source using ionic conductors |
-
1982
- 1982-12-30 US US06/454,922 patent/US4416725A/en not_active Expired - Fee Related
-
1983
- 1983-09-30 JP JP58180860A patent/JPS59126779A/ja active Granted
- 1983-10-21 DE DE8383110503T patent/DE3366120D1/de not_active Expired
- 1983-10-21 EP EP83110503A patent/EP0112989B1/en not_active Expired
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10600639B2 (en) | 2016-11-14 | 2020-03-24 | Applied Materials, Inc. | SiN spacer profile patterning |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0112989A1 (en) | 1984-07-11 |
| JPS6219513B2 (ja) | 1987-04-28 |
| DE3366120D1 (en) | 1986-10-16 |
| EP0112989B1 (en) | 1986-09-10 |
| US4416725A (en) | 1983-11-22 |
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