JPH0499342A - 金属突起形成基板およびその製造方法と転写方法 - Google Patents
金属突起形成基板およびその製造方法と転写方法Info
- Publication number
- JPH0499342A JPH0499342A JP2217442A JP21744290A JPH0499342A JP H0499342 A JPH0499342 A JP H0499342A JP 2217442 A JP2217442 A JP 2217442A JP 21744290 A JP21744290 A JP 21744290A JP H0499342 A JPH0499342 A JP H0499342A
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- Japan
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- transparent conductive
- conductive film
- film
- metal
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/701—Tape-automated bond [TAB] connectors
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は半導体素子の電極とフィルムリード配線基板と
を接続する際に用いる転写バンブ用金属突起を形成する
ための基板の構悲 製造方法及びその転写方法に関する
ものであ４ 従来の技術 半導体素子の実装方式で薄駅 小型化に有力な方式にフ
ィルムキャリア実装方式がある。この技術は半導体素子
のＡＬ電極上にＣｒ、 Ｃｕ、 Ｔ ｉ。
を接続する際に用いる転写バンブ用金属突起を形成する
ための基板の構悲 製造方法及びその転写方法に関する
ものであ４ 従来の技術 半導体素子の実装方式で薄駅 小型化に有力な方式にフ
ィルムキャリア実装方式がある。この技術は半導体素子
のＡＬ電極上にＣｒ、 Ｃｕ、 Ｔ ｉ。
Ｐｄ等のバリヤメタル層を形成した後、この上にＡｕ、
半田等の金属突起を１０〜３０μｍ程度形成す４ 次い
でポリイミドやガラエボ等の絶縁テプ上に形成されたＣ
ｕ箔のフィル１、リードと前記の金属突起とを加圧 加
熱し接合すムしかＬ この技術では半導体素子のＡＩ電
極上にバリアメタル層を形成するための蒸着、フォトリ
゛人 エツチング工程や、また金属突起を形成するため
のフォトリソエ毘 電解めっき等 多くの複雑な工程と
設備を必要とす４ そのほかにも全ての工程においてウ
ェハー単位で処理がおこなわれるためコストの上昇や歩
留の低下といった問題点かあっｋ これらの問題点をすべて解決する新しい技術として転写
バンブ方式が開発された この方式は基板上に金属突起
を形成し この金属突起フィルムキャリアのリードに転
写接合させ、 リードの金属突起と半導体素子の電極と
を熱圧着によ−て接合するものである。金属突起（よ
少量多品種向きや、大量生産向きなど、種類や量に応じ
て用いる形成基板の構造が異なる。 第２図によって
金属突起を形成する一方法を説明する。
半田等の金属突起を１０〜３０μｍ程度形成す４ 次い
でポリイミドやガラエボ等の絶縁テプ上に形成されたＣ
ｕ箔のフィル１、リードと前記の金属突起とを加圧 加
熱し接合すムしかＬ この技術では半導体素子のＡＩ電
極上にバリアメタル層を形成するための蒸着、フォトリ
゛人 エツチング工程や、また金属突起を形成するため
のフォトリソエ毘 電解めっき等 多くの複雑な工程と
設備を必要とす４ そのほかにも全ての工程においてウ
ェハー単位で処理がおこなわれるためコストの上昇や歩
留の低下といった問題点かあっｋ これらの問題点をすべて解決する新しい技術として転写
バンブ方式が開発された この方式は基板上に金属突起
を形成し この金属突起フィルムキャリアのリードに転
写接合させ、 リードの金属突起と半導体素子の電極と
を熱圧着によ−て接合するものである。金属突起（よ
少量多品種向きや、大量生産向きなど、種類や量に応じ
て用いる形成基板の構造が異なる。 第２図によって
金属突起を形成する一方法を説明する。
まず、第２図（ａ）に示すように絶縁性基板２１の一生
面にめっき用の電極としてｐｔやＩＴＯ（インジウムテ
ィンオキサイド）等の導電膜２２を形成する。形成方法
としてはスパッタ蒸着、ＥＢ蒸着等を用いも 次に（ｂ
）に示すように導電膜２２上全面に感光性絶縁樹脂（フ
ォトレジスト）２３をスピンコードすム 厚さは約０．
５μｍ〜１．５μｍ程度であａ しかるの板感光性絶縁
樹脂中の溶剤を除去するために８０〜１００℃のオーブ
ン中に１５〜２０分間入れａ 次１− （ｃ）に示す
ように フォトマスク２４と位置合わせし紫昇線２５を
照射すム その後現像液に浸漬しリンスを施した後オー
ブンにより感光性絶縁樹脂２３を硬化させも このよう
にして（ｄ）に示したように感光性絶縁樹脂２３に開口
部２６を形成すも しかるのち電解めっき法によって開
口部２６内の導電ｌ！！２２上に金属突起２７を約１０
〜３０μｍ形成すも この後感光性絶縁樹脂２３を除去
すム （図ｆ） つぎに第３図とともに金属突起をフィルムキャリア３０
のフィルムリードに転写する方法を説明ずも 第３図（
ａ）に示すように まずフィルムキャリアのフィルムリ
ード３１七金属突起２７とを位置合わせする。次に（ｂ
）に示すようにボンディングツール３２で、加熱、 加
圧（３００〜３２０℃、 ５〜２０ｇ／リード）する。
面にめっき用の電極としてｐｔやＩＴＯ（インジウムテ
ィンオキサイド）等の導電膜２２を形成する。形成方法
としてはスパッタ蒸着、ＥＢ蒸着等を用いも 次に（ｂ
）に示すように導電膜２２上全面に感光性絶縁樹脂（フ
ォトレジスト）２３をスピンコードすム 厚さは約０．
５μｍ〜１．５μｍ程度であａ しかるの板感光性絶縁
樹脂中の溶剤を除去するために８０〜１００℃のオーブ
ン中に１５〜２０分間入れａ 次１− （ｃ）に示す
ように フォトマスク２４と位置合わせし紫昇線２５を
照射すム その後現像液に浸漬しリンスを施した後オー
ブンにより感光性絶縁樹脂２３を硬化させも このよう
にして（ｄ）に示したように感光性絶縁樹脂２３に開口
部２６を形成すも しかるのち電解めっき法によって開
口部２６内の導電ｌ！！２２上に金属突起２７を約１０
〜３０μｍ形成すも この後感光性絶縁樹脂２３を除去
すム （図ｆ） つぎに第３図とともに金属突起をフィルムキャリア３０
のフィルムリードに転写する方法を説明ずも 第３図（
ａ）に示すように まずフィルムキャリアのフィルムリ
ード３１七金属突起２７とを位置合わせする。次に（ｂ
）に示すようにボンディングツール３２で、加熱、 加
圧（３００〜３２０℃、 ５〜２０ｇ／リード）する。
しかるの（ｃ）に示すようにボンディングツール３２
での、加熱、加圧を解除すると基板上の金属突起２７は
フィルムリード３１側に転鳳 接合される。
での、加熱、加圧を解除すると基板上の金属突起２７は
フィルムリード３１側に転鳳 接合される。
発明か解決しようとする課題
しかしながら、この技術において金属突起を形成するた
びに導電膜上に感光性絶縁樹脂（フォトレジスト）を塗
布しマスクを合わせ、露光 現像リンスの工程及びめっ
きによって金属突起を形成する工程をくり返さなければ
ならなし−すなわ板金属突起を得るために（よ パター
ンニングを行うための高額な設備や、多くの材料、複雑
な工程が必要となａ このためバンブを形成するためのコストが高くなったり
、複雑な工程のために歩留まりが低下したりし 製品全
体のコストが高くなってしまうという問題があっ九 本発明（よ 金属突起形成ごとにフォトレジストを塗布
し これをフォトマスクで選択露光する方法を用いる必
要のない基板構造及び方法を提供することを目的とすム 課題を解決するための手段 本発明（よ 半導体素子の電極と対応した位置に金属突
起を形成する多層膜からなる基板において、前記半導体
素子の電極に対応した位置が、 基板上に第一の透明導
電膜 第一のチタン風 第二の透明導電膜から構成され
その他の領域が第一の透明導電膜 第一のチタン膜の
酸化物 第一の感光性絶縁樹脂から構成されたことを特
徴とした金属突起形成基板を提供する。そして、本発明
は この基板を用いて金属突起を形成する方法を提供す
る。
びに導電膜上に感光性絶縁樹脂（フォトレジスト）を塗
布しマスクを合わせ、露光 現像リンスの工程及びめっ
きによって金属突起を形成する工程をくり返さなければ
ならなし−すなわ板金属突起を得るために（よ パター
ンニングを行うための高額な設備や、多くの材料、複雑
な工程が必要となａ このためバンブを形成するためのコストが高くなったり
、複雑な工程のために歩留まりが低下したりし 製品全
体のコストが高くなってしまうという問題があっ九 本発明（よ 金属突起形成ごとにフォトレジストを塗布
し これをフォトマスクで選択露光する方法を用いる必
要のない基板構造及び方法を提供することを目的とすム 課題を解決するための手段 本発明（よ 半導体素子の電極と対応した位置に金属突
起を形成する多層膜からなる基板において、前記半導体
素子の電極に対応した位置が、 基板上に第一の透明導
電膜 第一のチタン風 第二の透明導電膜から構成され
その他の領域が第一の透明導電膜 第一のチタン膜の
酸化物 第一の感光性絶縁樹脂から構成されたことを特
徴とした金属突起形成基板を提供する。そして、本発明
は この基板を用いて金属突起を形成する方法を提供す
る。
作用
課題を解決する手段に説明した様番ミ 本発明（よ金
属突起を形成する部分のみに第二の透明導電膜と金属チ
タン膜があり、他の部分は透明の酸化チタン膜を有する
構造としておくことによって、感光性絶縁樹脂（レジス
ト）を塗布した後マスク合わせを行うことなく、裏面よ
り紫外線を照射するだけで容易に感光性樹脂のパターン
ニングができる。まＬ ｇ光性絶縁樹脂に耐熱性のも
のを用いると、形成した金属突起を転写させる際に加わ
る熱に耐えることができるた敢 毎回感光性絶縁樹脂を
塗布することなく、何回もくり返し使用することか可能
となも 実施例 本発明の一実施例を第１図とともに説明する。
属突起を形成する部分のみに第二の透明導電膜と金属チ
タン膜があり、他の部分は透明の酸化チタン膜を有する
構造としておくことによって、感光性絶縁樹脂（レジス
ト）を塗布した後マスク合わせを行うことなく、裏面よ
り紫外線を照射するだけで容易に感光性樹脂のパターン
ニングができる。まＬ ｇ光性絶縁樹脂に耐熱性のも
のを用いると、形成した金属突起を転写させる際に加わ
る熱に耐えることができるた敢 毎回感光性絶縁樹脂を
塗布することなく、何回もくり返し使用することか可能
となも 実施例 本発明の一実施例を第１図とともに説明する。
まず、 （ａ）に示すように透明絶縁性基板１の一主面
に透明導電膜（ＩＴＯ： インジウムティンオキサイ
ド）２を全面に形成すも 透明絶縁性基板１には耐熱性
のガラスを用いれ 透明導電膜（ＩＴＯ： インジウム
ティンオキサイド）２の形成方法としては スパッタ蒸
着、ＥＢ蒸着等を用賎 シト抵抗を１０９口以下にして
おく。これは基板内の金属突起の高さのバラツキを２μ
ｍ以下に抑えるためであム 次に透明導電膜２を形成し
たうえにチタン３を同様に全面に約５００人〜２０００
人くらい蒸着する。この形成方法もスパッタ蒸着、ＥＢ
蒸着等を用いるのが望ましＩ、％ 次にチタン３上か
ら再度、透明導電膜４を５００人〜３０００人形成する
。形成方法は同様である。
に透明導電膜（ＩＴＯ： インジウムティンオキサイ
ド）２を全面に形成すも 透明絶縁性基板１には耐熱性
のガラスを用いれ 透明導電膜（ＩＴＯ： インジウム
ティンオキサイド）２の形成方法としては スパッタ蒸
着、ＥＢ蒸着等を用賎 シト抵抗を１０９口以下にして
おく。これは基板内の金属突起の高さのバラツキを２μ
ｍ以下に抑えるためであム 次に透明導電膜２を形成し
たうえにチタン３を同様に全面に約５００人〜２０００
人くらい蒸着する。この形成方法もスパッタ蒸着、ＥＢ
蒸着等を用いるのが望ましＩ、％ 次にチタン３上か
ら再度、透明導電膜４を５００人〜３０００人形成する
。形成方法は同様である。
次に（ｂ）に示すように半導体素子の電極に対応した位
置にのみフォトレジストが残るようにパターンニングを
行ってレジストパターン１００を形成し これをマスク
にして透明導電膜４をエツチングする。エツチング液は
塩酸と塩化第二鉄の混合液を用いた この後、フォトレ
ジストを除去する。次にこの基板に０２プラズマを照射
する力＼酸化炉に入れて透明導電膜４が残っていない部
分、すなわち露出したチタンを透明の酸化チタン５にす
る。次に（ｃ）に示すように全面にネガ型のフォトレジ
スト６を塗布する。塗布する厚さ（よ 透明導電膜４の
厚さと同じになる様にする。次に透明絶縁性基板ｌの裏
面より紫外線７を照射する。
置にのみフォトレジストが残るようにパターンニングを
行ってレジストパターン１００を形成し これをマスク
にして透明導電膜４をエツチングする。エツチング液は
塩酸と塩化第二鉄の混合液を用いた この後、フォトレ
ジストを除去する。次にこの基板に０２プラズマを照射
する力＼酸化炉に入れて透明導電膜４が残っていない部
分、すなわち露出したチタンを透明の酸化チタン５にす
る。次に（ｃ）に示すように全面にネガ型のフォトレジ
スト６を塗布する。塗布する厚さ（よ 透明導電膜４の
厚さと同じになる様にする。次に透明絶縁性基板ｌの裏
面より紫外線７を照射する。
このとき透明の酸化チタン５には紫外線７は透過する力
（チタン３には透過しない。このためネガ型のフォトレ
ジスト６を現像すると、 （ｄ）に示すように透明導電
膜４上のフォトレジスト６は除去され 酸化チタン５上
にのみフォトレジスト６が残る。次にレジスト６をマス
クとして、 （ｅ）にしめすように透明導電膜２を一方
の電極にして、電解めっきによって透明導電膜４上に選
択的に金属突起８を形成すも 形成する高さ４１２０〜
３０μｍである。この後、フォトレジスト６を除去する
。 この後、 フィルムキャリアのインチ−リードに金
属突起８を転募 接合する工程は 従来技術の第３図に
示した方法と同様に行う。金属突起を転写した基板にく
り返し金属突起を形成するに（よ 第１図（ｃ）以降に
示した工程をくり返す。
（チタン３には透過しない。このためネガ型のフォトレ
ジスト６を現像すると、 （ｄ）に示すように透明導電
膜４上のフォトレジスト６は除去され 酸化チタン５上
にのみフォトレジスト６が残る。次にレジスト６をマス
クとして、 （ｅ）にしめすように透明導電膜２を一方
の電極にして、電解めっきによって透明導電膜４上に選
択的に金属突起８を形成すも 形成する高さ４１２０〜
３０μｍである。この後、フォトレジスト６を除去する
。 この後、 フィルムキャリアのインチ−リードに金
属突起８を転募 接合する工程は 従来技術の第３図に
示した方法と同様に行う。金属突起を転写した基板にく
り返し金属突起を形成するに（よ 第１図（ｃ）以降に
示した工程をくり返す。
以上の工程によればフォトレジスト６の金属塗布 フォ
トマスクなしの表面からの全面露光のみで金属突起形成
マスクができ、金属突起の繰り返し形成が容易となム また 第１図（Ｃ）においてフォトレジスト６のかわり
に耐熱性の感光レジストや感光性ポリイミドを用いると
、 さらに工程を簡略化することができる。その方法を
以下に説明すも まず第１図（Ｃ）〜（ｄ）にしめすよ
うに同様にしてバタンニングを行（＼ （ｄ）に示すよ
うな構造を得も次に耐熱性感光レジストや感光性ポリイ
ミドを除去することなく、第１図Ｃｆ）に示すように透
明導電膜２を一方の電極として電解めっきによって金属
突起を形成すも この後、フィルムキャリアのインナー
リードに金属突起８を転鳳 接合する工程（よ 従来技
術の第３図に示した方法と同様に行う。この場合 耐熱
性感光レジストや感光性ポリイミドを用いているため金
属突起を転写接合する工程において加わる熱に耐えうろ
ことが可能となり、とくに転写工程の前に除去する必要
がなしｌよってくり返し金属突起を形成するときに（上
再度電解めっきの工程をくり返すだけで容易に金属突
起を得ることができも 発明の効果 本発明の実施例に示したように ２層の透明導電膜の間
に選択的に酸化チタンとしたチタン膜を形成した構造と
することによって、バンプを形成する都度、マスクあわ
せを行うことなくフォトレジストに容易にパターンニン
グを行えも これにより高額なマスク合わせ装置を必要
とせず、簡易的な紫外線照射機のみでパターンニングが
可能となり、コスト削減か可能となム また 工程が極
めて短縮化され 歩留まり向上にもつなかも また フ
ォトレジストの代わりに耐熱性感光レジストや感光性ポ
リイミドを用いた構造で（よ −度パターンニングをし
ておくと２０〜３０回程度はくり返し使用することが可
能となム このた八 金属突起を形成するには電解めっ
きの工程をくり返すだけでよく、大幅に工程の簡略化と
コスト削減になム
トマスクなしの表面からの全面露光のみで金属突起形成
マスクができ、金属突起の繰り返し形成が容易となム また 第１図（Ｃ）においてフォトレジスト６のかわり
に耐熱性の感光レジストや感光性ポリイミドを用いると
、 さらに工程を簡略化することができる。その方法を
以下に説明すも まず第１図（Ｃ）〜（ｄ）にしめすよ
うに同様にしてバタンニングを行（＼ （ｄ）に示すよ
うな構造を得も次に耐熱性感光レジストや感光性ポリイ
ミドを除去することなく、第１図Ｃｆ）に示すように透
明導電膜２を一方の電極として電解めっきによって金属
突起を形成すも この後、フィルムキャリアのインナー
リードに金属突起８を転鳳 接合する工程（よ 従来技
術の第３図に示した方法と同様に行う。この場合 耐熱
性感光レジストや感光性ポリイミドを用いているため金
属突起を転写接合する工程において加わる熱に耐えうろ
ことが可能となり、とくに転写工程の前に除去する必要
がなしｌよってくり返し金属突起を形成するときに（上
再度電解めっきの工程をくり返すだけで容易に金属突
起を得ることができも 発明の効果 本発明の実施例に示したように ２層の透明導電膜の間
に選択的に酸化チタンとしたチタン膜を形成した構造と
することによって、バンプを形成する都度、マスクあわ
せを行うことなくフォトレジストに容易にパターンニン
グを行えも これにより高額なマスク合わせ装置を必要
とせず、簡易的な紫外線照射機のみでパターンニングが
可能となり、コスト削減か可能となム また 工程が極
めて短縮化され 歩留まり向上にもつなかも また フ
ォトレジストの代わりに耐熱性感光レジストや感光性ポ
リイミドを用いた構造で（よ −度パターンニングをし
ておくと２０〜３０回程度はくり返し使用することが可
能となム このた八 金属突起を形成するには電解めっ
きの工程をくり返すだけでよく、大幅に工程の簡略化と
コスト削減になム
第１図は本発明の一実施例による金属突起形成方法の工
程断面は 第２図は従来例による金属突起形成方法の工
程断面図 第３図は形成した金属突起をフィルムキャリ
アのインナーリードに転写する工程断面図であも １・・・透明絶縁性基板、 ２、４・・・透明導電１１
Ｌ、３・・・チタン、 ５・・・酸化チタン、 ６・・
・フォトレジスト ７・・・紫外線 ８・・金属突起 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 はか１名第 図 第
程断面は 第２図は従来例による金属突起形成方法の工
程断面図 第３図は形成した金属突起をフィルムキャリ
アのインナーリードに転写する工程断面図であも １・・・透明絶縁性基板、 ２、４・・・透明導電１１
Ｌ、３・・・チタン、 ５・・・酸化チタン、 ６・・
・フォトレジスト ７・・・紫外線 ８・・金属突起 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 はか１名第 図 第
Claims (4)
- （１）半導体素子の電極と対応した位置に金属突起を形
成する多層膜からなる基板において、前記半導体素子の
電極に対応した位置が、基板上に第一の透明導電膜、第
一のチタン膜、第二の透明導電膜から構成され、その他
の領域が第一の透明導電膜、第一のチタン膜の酸化物、
第一の感光性絶縁樹脂から構成されたことを特徴とした
金属突起形成基板。 - （２）透明絶縁性基板の一主面全面に第一の透明導電膜
、前記第一の透明導電膜上に金属チタン膜、前記金属チ
タン膜上に第二の透明導電膜を形成する工程、半導体素
子の電極に対応した位置にのみエッチングによって前記
第二の透明導電膜を残す工程、第二の透明導電膜が除去
された前記金属チタン膜を透明の酸化チタンにする工程
、この後、全面にネガ型の感光性絶縁樹脂を塗布する工
程、前記透明絶縁性基板の裏面から紫外線を照射する工
程、前記感光性絶縁樹脂の感光された部分を現像し、前
記第二の透明導電膜上の前記感光性絶縁樹脂を除去する
工程、しかるのち前記感光性絶縁樹脂を硬化し、前記第
二の透明導電膜上に電解めっき法により金属突起を形成
することを特徴とした金属突起形成基板の製造方法。 - （３）特許請求の範囲第１項記載の金属突起形成基板を
用い、電解めっき法によって第二の透明導電膜上に金属
突起を形成し、前記金属突起とフィルムキャリアのイン
ナーリードを位置合わせし、加熱、加圧することにより
、前記フィルムキャリアのインナーリードに金属突起を
転写、接合することを特徴とした金属突起の転写方法。 - （４）特許請求の範囲第２項記載の金属突起形成基板上
に形成した金属突起を、感光性絶縁樹脂を除去し転写さ
せた後、全面に感光性絶縁樹脂を塗布する工程、前記透
明絶縁性基板の裏面から紫外線を照射する工程、前記感
光性絶縁樹脂の感光された部分を現像し、前記第二の透
明導電膜上の前記感光性絶縁樹脂を除去する工程、しか
るのち前記感光性絶縁樹脂を硬化し、前記第二の透明導
電膜上に電解めっき法により金属突起を形成する工程を
くり返すことを特徴とする金属突起形成基板の製造方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2217442A JPH0828405B2 (ja) | 1990-08-17 | 1990-08-17 | 金属突起形成基板およびその製造方法と転写方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2217442A JPH0828405B2 (ja) | 1990-08-17 | 1990-08-17 | 金属突起形成基板およびその製造方法と転写方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0499342A true JPH0499342A (ja) | 1992-03-31 |
| JPH0828405B2 JPH0828405B2 (ja) | 1996-03-21 |
Family
ID=16704298
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2217442A Expired - Fee Related JPH0828405B2 (ja) | 1990-08-17 | 1990-08-17 | 金属突起形成基板およびその製造方法と転写方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0828405B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001051276A3 (en) * | 2000-01-07 | 2002-01-03 | Harvard College | Fabrication of metallic microstructures via exposure of photosensitive composition |
-
1990
- 1990-08-17 JP JP2217442A patent/JPH0828405B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001051276A3 (en) * | 2000-01-07 | 2002-01-03 | Harvard College | Fabrication of metallic microstructures via exposure of photosensitive composition |
| US6706165B2 (en) | 2000-01-07 | 2004-03-16 | President And Fellows Of Harvard College | Fabrication of metallic microstructures via exposure of photosensitive composition |
| US7399579B2 (en) | 2000-01-07 | 2008-07-15 | President & Fellows Of Harvard College | Fabrication of metallic microstructures via exposure of photosensitive composition |
| US7774920B2 (en) | 2000-01-07 | 2010-08-17 | President And Fellows Of Harvard College | Fabrication of metallic microstructures via exposure of photosensitive compostion |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0828405B2 (ja) | 1996-03-21 |
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