JPH0499739A - シクロヘキセンフツ素化合物 - Google Patents
シクロヘキセンフツ素化合物Info
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- JPH0499739A JPH0499739A JP2217545A JP21754590A JPH0499739A JP H0499739 A JPH0499739 A JP H0499739A JP 2217545 A JP2217545 A JP 2217545A JP 21754590 A JP21754590 A JP 21754590A JP H0499739 A JPH0499739 A JP H0499739A
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
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- C09K19/04—Liquid crystal materials characterised by the chemical structure of the liquid crystal components, e.g. by a specific unit
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、新規なシクロヘキセンフッ素化合物および該
化合物を有効成分として含有する液晶組成物に関する。
化合物を有効成分として含有する液晶組成物に関する。
液晶を利用した表示素子は時計、電卓等に広く使用され
ているうこれらの液晶表示素子は液晶物質の光学異方性
および誘電異方性を利用したものであ石。液晶相にはネ
マチック液晶相、スメクチック液晶相、コレステリック
液晶相があり、そのうちネマチック液晶を利用したもの
が最も広く実用化されている。
ているうこれらの液晶表示素子は液晶物質の光学異方性
および誘電異方性を利用したものであ石。液晶相にはネ
マチック液晶相、スメクチック液晶相、コレステリック
液晶相があり、そのうちネマチック液晶を利用したもの
が最も広く実用化されている。
それらには液晶表示に応用されている電気光学効果に対
応して、TN(ねじれネマチック)型、DS(動的散乱
)型、ゲスト・ホスト型、DAP型等の表示素子があり
、それぞれに使用される液晶物質の性質は異る。しかし
、いずれの液晶物質も水分、空気、熱、光等圧安定であ
ることが必要であることは共通しており、又、室温を中
心としてできるだけ広い温度範囲で液晶相を示し、更に
表示素子の種類によって異る最適な誘電異方性値(Δe
)を有するようにしなければならない。しかし、現在の
ところ単一の液晶物質でそのような条件をみたす物質は
なく、数値の液晶物質またはさらに非液晶物質を混合し
て実用に供している。
応して、TN(ねじれネマチック)型、DS(動的散乱
)型、ゲスト・ホスト型、DAP型等の表示素子があり
、それぞれに使用される液晶物質の性質は異る。しかし
、いずれの液晶物質も水分、空気、熱、光等圧安定であ
ることが必要であることは共通しており、又、室温を中
心としてできるだけ広い温度範囲で液晶相を示し、更に
表示素子の種類によって異る最適な誘電異方性値(Δe
)を有するようにしなければならない。しかし、現在の
ところ単一の液晶物質でそのような条件をみたす物質は
なく、数値の液晶物質またはさらに非液晶物質を混合し
て実用に供している。
最近は特に液晶表示素子の表示品位の高いものが要求さ
れている。その要求に応えるためK TFT(薄膜トラ
ンジスタ)を応用した表示素子が開発されている。この
TFT型液晶表示素子に要求される液晶組成物は比抵抗
値の大きいものが要求されている。一般にΔeの正の値
を示す液晶化合物はシアン基をもつ化合物が多く使われ
ている。しかし、シアノ基は高電圧がかかるTFT型液
晶表示素子で使用すると分解が起ることが知られている
。
れている。その要求に応えるためK TFT(薄膜トラ
ンジスタ)を応用した表示素子が開発されている。この
TFT型液晶表示素子に要求される液晶組成物は比抵抗
値の大きいものが要求されている。一般にΔeの正の値
を示す液晶化合物はシアン基をもつ化合物が多く使われ
ている。しかし、シアノ基は高電圧がかかるTFT型液
晶表示素子で使用すると分解が起ることが知られている
。
本発明者らは先に特開昭57−67527号で次式を開
示した。しかしこの化合物のΔεは+2程度であシ、動
作電圧が高い。従って、更に動作電圧が低く、かつ電気
的に安定な化合物が要求されている。
示した。しかしこの化合物のΔεは+2程度であシ、動
作電圧が高い。従って、更に動作電圧が低く、かつ電気
的に安定な化合物が要求されている。
本発明の目的は低粘性で、△εが+5程度以上と大きく
、又電気的に安定な液晶性化合物及び液晶組成物を提供
することにある。
、又電気的に安定な液晶性化合物及び液晶組成物を提供
することにある。
本発明は一般式
(上式中、Rは炭素数1〜15の直鎖又は分岐アルキル
基を、X1Yはそのいずれか一方がF原子を、他方がC
Fx基を示す) で表わされるフッ素液晶性化合物及び少なくともその一
種を有効成分として含有することを特徴とする液晶組成
物である。
基を、X1Yはそのいずれか一方がF原子を、他方がC
Fx基を示す) で表わされるフッ素液晶性化合物及び少なくともその一
種を有効成分として含有することを特徴とする液晶組成
物である。
本発明の化合物は大きい正の誘電異方性を示し、比較的
低粘性で電気的に安定な化合物であるのでTFT型液晶
表示素子に用いる液晶組成物を得るのに極めて有用な化
合物である。
低粘性で電気的に安定な化合物であるのでTFT型液晶
表示素子に用いる液晶組成物を得るのに極めて有用な化
合物である。
つぎに本発明の化合物の製造法を示すと、2−フルオロ
−4−ブロモベンゾトリフロリド又は2−フルオロ−5
−ブロモベンゾトリフロリドをマグネシウム末とテトラ
ヒドロフラン溶媒(THFと略す)中で反応し、グリン
ヤール試薬を製造した。つぎにこのグリンヤール試薬と
トランス−4−(トランス−4−アルキルシクロへキシ
ル)シクロヘキサノンと反応し、アルコール体(II)
を製造した。この(n)をp−4ルエンスルホン[[媒
にして脱水反応をして目的の1.2−置換−4−〔トラ
ンス−4−(トランス−4−アルキルシクロヘキシル)
シクロヘキセン−1−イル〕ヘンゼン(I)を製造した
。
−4−ブロモベンゾトリフロリド又は2−フルオロ−5
−ブロモベンゾトリフロリドをマグネシウム末とテトラ
ヒドロフラン溶媒(THFと略す)中で反応し、グリン
ヤール試薬を製造した。つぎにこのグリンヤール試薬と
トランス−4−(トランス−4−アルキルシクロへキシ
ル)シクロヘキサノンと反応し、アルコール体(II)
を製造した。この(n)をp−4ルエンスルホン[[媒
にして脱水反応をして目的の1.2−置換−4−〔トラ
ンス−4−(トランス−4−アルキルシクロヘキシル)
シクロヘキセン−1−イル〕ヘンゼン(I)を製造した
。
(I)
(R%X、Yは前記に同じ)
〔発明の作用、効果〕
本発明の化合物は他の多くの液晶化合物、すなわちエス
テル系、シッフ塩基系、ビフェニル系、フェニルシクロ
ヘキサン系、複素環系等の液晶化合物との相溶性がよく
、本発明の化合物を液晶組成物の成分として加えること
により、粘度をそれ程上昇させずにΔeの太きい、電気
的に安定な液晶組成物を得ることができ、液晶表示素子
の動作電圧を下げることができる。従って、本発明の化
合物は特にTFT型液晶表示素子用の液晶組成物の成分
として好適な化合物であると云える。
テル系、シッフ塩基系、ビフェニル系、フェニルシクロ
ヘキサン系、複素環系等の液晶化合物との相溶性がよく
、本発明の化合物を液晶組成物の成分として加えること
により、粘度をそれ程上昇させずにΔeの太きい、電気
的に安定な液晶組成物を得ることができ、液晶表示素子
の動作電圧を下げることができる。従って、本発明の化
合物は特にTFT型液晶表示素子用の液晶組成物の成分
として好適な化合物であると云える。
以下に述べる実施例により本発明の化合物につきさらに
詳細に説明する。
詳細に説明する。
実施例1
1−フルオロ−2−トリフルオロメチル−4−(4−(
)ランス−4−プロピルシクロヘキシル)シクロヘキセ
ン−1−イル〕ベンゼン((I)式でRがC,H,、X
がF、 Y2ICFI(7)もノ)ノ製造フラスコにマ
クネシウム粉2.6 N (0,108モル)とテトラ
ヒドロフラン1011jを入れて、これに2−フルオロ
−5−ブロモベンゾトリフロリド25.0II(0,1
03モル)のテトラヒドロフラン溶液501を氷冷下3
0分間で滴下し、その後室温で反応した。このようにし
てできたものが3−トリフルオロメチル−4−フルオロ
フェニルマグネシウムプロミドである。このグリニヤー
ル試薬に4−(トランス−4−プロピルシクロヘキシル
)シクロヘキサノン24.0g(0,108モル)のテ
トラヒドロフラン溶液50m!7?を氷冷下5℃以下に
保ちながら40分間で滴下し、後に40℃にて1時間反
応した。反応終了後、氷冷した2N−塩酸5ooxtへ
そそぎ込んだ。析出した油状物をトルエン200−で抽
出し、トルエン層を中性になるまで水洗した。その後減
圧で溶媒を留去して、黄色液体を得た。これが1−(3
−トリフルオロメチル−4−フルオロフェニル)−4−
()ランス−4−7”ロピルシクロヘキシル)シクロヘ
キサン−1−オールである(収量36.0.9.収率9
2%)。
)ランス−4−プロピルシクロヘキシル)シクロヘキセ
ン−1−イル〕ベンゼン((I)式でRがC,H,、X
がF、 Y2ICFI(7)もノ)ノ製造フラスコにマ
クネシウム粉2.6 N (0,108モル)とテトラ
ヒドロフラン1011jを入れて、これに2−フルオロ
−5−ブロモベンゾトリフロリド25.0II(0,1
03モル)のテトラヒドロフラン溶液501を氷冷下3
0分間で滴下し、その後室温で反応した。このようにし
てできたものが3−トリフルオロメチル−4−フルオロ
フェニルマグネシウムプロミドである。このグリニヤー
ル試薬に4−(トランス−4−プロピルシクロヘキシル
)シクロヘキサノン24.0g(0,108モル)のテ
トラヒドロフラン溶液50m!7?を氷冷下5℃以下に
保ちながら40分間で滴下し、後に40℃にて1時間反
応した。反応終了後、氷冷した2N−塩酸5ooxtへ
そそぎ込んだ。析出した油状物をトルエン200−で抽
出し、トルエン層を中性になるまで水洗した。その後減
圧で溶媒を留去して、黄色液体を得た。これが1−(3
−トリフルオロメチル−4−フルオロフェニル)−4−
()ランス−4−7”ロピルシクロヘキシル)シクロヘ
キサン−1−オールである(収量36.0.9.収率9
2%)。
次に、この1−(3−トリフルオロメチル−4−フルオ
ロフェニル)−4−()ランス−4−プロピルシクロヘ
キシル)シクロヘキサン−1−オールを精製せずに、そ
の1まトルエン10011/に溶解し、p−)ルエンス
ルホン酸1.0#を加え、3時間加熱還流し、脱水反応
を行った。反応終了後、室温まで放冷し、反応液を2N
−水酸化ナトリウムで洗浄、続いて、中性になるまで水
で洗浄した。その後、減圧で溶媒を留去し、茶かつ色の
油状物を得た。この油状物をエタノールとノルマルヘプ
タン混合溶媒で再結晶して、無色結晶の1−フルオロ−
2−トリフルオロメチル−4−〔4−(トランス−4−
プロピルシクロヘキシル)シクロヘキセン−1−イル〕
ベンゼンを製造した(収量22.0J9、収率64%、
融点64.8〜65.8)。
ロフェニル)−4−()ランス−4−プロピルシクロヘ
キシル)シクロヘキサン−1−オールを精製せずに、そ
の1まトルエン10011/に溶解し、p−)ルエンス
ルホン酸1.0#を加え、3時間加熱還流し、脱水反応
を行った。反応終了後、室温まで放冷し、反応液を2N
−水酸化ナトリウムで洗浄、続いて、中性になるまで水
で洗浄した。その後、減圧で溶媒を留去し、茶かつ色の
油状物を得た。この油状物をエタノールとノルマルヘプ
タン混合溶媒で再結晶して、無色結晶の1−フルオロ−
2−トリフルオロメチル−4−〔4−(トランス−4−
プロピルシクロヘキシル)シクロヘキセン−1−イル〕
ベンゼンを製造した(収量22.0J9、収率64%、
融点64.8〜65.8)。
上記と全く同様の操作で4−(トランス−4−プロビル
シクロヘキシル)シクロヘキサノンの代りにアルキル基
の異なる4−(トランス−4−アルキルシクロヘキシル
)シクロヘキサノンを用いてつぎの化合物を製造できる
。
シクロヘキシル)シクロヘキサノンの代りにアルキル基
の異なる4−(トランス−4−アルキルシクロヘキシル
)シクロヘキサノンを用いてつぎの化合物を製造できる
。
1−フルオロ−2−トリフルオロメチル−4−(4−(
トランス−4−メチルシクロヘキシル)シクロヘキセン
−1−イル〕ベンゼン、1−フルオロ−2−トリフルオ
ロメチル−4−C4−()ランス−4−エチルシクロヘ
キシル)シクロヘキセン−1−イル〕ベンゼン、1−フ
ルオロ−2−トリフルオロメチル−4−[4−()ラン
ス−4−ブチルシクロヘキシル)シクロヘキセン−1−
イル〕ベンゼン、1−フルオロ−2−トリフルオロメチ
ル−4−[4−()ランス−4−ペンチルシクロヘキシ
ル)シクロヘキセン−1−イル〕ベンゼン、1−フルオ
ロ−2−) IJフルオロメチル−4−(4−()ラン
ス−4−ヘキシルシクロヘキシル)シクロヘキセン−1
−イル〕ベンゼン、1−フルオロ−2−トリフルオロメ
チル−4−[4−()ランス−4−へブチルシクロヘキ
シル)シクロヘキセン−1−イル〕ベンゼン、1−フル
オロ−2−トリフルオロメチル−4−[4−()ランス
−4−オクチルシクロヘキシル)シクロヘキセン−1−
イル〕ベンゼン、1−フルオロ−2−トリフルオロメチ
ル−4−[4−()ランス−4−ノニルシクロヘキシル
)シクロヘキセン−1−イル〕ベンゼン、1−フルオロ
−2−トリフルオロメチル−4−[4−()ランス−4
−デシルシクロヘキシル)シクロヘキセン−1−イル〕
ベンゼン、1−フルオロ−2−トリフルオロメチル−4
−(4−()ランス−4−ウンデシルシクロヘキシル)
シクロヘキセン−1−イル〕ベンゼン、1−フルオロ−
2−トリフルオロメチル−4−(4−()ランス−4−
ドデシルシクロヘキシル)シクロヘキセン−1−イル〕
ベンゼン、1−フルオロ−2−トリフルオロメチル−4
−[4−()ランス−4−トリデシルシクロヘキシル)
シクロヘキセン−1−イル〕ベンゼン、1−フルオロ−
2−トリフルオロメチル−4−(4−()ランス−4−
テトラデシルシクロヘキシル)シクロヘキセン−1−イ
ル〕ベンゼン、1−フルオロ−2−トリフルオロメチル
−4−(4−(トランス−4−ペンタデシルシク口ヘキ
シル)シクロヘキセン−1−イル〕ベンゼン。
トランス−4−メチルシクロヘキシル)シクロヘキセン
−1−イル〕ベンゼン、1−フルオロ−2−トリフルオ
ロメチル−4−C4−()ランス−4−エチルシクロヘ
キシル)シクロヘキセン−1−イル〕ベンゼン、1−フ
ルオロ−2−トリフルオロメチル−4−[4−()ラン
ス−4−ブチルシクロヘキシル)シクロヘキセン−1−
イル〕ベンゼン、1−フルオロ−2−トリフルオロメチ
ル−4−[4−()ランス−4−ペンチルシクロヘキシ
ル)シクロヘキセン−1−イル〕ベンゼン、1−フルオ
ロ−2−) IJフルオロメチル−4−(4−()ラン
ス−4−ヘキシルシクロヘキシル)シクロヘキセン−1
−イル〕ベンゼン、1−フルオロ−2−トリフルオロメ
チル−4−[4−()ランス−4−へブチルシクロヘキ
シル)シクロヘキセン−1−イル〕ベンゼン、1−フル
オロ−2−トリフルオロメチル−4−[4−()ランス
−4−オクチルシクロヘキシル)シクロヘキセン−1−
イル〕ベンゼン、1−フルオロ−2−トリフルオロメチ
ル−4−[4−()ランス−4−ノニルシクロヘキシル
)シクロヘキセン−1−イル〕ベンゼン、1−フルオロ
−2−トリフルオロメチル−4−[4−()ランス−4
−デシルシクロヘキシル)シクロヘキセン−1−イル〕
ベンゼン、1−フルオロ−2−トリフルオロメチル−4
−(4−()ランス−4−ウンデシルシクロヘキシル)
シクロヘキセン−1−イル〕ベンゼン、1−フルオロ−
2−トリフルオロメチル−4−(4−()ランス−4−
ドデシルシクロヘキシル)シクロヘキセン−1−イル〕
ベンゼン、1−フルオロ−2−トリフルオロメチル−4
−[4−()ランス−4−トリデシルシクロヘキシル)
シクロヘキセン−1−イル〕ベンゼン、1−フルオロ−
2−トリフルオロメチル−4−(4−()ランス−4−
テトラデシルシクロヘキシル)シクロヘキセン−1−イ
ル〕ベンゼン、1−フルオロ−2−トリフルオロメチル
−4−(4−(トランス−4−ペンタデシルシク口ヘキ
シル)シクロヘキセン−1−イル〕ベンゼン。
実施例2
1−トリフルオロメチル−2−フルオロ−4−[4−(
)ランス−4−プロピルシクロヘキシル)シクロヘキセ
ン−1−イル〕ベンゼン((I)式でRがC,H,、X
がCF、、YがFのもの)の製造実施例1と全く同様の
操作により2−フルオロ−5−ブロモベンゾトリフロリ
ドの代すに、2−フルオロ−4−ブロモベンゾトリフロ
リドを用いて1−トリフルオロメチル−2−フルオロ−
4−C4−Cトランス−4−プロピルシクロヘキシル)
シクロヘキセン−1−イル〕ベンゼンを得た。
)ランス−4−プロピルシクロヘキシル)シクロヘキセ
ン−1−イル〕ベンゼン((I)式でRがC,H,、X
がCF、、YがFのもの)の製造実施例1と全く同様の
操作により2−フルオロ−5−ブロモベンゾトリフロリ
ドの代すに、2−フルオロ−4−ブロモベンゾトリフロ
リドを用いて1−トリフルオロメチル−2−フルオロ−
4−C4−Cトランス−4−プロピルシクロヘキシル)
シクロヘキセン−1−イル〕ベンゼンを得た。
同様の操作で4−(トランス−4−プロピルシクロヘキ
シル)シクロヘキサノンの代りに、アルキル基の異なる
4−(1−ランス−4−アルキルシクロヘキシル)シク
ロヘキサノンを用いて、次の化合物を製造できる。
シル)シクロヘキサノンの代りに、アルキル基の異なる
4−(1−ランス−4−アルキルシクロヘキシル)シク
ロヘキサノンを用いて、次の化合物を製造できる。
1−トリフルオロメチル−2−フルオロ−4−C4−(
トランス−4−メチルシクロヘキシル)シクロヘキセン
−1−イル〕ベンゼン、1−トリフルオロメチル−2−
フルオロ−4−(:4−()ランス−4−エチルシクロ
ヘキシル)シクロヘキセン−1−イル〕ベンゼン、1−
トIJフルオロメチルー2−フルオロ−4−[4−(
)ランス−4−ブチルシクロヘキシル)シクロヘキセン
−1−イル〕ベンゼン、1−) IJフルオロメチル−
2−フルオロ−4−[4−()ランス−4−ペンチルシ
クロヘキシル)シクロヘキセン−1−イル〕ベンゼン、
1−トリフルオロメチル−2−フルオロ−4−C4−(
トランス−4−へキシルシクロヘキシル)シクロヘキセ
ン−1−イル〕ベンゼン、1−)!Jフルオロメチルー
2−フルオロ−4−[4−()ランス−4−ヘプチルシ
クロヘキシル)シクロヘキセン−1−イル〕ベンゼン、
1−トリフルオロメチル−2−フルオロ−4−[4−(
)ランス−4−オクチルシクロヘキシル)シクロヘキセ
ン−1−イル〕ベンゼン、1−トリフルオロメチル−2
−フルオロ−4[4−()ランス−4−ノニルシクロヘ
キシル)シクロヘキセン−1−イル〕ベンゼン、1−ト
リフルオロメチル−2−フルオロ−4−〔4−()ラン
ス−4−デシルシクロヘキシル)シクロヘキセン−1−
イル〕ベンゼン、1− トIJフルオロメチルー2−フ
ルオロ−4−C4−(1−ランス−4−ウンデシルシク
ロヘキシル)シクロヘキセン−1−イル〕ベンゼン、1
− トリフルオロメチル−2−フルオロ−4[4−()
ランス−4−ドデシルシクロヘキシル)シクロヘキセン
−1−イル〕ベンゼン、1− トIJフルオロメチルー
2−フルオロ−4−[4−(トランス−4−トリデシル
シクロヘキシル)シクロヘキセン−1−イル〕ベンゼン
、1− ) IJフルオロメチル−2−フルオロ−4−
(4−(トランス−4−テトラデシルシクロヘキシル)
シクロヘキセン−1−イル〕ベンゼン、1−トリフルオ
ロメチル−2−フルオロ−4−[4−()ランス−4−
ペンタデシルシクロヘキシル)シクロヘキセン−1−イ
ル〕ベンゼン。
トランス−4−メチルシクロヘキシル)シクロヘキセン
−1−イル〕ベンゼン、1−トリフルオロメチル−2−
フルオロ−4−(:4−()ランス−4−エチルシクロ
ヘキシル)シクロヘキセン−1−イル〕ベンゼン、1−
トIJフルオロメチルー2−フルオロ−4−[4−(
)ランス−4−ブチルシクロヘキシル)シクロヘキセン
−1−イル〕ベンゼン、1−) IJフルオロメチル−
2−フルオロ−4−[4−()ランス−4−ペンチルシ
クロヘキシル)シクロヘキセン−1−イル〕ベンゼン、
1−トリフルオロメチル−2−フルオロ−4−C4−(
トランス−4−へキシルシクロヘキシル)シクロヘキセ
ン−1−イル〕ベンゼン、1−)!Jフルオロメチルー
2−フルオロ−4−[4−()ランス−4−ヘプチルシ
クロヘキシル)シクロヘキセン−1−イル〕ベンゼン、
1−トリフルオロメチル−2−フルオロ−4−[4−(
)ランス−4−オクチルシクロヘキシル)シクロヘキセ
ン−1−イル〕ベンゼン、1−トリフルオロメチル−2
−フルオロ−4[4−()ランス−4−ノニルシクロヘ
キシル)シクロヘキセン−1−イル〕ベンゼン、1−ト
リフルオロメチル−2−フルオロ−4−〔4−()ラン
ス−4−デシルシクロヘキシル)シクロヘキセン−1−
イル〕ベンゼン、1− トIJフルオロメチルー2−フ
ルオロ−4−C4−(1−ランス−4−ウンデシルシク
ロヘキシル)シクロヘキセン−1−イル〕ベンゼン、1
− トリフルオロメチル−2−フルオロ−4[4−()
ランス−4−ドデシルシクロヘキシル)シクロヘキセン
−1−イル〕ベンゼン、1− トIJフルオロメチルー
2−フルオロ−4−[4−(トランス−4−トリデシル
シクロヘキシル)シクロヘキセン−1−イル〕ベンゼン
、1− ) IJフルオロメチル−2−フルオロ−4−
(4−(トランス−4−テトラデシルシクロヘキシル)
シクロヘキセン−1−イル〕ベンゼン、1−トリフルオ
ロメチル−2−フルオロ−4−[4−()ランス−4−
ペンタデシルシクロヘキシル)シクロヘキセン−1−イ
ル〕ベンゼン。
実施例3(組成物)
トランス−4−プロピル−(4−シアノフェニル)シク
ロヘキサン 30重量係トランス
ー4−ペンチル−(4−シアノフェニル)シクロヘキサ
ン 40重社係トランスー4−へ
ブチル−(4−シアノフェニル)シクロヘキサン
30重i%なる組成の液晶混合物囚の
N−I点は52.3℃、Δεは+10.7.20℃にお
ける粘度は21.7、△nは0.119である。液晶セ
ルとして、酸化ケイ素をコーティングし、ラビング処理
した酸化スズ透明電極を有する基板を対向させて組立て
た、電極間距離が9μmのものを用意し、上記の液晶組
成物図を封入して20℃でその特性を測定したところ、
しきい電圧(以下、vthと略記する)は1.60Vで
あった。
ロヘキサン 30重量係トランス
ー4−ペンチル−(4−シアノフェニル)シクロヘキサ
ン 40重社係トランスー4−へ
ブチル−(4−シアノフェニル)シクロヘキサン
30重i%なる組成の液晶混合物囚の
N−I点は52.3℃、Δεは+10.7.20℃にお
ける粘度は21.7、△nは0.119である。液晶セ
ルとして、酸化ケイ素をコーティングし、ラビング処理
した酸化スズ透明電極を有する基板を対向させて組立て
た、電極間距離が9μmのものを用意し、上記の液晶組
成物図を封入して20℃でその特性を測定したところ、
しきい電圧(以下、vthと略記する)は1.60Vで
あった。
この液晶組成物(A)85重量係に本発明の化合物の1
つである実施例1で製造した1−フルオロ−2−トリフ
ルオロメチル−4−4:4−()ランス−4−プロピル
シクロヘキシル)シクロヘキセン−1−イル〕ベンゼン
15重量係を添加した液晶組成物(DN−1点は42.
8℃、Δmlは+9.9、Δnは0.107.20℃に
おける粘度は28.9cp。
つである実施例1で製造した1−フルオロ−2−トリフ
ルオロメチル−4−4:4−()ランス−4−プロピル
シクロヘキシル)シクロヘキセン−1−イル〕ベンゼン
15重量係を添加した液晶組成物(DN−1点は42.
8℃、Δmlは+9.9、Δnは0.107.20℃に
おける粘度は28.9cp。
vthは1.33Vでおった。
このことより、この化合物のΔeは+5.4(外り大き
く、シアノ基を有する化合物の含有量を組成物から減ら
すことができる。
く、シアノ基を有する化合物の含有量を組成物から減ら
すことができる。
以
上
Claims (2)
- (1)一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼( I ) (上式中、Rは炭素数1〜15の直鎖又は分岐アルキル
基を、X、Yはそのいずれか一方がF原子を、他方がC
F_3基を示す) で表わされるシクロヘキセンフッ素化合物。 - (2)請求項1記載の( I )式で表わされるシクロヘ
キセンフッ素化合物を有効成分として含有する液晶組成
物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2217545A JP2829435B2 (ja) | 1990-08-17 | 1990-08-17 | シクロヘキセンフツ素化合物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2217545A JP2829435B2 (ja) | 1990-08-17 | 1990-08-17 | シクロヘキセンフツ素化合物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0499739A true JPH0499739A (ja) | 1992-03-31 |
| JP2829435B2 JP2829435B2 (ja) | 1998-11-25 |
Family
ID=16705937
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2217545A Expired - Lifetime JP2829435B2 (ja) | 1990-08-17 | 1990-08-17 | シクロヘキセンフツ素化合物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2829435B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009138204A (ja) * | 1993-04-09 | 2009-06-25 | Merck Patent Gmbh | 液晶媒体 |
| CN113004905A (zh) * | 2019-12-20 | 2021-06-22 | 北京八亿时空液晶科技股份有限公司 | 一种含环己烯结构的液晶化合物及其制备方法 |
| CN113004904A (zh) * | 2019-12-20 | 2021-06-22 | 北京八亿时空液晶科技股份有限公司 | 一种含环己烯结构的液晶化合物及其制备方法 |
| CN113265260A (zh) * | 2020-02-14 | 2021-08-17 | 北京八亿时空液晶科技股份有限公司 | 一种含环己烯结构的液晶化合物及其制备方法与应用 |
-
1990
- 1990-08-17 JP JP2217545A patent/JP2829435B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009138204A (ja) * | 1993-04-09 | 2009-06-25 | Merck Patent Gmbh | 液晶媒体 |
| DE4411806B4 (de) * | 1993-04-09 | 2013-11-28 | Merck Patent Gmbh | Flüssigkristallines Medium |
| CN113004905A (zh) * | 2019-12-20 | 2021-06-22 | 北京八亿时空液晶科技股份有限公司 | 一种含环己烯结构的液晶化合物及其制备方法 |
| CN113004904A (zh) * | 2019-12-20 | 2021-06-22 | 北京八亿时空液晶科技股份有限公司 | 一种含环己烯结构的液晶化合物及其制备方法 |
| CN113004904B (zh) * | 2019-12-20 | 2023-04-28 | 北京八亿时空液晶科技股份有限公司 | 一种含环己烯结构的液晶化合物及其制备方法 |
| CN113265260A (zh) * | 2020-02-14 | 2021-08-17 | 北京八亿时空液晶科技股份有限公司 | 一种含环己烯结构的液晶化合物及其制备方法与应用 |
| CN113265260B (zh) * | 2020-02-14 | 2022-07-26 | 北京八亿时空液晶科技股份有限公司 | 一种含环己烯结构的液晶化合物及其制备方法与应用 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2829435B2 (ja) | 1998-11-25 |
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