JPH0499985A - 放射線測定器 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は放射性物質から放射された放射線を検出しかつ
この検出結果についてＭＯＳＩディジタル回路等を用い
て信号処理を行って前記放射線の線量または線量率を測
定するようにした放射線検出器、特に、ＭＯＳディジダ
ル回路が放射線で照射されることにもとづく該ディジタ
ル回路の放射線損傷の発生を察知することができる測定
器に関する。

〔従来の技術〕

第４図は従来の放射線測定器１の構成図である。

図において、２は電離箱やＧＭ計数管等の放射線検出器
を用いて入射する放射線３を検出して、この検出結果に
応じたパルス列信号２ａを出力するようにした放射線検
出回路、４は、計数値リセット信号４ａと計時値リセッ
ト信号４ｂとを出力し。

しかる後針数量゛始指→信号４Ｃと計時開始指令信号４
ｄとを同時に出力し、さらにその後タイムアツプ信号６
ａが入力されると計数停止指令信号４ｅを出力する一連
の信号出力動作を所定の周期で繰り返し℃行う制御回路
、５はパルス列信号２ａが入力されており、かつ計数値
リセット信号４ａが入力されると計数内容を零にし、か
つ計数開始相→信号４Ｃが入力されろと信号２ａを構成
するパルスを計数し、かつ計数停止指令信号４ｅが入力
されると前記のパルス計数動作を停止し、かつ常時計数
内容に応じた計数信号５ａを出力するようにした計数回
路で、６は計時値リセット信号４ｂが入力されると計時
内容を零にし、かつ計時開始指令信号４ｄが入力される
と計時動作を開始しかつこの計時動作を開始してから予
め設定された計数時間を経過すると前記計時動作を停止
すると同時にタイムアツプ信号６ａを出力するようにし
たタイマ回路である。７は制御回路４と計数回路５とタ
イマ回路６とからなる測定回路、８は計数信号５ａが入
力されかつこの信号５ａに応じた計数回路５の計数内容
を表示するようにした表示回路で、この場合測定回路７
はその少なくとも一部カＭ　ＯＳディジダル回路９で構
成されている。そうして、放射線測定器１は上述の各部
で構成され℃いろ。

〔発明が解決しようとする課題〕

放射線測定器１は上述のように構成されているので、表
示回路８の表示内容によって放射線３の線量または線量
率をこの測定器１で測定できることが明らかであるが、
この測定器ｌでは、該測定器１を放射線３の場の中に置
いた場合、測定器１によって放射線３の測定を行うと否
とにかかわらず、ＭＯＳディジタル回路９が放射線３の
照射を受けることは当然で、したがって、測定器工がし
ばしば放射線場の中に贋かれることによって回路９が受
ける放射線照射線量の積算値が多くなると該回路９ＶＣ
放射線の照射にもとづく放射線損傷が発゛生ずる。

そうし℃・このような放射線損傷が発生すると計数信号
５ａが放射線３の線量または線量率を正しく表さなくな
る。つまり、この場合測定回路７が故障状態になる。と
ころが、上述したように測定器１においては上記放射線
損傷の発生を検知する手段が設けられていないので測定
器１がいつ故障状態になったかということを知ることは
不可能である。したがって、測定器１１Ｃおいては、故
障状態になっているのに気付かないで使用される恐れが
あるので、線量または線量率の測定（以後、この測定を
放射線測定ということがある。）の結果の信頼度が低い
という問題点がある。

本発明の目的は、ＭＯＳディジタル回路９における放射
線損傷の発生を早期に察知することができるようにして
、放射線測定結果の信頼度の高い放射線測定器を得るこ
とにある。

〔課題を達成するための手段〕

上記目的を達成するため、本発明によれば、放射線を検
出してこの検出結果に応じたパルス列信号を出力する放
射線検出回路と、前記パルス列信号が入力されかつこの
パルス列信号におけるパルスを所定の計数時間の間計数
してこの計数結果に応じた計数信号を出力する少なくと
も一部にＭＯＳディジダル回路を用いた測定回路と、前
記測定回路の近傍に配置されかつ入力電圧がしきい値電
圧をこえるとレベルが変化する二値信号を出力する監視
用半導体装置と、前記二値信号にもとづき前記監視用半
導体装置に固有の前記しきい値電圧を監視して前記しき
い値電圧の変化を検出すると警報信号を出力するしきい
値電圧監視装置とを備え、＃記計数信号にもとづき前記
放射線の線量または線量率を測定すると共に、前記警報
信号によって前記測定回路における放射線損傷の発生を
察知する放射線測定器であって、前記監視用半導体装置
８０ｓデイジダル回路におけると同じ材料及び製造方法
を用いて製造されたＭＯＳ形の半導体装置であるように
原放射線測定器を構成し、さらに、この原放射線測定器
において、しきい値電圧監視装置が、監視用半導体装置
の入力電圧としての可変電圧を発生しかつ異常検出信号
が入力されるとその時の前記可変電圧の値が前記監視用
半導体装置におけるしきい値電圧の許容電圧範囲内にあ
るかどうかを判定して前記可変電圧の値が前記許容電圧
範囲をはずれていると警報信号を出力する警報回路と、
前記監視用半導体装置が出力する二値信号が入力されか
つこの二値信号のレベルが変化すると前記異常検出信号
を出力する異常検出回路とからなるように放射線測定器
を構成し、さらに、前記の原放射線測定器において、し
きい値電圧監視装置を、監視用半導体装置の入力電圧と
しての直流定電圧を発生する定電圧発生回路と、前記監
視用半導体装置が出力する二値信号が入力されかつこの
二値信号のレベルが変化すると警報信号を出力する警報
信号発生回路とで構成したうえ、前記直流定電圧の値を
前記監視用半導体装置におけるしきい値電圧の許容電圧
範囲の上限値または下限値に等しく設定して放射線測定
器を構成し、さらに、前記の原放射線測定器において、
監視用半導体装置を測定回路の近傍に配置されかつ出力
電圧が入力端子にフィードバックされたＭＯＳ形インバ
ーダとしたうえ、しきい値電圧監視装置が前記ＭＯＳ形
インバータにおけるしきい値電圧の許容電圧範囲の上限
値の電圧Ｖｈを出力する定電圧発生回路と、前記ＭＯＳ
形インバーダの出力電圧Ｖｏと前記電圧Ｖｈとを比較し
て前記電圧Ｖｏ〔作用〕 上記のように構成すると、測定回路のＭＯＳデイジダル
回路における放射線損傷と監視用半導体装置における放
射線損傷とがほぼ同じ時期に発生することになり、また
、Ｍ　ＯＳ形の監視用半導体装置に放射線損傷が発生す
るとこの半導体装置のしきい値電圧が該半導体装置固有
の方向に上昇または下降することが公知であるから、し
きい値電圧監視装置が警報信号を出力するとこの信号に
よって測定回路のＭＯＳディジダル回路における放射線
損傷の発生を早期に察知することができて、したがって
、計数信号にもとづ（放射線測定結果の信頼度の高い放
射線測定器が得られることになる。

そうして、また、上記のように構成すると、しきい値電
圧監視装置を異常検出回路と警報回路とで構成した場合
、可変電圧の値を監視用半導体装置に固有の方向に上昇
または下降させろ電圧変更操作を周期的に常時繰り返す
かまたはこの電圧変更操作を随時繰り返すことによって
異常検出回路と警報回路とで、監視用半導体装置におけ
るしきい値電圧の変化が監視されることになり、また。

しきい値電圧監視装置を定電圧発生回路と警報信号発生
回路とで構成した場合、これらの両回路によってそのま
まで監視用半導体装置におゆるしきい値電圧の変化が常
時自動的に監視されることになり、また、監視用半導体
装置をＭＯＳ形インバータとしかつしきい値電圧監視装
置を定電圧発生回路とコンパレータとで構成した場合、
該インバータの出力電圧が自動的にこのインバータのし
きい値電圧に等しくなるので監視用半導体装置としての
インバータのしきい値電圧の変化がコンパレータで常時
自動的に監視されることになって、したがって、上記の
いずれの場合においても放射線測定結果の信頼度の高い
放射線測定器が得られることになる。

〔実施例〕

第１図は本発明の一実施例の構成図で、本図においては
第４図におけるものと同じものに第４図の場合と同じ符
号がつげである。

第１図において、ｌＯは自動操作または手動操作によっ
て電圧値が変わる可変電圧Ｅを発生するようにした可変
電圧発生器、１１は測定回路７の近傍に配置され、かつ
可変電圧Ｅが図示したように入力電圧Ｖｉとして入力さ
れ、かつ電圧Ｖｉがしきい値電圧Ｖ【をこえるとレベル
がＨレベルからＬレベルに変化する二値信号１１ａを出
力するようにした監視用半導体装置であるＭＯＳ形半導
体装置としてのＭＯＳ形インバータで、この場合、しき
い値電圧ｖＬはインバー’ｉ’ｌｌに固有の電圧でかつ
インバータ１１においては放射線損傷が生じると電圧値
が上昇する電圧であり、また、インバータ１１は測定回
路７に用いたＭＯＳディジタル回路９におけろと同じ材
料及び製造方法を用いて製造されたＭＯＳ形半導体装置
である。

１２は、図示のように直列に接続された＋５Ｖの直流電
源１３と直流制限抵抗１４と発光ダイオード１５と、こ
のダイオード１５の出射光を受光するように配置された
ホトダイオード１６を有する受光装置１７とからなり、
二値信号１１ａがＨレベルからＬレベルに変化した時に
発光するダイオード１５の出射光をホトダイオード１６
で受光して、信号１１ａのレベルが変化したことを表す
異常検出信号１７ａを受光装置エフから出力するように
した異常検出回路、１８は常時可変電圧Ｅを監視してお
りかつ異常検出信号１７ａが入力されろとその時の電圧
Ｅの値Ｅｘがインバータ１１におけるしきい値電圧Ｖｔ
の許容電圧範囲り内にあるかどうかを判定して電圧値Ｅ
、が範囲りをはずれていると警報信号１８ａを出力する
ようにした電圧検出−判定回路、１９は可変電圧発生器
１０と判定回路１８とからなる警報回路で、２０は異常
検出信号工２と警報回路１９とからなるしきい値電圧監
視装置である。

２１は図示の各部からなる放射線測定器である。

なお、上述した許容電圧範囲りは、インバータ１１のし
きい値電圧Ｖｊがこの範囲り内にあると該インバータが
正常な動作を行うことが従来間らかにされているインバ
ータＩＩＶｃ固有の電圧範囲で、インバータ１１に放射
線損傷が発生するとこの場合電圧Ｖ［が範囲りの上限値
Ｖｈを上まわった値になることが既に明らかにされてい
る。

放射線測定器２１は上述のように構成されているので、
測定回路７のＭＯＳディジダル回路９に発生する放射線
損傷とインバータ１１に発生する放射線損傷とがほぼ同
じ時期に発生することが明らかである。そうして、また
、測定器２１は上述のように構成されているので、可変
電圧Ｅを零ボルトから次第に上昇させた場合、電圧Ｅが
その時のインバータ１工のしきい値電圧Ｖ【の［Ｖｔｔ
ヲこえると信号１１ａがＨレベルからＬレベルに変化す
るのでそれまで清澄していたダイオード１５が点燈して
検出回路１２から検出信号１７ａが出力され、この結果
判定回路１８内においてその時の電圧Ｅの値Ｅ、が測定
される。そうして、この場合、電圧Ｅの変化速度は小さ
く設定されているのでＥ１ΦＶｔｌであることが明らか
である。

したがって、インバータ１１に放射線損傷が生じていな
い時に上述したようにして電圧Ｅを上昇させた場合、電
圧Ｖｔ□が許容電圧範囲り内にあるので信号１７ａが判
定回路１８に入力された時の電圧Ｅの値Ｅ、が範囲り内
にあることになつ℃、台この時警報信号１８ａが回路１
８から出力されることはないが、インバータ１１に放射
線損傷が生じると上述のようにして電圧Ｅを上昇させた
場合、既に前述したように、電圧値ｖｔ１が範囲りの上
限値Ｖｈを上まわった値になるので、信号１７ａが回路
１８に入力された時の電圧値Ｅ８が範囲りをはずれるこ
とになり、このため、この時警報信号１８ａが回路１８
から出力されることになる。

つまり、測定器２１においては、電圧Ｅを徐々に上昇さ
せた場合インバータ１１に放射線損傷が生じていると警
報信号１８ａが出力され、かつインバータ１１における
放射線損傷はＭＯＳディジタル回路９＆ｆ：発生する放
射線損傷とほぼ同じ時期に発生する。故に、測定器２１
の場合、電圧Ｅを上記のように上昇させる電圧変更操作
を周期的に常時繰り返して行うようにするかまたは必要
に応じて前記操作を随時繰り返すことによってＭＯＳデ
ィジタル回路９の放射線損傷を早期に察知しうろことが
明らかで、したがって、測定器２１は放射線測定結果の
信頼度の高い放射線測定器であるということになる。な
お、測定器２１は上述のように動作するので、この場合
インバータ１１がディジタル回路９Ｖｃおける放射線損
傷の発生を監視するだめに用いられていることが明らか
である。改に、インバータ１１は放射線損傷の発生を監
視するための監視用半導体装置であるということができ
るＯ 上述の実施例では、インバータ１１が放射線損傷が生じ
るとしきい値電圧Ｖ【が電圧範囲りの上限値Ｖｈを上ま
わった値になるという特性を有するものであったが１本
発明においては、入力電圧Ｖｉが固有のしきい値電圧Ｖ
ｔをこえるとレベルが変化する二値信号を出力しかつ放
射線損傷が生じた場合Ｖｔが範囲りの丁限値ｖｔを下ま
わった値になる特性を有するＭＯＳ形半導体装置であっ
て、ディジダル回路９Ｖｃおけると同じ材料及び製造方
法で製造されたＭＯＳ形半導体装置を、インバータ１１
のかわりに用いるようにしてもよいことが上述した所か
ら明らかである。また、測定器２１では電圧Ｅを上昇さ
せる電圧変更操作を行うことによってしきい値電圧Ｖｔ
の監視を行うようにしきい値電圧監視装置２０を構成し
たが１本発明においては、Ｅを下降させる操作を行うこ
とによってｖｔの監視を行うように監視装置２ｏを構成
しても差し支えない。

第２図は本発明の第１図の実施例２１とは異なる実施例
としての放射線測定器２２の構成図で、図の第１図と異
なる所は、第１図の警報回路１９にかえて１発生した直
流定電圧ＶＣをインバータ１１の入力電圧Ｖｉとして入
力する定電圧発生回路２３が設げられてぃろことと、発
光ダイオード１５の出射光を受光するように配置された
ホトダイオード１６を内蔵しておりかつダイオード１５
の出射光が消滅すると警報信号２４ａを出方する受光装
置２４と直流電源１３と抵抗１４とホトダイオード１５
とからなる警報信号発生回路２５が第１図の異常検出回
路１２１Ｃかえて設けられ℃いることと、この警報信号
発生回路２５と定電圧発生回路２３とでしきい値電圧監
視装置２６が構成されていることである。

測定器２２においては各部が上述のように構成されてい
るほか、定電圧ｖｃが前述の電圧範囲りの上限値Ｖｈに
等しく設定されているので、インバーク１１に放射線損
傷が生じていなくてＶｔがＶｈを下まわっていると二値
信号１１ａがＬレベルになってダイオード１５が点燈状
態にあり、インバータ１１に放射線損傷が生じるとＶｔ
がＶｈを上まわるので信号１１ａがＨレベルになってダ
イオード１５が清澄する。故にこの時警報信号２４ａが
受光装置２４から出力される。

すなわち、測定器２２におい℃は、両回路２３と２５と
からなるしきい値電圧監視装置２６Ｖｃよってなんらの
操作をすることなくそのままインバータ１１のしきい値
電圧Ｖｔの変化が常時自動的に監視され、かつインバー
タ１１に放射線損傷が生じると警報信号２４ａが出力さ
れるので、測定器２２も、前述の測定器２１と同様ｉｃ
、測定回路７におけるＭＯＳディジタル回路９の放射線
損傷を早期に察知することができて、したがって放射線
測定結果の信頼度の高い放射線測定器であるということ
が・できる。

測定器２２では、ディジダル回路９におげろと同じ材料
及び製造方法を用いて製造された放射線損傷監視用のＭ
ＯＳ形半導体装置としてインバータエ１を採用したので
定電圧ＶｏをＶｈＶｃ等しく設定した定電圧発生回路２
３と警報信号発生回路２５とでしきい値電圧監視装置２
６を構成したが。

本発明においては、放射線損傷が生じるとＶｔが電圧範
囲りの下限値Ｖｔを丁まわるようになるＭＯＳ形半導体
装置をインバータ１１に対応した放射線損傷監視用の半
導体装置として採用することになった場合、電圧ＶＣを
ＶｔＶｃ等しく設定した定電圧発生回路を用いてしきい
値電圧監視装置を構成することによって、測定器２２に
おづ゛ると同様な放射線測定結果の信頼度の高い放射線
測定器が得られろことが明らかである。

第３図は上述した各実施例２１．２２のいずれとも異な
る本発明実施例としての放射線測定器２７の構成図で、
本図の第１図及び第２図と異なる所は、ディジダル回路
９の放射線損傷を監視するための監視用半導体装置とし
ての前述したインバータ１１１Ｃ対応したＭＯＳ形半導
体装置２８が、出力電圧Ｖｏｂ′−入力端子１１ｂにフ
ィードバックされたＭＯＳ形インバーダ１１で構成され
ていることと、この出力電圧Ｖｏと定電圧発生回路２３
が出力する直流定電圧ｖｃとを比較してＶｏがＶｏを上
まわると警報信号２９ａを出力するコンパレータ２９と
回路２３とからなるし、きい直電圧監視装置３０が前述
したしきい値電圧監視装置２０．２６のそれぞれに対応
したしきい値電圧監視装置とし℃設けられていることで
、この場合、ｖｃは前述ノＶｈに等しく設定されている
。

放射線測定器２７は上述ηように構成されているのでイ
ンバータ１１の出力電圧ｖｏが自動的にＶＩＶｃ等しく
なり、この結果、インバータ１１に放射線損傷が発生す
るとコンパレータ２９かう警報信号２９ａが出力される
。故に、放射線測定器２７がＭＯＳＩディジダル回路９
の放射線損傷を早期に察知することができて放射線測定
の結果の信頼度の高い測定器になっていることが明らか
である。

〔発明の効果〕

上述したように、本発明においては、放射線を検出して
この検出結果に応じたパルス列信号を出力する放射線検
出回路と、前記パルス列信号が入力されかつこのパルス
列信号におけるパルス列信号の計数時間の間計数してこ
の計数結果に応じた計数信号を出力する少なくとも一部
にＭＯＳディジタル回路を用いた測定回路と、この測定
回路の近傍に配置されかつ入力電圧がしきい値電圧をこ
えるとレベル内１変化する二値信号を出力する監視用半
導体装置と、前記二値信月にもとづき監視用半導体装置
に固有の前記しきい値電圧を監視してこのしきい値電圧
の変化を検出すると徘報信号を出力するしきい値電圧監
視装置とを備え、計数信号にもとづき放射線の線盆また
は線量率を測定すると共に、警報信号によって測定回路
における放射線損傷の発生を察知する放射線測定器であ
って、監視用半導体装置はＭＯＳディジタル回路におけ
ると同じ材料及び製造方法を用いて製造されたＭＯＳ形
の半導体装置であるように反故射線測定器を構成し、さ
らに、この反故射線測定器において。

しきい値電圧監視装置が、監視用半導体装置の入力電圧
としての可変電圧を発生しかつ異常検出信号が入力され
るとその時の可変電圧の値が監視用半導体装置における
しきい値電圧の許容電圧範囲内にあるかどうかを判定し
て四全電圧の値が許容電圧範囲をはずれていると警報信
号を出力する警報回路と、監視用半導体装置が出力する
二値信号が入力されかつこの二値信号のレベルが変化す
ると前記異常検出信号を出力する異常検出回路とからな
るように放射線測定器を構成し、さらに、前記の反故射
線測定器において、しきい値電圧監視装置を、監視用半
導体装置の入力電圧としての直流定電圧を発生する定電
圧発生回路と、監視用半導体装置が出力する二値信号が
入力されかつこの二値信号のレベルが変化する警報信号
を出力する警報信号発生回路とで構成したうえ、直流定
電圧の値を監視用半導体装置におけるしきい値電圧の許
容電圧範囲の上限値または下限値に等しく設定して放射
線測定器を構成し、さらに、前記の反故射線測定器にお
いて、監視用半導体装置を測定回路の近傍に配置されか
つ出力電圧が入力端子に７イードバックされたＭＯＳ形
インバータとしたうえ、しきい値電圧監視装置がＭＯＳ
形インバーダにおけるしきい値電圧の許容電圧範囲の上
限値の電圧Ｖｈを出力する定電圧発生回路と、ＭＯＳ形
インバーダの出力電圧ｖｏと前記電圧Ｖｈとを比較して
電圧Ｖｏが電圧Ｖｈを上まわると警報信号を出力するコ
ンパレーダとからなるように放射線測定器を構成した。

このため、上記のように構成すると、測定回路のＭＯＳ
ディジタル回路における放射線損傷と監視用半導体装置
における放射＃！損傷とがほぼ同じ時期に発生すること
になり、また、ＭＯＳ形の監視用半導体装置に放射線損
傷が発生するとこの半導体装置のしきい値電圧が該半導
体装量固有の方向に上昇または下降することか公知であ
るから。

しきい値電圧監視装置が警報信号を出力するとこの信号
によって測定回路のＭＯＳディジタル回路における放射
線損傷の発生を早期に察知することができて、したがっ
て、本発明ＶＣは計数信号にもとづく放射線測定結果の
信頼度の高い放射線測定器が得られる効果がある。

そうして、また、上記のように構成すると、しきい値電
圧監視装置を異常検出回路と警報回路とで構成した場合
、可変電圧の値を監視用半導体装置に固有の方向に上昇
または下降させる電圧変更操作を周期的に常時繰り返す
かまたはこの電圧変更操作を随時繰り返すことによって
異常検出回路と警報回路とで監視用半導体装置における
しきい値電圧の変化が監視されることになり、また、し
きい値電圧監視装置を定電圧発生回路と警報信号発生回
路とで構成した場合、これらの両回路によってそのまま
で監視用半導体装置におけるしきい値電圧の変化が常時
自動的に監視されることになり、また、監視用半導体装
置をＭＯＳ形インバータとしかつしきい値電圧監視装置
を定電圧発生回路とコンパレータとで構成した場合、該
インバータの出力電圧が自動的にこのインバータのしき
い値電圧に等しくなるので監視用半導体装置としてのイ
ンバータのしきい値電圧の変化がコンパレータで常時自
動的に監視されることになって、したかって、上記のい
ずれの場合においても本発明には放射線測定結果の信頼
度の高い放射線測定器が得られる効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図、第２図、第３図はそれぞれ異なる本発明実施例
の構成図、 第４図は従来の放射線測定器の構成図である。 １、２１・２２．２７・・・・・・放射線測定器、２・
・・・・・放射線検出回路、　　２ａ・・・・・・パル
ス列信号、３・・・・・・放射線、５ａ・・・・−・計
数信号、７・・・・・・測定回路、９・・・−ＭＯＳデ
ィジタル回路、　　１１・・・・・・ＭＯＳ形インバー
タ（監視用半導体装置）、ｉｔａ・・・・・・二値信号
、ｌｌｂ・・・・・・大刀端子、工２・・・・・・異常
検出回路、１７ト・・・・・異常検出信号。 １８ａ＊　２４ａｅ　２９ａ・・・・・・警報信号、１
９・・・・・・警報回路、２０、２６．３０・・・・・
・しきい値電圧監視装置、２３・・・・・・定電圧発生
回路、２５・・・・・・警報信号発生回路、２８・・・
・・・ＭＯＳ形半導体装置（監視用半導体装置）、２９
・・・・・・コンパレーダ、Ｅ・・・・・・可変電圧、
ｖｉ・・・・・・大刀電圧、ｖｏ・・・・・・出力電圧
、Ｖｃ曲・・直流定電圧。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １）放射線を検出してこの検出結果に応じたパルス列信
   号を出力する放射線検出回路と、前記パルス列信号が入
   力されかつこのパルス列信号におけるパルスを所定の計
   数時間の間計数してこの計数結果に応じた計数信号を出
   力する少なくとも一部にＭＯＳディジタル回路を用いた
   測定回路と、前記測定回路の近傍に配置されかつ入力電
   圧がしきい値電圧をこえるとレベルが変化する二値信号
   を出力する監視用半導体装置と、前記二値信号にもとづ
   き前記監視用半導体装置に固有の前記しきい値電圧を監
   視して前記しきい値電圧の変化を検出すると警報信号を
   出力するしきい値電圧監視装置とを備え、前記計数信号
   にもとづき前記放射線の線量または線量率を測定すると
   共に、前記警報信号によつて前記測定回路における放射
   線損傷の発生を察知する放射線測定器であつて、前記監
   視用半導体装置は前記ＭＯＳディジタル回路におけると
   同じ材料及び製造方法を用いて製造されたＭＯＳ形の半
   導体装置であることを特徴とする放射線測定器。 ２）特許請求の範囲１項に記載の放射線測定器において
   、しきい値電圧監視装置を、監視用半導体装置の入力電
   圧としての可変電圧を発生しかつ異常検出信号が入力さ
   れるとその時の前記可変電圧の値が前記監視用半導体装
   置におけるしきい値電圧の許容電圧範囲内にあるかどう
   かを判定して前記可変電圧の値が前記許容電圧範囲をは
   ずれていると警報信号を出力する警報回路と、前記監視
   用半導体装置が出力する二値信号が入力されかつこの二
   値信号のレベルが変化すると前記異常検出信号を出力す
   る異常検出回路とで構成したことを特徴とする放射線測
   定器。 ３）特許請求の範囲１項に記載の放射線測定器において
   、しきい値電圧監視装置を、監視用半導体装置の入力電
   圧としての直流定電圧を発生する定電圧発生回路と、前
   記監視用半導体装置が出力する二値信号が入力されかつ
   この二値信号のレベルが変化すると警報信号を出力する
   警報信号発生回路とで構成し、かつ前記直流定電圧の値
   を前記監視用半導体装置におけるしきい値電圧の許容電
   圧範囲の上限値または下限値に等しく設定したことを特
   徴とする放射線測定器。 ４）特許請求の範囲１項に記載の放射線測定器において
   、監視用半導体装置を測定回路の近傍に配置されかつ出
   力電圧が入力端子にフィードバックされたＭＯＳ形イン
   バータとし、しきい値電圧監視装置を前記ＭＯＳ形イン
   バータにおけるしきい値電圧の許容電圧範囲の上限値の
   電圧Ｖ＿ｈを出力する定電圧発生回路と、前記ＭＯＳ形
   インバータの出力電圧Ｖ＿ｏと前記電圧Ｖ＿ｈとを比較
   して前記電圧Ｖ＿ｏが前記電圧Ｖ＿ｈを上まわると警報
   信号を出力するコンパレータとで構成したことを特徴と
   する放射線測定器。